Tittel: Fremgangsmåte og anordning for produksjon av tynne silisiumstaver

Transkript

1 V2335NO00 EP Tittel: Fremgangsmåte og anordning for produksjon av tynne silisiumstaver

2 1 Beskrivelse [0001] Oppfinnelsen vedrører en fremgangsmåte og et apparat for produksjon av tynne silisiumstaver, slik som de som brukes i Siemens kjente prosess for silisiumavsetning. De tynne stavene anordnes der vertikalt i en reaktor, og varmes opp med hjelp av strøm til ca C, slik at silisium avsettes pyrolytisk på dem fra en triklorsilan-hydrogenblanding. Denne grunnleggende produksjonsprosessen for polykrystallinsk silisium er nesten identisk i elektronikkindustrien og i solenergiindustrien. Beskrivelse av teknikkens stand [0002] På grunn av det kraftige økede og stadig økende behovet for polykrystallinsk silisium som silisiumråstoff for halvledere og som råmateriale for solceller øker også behovet for tynne silisiumstaver med en diameter på omkring 4-10 mm. Fremstillingen av tynne silisiumstaver er en uunngåelig og noen ganger begrensende del av i produksjon av silisiumstaver ved pyrolytisk avsetning av silisium fra triklorsilan (Siemens-metoden), eller analogt fra monosilan. Siden den totale lengden av de tynne silisiumstavene tilsvarer lengden av de produserte Si-stavene brukes med den sterke økningen av produksjonen av silisium for sol- og halvlederindustri også tilsvarende store mengder av disse tynne staver. [0003] Tynne silisiumstaver kan fremstilles, for eksempel ved den klassiske piedestalmetoden der staven trekkes ut av det indre hullet av en induksjonsspole med en vinding, som samtidig smelter den øvre enden av en råstoffstav med en diameter av mm. For produksjon av silisiumstaver, er forskjellige metoder beskrevet. [0004] Et eksempel er beskrevet i DE A1, der i en startfase en tynn hals trekkes vertikalt nedover på kjent måte fra en hengende smeltedråpe gjennom den sentrale åpningen av en induksjonsspole med en vinding. Ved oppnåelse av den diameter som er nødvendig for dimensjonene av krystallen som skal trekkes ut reduseres rotasjonen av den voksende krystallen til en hastighet under en 1 omdreining/min. Derpå blir i en vekstfase en Si-monokrystall som har tilnærmet sirkulært tverrsnitt trukket vertikalt nedover, mens induktororganet som benyttes omfatter middel for å frembringe en i det vesentlige rotasjonssymmetrisk temperaturprofil i vekstfasegrensen. [0005] DE A1 beskriver en fremgangsmåte og en anordning for fremstilling av tynne silisiumstaver beskrevet. I dette tilfellet blir en tynn silisiumstav som holdes ved sin øvre ende, trukket oppover fra en vertikal tilførselsstav som smeltes ved sin øvre ende ved hjelp av en induksjonsspole. For å stabilisere den voksende silisiumstaven, er egnede stabiliseringsmidler tilveiebrakt som er laget av fjærstaver, mellom hvilke den tynne silisiumstaven føres. [0006] En annen metode for fremstilling av tynne staver er beskrevet i DE A1. Her dras sirkulære krummede tynne staver for støtteorgan ved materialdeponering ved å trekke den smeltede toppen av en tykk stav ved hjelp av en ringformet induksjonsspole langs en sirkulær bane ved hjelp av en motor med høy utveksling i ren rotasjon.

3 2 [0007] I de ovenfor angitte metodene, kan alltid bare en tynn stav trekkes fra smelten av en råmaterialstav. [0008] For utfelling av polykrystallinske silisiumstaver kan også firkantkjerner, som er kuttet ut av store Si-staver, som lister, brukes. Sagede firkantkjerner har forurensede overflater. Derfor er de svært skjøre, og de trenger å bli våtkjemisk etset og rengjort. Hvis de er saget fra opprinnelig deponerte poly-si-staver med høy renhet, har de også en ugunstig høy elektrisk motstand, noe som kompliserer prosesstarten i avsetningsprosessen. Deres lengde er også alltid litt mindre enn for den stav som de er kuttet fra. [0009] Formålet med foreliggende oppfinnelse er å tilveiebringe en fremgangsmåte og en anordning med hvilke det er mulig i en enkelt operasjon fra en tilførselsstav med standard diameter på f.eks. 120 mm å samtidig produsere flere tynne silisiumstaver med samme materialrenhet som sonetrukkede Si-krystaller og ønskede parametere. Med fremgangsmåten, senkes produksjonskostnadene for tynne staver takket være fraværet av produksjon av spesielle materialer, og også arbeids- og energikostnadene. [0010] I henhold til oppfinnelsen oppnås dette formål ved en fremgangsmåte som har de trekk som er angitt i krav 1, idet fremgangsmåten i prinsippet svarer til den konvensjonelle piedestal-fremgangsmåte ved hvilken en enkel flat induksjonsspole er brukt som en varmekilde, som samtidig smelter den øvre enden av en råmaterialstav, eller emne, og samtidig hjelper innstillingen av krystalliseringsfront på de voksende silisiumstavene som trekkes opp fra smelten. Den enkle skiveformete induksjonsspolen som brukes omfatter et hovedspor dannet som en strømforsyning, og i sentrum en sentral åpning. I motsetning til teknikkens stand trekkes ingen silisiumstav opp gjennom midtåpningen som det går strøm rundt, den forblir fri. I henhold til oppfinnelsen har induksjonsspolen rundt den sentrale åpningen som strømmen går rundt flere gjennomgående huller, som tjener som åpninger for å trekke de tynne silisiumstaver. Av HF-strømmen som strømmer gjennom induksjonsspolen genereres en tilstrekkelig jevn temperaturprofil, noe som fører til dannelse av en smelte i toppen av reservoarstangen. Gjennom de ytterligere trekkehullene i induksjonsspolen kan alltid en tynn silisiumstav trekkes opp fra smeltesjøen. Diameteren av den enkle induksjonsspolen er større enn diameteren av Si-emnet, som fordelaktig har en teknisk vanlig industriell stor diameter. De ytterligere trekkhullene er fortrinnsvis anordnet konsentrisk eller i par, og symmetrisk til den sentrale åpningen. Deres avstand er valgt slik at de voksende silisiumstavene innbyrdes ikke påvirker hverandre for mye termisk, at hver enkelt tynn silisiumstav vokser så jevnt som mulig. Jo større diameteren av Si-emnet er, jo større kan diameteren av induksjonsspolen velges, og det kan således også anordnes et tilsvarende antall ytterligere trekkehuller. [0011] Fortrinnsvis er middel anordnet ovenfor induksjonsspolen, for å hindre aktiv varmetilførsel fra induksjonsspolens magnetfelt til de krystalliserte silisiumstavene for å støtte en ensartet krystallvekst.

4 3 [0012] I startfasen blir etter att toppen av den vertikale Si-staven som holdes ved sin nedre ende er smeltet gjennom hver ytterligere trekkåpning i induksjonsspolen en silisiumkimstav som er festet på en bærer bragt i kontakt med smelten. Når krystallene begynner å vokse, blir bærerne trukket oppover med en slik hastighet at en tynn silisiumstav vokser jevnt fordelt på hver bærer. Her føres Si-emnet oppover under trekkeprosessen ved en slik hastighet at det alltid sikres en tilstrekkelig mengde Si-smelte i avhengighet av trekkehastigheten av de tynne silisiumstavene og antallet av tynne silisiumstaver. [0013] Fortrinnsvis trekkes alle bærere synkront, dvs samtidig og med samme hastighet, oppad. [0014] Det har blitt funnet at det er fordelaktig dersom de tynne silisiumstaver har en doping som tillater direkte og utelukkende oppvarming i Siemens reaktoren. For at dette skal være mulig, oppviser Si-smelten på grunn av spesielle tiltak en slik doping med bor og/eller andre dopelementer, at de faste tynne silisiumstavene får den ønskede doping. [0015] Fremgangsmåten blir fortrinnsvis utført i en trekkekammer i en beskyttende gassatmosfære. [0016] Den oppfinneriske enheten for gjennomføring av metoden har trekkene som fremgår av krav 9. Det vesentlige trekk ved oppfinnelsen ligger deri at den enkle induksjonspolen som brukes som varmekilde, har en sentral åpning, kjent fra den kjente teknikk, som ligger inntil hoved-sporet, og videre har gjennomgående huller som brukes som trekkeåpninger. Omkring disse trekkeåpningene går ingen egen strøm, og dermed er de stort sett induktivt passive gjennomgående huller i induksjonsspolens skive. Trekkeåpningene har en slik diameter at de tynne silisiumstavene som skal produseres kan trekkes gjennom dem. [0017] Disse ekstra trekkeåpninger er fortrinnsvis parvis og symmetrisk eller konsentrisk anordnet relativt den sentrale åpning, og i tilstrekkelig avstand fra kanten av induksjonsspolen. Tilstøtende åpninger har alltid lignende avstander, slik at de tynne silisiumstavene somt rekkes gjennom disse har vesentlig samme diameter og ikke utøver sterk termisk innflytelse på hverandre. [0018] Si-emnet som brukes som tilførselsstav er anordnet på en vertikalt bevegelig spindel, som også kan rotere. [0019] Ovenfor induksjonsspolen er fortrinnsvis vertikalt forskyvbare ikke-roterende bærere anordnet, som bærer silisiumkimstaver for dyrking av de tynne silisiumstaver. Hver bærer senkes i startfasen av prosessen ned gjennom en trekkeåpning, så dypt at silisiumkimstaven kommer i kontakt med smelten ved den øvre ende av silisiumemnet. Ved starten av krystallveksten, trekkes bæreren oppover med en slik hastighet at på kimstaven vokser en tynn stav av silisium, som trekkes ved hjelp av den respektive bærer gjennom den tilhørende passive gjennomtrekningsåpningen. Fortrinnsvis er bærerne forbundet med hverandre på en slik måte at de kan beveges oppover synkront, samtidig og ved samme trekkhastighet slik at nesten samme krystallvekst er sikret for hver silisiumstav. Mens de tynne silisiumstavene vokser og

5 4 trekkes oppover, føres silisiumemnet med sin spindel oppover med en slik hastighet at til enhver tid en tilstrekkelig smeltet materiale mengde er tilgjengelig, slik at de voksende tynne silisiumstavene kan trekkes med optimal hastighet [0020] I avhengighet av tverrsnittet av silisiumemnet som brukes, skal tverrsnittet av induksjonsspolen velges; som alltid er større enn silisiumemnets tverrsnitt. Med de for tiden vanlige tverrsnitt av Si-staver som brukes som emne, har induksjonsspolen ifølge oppfinnelsen fire eller flere ytterligere hull for å trekke ut tynne silisiumstaver. [0021] For å sikre en ensartet krystallvekst av de voksende tynne silisiumstavene, er en skjermplate anordnet like over induksjonsspolen, for å undertrykke en induktiv varmetilførsel fra induksjonsspolens magnetfelt til de krystalliserende silisiumstavene. Skjermplaten har åpninger kongruent med trekkeåpningene i induksjonsspolen i form av gjennomgående huller. Således kan de voksende tynne silisiumstavene trekkes opp gjennom induksjonsspolen og beskyttelsesplaten. [0022] For å kunne bruke et så lite trekk-kammer som mulig og likevel kunne trekke ut så tynne silisiumstaver som mulig kontinuerlig, blir respektive gassporter anordnet for gjennomføring av bæreren og de tynne silisiumstaver gjennom den øvre veggen i trekkekammeret. Disse gassporter består typisk av lange rør med en litt større indre tverrsnitt enn tverrsnittet av de voksende tynne silisiumstavene. [0023] Fordelene med fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen og anordningen foreslått for gjennomføring av denne metoden består i at et større antall tynne silisiumstaver kan fremstilles ved trekking uten digel. Således øker produktiviteten tilsvarende antallet tynne silisiumstaver som trekkes ut samtidig. I tillegg er energibalansen vesentlig forbedret i produksjon av tynne silisiumstaver, ettersom et flertall tynne silisiumstaver kan fremstilles samtidig med en tilsvarende energitilførsel. [0024] Fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen og anordningen foreslått for gjennomføring av fremgangsmåten vil bli forklart mer detaljert i et utførelseseksempel med henvisning til tegningene. [0025] Fig.1 er et toppriss av induksjonsspolen Fig.2 viser anordningen sett fra siden Fig. 3: viser et perspektivriss av anordningen [0026] På fig. 1 er vist en et planriss av en utført induksjonsspole 1 i henhold til oppfinnelsen. Induksjonsspolen 1 består av en flat firkantet metallplate. Kantens lengde LI hos induksjonsspolen 1 i dette eksempel er 160 mm, og dens tykkelse er 10 mm. Induksjonsspolen 1 har ved sin ene diagonal et hovedspor 2 som munner ut i en sentral åpning 4 som ligger i sentrum av induksjonsspolen. Ved hver side av hovedsporet, er strømtilførselsledningene 3 anordnet for HF-strømmen. Så langt tilsvarer konfigurasjonen av induksjonsspolen den kjente teknikkens stand. I henhold til oppfinnelsen oppviser induksjonsspolen 1 i tillegg til den

6 5 sentrale åpningen 4 ytterligere gjennomgående hull, som fungerer som trekkeåpninger 5.1, 5.2, 5.3, 5.4. Gjennom disse fire trekkeåpninger 5.1, 5.2, 5.3, 5.4, 9.4 kan i eksemplet fire tynne silisiumstaver 9.1, 9.2, trekkes separat eller samtidig. Trekkeåpningene 5.1, 5.2, 5.3, 5.4 er fordelt over overflaten av induksjonsspolen 1, på en slik måte at de har en tilstrekkelig lateral avstand fra kanten av induksjonsspolen. I eksemplet er trekkeåpningene 5.1, 5.2, 5.3, 5.4 anordnet konsentrisk rundt den sentrale åpningen 4 i en ring som har en diameter D K, som er omtrent halvparten av silisiumemnets diameter D S Således befinner trekkeåpningene 5.1, 5.2, 5.3, 5.4 seg ovenfor smelten som genereres i silisiumemnet 6. Trekkeåpningene 5.1, 5.2, 5.3, 5.4 er anordnet på ringen med jevne mellomrom til hverandre, slik at de voksende silisiumstavene 9.1, 9.2, 9.3, 9.4 ikke påvirker hverandre for sterkt termisk. Trekkeåpningenes 5.1, 5.2, 5.3, 5.4 diameter er ca. 8 mm større enn diameteren av de voksende silisiumstaver 9.1, 9.2, 9.3, 9.4, som her har en diameter på 8 mm. Som en funksjon av det induksjonsspolens 1 flate, i dette tilfelle 160 mm * 160 mm, kan så mange trekkåpninger innføres i induksjonsspole, som er tillatt av de ovennevnte kriterier. [0027] Nedenfor induksjonsspolen 1, befinner Si-emnet 6 seg, som en tilførselsstav for tilførsel av det smeltede materiale, som brukes for å trekke ut de tynne silisiumstavene. Kantlengden D I av induksjonsspolen 1 er med 160 mm større enn diameteren D S av Si-emnet mm, slik at induksjonsspolens 1 flate dekker hele tverrsnittet av Si-emnet. Dette sikrer at den temperaturprofil som produseres av induksjonsspolen 1.5 smelter hele toppen av Siemnet 6. [0028] Det har blitt funnet at det er fordelaktig dersom de tynne silisiumstaver som brukes i Siemens-prosessen er dopet slik at de har en elektrisk ledningsevne i området fra 0,05 til 1 ohm/cm. Med denne elektriske ledningsevne kan de tynne silisiumstaver varmes opp utelukkende elektrisk til ønsket deponeringstemperatur. Dermed er det ikke nødvendig med ytterligere varmekilder ved prosesstart av Siemens prosessen. Silisiumemnet 6 som brukes har også en slik doping. [0029] FIG. 2 viser et skjematisk sideriss av anordningen ifølge oppfinnelsen. Fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen blir forklart nærmere med henvisning til fig. 2. Trekkekammeret der anordningen er plassert og prosessen utføres er ikke vist. Heller ikke vist er gassportene som er anordnet i den øvre vegg av trekkekammeret. [0030] Under induksjonsspolen 1 befinner silisiumemnet 6 seg, som tjener som et tilførselsstav for å gi det nødvendige materiale for trekking av tynne silisiumstaver 9.1, 9.2, 9.3, 9.4, som smeltes i form av en smeltesjø på toppen av Si-emnet 6 på grunn av temperaturprofilen som genereres av induksjonsspolen 1. Silisiumemnet 6 er anordnet på en vertikalt bevegelig og dreibar aksel 6.2 som er koblet til en motor, ikke vist. [0031] Rett ovenfor induksjonsspolen 1 i en avstand på ca. 15 mm, fins en avkjølt skjermplate 11, som undertrykker induktiv varmeoverføring fra induksjonsspolen 1 til de krystalliserende tynne silisiumstavene 9.1, 9.2, 9.3, 9.4, hvorved en ensartet og rett tilvekst av tynne

7 6 silisiumstaver blir mulig. Skjermplaten 11 består av en metallplate og har, i likhet med induksjonsspolen 1, et kvadratisk tverrsnitt, hvis kantlengde svarer omtrent til induksjonsspolens kantlengde L I. I skjermplaten 11 er åpningene 11.1, 11.2, 11.3, 11.4 anordnet i form av gjennomgående hull sammenfallende med trekkeåpningene i induksjonsspolen 5.1, 5.2, 5.3, 5.4. Således kan tynne voksende silisiumstaver 9.1, 9.2, 9.3, 9.4 trekkes oppover gjennom induksjonsspolen 1 og skjermplaten 11. [0032] Fremgangsmåten starter med at Si-emnet 6 beveges vertikalt med sin vertikalt bevegelige spindel 6.2 så nær induksjonsspolen 1 som leder høyfrekvensstrøm, at temperaturprofilen som genereres av det magnetiske feltet under induktoren 1 på toppen av Si-emnet 6 gjør at en rund smeltesjø 6.1 dannes. [0033] I det neste trinnet blir silisiumkimstaver 8.1, 8.2, 8.3som er festet til bærerne 7.1, 7.2, 7.3, 7.4, 8.4 ved hjelp av en trekkeanordning 10 senket ned gjennom åpningene 11.1, 11.2, 11.3, 11.4 i dekkplaten 11 og trekkeåpninger 5.1, 5.2, 5.3, 5.4 og inn i induksjonsspolen 1 inntil de får kontakt med smeltesjøen 6.1.Ved starten av krystallveksten, trekkes bæreren 7.1, 7.2, 7.3, 7.4 oppover med en hastighet på 10 mm/min, slik at på hver silisiumkimstav 8.1, 8.2, 8.3, 8.4, som er festet til en bærer 7.1, 7.2, 7.3, 7.4, vokser en tynn silisiumstav 9.1, 9.2, 9.3, 9.4. I det valgte eksemplet er bærerne 7.1, 7.2, 7.3, 7.4 forbundet med hverandre og med en felles trekkeanordning 10, slik at alle bærerne synkront, blir beveget oppover samtidig og med samme trekkehastighet slik at en jevn krystallvekst sikres for hver tynne silisiumstav 9.1, 9.2, 9.3, 9.4. [0034] De tynne silisiumstavene 9.1, 9.2, 9.3, 9.4 som vokser på de respektive silisiumkimstaver 8.1, 8.2, 8.3, 8.4 trekkes ved hjelp av respektive bærer 7.1, 7.2, 7.3, 7.4 gjennom de respektive trekkeåpninger 5.1, 5.2, 5.3, 5.4 i induksjonsspolen 1 og åpningene 11.1, 11.2, 11.3, 11.4 i skjermingsplaten 11 kontinuerlig inntil det smeltede råmaterialet av silisiumemnet 6 er forbrukt. [0035] Mens de voksende tynne silisiumstaver 9.1, 9.2, 9.3, 9.4 trekkes oppover av bærerne 7.1, 7.2, 7.3, 7.4 beveges silisiumemnet 6 med sin bevegelige spindel 6.2 vertikalt oppover, slik at det alltid er tilstrekkelig tilførsel av smeltet materiale i smeltesjøen 6.1 under induksjonsspolen 1 for krystallvekst av tynne silisiumstaver 9.1, 9.2, 9.3, 9.4. Fordelaktig roteres silisiumemnet 6 ved hjelp av spindelen 6.2, slik at en ensartet smeltet smeltesjø 6.1 dannes under induksjonsspolen 1. [0036] FIG. 3 viser et perspektivriss av innretningen ifølge oppfinnelsen. Det ses tydelig at fire tynne silisiumstaver 9.1, 9.2, 9.3, 9.4 trekkes ut samtidig. Silisiumemnet 6 kan ses, som er anordnet på spindelen 6.2 og er dominert av induksjonsspolen 1 samt av skjermplaten 11. Gjennom åpningene 11.1, 11.2, 11.3, 11.4 i skjermplaten 11 strekker seg fire voksende tynne silisiumstaver 9.1, 9.2, 9.3, 9.4, og på deres øvre ender kan de fire silisiumkimstavene 8.1, 8.2, 8.3, 8.4 sees. Bærerne 7.1, 7.2, 7.3, 7.4, så vel som den felles avtrekksinnretning 10 er ikke vist her.

8 7 Liste over referansetall [0037] 1: Induksjonsspole 2: Hovedspor 3: Strømleder 4: Sentral åpning 5.1, 5.2, 5.3, 5.4, Trekkeåpninger 6: Si-emne 6.1: Smeltesjø 6.2: Spindel 7.1, 7.2, 7.3, 7.4: Bærere 8.1, 8.2, 8.3, 8.4: Silisiumkimstaver 9.1, 9.2, 9.3, 9.4: Tynne silisiumstaver 10: Trekkeanordning 11: Skjermplate 11.1, 11.2, 11.3, 11.4: Åpninger i skjermplaten L I : Kantlengde på induksjonsspolen D S : Diameter av Si-emnet D K : Diameteren til den sirkel der trekkeåpningene er anordnet SITATER inkludert i beskrivelsen

9 8 Patentkrav 1. Fremgangsmåte for produksjon av tynne silisiumstaver i en krystalliseringsprosess uten digel, der tynne silikonstaver trekkes oppover gjennom den flate induksjonsspolen fra smelten på den øvre enden av et silikonemne, som har en teknisk vanlig diameter og genereres av den flate induksjonsspolen gjennom hvilken HF-strøm ledes og som bare har en vinding og består av en skive med et spor som strømmater, karakterisert ved at Den flate induksjonsspolen (1) som bare har til funksjon å induktivt varme opp smelten, i tillegg til den sentrale åpningen (4) som strøm går rundt og gjennom hvilken det ikke trekkes noen silisiumstav, også omfatter videre trekkeåpninger (5.1, 5.2, 5.3, 5.4) og at en tynn silisiumstav (9.1, 9.2, 9.3, 9.4) trekkes gjennom hver av disse. 2. Fremgangsmåte i henhold til krav 1, karakterisert ved at i startfasen kontakter et flertall silisiumkimstaver (8.1, 8.2, 8.3, 8.4), hver og en festet til en bærer (7.1, 7.2, 7.3, 7.4) smelten i smeltesjøen (6.1) som er smeltet av induksjonsspolen (1) ved toppen av silisiumemnet 86) gjennom trekkeåpningene (5.1, 5.2, 5.3, 5.4) og at vekst så skjer gjennom at hver av silisiumkimstavene (8.1, 8.2, 8.3, 8.4) trekkes oppover gjennom en trekkeåpning (5.1, 5.2, 5.3, 5.4). 3. Fremgangsmåte i henhold til krav 1, karakterisert ved at middel er anordnet ovenfor induksjonsspolen (1) som undertrykker en induktiv varmeoverføring til de krystalliserende tynne stavene (9.1, 9.2, 9.3, 9.4). 4. Fremgangsmåte i henhold til krav 1, karakterisert ved at bærerne (7.1, 7.2, 7.3, 7.4) med silisiumkimstavene (8.1, 8.2, 8.3, 8.4) og de tynne silisiumstavene (9.1, 9.2, 9.3, 9.4) som vokser på dem trekkes oppover synkront. 5. Fremgangsmåte i henhold til krav 1, karakterisert ved at silisiumemnet (6) trekkes oppover under trekkeprosessen med en slik fart at en tilstrekkelig smeltet mengde material alltid finns i smeltesjøen (6.1) for de tynne silisiumstavenes (9.1, 9.2, 9.3, 9.4) vekst. 6. Fremgangsmåte i henhold til krav 1, karakterisert ved at silisiumemnet (6) som brukes har en slik doping med bor og/eller andre dopsubstanser at de trukne tynne silisiumstavene (9.1, 9.2, 9.3, 9.4) har ønsket doping. 7. Fremgangsmåte i henhold til krav 1, karakterisert ved at dopsubstansen tilføres til smelten under prosessen.

10 9 8. Fremgangsmåte i henhold til krav 1, karakterisert ved at fremgangsmåten utføres i en lukket beholder i en atmosfære av inert gass. 9. Fremgangsmåte i henhold til krav 7, karakterisert ved at de voksende tynne silisiumstavene (9.1, 9.2, 9.3, 9.4) trekkes kontinuerlig fra trekkekammeret til det ytre området med hjelp av gassporter som fins i den øvre delen av trekkekammeret, slik at trekkeprosessen kan vare til den smeltede materialreserven av silisiumemnet (6) er oppbrukt. 10. Anordning for å utføre metoden i henhold til krav 1-8, der en flat induksjonsspole brukes som bare har en vinding og som består av en skive som har et spor som strømmater, karakterisert ved at Induksjonsspolen (1), i tillegg til den sentrale åpningen (4) som HF-strøm går rundt, også omfatter videre trekkeåpninger (5.1, 5.2, 5.3, 5.4) gjennom hvilke det ikke går noen strøm, og at en tynn silisiumstav (9.1, 9.2, 9.3, 9.4) kan trekkes gjennom hver av disse. 11. Anordning i henhold til krav 10, karakterisert ved at de ytterligere trekkeåpningene (5.1, 5.2, 5.3, 5.4) er anordnet konsentrisk med den sentrale åpningen (4) og med praktisk talt samme avstand fra hverandre. 12. Anordning i henhold til krav 10, karakterisert ved at de ytterligere trekkeåpningene (5.1, 5.2, 5.3, 5.4) er anordnet i par og i hvert tilfelle symmetrisk relativt den sentrale åpningen. 13. Anordning i henhold til krav 10, karakterisert ved at den enkle induksjonsspolens (1) tverrsnitt helt dekker silisiumemnets (6) tverrsnitt. 14. Anordning i henhold til krav 10, karakterisert ved at en skjermplate (11) er anordnet like ovenfor induksjonsspolen (1) og har åpninger (11.1, 11.2, 11.3, 11.4) anordnet kongruent med hensyn til trekkeåpningene (5.1, 5.2, 5.3, 5.4) i induksjonsspolen (1). 15. Anordning i henhold til krav 10, karakterisert ved at silisiumemnet (6) er anordnet på en vertikalt bevegelig og roterbar spindel (6.2). 16. Anordning i henhold til krav 10, karakterisert ved at hver silisiumkimstav (8.1, 8.2, 8.3, 8.4) på hvilken en tynn silisiumstav (9.1, 9.2, 9.3, 9.4) kan trekkes ut er forbundet med en vertikalt bevegelig bærer (7.1, 7.2, 7.3, 7.4).

11 Anordning i henhold til krav 10, karakterisert ved at alle bærere (7.1, 7.2, 7.3, 7.4) kan beveges oppover synkront, samtidig og med samme fart. 18. Anordning i henhold til krav 10, karakterisert ved at alle bærere (7.1, 7.2, 7.3, 7.4) er anordnet på en felles trekkeinnretning (10). 19. Anordning i henhold til krav 10, karakterisert ved at anordningen er plassert i ett gasstett trekkekammer som i den øvre kammerveggen ovenfor trekkeåpningene (5.1, 5.2, 5.3, 5.4) i induksjonsspolen og åpningene (11.1, 11.2, 11.3, 11.4) i skjermplaten (11) har gassporter i form av lange rør, gjennom hvilke de tynne silisiumrørene (9.1, 9.2, 9.3, 9.4) kan trekkes.

12 11

13 12

14 13