Fys2210 Halvlederkomponenter. Repetisjon
|
|
- Carina Brekke
- 5 år siden
- Visninger:
Transkript
1 Fys2210 Halvlederkomponenter Repetisjon
2 FYS2210 Evaluering, H-17 Torsdag 13.12, kl 15:00,??? LENS møterom (Kristen Nygårds hus, 3. etg) Dialogmøte (etter slutteksamen); Alle undervisere Emnerapport (skjema): 1/3 1 A4 side 1 studentrepresentant Evt. prat om fagvalg, master innen materialfysikk eller annet.
3 Muntlig eksamen FYS eksempel på spørsmål/tema - Lagt ut på hjemmeside Kap. 3 - Hva er mobilitet og hvordan er mekanismene for spredning av ladningsbærere? Temperaturog dopeavhengighet? Konduktivitet (resistivitet)? - Hva er en kvantebrønn? Tilstandsfordeling? Amorft materiale? Bonding og antibonding states? Kap. 4 - Rekombinasjon; hvilke prosesser finnes? - Skisser utledningen av kontinuitetslikningen (Fig.4-16)! Hva er diffusjonslikningen? Diffusjonslengde? Levetid? Elektroner vs hull? Partikkelfluks? Kap. 5 - Hvordan lager man en diode (pn-overgang), processflow (Fig. 5-10)? - En p + n-diode skal tåle 1 kv i reversspenning; hvor tykt n-sjikt trengs for Si (E 0 (maks) = 2x10 5 V/cm) og for SiC (E 0 (maks) = 2x10 6 V/cm)? - Metall-halvleder-overgang; Hvilke 4 tilfeller har vi og beskriv dem?
4 Pensum 1 CRYSTAL PROPERTIES AND GROWTH OF SEMICONDUCTORS 2 ATOMS AND ELECTRONS 3 ENERGY BANDS AND CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS 4 EXCESS CARRIERS IN SEMICONDUCTORS 5 JUNCTIONS Midttermineksamen Forventes kjent / Orienteringsstoff Viktige elektriske og optiske egenskaper Byggesteinen; pn-dioden 6 FIELD-EFFECT TRANSISTORS 7 BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS 8 OPTOELECTRONIC DEVICES Komponenter Lab
5 Materialets struktur kan være: - Amorft - Polykrystallinsk - Enkrystalinsk Enkrystallinsk er mest vanlig i elektriske komponenter (unntak mc-si i solceller)
6
7
8 Cu 2 O TiO 2 Ga 2 O 3 Solid State Electronic Devices, 7e, Global Edition Ben G. Streetman Sanjay Kumar Banerjee Copyright Pearson Education Limited All rights reserved.
9 Bånddiagrammet I halvledere og isolatorer blandes atomenes energinivåer til energibånd; ledningsbånd (E C ) og valensbånd (E V ) (som senker den totale e - -energien og gir binding E C og valensbånd E V er separerte med et energigap E g E g (halvleder < Eg(isolator) termisk eksitasjon av e - fra E C og valensbånd E V i halvlederen
10
11 Si atoms Filled; 2N Unfilled; 4N Filled; 2N Filled; 2N + 6N Filled; 2N electons
12 Kvantebrønn (nanostruktur)
13 Eks: GaAs Eks: Si (a) Direct (b) Indirect
14 Strømtransport i en halvleder beskrives mha to typer ladningsbærere; Elektroner og Hull Hull beskriver hvordan elektronkollektivet i valensbåndet påvirkes av elektriske, termiske og magnetiske felt Hull behandles som partikler med positiv ladning og en effektiv masse (m p *), (E = 1 = ħ2 2mv 2 2m k2 ) Elektroner i ledningsbåndet tildeles også en effektiv masse (m n *)
15 e - følger Fermi-Dirac statistikk; f E = e (E E F)/kT f E F = = 1 2 f(e) angir sannsynligheten for at en tilstand med energi E er fyllt av et elektron e - ved temperaturen T. For hull: 1 f(e) E F er en god (ofte brukt) måte å beskrive ladningsbærerfordelingen Konsentrasjonen av e - med energi E= f(e)n(e)de
16 Fermifordelning i intrinsisk, n-type og p-type halvleder n p n = p n > p Figure 3 15 n < p Solid State Electronic Devices, 7e, Global Edition Ben G. Streetman Sanjay Kumar Banerjee Copyright Pearson Education Limited All rights reserved.
17 Definisjoner: n konsentrasjon av e - i ledningsbåndet p konsentrasjon av h + i valensbåndet Intrinsisk halvleder: De dominerende ladningsbærerne er par av e - og h + (EHP) Fermi-nivå nært midten av E g Ekstrinsisk halvleder: Dopet med hensikt og ved likevekt er n p n i n-type: E F > E g /2 + E V p-type: E F < E g /2 + E V
18 Ekstrinsisk Si E C E V E d E C E V E d (a) N-type T = 0 K T = 50 K E C E C E V E a E V E a (b) P-type T = 0 K T = 50 K (c)
19 Hva kjennetegner en god dopant? Si vs. Ge
20 Ekstrinsisk halvleder / Doping e - P Hva kjennetegner en god dopant? Si vs. Ge
21 Schematic band diagram Density of states Fermi-Dirac distribution Carrier concentration E F (a) Intrinsic (b) n-type E F Effektiv tilstandstetthet: n 0 = න f E N E de E c N c f(e c ) E F (c) p-type Sammenheng Ec og DOS?
22 Temperaturavhengighet: (Ionisasjon, ekstrinsisk, Intrinsisk)
23 Repetisjon: Definisjoner/benevninger: n - konsentrasjon av e - i ledningsbåndet, (cm -3 ) p - konsentrasjon av h + i valensbåndet, (cm -3 ) N d - konsentrasjon av donorer, (cm -3 ) N a - konsentrasjon av akseptorer, (cm -3 ) n 0 e - konsentrasjonen ved likevekt n i - intrinsisk ladningsbærerkonsentrasjon E i Fermi-nivå når n 0 =p 0 =n i Hva er forskjellen mellom n, n 0 og n i?
24 Benevninger: E g, E C, E V, E F, E i n, p, n i, n 0, p 0, δn, δp N C, N V, m n, m p, σ, ρ, μ, D, τ, L Mobilitet μ = v ξ For høye ξ-felt avtar μ «hot electrons» Ohms lov: J x = σξ x hvor σ = σ tot = q(nμ n + pμ p )
25 Sammenheng n og E F : n 0 = N C e (E C E F )/kt = n i e (E F E i )/kt (konsentrasjon eksponensielt avhengig av E F ) Massevirkningsloven: n 0 p 0 = n i 2
26
27 Strømtetthet, Jx
28
29
30
31 Hall effekt ρ = Rwt L = V CD/I x L/wt μ = σ qp 0 = 1/ρ q( 1 qr H ) = R H q
32 To materialer i likevekt Ved likevekt: E F = konstant; de f dx = 0
33 Kapittel 4: Lys med hν > E g overskuddsladninger endret σ (fotokonduktivitet) Emisjon av lys kalles luminesens Fotoluminesens Elektroluminesens Katodeluminesens
34 Rekombinasjon via tilstand i bandgapet
35 Diffusjon og drift av ladningsbærere; Einstein relasjonen
36 Ved likevekt: J n x = qμ n n x ξ x + qd n dn(x) dx = 0 qμ n n x ξ x = qd n dn(x) dx Vet n(t) og at de F /dx=0, som gir: D μ = kt q Einsteinrelasjonen!
37 Injeksjon av overskuddsladninger
38 Kontinuitetslikningen!
39 Kontinuitetslikningen
40 = p 0 + δp(x) δp(x)
41 Kapittel 5: pn-overgang I en pn-overgang etableres et kontaktpotensial, V 0, som ved likevekt (E F = konstant) balanserer diffusjonen av h + n-side og e - p-side. J netto = 0 (utledet et uttrykk for V 0!) V 0 bygges opp av faste ukompenserte ladninger (N d+, N a- ) innenfor en sone W som er depletert for frie ladningsbærere (n p 0). V 0 = kt q ln N an d n i 2 W = 2ε(V 0 V) q N a + N d N a N d
42 Deplesjonsone E Vn V 0 E C E C E F E V E C E E F C E V Vp E Cp E E Cp Fp E Vp Electrostatic potential Electrostatic potential qv 0 ECn E Fn E Cn E V E V E Vp Energy bands Energy bands E Vn E Vn Particle flow Particle flow Current Current Figure 5 11 Properties of an equilibrium p-n junction: (a) isolated, neutral regions of p-type and n-type material and energy bands for the isolated regions; (b) junction, showing space charge in the transition region W, the resulting electric field E and contact potential V 0, and the separation of the energy bands; (c) directions of the four components of particle flow within the transition region, and the resulting current directions.
43 Equilibrium (V = 0) Forward bias (V = V f ) Reverse bias (V = V r ) E E E Vn (V 0 -V f ) V 0 (V 0 +V r ) Vp E Cp E Fp E Vp qv 0 E Cn E Fn q(v 0 -V f ) q(v 0 +V r ) Figure 5 13 Effects of a bias at a p-n junction; transition region width and electric field, electrostatic potential, energy band diagram, and particle flow and current directions within W for (a) equilibrium, (b) forward bias, and (c) reverse bias. E Vn Particle flow Current Particle flow Current Particle flow Current (1) Hole diffusion (2) Hole drift (3) Electron diffusion (4) Electron drift
44 Figure 5 12 Space charge and electric field distribution within the transition region of a p-n junction with N d > N a : (a) the transition region, with x = 0 defined at the metallurgical junction; (b) charge density within the transition region, neglecting the free carriers; (c) the electric field distribution, where the reference direction for E is arbitrarily taken as the +x-direction. -V 0
45 Deplesjonssone: Gauss lov: dℇ(x) dx = q ε Hvor: q = p n + N d N a, og ε dielektrisitetskonstanten I deplesjonssonen: dℇ(x) dx q = ε N d q ε N a 0 x x n0 x p0 x 0 Kontaktpotensial: x n0 1 V 0 = න ℇ x dx = x p0 2 ℇ 0W = 1 q N d N a W 2 ε N d + N a
46 W = 2εV 0 q N a + N d V 0 = kt N a N d q ln N an d 2 n i For en asymmetrisk dopet overgang f.eks. N a >> N d (p + n) gjelder W 2εV o qn d, W brer seg hovedsakelig ut på den lavest dopede siden. Et stort volum av ladninger trengs på den lavt dopede siden for å kompensere et lite volum på den høyt dopede siden.
47 Diodeligningen:
48
49
50 Rekombinasjon og generasjon (Diffusjon) Jeppson
51 W I = I p + I n = konstant Figure 5 17 Electron and hole components of current in a forward-biased p-n junction. In this example, we have a higher injected minority hole current on the n side than electron current on the p side because we have a lower n doping than p doping.
52 Kort diode; L p,l n erstattes av geometriske lengder (diffusjonsstrømmen gjennom et volum kan være stor selv om ladningdsbærerkonsentrasjonen er liten) Kapasitans: 1) Diffusjonskapasitans forover retning 2) Deplesjonskapasitans - reversretning; C = εa W Gjennombrudd; 1) Zener hardt dopede overganger 2) Avalanche/skred lavt dopede overganger
53 Figure 5 20 The Zener effect: (a) heavily doped junction at equilibrium; (b) reverse bias with electron tunneling from p to n; (c) I V characteristic.
54 Avalanche (skred) gjennombrudd (b) (c) Figure 5.21: Electron-hole pairs generated by impact ionization; (b) a single ionizing collision by an incoming electron and (c) primary, secondary and tertiary collisions.
55 Schottky kontakt på n-type halvledere Vakuumnivå Figure 5 40 A Schottky barrier formed by contacting an n-type semiconductor with a metal having a larger work function: (a) band diagrams for the metal and the semiconductor before joining; (b) equilibrium band diagram for the junction.
56 Kapittel 6 Felt-effekt transistorer JFET Unipolar Partikkelfluks S D (alltid) V G styrer ledningskanalen mellom S og D Pinch-off: deplesjonssonen dekker hele kanalen ved D og I D mettner
57 JFET (Junction Field Effect Transistor)
58 Utledet ligning 6-9 for I D -V D karakteristikk I D = G 0 V p V D V p V G V p 3/2 2 3 V D V G V p 3/2 MESFET Schottky kontakt som Gate MOSFET Lett å isolere (n-mos, p-mos, C-MOS) Ideell MOS-kapasitans (Φ m = Φ s ) Innførte: qφ x = E i E i (x)
59 MOSFET
60 MOSFET Innførte: qφ x = E i E i (x) 5 tilfeller (p-substrat): φ s = 0 φ s < 0 Likevekt Akkumulasjon (V G < 0) φ s > 0 Deplesjon (V G > 0) φ s > φ F Inversjon (V G 0) φ s > 2φ F Sterk inversjon (V G 0)
61 Terkselspenning V T (ideelt tilfelle Φ m = Φ s ) V T = minste gatespenning som trengs for sterk inversjon I virkeligheten V T = 2φ F Q d(maks) C i V T = 2φ F Q d maks C i + Φ ms Q i C i
62 Figure 6 19 Effects of charges in the oxide and at the interface: (a) definitions of charge densities (C/cm 2 ) due to various sources; (b) representing these charges as an equivalent sheet of positive charge Q i at the oxide semiconductor interface. This positive charge induces an equivalent negative charge in the semiconductor, which requires a negative gate voltage to achieve the flat band condition. V T i virkeligheten; positive ladninger i gate-oksiden
63 Utledet I D V D karakteristikk I D = μҧ nzc i L V G V T V D 1 2 V D 2 Små V D : (V D <<(V G -V T ) g = I D = μ nzc i V D L V G V T Store V D : (dvs en resistor som styres av V G ) I D sat VD =V G V T = μ nzc i L g m = I D(sat) V G = μ nzc i L V G V T 2 V G V T
64 y(x)
65 Justering av V T V T = 2φ F Q d maks C i + Φ ms Q i C i
66 Kap. 7 Bipolar transistor Bipolar transistor som forsterker β = I c I B = α 1 α - Strømforsterkningsfaktor α = Bγ - strømtransportfaktor B - basetransportfaktor γ - emittereffektivitet
67 Fluks av e - og h + i BJT Figure 7 3 Summary of hole and electron flow in a p-n-p transistor with proper biasing: (1) injected holes lost to recombination in the base; (2) holes reaching the reverse-biased collector junction; (3) thermally generated electrons and holes making up the reverse saturation current of the collector junction; (4) electrons supplied by the base contact for recombination with holes; (5) electrons injected across the forward-biased emitter junction.
68 Forspent Revers-spent Figure 7.6 Simplified p-n-p transistor geometry used in the calculations.
69 Løste diffusjonsligningen i basen I E, I B og I C I B = qa D p L p (Δp E + Δp C )tanh W b 2L p I C = qa D p L p Δp E csch W b L p Δp C ctnh W b L p Ladningsbetraktning: I C = Q p τ t I B = Q p τ p (γ = 1) Gir samme resultat som løsning av diffusjonsligningen i basen (under visse forutsetninger)
70 Basebreddemodulasjon (Early-effekt) W b (effektiv) minsker når CB-overgangen reversspennes øker β (Early-effekt) som til slutt fører til gjennombrudd (punch-through) når V CB =V pt B E n + p n + C V CB = 0 N d N a N d E W b n + p n + C V CB = V Pt N d N d Drift i basen ved «ikke-konstant» basedoping
71 HBT (heterojunction bipolar transistor) γ 1 uten at N emitter >> N base E g (emitter) > E g (base)
72 Kap. 8 Optoelektroniske komponenter Figure 8 1 Optical generation of carriers in a p-n junction: (a) absorption of light by the device; (b) current Iop resulting from EHP generation within a diffusion length of the junction on the n side; (c) I V characteristics of an illuminated junction.
73 Kap. 8 Optoelektroniske komponenter Fotodioden: I tot = I th e qv kt 1 I op hvor I op = qag op (L p + L n + W) V = 0 I tot = I sc = I op I = 0 V oc = kt q ln I op I th + 1 Fotovoltaisk effekt (PV)
74
75 Shockley Queisser Limit Max effekt produsert av en Silisium solcelle basert på en enkelt diode er ~30% Hva skjer med de andre 67%? ~33% blir til varme (vekselvirkning med fononer) ~18% blir ikke absorbert ~17% annet (rekombinasjon, «black body radiation», impedansmatching, ) Strategier for å overgå SQ-limit (max grense 86.8%: Bruke flere halvledermaterialer Bruke flere dioder Konsentrere sollyset Konvertere «varmen» til elektrisitet Nanoteknologi, lyskonvertering, multi-eksiton generering,
76 Fotodetektor 3. Kvadrant av IV kurven (reversspent overgang) stor deplesjonssone W Absorpsjon i W gir rask respons (~1 ns), siden de genererte EHP drives av det elektriske feltet Ofte p-i-n detektor : en god måte å kontrollere W For stor W for lang τ drift For liten W lav følsomhet For lave signaler avalanche (skred) fotodiode, hvor mulitplikasjon av EHP gir høy følsomhet.
77 Pin-detektor Figure 8 7 Schematic representation of a p-i-n photodiode.
78 Lysemitterende diode (LED) Forspent pn-overgang rekombinasjon av injiserte ladningsbærere lysemisjon i materialer med direkte båndgap Eks: GaAs Eks: Si External quantum efficiency: η ext = internal radiative efficiency x extraction efficiency
79 Lykke til med forberedelsene!
Fys2210 Halvlederkomponenter. Repetisjon
Fys2210 Halvlederkomponenter Repetisjon Pensum 1 CRYSTAL PROPERTIES AND GROWTH OF SEMICONDUCTORS 2 ATOMS AND ELECTRONS 3 ENERGY BANDS AND CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS 4 EXCESS CARRIERS IN SEMICONDUCTORS
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger Repetisjon: Vp E Cp E Fp E Vp Particle flow Equilibrium (V = 0) Current Forward bias (V = V f ) E E E Vn (V 0 -V f ) V 0 W = qv 0 (1)
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger Repetisjon: Vp E Cp E Fp E Vp Particle flow Equilibrium (V = 0) Current Forward bias (V = V f ) E E E Vn (V 0 -V f ) V 0 W = qv 0 (1)
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 5 Kapittel 5 - Overganger
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 5 Kapittel 5 - Overganger 1 Lab-tider Forslag til lab-tider vil bli lagt ut Ideelt sett 4 per gruppe Skriv dere på et tidspunkt som passer Øvingstime neste torsdag
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 1
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 1 Materialets struktur kan være - Amorft - Polykrystallinsk - Enkrystallinsk www.physics-in-a-nutshell.com Enkrystallinske materialer kan ha ulik atomstruktur De vanligste
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 2 Kapittel 3 ENERGY BANDS AND CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS Repetisjon: I faste materialer danner elektronene energibånd N st Si atoms Filled; 2N Unfilled;
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer Repetisjon Kap. 5 Kontaktpotensial V 0 = kt q ln Deplesjonssone W = Diodeligningen N an d n i 2 2ε(V 0 V) N a + N d q N a N d I = I o e qv/kt
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer 1 Repetisjon Kap. 5 Kontaktpotensial V 0 = kt q ln Deplesjonssone W = Diodeligningen N an d n i 2 2ε(V 0 V) N a + N d q N a N d I = I o e
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer 1 Eksamensdatoer: 11. OG 12. DESEMBER Repetisjon Felteffekttransistoren 3 forskjellige typer: - Junction FET - MESFET - MOSFET JFET MESFET
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer MOSFET I en n-kanals MOSFET (enhancement-type) lager man en n-type kanal mellom Source og Drain ved å lage et inversjonslag i et p-type substrat
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer Forelesning 10
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer Forelesning 10 Repetisjon: V T i virkeligheten Forskjell Φ m Φ s 0 Q i defekter/urenheter i oksidet og interface states Figure 6.20 Influence
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer 1 Pensum 1 CRYSTAL PROPERTIES AND GROWTH OF SEMICONDUCTORS 2 ATOMS AND ELECTRONS 3 ENERGY BANDS AND CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS 4 EXCESS
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 9 Kapittel 6 - Felteffekttransistoren
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 9 Kapittel 6 - Felteffekttransistoren Repetisjon Unipolar Kapittel 6 Felt-effekt transistorer JFET Partikkelfluks S D (alltid) V G styrer ledningskanalen mellom
DetaljerFys Halvlederkomponenter. Lasse Vines kontor: Kristen Nygårds hus, 3. etg.
Fys2210 - Halvlederkomponenter Lasse Vines lassevi@fys.uio.no kontor: Kristen Nygårds hus, 3. etg. Fys2210 NB: Forelesning Torsdag 30/8 (i øvingstimen) 3 timer forelesning og 3t øving til uke 41, deretter
DetaljerHalvlederkomponenter
Halvlederkomponenter Innledning og bakgrunn for kurset Forskningen og utviklingen som har foregått innen halvlederområdet etter 2. verdenskrig har lagt grunnen til dagens moderne samfunn. Raske og energieffektive
DetaljerHalvlederkomponenter
Halvlederkomponenter Innledning og bakgrunn for kurset Forskningen og utviklingen innen halvlederfysikk etter 2. verdenskrig har dannet grunnlaget for dagens moderne samfunn. Raske og energieffektive elektriske
DetaljerBasis dokument. 1 Solcelle teori. Jon Skarpeteig. 23. oktober 2009
Basis dokument Jon Skarpeteig 23. oktober 2009 1 Solcelle teori De este solceller er krystallinske, det betyr at strukturen er ordnet, eller periodisk. I praksis vil krystallene inneholde feil av forskjellige
DetaljerKapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2008 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow
DetaljerElectronics Technology Fundamentals
Electronics Technology Fundamentals Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon jan 2007 T.Lindem 1 17.1 Semiconductors P1 Halvledere Semiconductors Atomer som har 4 valenselektroner
DetaljerKapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2009 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow
DetaljerEnergiband i krystallar. Halvleiarar (intrinsikke og ekstrinsikke) Litt om halvleiarteknologi
Energiband i krystallar Halvleiarar (intrinsikke og ekstrinsikke) Litt om halvleiarteknologi Energibandstrukturen til eit material avgjer om det er ein leiar (metall), halvleiar, eller isolator Energiband
DetaljerCMOS billedsensorer ENERGIBÅND. Orienteringsstoff AO 03V 2.1
NRGIBÅND Orienteringsstoff AO 03V 2.1 nergibånd Oppsplitting av energitilstander i krystallstruktur Atom (H) Molekyl Krystallstruktur Sentrifugal potensial 0 0 0 ffektivt potensial Columb potensial a a
DetaljerMeir om halvleiarar. Halvleiarteknologi
Meir om halvleiarar. Halvleiarteknologi YF 42.6, 42.7 (Halvleiarar vart introduserte i fila Energiband i krystallar, som denne fila er eit framhald av.) Hol Leiingsband Valensband E g Eksitasjon av eit
DetaljerKondenserte fasers fysikk Modul 4
FYS3410 Kondenserte fasers fysikk Modul 4 Sindre Rannem Bilden 9. mai 2016 Oppgave 1 - Metaller og isolatorer Metaller er karakterisert med et delvis fyllt bånd kallt ledningsbåndet. I motsetning til metaller
DetaljerKapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2012 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow
DetaljerKapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2009 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow
DetaljerFysikk og teknologi Elektronikk FYS ) Det betyr kjennskap til Ohms lov : U = R I og P = U I
Fysikk og teknologi Elektronikk FYS 1210 Skal vi forstå moderne elektronikk - må vi først beherske elementær lineær kretsteknikk - og litt om passive komponenter - motstander, kondensatorer og spoler 1
DetaljerSpenningskilder - batterier
UKE 4 Spenningskilder, batteri, effektoverføring. Kap. 2 60-65 AC. Kap 9, s.247-279 Fysikalsk elektronikk, Kap 1, s.28-31 Ledere, isolatorer og halvledere, doping 1 Spenningskilder - batterier Ideell spenningskilde
DetaljerEksamen i TMT 4185 Materialteknologi Tirsdag 12. desember 2006 Tid:
Side 1 av 9 Løsningsforslag Eksamen i TMT 4185 Materialteknologi Tirsdag 12. desember 2006 Tid: 09 00-13 00 Oppgave 1 i) Utherdbare aluminiumslegeringer kan herdes ved utskillingsherding (eng.: age hardening
DetaljerForelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer. Dioder
Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer Dioder Dagens temaer Dioder Halvlederfysikk Ulike typer halvledere og ladningsbærere Diodekarakteristikker Likerettere og strømforsyninger Spesialdioder
DetaljerUKE 6. Dioder, kap. 17, s , Diode Kretser, kap. 18, s
UKE 6 Dioder, kap. 17, s. 533-564, Diode Kretser, kap. 18, s. 574-605 1 Dioder Lindem 23. jan. 2013 Solid State Components Halvledere Semiconductors Atomer med 4 valenselektroner Mange materialer kan opptre
DetaljerSolceller - Teori og praksis Solcellers virkningsgrad, effekt og elektriske egenskaper.
Universitetet i Oslo FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgave Solceller - Teori og praksis Solcellers virkningsgrad, effekt og elektriske egenskaper. Sindre Rannem Bilden 27. april 2016 Labdag: Tirsdag
DetaljerFysikk og teknologi - Elektronikk Mål for opplæringen er at eleven skal kunne
14. Jan 06 Den nye læreplanen i fysikk Fysikk og teknologi - Elektronikk Mål for opplæringen er at eleven skal kunne 1. gjøre rede for forskjellen mellom ledere, halvledere og isolatorer ut fra dagens
DetaljerIN 241 VLSI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver uke 36
IN 41 VLI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver uke 36 1) Beregn forsterknings faktoren ß for en nmofet fabrikkert i en prosess med: µ = 600cm/V s (Elektronmobilitet for n-dopet materiale) ε = 5
DetaljerForelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer 1 Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Feedback-oscillatorer Dagens
DetaljerLysdetektorer. Kvantedetektor. Termisk detektor. Absorbsjon av fotoner: Kvanterespons Termisk respons. UV MIR Fotoeffekt (Einstein, Nobelpris 1921)
Lysdetektorer Rekombinerer varme Absorbsjon av fotoner: Kvanterespons Termisk respons Kvantedetektor UV MIR Fotoeffekt (Einstein, Nobelpris 1921) Termisk detektor MIR FIR 1 Fotoeffekt (kvantedetektorer)
DetaljerForelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Dagens temaer er hentet fra
DetaljerGJ ennomgang av CMOS prosess, tverrsnitt av nmos- og
Del : Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS rosess YNGVAR BERG I. Innhold GJ ennomgang av CMOS rosess, tverrsnitt av nmos og MOS transistor og tverrsnitt av CMOS inverter. Enkel forklaring
DetaljerLØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN FY1013 ELEKTRISITET OG MAGNETISME II Fredag 8. desember 2006 kl 09:00 13:00
NOGES EKNISK- NAUVIENSKAPEIGE UNIVESIE INSIU FO FYSIKK Kontakt under eksamen: Per Erik Vullum lf: 93 45 7 ØSNINGSFOSAG I EKSAMEN FY3 EEKISIE OG MAGNEISME II Fredag 8. desember 6 kl 9: 3: Hjelpemidler:
DetaljerForelesning nr.8 IN 1080 Elektroniske systemer. Dioder og felteffekt-transistorer
Forelesning nr.8 IN 1080 Elektroniske systemer Dioder og felteffekt-transistorer Dagens temaer Impedanstilpasning Dioder Likerettere og strømforsyninger Spesialdioder Dagens temaer er hentet fra kapittel
DetaljerNORGES TEKNISK-NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR MATERIALTEKNOLOGI LØSNINGSFORSLAG
NORGES TEKNISK-NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR MATERIALTEKNOLOGI Oppgave 1 LØSNINGSFORSLAG Eksamen i TMT 4185 Materialteknologi Fredag 18. desember 2009 Tid: 09 00-13 00 (a) (b) Karakteristiske
DetaljerElektronikk med prosjektoppgaver FYS 1210
Elektronikk med prosjektoppgaver FYS 1210 Lindem 29 jan. 2008 Komponentlære Kretselektronikk Elektriske ledere/ halvledere Doping Dioder - lysdioder Bipolare transistorer Unipolare komponenter FET, MOS,
DetaljerForelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer Dioder Praktiske anvendelser 1 Dagens temaer Dioder Halvlederfysikk Diodekarakteristikker Ulike typer halvledere og ladningsbærere Likerettere Spesialdioder
DetaljerSpenningskilder - batterier
UKE 4 Spenningskilder, batteri, effektoverføring. Kap. 2, s. 60-65 AC. Kap 9, s.247-279 Fysikalsk elektronikk, Kap 1, s.28-31 Ledere, isolatorer og halvledere, doping 1 Spenningskilder - batterier Ideell
DetaljerZ L Z o Z L Z Z nl + 1 = = =
SMITHDIAGRAM Bilineær transformasjon fra Zplanet (impedans) til Γplanet (refleksjonsfaktor) Γ Z L Z o Z L Z 0 1 Z L Z 0 Z L Z 0 1 Z nl 1 Z nl 1 Zplanet Im Γplanet Im Re Re AO 00V 1 SMITHDIAGRAM Γplanet
DetaljerBYGGING AV LIKESTRØMSKILDE OG TRANSISTORFORSTERKER
BYGGING AV LIKESTRØMSKILDE OG TRANSISTORFORSTERKER OPPGAVE 1. Lag en oppkobling av likespenningskilden skissert i Figur 1. 2. Mål utgangsspenningen som funksjon av ulike verdier på belastningsmotstanden.
DetaljerLab 1 i INF3410. Prelab: Gruppe 5
Lab 1 i INF3410 Prelab: a) EKV modellen ble modellert i Matlab, der EKV.m er brukes til å lage en funksjon av drainsource strømmen. Reverse bias strøm trekkes i fra forward bias strøm, noe som danner grunnlaget
DetaljerMandag Ledere: Metaller. Atomenes ytterste elektron(er) er fri til å bevege seg gjennom lederen. Eksempler: Cu, Al, Ag etc.
Institutt for fysikk, NTNU TFY4155/FY1003: Elektrisitet og magnetisme Vår 2007, uke 7 Mandag 12.02.07 Materialer og elektriske egenskaper Hovedinndeling av materialer med hensyn på deres elektriske egenskaper:
DetaljerEKSAMEN I EMNE SIK5005 MATERIALTEKNOLOGI 2 MANDAG 5. MAI, LØSNINGSFORSLAG -
EKSAMEN I EMNE SIK5005 MATERIALTEKNOLOGI 2 MANDAG 5. MAI, 200 - LØSNINGSFORSLAG - Oppgave 1. a) Fast løsningsherding er beskrevet på side 256-257 i læreboken. Fig. 9.6 gir en skjematisk fremstilling av
DetaljerRev. Lindem 25.feb..2014
ev. Lindem 25.feb..2014 Transistorforsterkere - oppsummering Spenningsforsterker klasse Med avkoplet emitter og uten Forsterkeren inverterer signalet faseskift 180 o Transistoren er aktiv i hele signalperioden
DetaljerEKSAMEN FY1013 ELEKTRISITET OG MAGNETISME II Fredag 9. desember 2005 kl
NORGES TEKNSK- NATURTENSKAPELGE UNERSTET NSTTUTT FOR FYSKK Side 1 av 6 Kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 EKSAMEN FY1013 ELEKTRSTET OG MAGNETSME Fredag 9. desember 2005 kl.
DetaljerFYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017
FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017 Oppgave 1 1 a. Doping er en prosess hvor vi forurenser rent (intrinsic) halvleder material ved å tilsette trivalente (grunnstoff med 3 elektroner i valensbåndet) og
DetaljerBasis dokument. 1 Introduksjon. 2 Solcelle teori. Jon Skarpeteig. 11. november 2009
Basis dokument Jon Skarpeteig 11. november 2009 1 Introduksjon Solceller er antatt å dominere energisektoren de neste hundre år. For at dette skal bli tilfelle trengs det billige og eektive solceller.
DetaljerUKE 4. Thevenin Spenningskilde og effektoverføring Fysikalsk elektronikk Ledere, isolatorer og halvledere, doping Litt om AC
UKE 4 Thevenin Spenningskilde og effektoverføring Fysikalsk elektronikk Ledere, isolatorer og halvledere, doping Litt om AC 1 Thévenin s teorem Helmholtz 1853 Léon Charles Thévenin 1883 Ethvert lineært,
DetaljerForelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer. Dioder Praktiske anvendelser
Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer Dioder Praktiske anvendelser Dagens temaer Dioder Halvlederfysikk Ulike typer halvledere og ladningsbærere Diodekarakteristikker Likerettere og strømforsyninger
DetaljerForslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005
Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005 Oppgave 1 Figur 1 viser et nettverk tilkoplet basen på en bipolar transistor. (For 1a og 1b se læreboka side 199) 1 a ) Tegn opp Thevenin-ekvivalenten
DetaljerTransistorforsterker
Oppsummering Spenningsforsterker klasse Med avkoplet emitter og uten Forsterkeren inverterer signalet faseskift 180o Transistoren er aktiv i hele signalperioden i b B i c C g m I V C T i c v i r π B1 B2
DetaljerLøsningsforslag til eksamen i TFY4170 Fysikk august 2004
NTNU Side 1av7 Institutt for fysikk Fakultet for naturvitenskap og teknologi Dette løsningsforslaget er på 7 sider. Løsningsforslag til eksamen i TFY4170 Fysikk 1. august 004 Oppgave 1. Interferens a)
DetaljerKapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger. Likeretter (Rectifier) omforme AC til DC
Revidert versjon 1. feb. 2012 T.Lindem Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger Likeretter (Rectifier) omforme A til D Rectifier (Likeretter) en diodekrets som omformer en A til pulserende D Filter en
DetaljerExercise 1: Phase Splitter DC Operation
Exercise 1: DC Operation When you have completed this exercise, you will be able to measure dc operating voltages and currents by using a typical transistor phase splitter circuit. You will verify your
DetaljerProsjekt- og masteroppgaver innen modellering av halvledermaterialer ved FFI
Prosjekt- og masteroppgaver innen modellering av halvledermaterialer ved FFI FFI har i dag en betydelig aktivitet innen fremstilling av halvledere. På teorisiden studerer vi ladningsbærerdynamikk både
DetaljerFYS1210. Repetisjon 2 11/05/2015. Bipolar Junction Transistor (BJT)
FYS1210 Repetisjon 2 11/05/2015 Bipolar Junction Transistor (BJT) Sentralt: Forsterkning Forsterkning er et forhold mellom inngang og utgang. 1. Spenningsforsterkning: 2. Strømforsterkning: 3. Effektforsterkning
DetaljerForelesning 8. CMOS teknologi
Forelesning 8 CMOS teknologi Hovedpunkter MOS transistoren Komplementær MOS (CMOS) CMOS eksempler - Inverter - NAND / NOR - Fulladder Designeksempler (Cadence) 2 Halvledere (semiconductors) 3 I vanlig
DetaljerSolceller og halvledere
Prosjekt i Elektrisitet og Magnetisme. Solceller og halvledere Kristian Rød Innlevering 23.april 2004-0 - Innholdsfortegnelse: 1. Sammendrag 2. Innledning 3. Solceller, generelt 4. Halvledere 4.1. Elementært
DetaljerProsjekt i Elektrisitet og magnetisme (FY1303) Solceller. Kristian Hagen Torbjørn Lilleheier
Prosjekt i Elektrisitet og magnetisme (FY133) Solceller Av Kristian Hagen Torbjørn Lilleheier Innholdsfortegnelse Sammendrag...3 Innledning...4 Bakgrunnsteori...5 Halvledere...5 Dopede halvledere...7 Pn-overgang...9
DetaljerLøsningsforslag til eksamen i TFY4230 STATISTISK FYSIKK Tirsdag 9. aug 2011
NTNU Side 1 av 5 Institutt for fysikk Fakultet for naturvitenskap og teknologi Dette løsningsforslaget er på 5 sider. Løsningsforslag til eksamen i TFY430 STATISTISK FYSIKK Tirsdag 9. aug 011 Oppgave 1.
DetaljerGJ ennomgang av CMOS prosess, tverrsnitt av nmos- og
Del : Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS rosess YNGVAR BERG I. Innhold GJ ennomgang av CMOS rosess, tverrsnitt av nmos og MOS transistor og tverrsnitt av CMOS inverter. Enkel forklaring
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO Fysisk institutt. FYS2210 Laboratorierapport. -N-MOSFET -Schottkydiode. Sindre Rannem Bilden
UNIVERSITETET I OSLO Fysisk institutt FYS22 Laboratorierapport -N-MOSFET -Schottkydiode ndre Rannem Bilden 27. november 15 Introduksjon Laboratorieoppgaven går ut på å syntesere og karakterisere et sett
DetaljerForslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2004
Oppgave Forslag til løsning på Eksamen FYS20 våren 2004 Figure Figur viser et enkelt nettverk bestående av 2 batterier ( V = 9volt og V2 = 2volt) og 3 motstander på kω. a) Hva er spenningen over motstanden
DetaljerMandag dq dt. I = Q t + + x (tverrsnitt av leder) Med n = N/ V ladningsbærere pr volumenhet, med midlere driftshastighet v og ladning q:
Institutt for fysikk, NTNU TFY455/FY003: Elektrisitet og magnetisme Vår 2007, uke Mandag 2.03.07 Elektrisk strøm. [FGT 26.; YF 25.; TM 25.; AF 24., 24.2; LHL 2.; DJG 5..3] Elektrisk strømstyrke = (positiv)
DetaljerLØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN FY1013 ELEKTRISITET OG MAGNETISME II Fredag 9. desember 2005 kl
NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK Kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN FY1013 ELEKTRISITET OG MAGNETISME II Fredag
DetaljerPeriodisk Emnerapport FYS2210 Høst2013
Til: Universitetet i Oslo Fysisk Institutt v/ Studieadministrasjonen Boks 1048, Blindern 0316 Oslo Periodisk Emnerapport FYS2210 Høst2013 Februar 2014 Utarbeidet av: Bengt G. Svensson, Fysisk Institutt,
DetaljerEnergibånd i faste stoffer. Et prosjekt i emnet FY1303 elektrisitet og magnetisme, skrevet av Tord Hompland og Sigbjørn Vindenes Egge.
Energibånd i faste stoffer. Et prosjekt i emnet FY1303 elektrisitet og magnetisme, skrevet av Tord Hompland og Sigbjørn Vindenes Egge. 1 Innholdsfortegnelse. Sammendrag...3 Innledning... 4 Hvorfor kvantemekanisk
DetaljerLøsningsforslag til eksamen i TFY4170 Fysikk 2 Tirsdag 9. desember 2003
NTNU Side 1av7 Institutt for fysikk Fakultet for naturvitenskap og teknologi Dette løsningsforslaget er på 7 sider. Løsningsforslag til eksamen i TFY4170 Fysikk Tirsdag 9. desember 003 Oppgave 1. a) Amplituden
DetaljerEKSAMEN I FAG SIF4062 FASTSTOFFYSIKK VK Fakultet for fysikk, informatikk og matematikk Tirsdag 8. mai 2001 Tid: Sensur faller 29.
Side 1 av 4 Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet Institutt for fysikk Faglig kontakt under eksamen: Navn: Ola Hunderi Tlf.: 93411 EKSAMEN I FAG SIF406 FASTSTOFFYSIKK VK Fakultet for fysikk, informatikk
DetaljerOnsdag og fredag
Institutt for fysikk, NTNU TFY4155/FY1003: Elektrisitet og magnetisme Vår 2009, uke 7 Onsdag 11.02.09 og fredag 13.02.09 Gauss lov [FGT 23.2; YF 22.3; TM 22.2, 22.6; AF 25.4; LHL 19.7; DJG 2.2.1] Gauss
DetaljerDIFFUSJON I METALLER. DIFFUSJON - bevegelse av atomer. - størkning. foregår hurtigere i gass og smelte p.g.a. mindre effektiv atompakking
DIFFUSJON I METALLER DIFFUSJON - bevegelse av atomer nødvendig i foreksempel - varmebehandling - størkning foregår hurtigere i gass og smelte p.g.a. mindre effektiv atompakking alltid feil i metallgitteret
DetaljerTirsdag r r
Institutt for fysikk, NTNU TFY4155/FY1003: Elektrisitet og magnetisme Vår 2008, uke 6 Tirsdag 05.02.08 Gauss lov [FGT 23.2; YF 22.3; TM 22.2, 22.6; AF 25.4; LHL 19.7; DJG 2.2.1] Fra forrige uke; Gauss
DetaljerLøsningsforslag til ukeoppgave 15
Oppgaver FYS1001 Vår 2018 1 Løsningsforslag til ukeoppgave 15 Oppgave 18.11 Se. s. 544 Oppgave 18.12 a) Klorofyll a absorberer fiolett og rødt lys: i figuren ser vi at absorpsjonstoppene er ved 425 nm
DetaljerTransistorer en alternativ presentasjon. Temapunkter for de 3 neste ukene
ransistorer en alternativ presentasjon Dekkes delvis i boka Kap 19-21 Linde 3. feb 2010 eapunkter for de 3 neste ukene eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare
DetaljerNORGES TEKNISK-NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET Side 1 av 6 INSTITUTT FOR MATERIALTEKNOLOGI
NORGES TEKNISK-NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET Side 1 av 6 INSTITUTT FOR MATERIALTEKNOLOGI Faglig kontakt under eksamen: Øystein Grong/Knut Marthinsen Tlf.:94896/93473 EKSAMEN I EMNE SIK5005 MATERIALTEKNOLOGI
DetaljerChapter 2. The global energy balance
Chapter 2 The global energy balance Jordas Energibalanse Verdensrommet er vakuum Energi kan bare utveksles som stråling Stråling: Elektromagnetisk stråling Inn: Solstråling Ut: Reflektert solstråling +
DetaljerGJ ennomgang av CMOS prosess, tversnitt av nmos- og
Del : Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS rosess YNGVAR BERG I. Innhold GJ ennomgang av CMOS rosess, tversnitt av nmos og MOS og tverrsnitt av CMOS inverter. Enkel forklaring å begreer
DetaljerLØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Onsdag 3. juni 2009 kl
NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK Faglig kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 / 45 45 55 33 LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I FY003 ELEKTRISITET
DetaljerOppgave 1 V 1 V 4 V 2 V 3
Oppgave 1 Carnot-syklusen er den mest effektive sykliske prosessen som omdanner termisk energi til arbeid. I en maskin som anvender Carnot-syklusen vil arbeidssubstansen være i kontakt med et varmt reservoar
DetaljerOppgavesett kap. 6 (3 av..) GEF2200
Oppgavesett kap. 6 (3 av..) GEF2200 s.m.blichner@geo.uio.no Exercise 1 - Denitions ect What do we call droplets in the liquid phase with temperatures below 0 C? What changes when an embryo of ice exceeds
DetaljerDIFFUSJON I METALLER. DIFFUSJON - bevegelse av atomer. - størkning. foregår hurtigere i gass og smelte p.g.a. mindre effektiv atompakking
DIFFUSJON I METALLER DIFFUSJON - bevegelse av atomer nødvendig i foreksempel - varmebehandling - størkning foregår hurtigere i gass og smelte p.g.a. mindre effektiv atompakking alltid feil i metallgitteret
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO Det matematisk naturvitenskapelige fakultet
UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk naturvitenskapelige fakultet Eksamen i AST5220/9420 Kosmologi II Eksamensdag: Fredag 11. juni 2010 Tid for eksamen: 09.00 12.00 Oppgavesettet er på 4 sider. Vedlegg:
DetaljerUniversitetet i Oslo MENA3000. Oppsummering. Skrevet av: Ingrid Marie Bergh Bakke & Sindre Rannem Bilden
Universitetet i Oslo MNA3000 Oppsummering Skrevet av: 31. mai 2015 Del I nhetscellen og strukturer Punktgrupper Rotasjonsakse: r = 2, 3, 4,.. Speilplan: m Inversjon: r Normalt på: / ksempel 3/m - Trefoldig
DetaljerKap. 27 Kjapp historie. Kap. 27 Magnetisk felt og magnetiske krefter. Kap. 27 Magnetisme. Kraft på ledningsbit. Kap 27
Kap. 27 Magnetisk felt og magnetiske krefter Kortfatta målsetning: Forstå at magnetiske monopoler ikke fins, kun dipoler. (mens elektriske monopoler fins, dvs. +q, -q) Lære at permanente magneter og elektromagneter
DetaljerSolceller. Josefine Helene Selj
Solceller Josefine Helene Selj Silisium Solceller omdanner lys til strøm Bohrs atommodell Silisium er et grunnstoff med 14 protoner og 14 elektroner Elektronene går i bane rundt kjernen som består av protoner
DetaljerSammendrag, forelesning onsdag 17/ Likevektsbetingelser og massevirkningsloven
Sammendrag, forelesning onsdag 17/10 01 Kjemisk likevekt og minimumspunkt for G Reaksjonsligningen for en kjemisk reaksjon kan generelt skrives: ν 1 X 1 + ν X +... ν 3 X 3 + ν 4 X 4 +... 1) Utgangsstoffer
DetaljerEKSAMENSOPPGAVE I FYS-2001
Side 1 of 7 EKSAMENSOPPGAVE I FYS-001 Eksamen i : Fys-001 Statistisk fysikk og termodynamikk Eksamensdato : Onsdag 5. desember 01 Tid : kl. 09.00 13.00 Sted : Adm.bygget, B154 Tillatte hjelpemidler: K.
DetaljerHallbarer. Framstilling av Hallbarer for å teste doping i et halvledermateriale. November 2, 2008
Hallbarer Framstilling av Hallbarer for å teste doping i et halvledermateriale Marius Uv Nagell Sigmund Østtveit Størset November 2, 2008 Sammendrag Det ble laget to Hallbarer av to dopede halvlederprøver
Detaljera) Bruk en passende Gaussflate og bestem feltstyrken E i rommet mellom de 2 kuleskallene.
Oppgave 1 Bestem løsningen av differensialligningen Oppgave 2 dy dx + y = e x, y(1) = 1 e Du skal beregne en kulekondensator som består av 2 kuleskall av metall med samme sentrum. Det indre skallet har
DetaljerExamination paper for TFY4220 Solid State Physics
Page 1 of 19 Department of physics Examination paper for TFY4220 Solid State Physics Academic contact during exam: Randi Holmestad Phone: 48170066 Examination date: Saturday 28. May 2016 Examination time
DetaljerForelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer MOSFET Strømforsyning
Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer MOSFET Strømforsyning Dagens temaer Radiorør Transistorer Moores lov Bipolare transistorer Felteffekttransistorer Digitale kretser: AND, OR
DetaljerDenne metoden krever at du sammenlikner dine ukjente med en serie standarder. r cs
1 Ikke-instrumentelle metoder. Elektronisk deteksjon har ikke alltid vært mulig. Tidligere absorpsjonsmetoder var basert på å bruke øyet som detektor. I noen tilfeller er dette fremdeles en fornuftig metode.
DetaljerLaboratorieøvelse i Elektrisitet, MNFFY103 Institutt for Fysikk, NTNU
Laboratorieøvelse i Elektrisitet, MNFFY103 Institutt for Fysikk, NTNU ELEKTROLYSE AV VANN Oppgave 1: Bestem strøm-spennings- og effekt -spennings karakteristikken for et solcellepanel. Bruk Excel til å
DetaljerKap. 27 Kjapp historie. Kap. 27 Magnetisk felt og magnetiske krefter. Kap. 27 Magnetisme. Kraft på ledningsbit. Kap 27
Kap. 27 Magnetisk felt og magnetiske krefter Kortfatta målsetning: Forstå at magnetiske monopoler ikke fins, kun dipoler. (mens elektriske monopoler fins, dvs. +q, -q) Lære at permanente magneter og elektromagneter
Detaljer