HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

Like dokumenter
HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG INGRID KVAKLAND AVD. FOR TEKNOLOGI INSTITUTT FOR ELEKTRO OG DATATEKNIKK 7005 TRONDHEIM

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren Oppgave 1

UNIVERSITETET I OSLO.

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2018

Eksamen i Elektronikk 24. Mai Løsningsforslag Knut Harald Nygaard

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

UNIVERSITETET I OSLO

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Figur 1. 1e) Uten tilkopling på inngangene A og B - Hva er spenningen på katoden til dioden D1? 1,4 volt

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO.

Lab 7 Operasjonsforsterkere

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

Løsningsforslag til eksamen FY108 høsten 2003

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 2k5 )

Prøveeksamen 1. Elektronikk 8.feb Løsningsforslag

UNIVERSITETET I OSLO.

LAB 7: Operasjonsforsterkere

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2008

g m = I C / V T = 60 ms r π = β / g m = 3k3

Forelesning nr.6 INF Operasjonsforsterker Fysiske karakteristikker og praktiske anvendelser

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO.

Figur 1 viser et nettverk med et batteri på 18 volt, 2 silisiumdioder og 4 motstander.

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 3k3 )

UNIVERSITETET I OSLO

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer. Måleteknikk Operasjonsforsterkere

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer. Måleteknikk Operasjonsforsterkere

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

Forslag til løsning på eksamen i FY Forslag til løsning på eksamen i F -IN 204 og FY108 våren 2003.

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 2010

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer. Måleteknikk Operasjonsforsterkere

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO

Forslag til løsning på eksame n FY-IN 204 våren 2002

Contents. Oppgavesamling tilbakekobling og stabilitet. 01 Innledende oppgave om ABC tilbakekobling. 02 Innledende oppgave om Nyquist diagram

Oppsummering. BJT - forsterkere og operasjonsforsterkere

TRANSISTORER Transistor forsterker

«OPERASJONSFORSTERKERE»

FYS1210 Løsningsforslag. Eksamen V2015

Fasit til Eksamen FY-IN 204 våren (avholdt høsten) 1998.

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi LØSNINGSFORSLAG EDT208T-A. Programmerbare logiske styringer

Forslag B til løsning på eksamen FYS august 2004

Ny/Utsatt eksamen i Elektronikk 2. August Løsningsforslag Knut Harald Nygaard

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 V-2007 ( rev.2 )

Prøveeksamen 2. Elektronikk 24. mars Løsningsforslag

UNIVERSITETET I OSLO

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2004

Forslag til løsning på eksamen i FYS1210 våren 2005 side 1. Fig.1 viser et nettverk med to 9 volt batterier og 4 motstander, - alle på 1kΩ.

UNIVERSITETET I OSLO.

«OPERASJONSFORSTERKERE»

Løsningsforslag Elektronikk 1 (LO342E) høst 2006 eksamen 1. desember, 3timer

303d Signalmodellering: Gated sinus a) Finn tidsfunksjonen y(t) b) Utfør en Laplace transformasjon og finn Y(s)

UNIVERSITETET I OSLO

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1

Emnenavn: Fysikk og kjemi. Eksamenstid: 9:00 til 13:00. Faglærer: Erling P. Strand

UNIVERSITETET I OSLO

Eksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK

VEILEDNING TIL LABORATORIEØVELSE NR 2

TRANSISTORER Transistor forsterker

FYS Forslag til løsning på eksamen våren 2014

INF1411 Oblig nr. 4 Vår 2011

TRANSISTORER. Navn: Navn: Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall. Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2.

Eksamensoppgave i TELE2001 Reguleringsteknikk

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1

UNIVERSITETET I OSLO.

Eksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Fredag 25. mai Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

EKSAMEN Løsningsforslag Emne: Fysikk og datateknikk

Eksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Fredag 25. mai Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG

Løsningsforslag til EKSAMEN

Transistorkretser Laboratorieeksperimenter realfagseminar Sjøkrigsskolen 15. November 2010

Transkript:

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi Kandidatnr: Eksamensdato: 11.12.2012 Varighet/eksamenstid: Emnekode: Emnenavn: Klasse(r): 4 timer EDT210T-A Grunnleggende elektronikk 2EL Studiepoeng: 7,5 Faglærer(e): Ingrid Kvakland Kontaktperson(adm.)(fylles ut ved behov kun ved kursemner) Hjelpemidler: Oppgavesettet består av: Vedlegg består av: Citizen SR270X, Casio fx-82es eller Casio fx-82es plus 4 oppgaver over 9 sider (med forsiden) 3 sider formler Merknad: Lykke til!

Eksamen i EDT210T A Grunnleggende elektronikk Desember 2012 Side 2 av 12 Oppgave 1 (16%) a) Skisser strøm-spennings-karakteristikken til en Si-diode og for en ideell diode. Merk av karakteristiske tallverdier på aksene. b) Gitt kretsen i figur 1.1. Bruk 0,7 V over ledende diode. Finn I og V. c) Figur 1.1 Gitt kretsen i figur 1.2. Bruk 0,7 V over ledende diode Anta at inngangssignalet v S er et sinusformet signal med amplitude 12 V. Skisser utgangssignalet v O (t). Figur 1.2 d) Gitt kretsen i figur 1.2. Skisser overføringskarakteristikken v O =f(v S )

Eksamen i EDT210T A Grunnleggende elektronikk Desember 2012 Side 3 av 12 Oppgave 2 (40%) a) Hva er de viktigste egenskapene til en ideell operasjonsforsterker? b) Gitt kretsen i figur 2.1. Anta at operasjonsforsterkeren er ideell. Vis vha. egenskapene til den vo R2 ideelle opampen at for denne kretsen gjelder at = v R I 1 Figur 2.1 c) Gitt koblingen i figur 2.2. Anta ideell operasjonsforsterker. Gitt at R 1 =10kΩ, R 2 =20kΩ, R 3 =10kΩ, R 4 =20kΩ, v I1 =3V og v I2 =2V Finn utgangssignalet v o. Figur 2.2

Eksamen i EDT210T A Grunnleggende elektronikk Desember 2012 Side 4 av 12 d) Gitt koblingen i figur 2.3. Anta ideelle operasjonsforsterkere. Hva kan en slik forsterkerkopling kalles og hva er typiske egenskaper med en slik kobling? v o1 i v o2 Figur 2.3 e) For koblingen i figur 2.3 gjelder at 2R 1 =1kΩ, R 2 =500kΩ, R 3 =R 4 =10kΩ. Anta ideelle operasjonsforsterkere. Inngangssignalet består av et common-mode-signal på 5V og et differensielt inngangssignal som er et sinussignal med amplitude 10mV, slik at v ( t) = 5 0,005sin( ωt)[v] og v ( t) = 5 + 0,005sin( ωt)[v] I1 I 2 Finn strømmen i og spenningene v o1, v o2 og v o

Eksamen i EDT210T A Grunnleggende elektronikk Desember 2012 Side 5 av 12 f) Gitt koblingen i figur 2.4. R 1 =10kΩ, R 2 =1MΩ, R 3 =10kΩ, R 4 =1MΩ For operasjonsforsterkeren gjelder at V OS =3mV. Ellers er operasjonsforsterkeren ideell. Finn den største DC-offsetspenningen du kan finne på utgangen. Figur 2.4 g) Gitt koblingen i figur 2.5. R 1 =10kΩ, R 2 =100kΩ For operasjonsforsterkeren gjelder at SR=10V/µs. Ellers er operasjonsforsterkeren ideell. Anta at v I er et ideelt spenningssprang på 1V som påtrykkes inngangen ved tida t=0. Skisser inngangssignalet og utgangssignalet i samme figur. Figur 2.5

Eksamen i EDT210T A Grunnleggende elektronikk Desember 2012 Side 6 av 12 h) Gitt koblingen i figur 2.5. R 1 =10kΩ, R 2 =100kΩ For operasjonsforsterkeren gjelder at SR=10V/µs. Ellers er operasjonsforsterkeren ideell. Gitt at inngangssignalet vi ( t) = 1sin( ωt)[v]. Hva er den høyeste frekvensen signalet kan ha når det skal gjengis uforvrengt på utgangen?

Eksamen i EDT210T A Grunnleggende elektronikk Desember 2012 Side 7 av 12 Oppgave 3 (24%) a) Gitt kretsen i figur 3.1. For transistoren gjelder at β=200. Figur 3.1 Anta at V B =0V. Finn V C og V E og angi transistorens operasjonsområde/modus. Anta at V B =2,5V. Finn V C og V E og angi transistorens operasjonsområde/modus. Anta at V B =5V. Finn V C og V E og angi transistorens operasjonsområde/modus.

Eksamen i EDT210T A Grunnleggende elektronikk Desember 2012 Side 8 av 12 b) Gitt forsterkertrinnet vist i figur 3.2. Hva kalles et slikt forsterkertrinn og hvilke egenskaper er typiske for et slikt trinn? Figur 3.2 c) For transistoren i forsterkertrinnet i figur 3.2 gjelder at β=30. Finn transistorens arbeidspunkt (V CE og I C ) d) Tegn småsignalskjema for forsterkertrinnet og finn trinnets inngangsmotstand R in og vo vo spenningsforsterkning og. v v i sig

Eksamen i EDT210T A Grunnleggende elektronikk Desember 2012 Side 9 av 12 Oppgave 4 (20%) a) Gitt kretsen i figur 4.1. Kretsen er en ECL-krets. Hva er typiske egenskaper for denne logikkfamilien? Trinn 1 Trinn 2 Trinn 3 b) Figur 4.1 ECL-kretsen kan deles inn i tre trinn. Hva kan disse trinnene kalles, og hvilken oppgave har de i kretsen? c) Gjør overslagsberegninger og finn spenningen V R. (Basisspenningen på transistor Q R ). Bruk 0,75V over ledende diode og ledende basis-emitterovergang. d) Gitt at inngang A og B er utilkoplet. Gjør overslagsberegninger og finn strømmen I E. Finn V CQR, V CQA og V CQB. Finn OR output og NOR output. Bruk =0,75V over ledende basisemitterovergang.

Eksamen i EDT210T A Grunnleggende elektronikk Desember 2012 Side 10 av 12 VEDLEGG TIL EKSAMEN I GRUNNLEGGENDE ELEKTRONIKK 2012 VEDLEGG 1 FOR STC-NETTVERK GJELDER: K LP nettverk : H( s) = s 1 ω DIODER: 0 + 1+ 0 HP nettverk : H( s) = K ω s vd VT D S D S I2 I2 i = I e når i I V2 V1 = VT ln = 2,3V T log I I 1 1 LIKERETTING: V r V p = = frc I L fc BIPOLARE TRANSISTORER: i = I e C S vbe VT

Eksamen i EDT210T A Grunnleggende elektronikk Desember 2012 Side 11 av 12 VEDLEGG 2 Bipolare transistorer:

Eksamen i EDT210T A Grunnleggende elektronikk VEDLEGG 3 NMOS-transistor: Desember 2012 Side 12 av 12