INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 13 Våren 2007

Like dokumenter
INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 13 og 14

INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 12 og 13 Våren 2006

UNIVERSITETET I OSLO

Oppgave 1 INF3400. Løsning: 1a Gitt funksjonen Y = (A (B + C) (D + E + F)). Tegn et transistorskjema (skjematikk) i komplementær CMOS for funksjonen.

UNIVERSITETET I OSLO

Løsningsforslag DEL1 og 2 INF3400/4400

PENSUM INF spring 2013

INF3400 Uke Wire Engineering 4.7 Design Margins. INF3400 Uke 14 Øivind Næss

Del 5: Statisk digital CMOS

Elektronikk. Elektromagnetiske effekter. Elektronikk Knut Harald Nygaard 1

Konstruksjon av gode ledninger

INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 8 Våren 2006 YNGVAR BERG

Del 9: Dynamisk CMOS

Forelesning nr.7 IN 1080 Elektroniske systemer. Spoler og induksjon Praktiske anvendelser Nøyaktigere modeller for R, C og L

MO deller for tidsforsinkelse i logiske porter blir gjennomgått.

Kondensator. Symbol. Lindem 22. jan. 2012

INF L4: Utfordringer ved RF kretsdesign

a) Bruk en passende Gaussflate og bestem feltstyrken E i rommet mellom de 2 kuleskallene.

Del 6: Tidsforsinkelse i logiske kjeder

TI dsforsinkelse i kjeder med logiske porter. Beregning av

INF3400 Forel. # Avansert CMOS. INF3400 Forelesning #15 Øivind Næss

Løsningsforslag DEL1 og 2 INF3400/4400

TR ansistor Alle henvisninger til figurer er relevant for Weste

UNIVERSITETET I OSLO

En del utregninger/betraktninger fra lab 8:

Forelesning nr.7 INF 1411 Elektroniske systemer. Tidsrespons til reaktive kretser Integrasjon og derivasjon med RC-krester

INF3400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 8

UNIVERSITETET I OSLO

Oversikt. Avansert CMOS. INF3400 Del Skalering Transistorskalering Interconnect -skalering Teknologi roadmap

TFE4101 Krets- og Digitalteknikk Høst 2016

EKSAMENSOPPGAVE. Adm.bygget, Aud.max. ü Kalkulator med tomt dataminne ü Rottmann: Matematisk Formelsamling. rute

MO deller for tidsforsinkelse i logiske porter blir gjennomgått.

EKSAMENSOPPGAVE. Eksamen i: FYS Elektromagnetisme Fredag 31. august 2012 Kl 09:00 13:00 adm. Bygget, rom B154

Punktladningen Q ligger i punktet (3, 0) [mm] og punktladningen Q ligger i punktet ( 3, 0) [mm].

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Onsdag 3. juni 2009 kl

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1

Forelesning 8. CMOS teknologi

Tips og triks til INF3400

INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 10 Våren 2007

INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 10

EKSAMENSOPPGAVE. ü Kalkulator med tomt dataminne ü Rottmann: Matematisk Formelsamling. rute

Mandag Institutt for fysikk, NTNU TFY4155/FY1003: Elektrisitet og magnetisme Vår 2007, uke12

PASSIVE KOMPONENTER. Realisering av Resistans - Passive løsninger

Bølgeledere. Figur 1: Eksempler på bølgeledere. (a) parallell to-leder (b) koaksial (c) hul rektangulær (d) hul sirkulær (e) hul, generell form

Forelesning nr.7 INF Kondensatorer og spoler

INF 5460 Elektrisk støy beregning og mottiltak

INF3400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 10

UNIVERSITETET I OSLO

UKE 5. Kondensatorer, kap. 12, s RC kretser, kap. 13, s Frekvensfilter, kap. 15, s og kap. 16, s.

Forelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer. Anvendelser av RC-krester Spoler og RL-kretser

Elektronikk. Elektromagnetiske effekter (3) Elektronikk Knut Harald Nygaard 1

Mandag 7. mai. Elektromagnetisk induksjon (fortsatt) [FGT ; YF ; TM ; AF ; LHL 24.1; DJG 7.

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1

KONVENSJONELLE latcher og vipper i CMOS blir gjennomgått.

Kondensator - Capacitor. Kondensator - en komponent som kan lagre elektrisk ladning. Symbol. Kapasitet, C = 1volt

INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk LøsningsforslagOppgaver DEL 15 Våren 2007

Onsdag isolator => I=0

Typiske spørsmål til en muntlig eksamen i IN5490 RF MEMS, 2008

Forelesning nr.5 INF 1411 Elektroniske systemer. RC-kretser

= 10 log{ } = 23 db. Lydtrykket avtar prop. med kvadratet av avstanden, dvs. endring ved øking fra 1 m til 16 m

UKE 5. Kondensatorer, kap. 12, s RC kretser, kap. 13, s Frekvensfilter, kap. 15, s kap. 16, s

INF3400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 11 Latcher og vipper

Formelsamling INF3400 Våren 2014 Del 1 til 8 YNGVAR BERG

EKSAMENSOPPGAVE. Fys-1002 Elektromagnetisme. Adm.bygget B154 Kalkulator med tomt dataminne, Rottmann: Matematisk formelsamling

Forelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer

IN 241 VLSI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver 25/ uke 39

EKSAMEN I FAG SIF 4012 ELEKTROMAGNETISME (SIF 4012 FYSIKK 2) Onsdag 11. desember kl Bokmål

Del 4: Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler

EKSAMEN FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME I Mandag 17. desember 2007 kl K. Rottmann: Matematisk formelsamling (eller tilsvarende).

Forelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer. Anvendelser av RC-krester Spoler og RL-kretser

GJ ennomgang av CMOS prosess, tverrsnitt av nmos- og

Frivillig test 5. april Flervalgsoppgaver.

UNIVERSITETET I OSLO

Forelesning nr.5 INF 1411 Elektroniske systemer. RC-kretser

Forelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer. Anvendelser av RC-krester Spoler og RL-kretser

Del 10: Sekvensielle kretser YNGVAR BERG

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2018

LØSNINGSFORSLAG TIL KONTINUASJONSEKSAMEN I TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Onsdag 17. august 2005 kl

NORGES LANDBRUKSHØGSKOLE Institutt for matematiske realfag og teknologi EKSAMEN I FYS135 - ELEKTROMAGNETISME

Obligatorisk oppgave 4 i INF4400 for Jan Erik Ramstad

Løsningsforslag eksamen inf 1410 våren 2009

Øving 13. Induksjon. Forskyvningsstrøm. Vekselstrømskretser.

Oppgave 4 : FYS linjespesifikk del

Treleder kopling - Tredleder kopling fordeler lednings resistansen i spenningsdeleren slik at de til en vis grad kanselerer hverandre.

Sammendrag, uke 13 (30. mars)

Del 15: Avansert CMOS YNGVAR BERG

IN 241 VLSI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver uke 36

EKSAMENSOPPGAVE. 7 (6 sider med oppgaver + 1 side med formler)

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Fredag 11. august 2006 kl

Forelesning nr.5 IN 1080 Mekatronikk. RC-kretser

INF3400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 12

EKSAMEN I EMNE TFE 4120 ELEKTROMAGNETISME

EKSAMEN FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Onsdag 3. juni 2009 kl

EKSAMEN. Oppgavesettet består av 3 oppgaver. Alle spørsmål på oppgavene skal besvares, og alle spørsmål teller likt til eksamen.

Forelesning 4. Binær adder m.m.

NORGES TEKNISK-NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR ELEKTRONIKK OG TELEKOMMUNIKASJON

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 3k3 )

Løsning eks Oppgave 1

Transkript:

INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 3 Våren 2007 YNGVA BEG I. Del 3 A. Eksamensoppgave 2005 Hvorfor trengs buffere (repeaters) for å drive signaler over en viss avstand? Hvilke metallag er det vanlig åbruketilå distribuere spenningsreferanser og klokkesignaler? A. Løsningsforslag Motstanden og kapasitansen i en leder, typisk metall, er proposjonal med lengden på lederen. Dette vil gi en stor tidsforsinkelse for signaler som skal transporteres langt. Det er vanlg å bruke de øverste metallag for distribuasjon av forsyningsspenniger og klokker, pga liten egenmotstand. B. Eksamensoppgave 2005 Anta at en metalleder med lengde l 800µm har egenmotstand 0.5Ω/µm og egenkapasitans 0.2fFµm. Anta at lederen skal drives av en enhetsinverter, med 3kΩ µm og parasittisk kapasitans p 4.5fF/µm, og buffres med invertere (repeaters). Hvor mange invertere trenger vi for å buffre? Finn størrelse på nmos- og pmos transistorene i buffrene. B. Løsningsforslag Vi har l N 2 p w w 2 3kΩ µm 4.5 f µm 0.5 Ω ff 0.2 µm µm 948.7 950µm Dette gir N2, dvs. to buffere. Størrelsen for nmos transistoren blir W w w p 3kΩ µm 0.2 f µm 0.2 Ω ff 4.5 µm µm 25.8 26µm. Løsningsforslag Det er to grunner til at interkonnekt bidrar til åøketidsforsinkelse i en krets:. uting av signaler (i metall) vil legge last til utgangen på en port. 2. Lange ledere har signifikant motstand. Fig. 2. Fig.. L modell Oppdeling av en leder i N deler. (FIG4.38) /2 π modell /2 /2 /2 T modell Ulike modeller for forsinkelse i interkonnekt. (FIG4.38) Det er enkelt å utvide Elmore forsinkelsesmodell med forsinkelse i interkonnekt. Motstand og kapasitans i en leder kan approksimeres ved å dele opp lederen i små avdelinger som vist i Fig.. Det er tre standard metoder for approksimasjon som benyttes; Lmodell, π modell og Tmodellsom vist i Fig. 2. L modellen krever et høyt antall avdelinger for å produsere et nøyaktig resultat og anvendes derfor ikke så ofte. π modellen gir god nøyaktighet (3% avvik) for 3 eller flere avdelinger. L modellen kan sammenlignes med π modellen men vil være mer krevende å benytte fordi antallet elektriske noder er større. Vi ser at både kapasitans og motstand i en metalleder vil øke med lenge som medfører at forsinkelse i lederen øker kvadratisk. Det er vanligst å bruke metallag til å rute signaler (interkonnekt) på grunn av liten egenmotstand. 00Ω 00Ω 00Ω. Forsinkelse i interkonnekt Gitt en 3mm lang og 0.4µm bred leder i metall 2 i en 80nm prosess med egenmotstand 0.04Ω/ og kapasitans 0.25fF/cm. Bruk π modell med tre segmenter (avdelinger) og lage en modell for lederen. Fig. 3. π modell av leder. 3-segment π modell for leder er vist i Fig. 3. Lederen er 3000µm/0.4µm som utgjør 7500 arealenheter. Total motstand

er (0.04Ω/ 7500 300Ω). Total kapasitans er (0.25fF/µm) (3000µm) 750fF. Hvert Π-segment har en tredjedel av den totale motstanden og kapasitansen. D. rosstalk To ledere med lengde 5mm har kapasitans 0.08fF/µm til jord og 0.fF/µm til nabolederen. Hver leder blir drevet av en inverter med effektiv motstand lik 2kΩ. D. Løsningsforslag adj adj A B GND Fig. 4. Kapasitans mellom naboledere i samme lag og til GND. (FIG4.4) I Fig. 4 er det vist kapasitans mellom naboledere i samme lag og til GND. Når A svitsjer vil dette påvirke nabolederen B som også vilfå en spenningsendring i samme retning. Den kapasitive påvirkningen kalles crosstalk. rosstalk kan påvirke naboen lederen slik at nabolederen får økt eller redusert sin egens svitsjetid. Påvirkningsgraden er avhengig av kapasitand mellom lederne og den totale kapasitans knyttet til lederen som påvirkes av crosstalk. E. Forsinkelse B V ef f (A) MF Konstant V DD gnd + adj Svitsjing i samme retning 0 gnd 0 Svitsjing i motsatt retning 2V DD gnd +2 adj 2 TABLE I rosstalk avhengighet av svitsjeretninger. Dersom en leder og nabolederen svitsjer i samme retning vil lederne påvirke hverandre positivt, dvs. redusert, med hensyn på forsinkelse. I tabell I er det vist hvordan crosstalk påvirkes av svitsjeretninger. Ladning som overføres til en koblingskondensator er gitt av Q adj V, () der V er spenningsendringen mellom de elektriske nodene (ledere). Dersom for eksempel A svitsjer og B ligger fast blir V V DD. Dersom nodene A og B svitsjer i motsatt retning blir V 2V DD. Dette kalles Miller effekt. Miller koblingsfaktor (MF) modellerer kapasitansen mellom to elektriske nodere (ledere). En vanlig verdi for MF er.5. En konservativ modell for MF er 2 ved beregning av propageringsforsinkelse og 0 ved beregning av contamination forsinkelse. Vi kan beregne contamination- og propageringsforsinkelse ved å finne de relevante kapasitansene; gnd (0.08fF/µm) (5000µm) 0.4pF og adj (0.fF/µm) (5000µm) 0.5pF. Transisjon fra 0 til eller fra til 0.

Tidsforsinkelsen er gitt av ef f. ontamination forsinkelse kan beregnes ved at vi antar at nodene svitsjer i samme retning slik at ef f gnd og dermed t cd (2kΩ) (0.4pF ) 800ps. Ved beregning av propageringsforsinkelse antar vi at lederne svitsjer i motsatt retning slik at ef f gnd +2 adj.4pf som gir t pd (2kΩ) (.4pF )2.8ns. F. Hva er crosstalk støy? F. Løsningsforslag Når to ledere ligger forholdsvis nær hverandre vil de kunne påvirke hverandre elektrisk gjennom parasittiske (crosstalk) kapasitanser. En slik påvirkning er derfor kapasitiv. Anta et en leder B skal ligge på en fast spenningen og at en leder A svitsjer. Dersom A påvirker spenningen på B gjennom crosstalk kaller vi dette for crosstalk støy. I dette tilfellet kaller vi A for aggressor og B for victim. Vaggressor Victim adj Victim Fig. 5. og victim. (FIG4.42) aggressor Vaggressor -a adj victim Victim -v Victim Fig. 6. og victim med drivere. (FIG4.43) I Fig. 5 ser vi to ledere med kapasitansen adj mellom lederne. Den ene lederen (victim) påvirkes av spenningsendring på den andre lederen (aggressor): V victim adj gnd + adj V aggressor, (2) der V aggressor er spenningsendring på aggressor lederen. Dersom victim lederen drives vil strømmen som driveren leverer redusere crosstalk støy for victim. Dette kan modellers som der V victim ( ) ( ) adj V aggressor, (3) gnd + adj +k k τaggressor τ victim aggressor ( gnd a + adj ) aggressor ( gnd v + adj ), (4) der gnd a og gnd v er henholdsvis kapasitans for aggressorog victim til jord som vist i Fig. 6. rosstalk støy er mest dominerende når victim er udrevet eller svakt drevet i forhold til aggressor, dette medfører at k<. Effekten av crosstalk er vist i Fig. 7.

Vaggressor.5.2 0.9 0.6 Victim udrevet der µ 0 er magnetisk permitivitet i vakum (4π 0 7 H/m) og c er lyshastigheten i vakum (3 0 8 m/s). Det vil si at signaler oppnår ca. halve lyshastigheten. Dersom man velger et dielektrisk materiale med lav dielektrisk konstant eller relativ permitivitet k<3.9 vil hastigheten øke. Endringer i magnetfelt kan forårsake at strømveier endres og dette vil kunne redusere hastighet som følge av induktiv crosstalk. Induktansen til en leder med lengde l og bredde w lokalisert ihøydeh over et jordplan kan (forenklet) utrykkes som: ( L l µ0 8h 2π ln w + w ), (8) 4h 0.3 Victim drevet 0 0 200 400 600 800 000 200 400 600 800 Fig. 7. t (ps) rosstalk. (FIG4.44) G. Induktans Anta et signal i metall 2 med en egenmotstand 0.04Ω/ og en bredde på0.4µm. Kapasitansen er 0.25fF/µm og induktansen er 0.5pH/µm. Finn hastigheten til signalet og finn lengden der induktansen er signifikant (som funksjon av stigetid). G. Løsningsforslag Vanligvis sier vi at strømmer endrer spenninger i dynamiske noder ved å lade opp eller ut kapasitans knyttet til utganger på porter. I tillegg går det noen ganger strømmer mellom spenningsreferansene V DD og V SS (jord). I virkligheten vil strømmer følge løkker i en integrert krets, typisk via spenningsreferansene. Strømmer som følger en løkke vil generere et magnetisk felt som er proporsjonalt med løkkens areal og strømstyrken. Endring av strømmen krever energi til å forandre det magnetiske feltet. Dette betyr at strømendringer induserer en spenningsendring som er proporsjonal med endringsraten. Proporsjonalitetskonstanten kalles induktans L. Vi kan uttrykke den induserte spenningen som: V L di dt. (5) Induktans og kapasitans bestemmer lyshastigheten i et materiale. Selv om motstanden er 0, som vil gi 0dvs. ingen forsinkelse, kan vi uttrykke lysets tidsforsinkelse i en leder med lengde l og med kapasitans per enhetslengde og induktans per enhetslengde L som Vi kan uttrykke signalhastighet v som t pd l L. (6) v L ɛoxµ 0 c, (7) k dersom vi antar at w < h og tykkelsen på lederen er neglisjerbar. Typiske induktanser på en integrert krets er i området 0.5.5pH/µm avhengig av nærhet av forsyningsplan (V DD eller jord gnd). Strømmer vil følge veier med lavest impedans Z + jωl. Ved høye frekvenser ω vil impedansen domineres av induktans. Induktansen reduseres når strømmen går nær overflaten av den nærmeste returveien for strømmen. Denne effekten kalles skinn effekt( skin effect ) og kan i praksis redusere det effektive tverrsnittet av den tykkeste lederen og dermed øke den effektive motstanden i lederen ved høye frekvenser. Skinn dybde kan uttrykkes som: δ 2ρ ωµ 0, (9) der ρ er egenmotstanden til lederen, og ω er frekvensen (klokkefrekvensen) i systemet. Skinndybde blir et større problem i mer moderne tekonlogier (prosesser) pga. av høye frekvenser. Da vil nytten av å bruke tykke ledere bli redusert. H. Betydning av induktans i integrerte kretser Den viktige frekvensen er den høyeste frekvensen med signifikant effekt i signalets Fourier transform. Dette er en frekvens som er internt i en integrert krets og assosiert med prosessparameterverdier som gir høyest hastighet: ω 2π 6t rf. (0) Ekstrahering av induktans er generelt et tredimensjonalt problem og ekstremt tidkrevende for komplekse geometrier. Inkludering av induktans i simuleringer er vanskelig og derfor er det vanlig å holde seg til designregler som gjør at man kan neglisjere induktans. Induktans har alltid vært viktig for innkapsling av integrerte kretser fordi de fysiske størrelsene blir store i forhold til internt i de integrerte kretsene. Induktans internt i integrerte kretser er viktig for ledere der lyshastigheten er større enn forsinkelse for lederen. Lyshastigheten øker linerært med lederens lengde mens forsinkelse øker kvadratisk. Vi kan defor estimere lengen på ledere der induktans ikke har betydning. t r 2 L < l < 2 L. () Hastigheten er gitt av

v L (0.5pH/µm)(0.25fF/µm) 0.8 0 8 m/s 4 c. 0.8 0 8 m/s tilsvarer 0.8 0 4 m/ps 80µm/ps 0.08µm/fs. For at induktans skal ha betydning må lengden l på lederen tilfredstille I tillegg har vi at l < 2 L 2 < 0.04 Ω/µm 0.4 < 895µm. 0.5pH/µm 0.25fF/µm l > t r 2 L > v 2 tr > 0.4 0 8 (m/s) t r > 0.4 0 2 (µm/s) t r > 40(µm/s) t r, der l er uttrykt i µm og t r i ps. Vi ser at dersom t r > 25ps vil signalforsinkelsen være dominert av effekter (og stigetid). Induktans har bare betydning når stigetiden er svært liten. eferences [] Neil H.E. Harris og David Harris MOS VLSI DESIGN, A circuit and system perspective tredje utgave 2005, ISBN: 0-32- 26977-2, Addison Wesley,