Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger. Likeretter (Rectifier) omforme AC til DC

Størrelse: px
Begynne med side:

Download "Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger. Likeretter (Rectifier) omforme AC til DC"

Transkript

1 Revidert versjon 1. feb T.Lindem Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger Likeretter (Rectifier) omforme A til D Rectifier (Likeretter) en diodekrets som omformer en A til pulserende D Filter en krets som reduserer variasjonene i spenningen ut fra en likeretter oltage Regulator Spenningsregulator krets som opprettholder konstant spenning (D-out) Spenningen holdes konstant selv om belastningen endres (!)

2 Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger Halvbølge likeretter en diode er plassert i serie mellom en transformator og lasten ( mottakerkretsen ). Positiv halvbølge likeretter leverer en serie positive pulser Negativ halvbølge likeretter leverer en serie negative pulser

3 Kapittel 18 Helbølge likeretter Helbølge likeretter 2 dioder tilkoplet en sentertappet transformator

4 Kapittel 18 Helbølge likeretter Helbølge likeretter uten sentertappet transformator, - men med 4 dioder Dette er den mest benyttede likeretterkopling. ( Sentertappet transformator er en kostbar komponent dioder er billige )

5 Kapittel 18 Likeretter med filter Power Supply Filter en krets som reduserer variasjonene D spenningen ut fra likeretteren. En stor kondensator koples parallellt med lasten = R-filter Rippel Ripples Ripples = krusninger. Rest av A overlagret D spenningen

6 Kapittel 18 Likeretter med filter Surge urrent ladestrøm til kondensatoren det øyeblikk dioden begynner å lede og kondensatorspenningen er 0 volt vil kondensatoren virke som en kortsluttning. Strømmen begrenses kun av: Motstanden i transformatorens sekundærvikling Motstanden i ledningene Den interne motstanden dioden (ulk resistance) Ladestrømmen kan bli redusert hvis vi setter inn en spole i serie.

7 Kapittel 18 Klippere Transient beskyttelse Transient en meget rask endring i enten strøm eller spenning Kan ødelegge halvlederkomponenter. Forekommer ofte som elektrostatisk utladning når man berører komponenter. Har du klær av syntetisk materiale kan du fort lades opp til spenninger på over 1000 volt. Det er viktig at du er jordet når du behandler transistorer og integrerte kretser! Mange kretser må beskyttes mot overspenninger til dette brukes diode klippere. Diode D 1 leder hvis input-signalet overstiger +5,7volt --- D 2 leder hvis input-signalet blir lavere enn - 0,7volt

8 Kapittel 18 Spenningsdoblere (oltage Multipiers) Halvbølge oltage Doublers

9 Kapittel 18 Spenningsdoblere (oltage Multipiers) Kvadrupler i øker spenningen 4 ganger (4 k -> 16 k) De 2 figurene under viser samme krets men tegnet opp litt forskjellig Neste - JT

10 Transistorer en alternativ presentasjon Dekkes delvis i boka Kap Lindem 4. feb 2011 Temapunkter for de 3 neste ukene eskrive struktur og virkningsmekanismer i bipolare junction transistorer (JT) Forklare operasjonen til en JT klasse A-forsterker Analysere klasse - og klasse A - forsterker Kort analyse av bryterkretser switching circuits eskrive strukturene og operasjonen til felteffekt transistorene JFET og MOSFET

11 D operasjon til en ipolar Junction Transistor - JT En JT er bygget opp av tre dopede regioner i et halvledermateriale separert med to pn-overganger (pn junctions) Disse regionene kalles Emitter, ase og Kollektor Det er to typer JT-transistorer avhengig av sammensetningen til de dopede områdene npn eller pnp

12 D operasjon til en ipolar Junction Transistor - JT Det er to halvlederoverganger ( junctions ) - base - emitter junction og base - collector junction Uttrykket bipolar refererer seg til at både elektroner og hull inngår i ladningstransporten transistorstrukturen. Skal transistoren virke som forsterker må de to overgangene ha riktig forspenning - ase - emitter (E) junction er forspent i lederetning - ase - collector () junction er forspent i sperreretning

13 D operasjon til en ipolar Junction Transistor - JT Emitter ase Kollektor n p n ase-emitter-dioden forspennes i sperreretning. E = + Emitter-ase-dioden forspennes i lederetning E = 0,7 volt - elektroner strømmer fra Emitter inn i asen - asen er fysisk tynn pga. diffusjon strømmer elektroner mot Kollektor. Elektronene er minoritetsbærere i et p-dopet materiale. are noen få elektroner vil rekombinere med hull - og trekkes ut som en liten strøm på base- ledningen. De aller fleste elektronene når depletion layer på grensen mot Kollektor. Pga. E-feltet vil elektronene bli trukket over til kollektor, - hvor de fritt trekkes mot den positive batteripolen.

14 D operasjon til en ipolar Junction Transistor - JT Under normale arbeidsforhold vil strømmene og E variere direkte som funksjon av = β Strømforsterkningen β vil være i område Transistoren har 3 operasjons - modi ase-emitter Junction ollector-ase Junction Operating Region Reverse biased Forward biased Forward biased Reverse biased Reverse biased Forward biased utoff Active Saturation

15 D operasjon til en ipolar Junction Transistor - JT UTOFF egge diodene er koplet i sperreretning E = (forsyningsspenning) SATURATON egge diodene er koplet i lederetning E ~ 0,1-0,2 volt ATE ase Kollektor -dioden i sperreretning Emitter ase dioden i lederetning

16 D operasjon til en ipolar Junction Transistor - JT Forholdet mellom E, og Kirchhoff : E = + D- strømforsterkning β : = β 50 < β < 300 For A signaler brukes ofte betegnelsen h FE på β Straks base-emitter-dioden begynner å lede vil strømmen holde seg nesten konstant selv om E øker kraftig. øker litt pga redusert tykkelse på baseområde. Når E øker øker tykkelsen på sperresjiktet mellom basis og kollektor. Hvis sperresjiktet fyller hele basis opplever vi punch through gjennomslag.

17 Operasjon til en ipolar Junction Transistor - JT transistorens aktive område vil kollektorstrømmen endre seg lite selv om E øker kraftig. Strømmen bestemmes helt av base-emitter-dioden og strømmen som trekkes ut på basen. ( laboppgave # 3 ) slope 1 R Arbeidslinje - lastlinje La transistoren arbeide i sitt aktive område. elg arbeidspunkt midt på lastlinja.(cc/2). Se på figuren hvordan små strømendringer på basen gir store spenningsendringer over transistoren. ( Transistor trans resistans et uttrykk som forteller at komponenten kan betraktes som en variabel motstand.)

18 ipolar Junction Transistor JT brukt som forsterker D - beregning på en enkel transistorforsterker : Du har gitt en transistor med kjent strømforsterkning β Du velger og Du beregner R, og R Kondensatorene stopper D men slipper A - signalet igjennom Eksempel : i har en npn-transistor 546 med strømforst. β = 100. i har et batteri på 9 volt ( = 9 v ) elger arbeidspunkt ved cc/2. Det betyr at E må være 4,5 volt elger 1mA som kollektorstrøm. R R R 4, 5volt 4, 5 4, 5 k 3 1mA 10 1 ma 10A 100 9v 0, 7v 8, 3 volt 8, 3v 830 k 10A

19 Datablad for en ipolar Junction Transistor 546 Denne transistoren brukes på laben i FYS1210 β

20 En enkel JT - transistor brukt som forsterker - temperaturproblemer Strømforsterkningen β vil endre seg med temperaturen. Det betyr at arbeidspunktet A vil flytte seg langs last linjen med temperaturen. A1 A2 var ierer ( ) Q i vil ha en krets hvor strømmen Q er E mest mulig stabil uavhengig av β Emitter motkopling - (neg. feedback) ru ker Kirchhof langs basestrømveien 1) R E E RE 0 og ser på emitterstrømmen 2) E E kombinerer 1) og 2 ) Q Hvis R R RE vil være uavhengig av ( Q Q A3 E E temp R ) R E

21 En enkel JT - transistor brukt som forsterker - temperaturproblemer 50 est stabilisering mot temperaturdrift og variasjoner i β får vi med en emittermotstand R E og i tillegg låse fast spenningen på basen med en spenningsdeler - R 1 og R 2 ) (Denne koplingen har fått navnet Universal bias) Skal vi gjøre en kretsanalyse på denne kretsen må vi bruke Thevenin se fig. under. Q TH RTH R E E and EQ Q R R E Hvis β varierer fra 50 til 100 vil Q bare endre seg fra β = 50 Q = 1,46 ma β = 100 Q = 1,56 ma Endring på 6,8% - når β dobles Neste småsignalparametere

22 En enkel JT - transistor brukt som forsterker - Hvor stor blir forsterkningen? i ser på Småsignalmodeller i har sett hvordan vi vha. en emittermotstand kan stabilisere forsterkerens arbeidspunkt - Alle betraktninger så langt er gjort med en D modell av forsterkeren. ( En statisk beregningsmodell ) - Men hvordan virker forsterkeren for små signaler? i erstatter det vanlige transistorsymbolet med en småsignalmodell og signalstrømmer og spenninger angis med små bokstaver Mellom ase og Emitter ser signalet en dynamisk motstand r π (E-dioden) mellom Emitter og ollector finner vi en strømgenerator som leverer signalstrømmen i. Denne strømmen bestemmes av transistorens transkonduktans g m r π og g m kalles småsignalparametere

23 Småsignalparametere : g m og r π Transkonduktans - steilhet g m ( benevning Siemens ) ES e E T Emitterstrømmen hvor ( diodelikningen) E D E og E T e 25m E ES D T 1 Δ E Steilhet Δ g m E E Steilheten g m er gitt av tangenten til kurven for. Deriverer mhp. E g m d( d E ) ES g m e E Eksempel : Forsterkeren settes opp med = 2 ma - som gir 2 T T 1 T 1 ma gm 80mS 25m T T T

24 Småsignalparametere : g m og r π Dynamisk inngangsmotstand r π r en liten endring i gir E stor endring i Δ ES e E T 1) 2) g m E g m E Δ E E Forholdet mellom Δ E og Δ kalles den dynamiske inngangsresistansen r π Kombinerer likning 1) og 2) g m E r E g m T

25 Transistorforsterker i beregner spenningsforsterkningen A Steilhet g m E 1) g m E 2) R R g m R Setter inn 1) i 2) som gir A Output nput Forsterningen E A R R E ( ohms lov) er definert som g m R Gitt =10volt Setter = 5volt i bestemmer at = 2mA A g m R eregner R 5v 2mA R 2,5 k gm 80mS 2mA 25m Forsterkningen A T 80 ms 2,5 k 200

Transistorer en alternativ presentasjon. Temapunkter for de 3 neste ukene

Transistorer en alternativ presentasjon. Temapunkter for de 3 neste ukene ransistorer en alternativ presentasjon Dekkes delvis i boka Kap 19-21 Linde 3. feb 2010 eapunkter for de 3 neste ukene eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare

Detaljer

Transistorer. Dekkes delvis i boka Kap 19-21

Transistorer. Dekkes delvis i boka Kap 19-21 ransistorer Dekkes delvis i boka Kap 19-21 eapunkter for de 3 neste ukene: eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare operasjonen til en J klasse A-forsterker Analysere

Detaljer

Dekkes delvis i boka Kap 19-21

Dekkes delvis i boka Kap 19-21 ransistorer en alternativ presentasjon Dekkes delvis i boka Kap 19-21 Linde 25.feb. 2008 eapunkter eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare operasjonen til en J

Detaljer

FYS1210. Repetisjon 2 11/05/2015. Bipolar Junction Transistor (BJT)

FYS1210. Repetisjon 2 11/05/2015. Bipolar Junction Transistor (BJT) FYS1210 Repetisjon 2 11/05/2015 Bipolar Junction Transistor (BJT) Sentralt: Forsterkning Forsterkning er et forhold mellom inngang og utgang. 1. Spenningsforsterkning: 2. Strømforsterkning: 3. Effektforsterkning

Detaljer

Oppsummering. BJT - forsterkere og operasjonsforsterkere

Oppsummering. BJT - forsterkere og operasjonsforsterkere Oppsummering BJT - forsterkere og operasjonsforsterkere OP-AMP vs BJT Fordeler og ulemper Vi har sett på to ulike måter å forsterke opp et signal, ved hjelp av transistor forsterkere og operasjonsforsterkere,

Detaljer

TRANSISTORER Transistor forsterker

TRANSISTORER Transistor forsterker Kurs: FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgaver Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORAORIEØELSE NR 4 Omhandler: RANSISORER ransistor forsterker 27. februar 2012. Lindem Utført dato: Utført av: Navn: email:

Detaljer

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren Oppgave 1

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren Oppgave 1 Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 201 Oppgave 1 Nettverksanalyse. Legg spesielt merke til diodenes plassering. Figur 1 viser et nettverk bestående av en NPN silisium transistor Q1 ( β = 200

Detaljer

TRANSISTORER Transistor forsterker

TRANSISTORER Transistor forsterker Kurs: FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgaver Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORAORIEØVELSE NR 4 Omhandler: RANSISORER ransistor forsterker Revidert utgave, desember 2014 (. Lindem, M.Elvegård, K.Ø. Spildrejorde)

Detaljer

Transistorforsterker

Transistorforsterker Oppsummering Spenningsforsterker klasse Med avkoplet emitter og uten Forsterkeren inverterer signalet faseskift 180o Transistoren er aktiv i hele signalperioden i b B i c C g m I V C T i c v i r π B1 B2

Detaljer

Rev. Lindem 25.feb..2014

Rev. Lindem 25.feb..2014 ev. Lindem 25.feb..2014 Transistorforsterkere - oppsummering Spenningsforsterker klasse Med avkoplet emitter og uten Forsterkeren inverterer signalet faseskift 180 o Transistoren er aktiv i hele signalperioden

Detaljer

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2008

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2008 Oppgave 1 Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2008 1a) Hvor stor er strømmen gjennom? 12 ma 1b) Hvor stor er strømmen gjennom? 6 ma 1c) Hva er spenningen i punktene AA og BB målt i forhold til

Detaljer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer 1 Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Feedback-oscillatorer Dagens

Detaljer

Figur 1. 1e) Uten tilkopling på inngangene A og B - Hva er spenningen på katoden til dioden D1? 1,4 volt

Figur 1. 1e) Uten tilkopling på inngangene A og B - Hva er spenningen på katoden til dioden D1? 1,4 volt Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 2013 Oppgave 1 Nettverksanalyse. Legg spesielt merke til diodenes plassering. Figur 1 viser et nettverk bestående av en NPN silisium transistor Q1 ( β = 200

Detaljer

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017 FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017 Oppgave 1 1 a. Doping er en prosess hvor vi forurenser rent (intrinsic) halvleder material ved å tilsette trivalente (grunnstoff med 3 elektroner i valensbåndet) og

Detaljer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Dagens temaer er hentet fra

Detaljer

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2018

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2018 FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2018 Morgan Kjølerbakken Oppgave 1 Kondensatorer og filtre (totalt 5 poeng) 1 a. Beskrivelse av hvordan kondensatoren lades opp er gitt av differensial likningen V = 1

Detaljer

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005 Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005 Oppgave 1 Figur 1 viser et nettverk tilkoplet basen på en bipolar transistor. (For 1a og 1b se læreboka side 199) 1 a ) Tegn opp Thevenin-ekvivalenten

Detaljer

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2004

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2004 Oppgave Forslag til løsning på Eksamen FYS20 våren 2004 Figure Figur viser et enkelt nettverk bestående av 2 batterier ( V = 9volt og V2 = 2volt) og 3 motstander på kω. a) Hva er spenningen over motstanden

Detaljer

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 2010

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 2010 Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 2010 Oppgave 1 n seriekopling av solceller forsyner ubest med elektrisk energi. Ubelastet måler vi en spenning på 5 volt over solcellene (Vi måler mellom og

Detaljer

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 3k3 )

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 3k3 ) Forslag til løsning på eksamensoppgavene i FYS1210 våren 2011 Oppgave 1 Figure 1 viser en enkel transistorforsterker med en NPN-transistor BC546A. Transistoren har en oppgitt strømforsterkning β = 200.

Detaljer

g m = I C / V T = 60 ms r π = β / g m = 3k3

g m = I C / V T = 60 ms r π = β / g m = 3k3 Forslag til løsning eksamen FYS20 vår 20 Oppgave Figure viser en enkel transistorforsterker med en NPN-transistor BC546A. Transistoren har en oppgitt strømforsterkning β = 200. Kondensatoren C har verdien

Detaljer

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG INGRID KVAKLAND AVD. FOR TEKNOLOGI INSTITUTT FOR ELEKTRO OG DATATEKNIKK 7005 TRONDHEIM

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG INGRID KVAKLAND AVD. FOR TEKNOLOGI INSTITUTT FOR ELEKTRO OG DATATEKNIKK 7005 TRONDHEIM HØGSOLN SØ-TØNDLAG NGD VALAND AVD. FO TNOLOG NSTTTT FO LTO OG DATATN 7005 TONDHM lektronikk Løsningsforslag øving7 Oppgave 1 a) etingelsen for at en transistor er forspent i det aktive området er at pn-overgangen

Detaljer

UKE 6. Dioder, kap. 17, s , Diode Kretser, kap. 18, s

UKE 6. Dioder, kap. 17, s , Diode Kretser, kap. 18, s UKE 6 Dioder, kap. 17, s. 533-564, Diode Kretser, kap. 18, s. 574-605 1 Dioder Lindem 23. jan. 2013 Solid State Components Halvledere Semiconductors Atomer med 4 valenselektroner Mange materialer kan opptre

Detaljer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer Forelesning 10

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer Forelesning 10 Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer Forelesning 10 Repetisjon: V T i virkeligheten Forskjell Φ m Φ s 0 Q i defekter/urenheter i oksidet og interface states Figure 6.20 Influence

Detaljer

Oppsummering FYS 1210

Oppsummering FYS 1210 Oppsummering FYS 1210 Hjelpemidler til eksamen Lærebok Electronics Technology Fundamentals Robert Paynter & B.J.Toby Boydell 2 Kretsteknikk Ohms lov eller (Ohm) Kirchhoff s lov om strømmer Summen av strømmene

Detaljer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer Forelesning nr.9 NF 1411 Elektroniske systemer Transistorer Dagens temaer Historisk overblikk Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Presentasjon 4. obligatoriske labøvelse Dagens temaer er

Detaljer

FYS Forslag til løsning på eksamen våren 2014

FYS Forslag til løsning på eksamen våren 2014 FYS1210 - Forslag til løsning på eksamen våren 2014 Oppgave 1 Figure 1. viser en forsterker sammensatt av 2 operasjonsforsterkere. Operasjonsforsterkeren 741 har et Gain Band Width produkt GBW = 1MHz.

Detaljer

Oppsummering FYS

Oppsummering FYS Oppsummering FYS 1210 2017 Hjelpemidler til eksamen I år vil det ikke være mulig å bruke læreboken. Nødvendig formler blir lagt ved oppgavesettet. Du finner en foreløpig utgave av formelarket på hjemmesiden

Detaljer

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 2k5 )

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 2k5 ) Forslag til løsning på eksamensoppgavene i FYS0 vår 0 8.6 Oppgave Figure viser en enkel transistorforsterker med en NPNtransistor N Transistoren har en oppgitt strømforsterkning β = 50. Kondensatoren C

Detaljer

Introduksjon til oppgave 1: Transistorkarakteristikken til BC-547

Introduksjon til oppgave 1: Transistorkarakteristikken til BC-547 LAB 5: Transistorer Mål Registrere transistorkarakteristikker, fortsette treningen i bruk av kretssimulator og måle på en forsterker. Om oppgavene Oppgave 1 Måle kollektorstrømmen I C som funksjon av spenningen

Detaljer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer Dagens temaer Historisk overblikk Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Presentasjon 4. obligatoriske labøvelse Dagens temaer er

Detaljer

Forslag til løsning på eksamen i FY Forslag til løsning på eksamen i F -IN 204 og FY108 våren 2003.

Forslag til løsning på eksamen i FY Forslag til løsning på eksamen i F -IN 204 og FY108 våren 2003. Forslag til løsning på eksamen i FY-IN 20 og FY108 våren 200. Oppgave 1 a) 20 db forsterkning er det samme som en forsterkning på 10ganger (A=Vut/Vinn = 10). Kretsen skal ha en inngangsmotstand på 20kΩ

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO. UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Eksamensdag : 1. juni 2007 Tid for eksamen : Kl. 14:30 17:30 (3 timer) Oppgavesettet

Detaljer

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 V-2007 ( rev.2 )

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 V-2007 ( rev.2 ) Forslag til løsning på eksamen FYS20 V-2007 ( rev.2 ) Oppgave Figur a viser et nettverk med et atteri på 24 volt og 4 motstander. R = 3kΩ, R2 =,5 kω, R3 = 9 kω, R4 = 3 kω a) Hva er spenningen i punktene

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO. UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Eksamensdag : 1. juni 2011 Tid for eksamen : 09:00 (3 timer) Oppgavesettet er

Detaljer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer Dagens temaer Historisk overblikk Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Presentasjon 4. obligatoriske labøvelse Dagens temaer er

Detaljer

Løsningsforslag Elektronikk 1 (LO342E) høst 2006 eksamen 1. desember, 3timer

Løsningsforslag Elektronikk 1 (LO342E) høst 2006 eksamen 1. desember, 3timer Løsningsforslag Elektronikk 1 (LO342E) høst 2006 eksamen 1. desember, 3timer (Bare kalkulator og tabell tillatt.) Oppgave 1 Vi regner med n = 1,3 i EbersMoll likninga, U BEQ = 0,7V, og strømforsterkning

Detaljer

Forslag til løsning på eksamen i FYS1210 våren 2005 side 1. Fig.1 viser et nettverk med to 9 volt batterier og 4 motstander, - alle på 1kΩ.

Forslag til løsning på eksamen i FYS1210 våren 2005 side 1. Fig.1 viser et nettverk med to 9 volt batterier og 4 motstander, - alle på 1kΩ. Forslag til løsning på eksamen i FYS20 våren 2005 side Eksamen har totalt 22 spørsmål Oppgave Fig. viser et nettverk med to 9 volt atterier og 4 motstander, - alle på kω. a ) Hva lir spenningen over motstand

Detaljer

Figur 1 viser et nettverk med et batteri på 18 volt, 2 silisiumdioder og 4 motstander.

Figur 1 viser et nettverk med et batteri på 18 volt, 2 silisiumdioder og 4 motstander. Forslag til løsning på eksamen i FYS 20 våren 2006 (rev 4) Oppgave. Figur Figur viser et nettverk med et batteri på 8 volt, 2 silisiumdioder og 4 motstander. a) Hva er spenningen i punktene AA og BB målt

Detaljer

VEILEDNING TIL LABORATORIEØVELSE NR 2

VEILEDNING TIL LABORATORIEØVELSE NR 2 VEILEDNING TIL LABORATORIEØVELSE NR 2 «TRANSISTORER» FY-IN 204 Revidert utgave 2000-03-01 Veiledning FY-IN 204 : Oppgave 2 1 2. Transistoren Litteratur: Millman, Kap. 3 og Kap. 10 Oppgave: A. TRANSISTORKARAKTERISTIKKER:

Detaljer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer 1 Dagens temaer Historisk overblikk Repetisjon halvledere Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Dagens temaer er hentet fra kapittel

Detaljer

Transistorkretser Laboratorieeksperimenter realfagseminar Sjøkrigsskolen 15. November 2010

Transistorkretser Laboratorieeksperimenter realfagseminar Sjøkrigsskolen 15. November 2010 Transistorkretser Laboratorieeksperimenter realfagseminar Sjøkrigsskolen 15. November 2010 1. Referanser http://wild-bohemian.com/electronics/flasher.html http://www.creative-science.org.uk/transistor.html

Detaljer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer MOSFET Strømforsyning

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer MOSFET Strømforsyning Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer MOSFET Strømforsyning Dagens temaer Radiorør Transistorer Moores lov Bipolare transistorer Felteffekttransistorer Digitale kretser: AND, OR

Detaljer

Fasit til Eksamen FY-IN 204 våren (avholdt høsten) 1998.

Fasit til Eksamen FY-IN 204 våren (avholdt høsten) 1998. Fasit til ksamen FY-IN 4 åren (aholdt høsten) 1998. Oppgae 1 a) a. V 1,7 olt (asis - emitter spenningen (V ) til en Si-transistor som leder,7olt) b. V,5 -,7 1,8 olt c. Spenningen oer to stk A1,7 * 1,4

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO. UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : Eksamens dag : Tid for eksamen : Oppgavesettet er på 6 sider Vedlegg : Tillatte hjelpemidler : FYS1210-Elektronikk med prosjektoppgaver

Detaljer

TRANSISTORER. Navn: Navn: Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall. Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2.

TRANSISTORER. Navn:   Navn:   Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall. Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2. Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2 Omhandler: TRANSISTORER Revidert utgave 23.02.2001 Utført dato: Utført av: Navn: email:

Detaljer

BYGGING AV LIKESTRØMSKILDE OG TRANSISTORFORSTERKER

BYGGING AV LIKESTRØMSKILDE OG TRANSISTORFORSTERKER BYGGING AV LIKESTRØMSKILDE OG TRANSISTORFORSTERKER OPPGAVE 1. Lag en oppkobling av likespenningskilden skissert i Figur 1. 2. Mål utgangsspenningen som funksjon av ulike verdier på belastningsmotstanden.

Detaljer

Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer. Dioder

Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer. Dioder Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer Dioder Dagens temaer Dioder Halvlederfysikk Ulike typer halvledere og ladningsbærere Diodekarakteristikker Likerettere og strømforsyninger Spesialdioder

Detaljer

Eksamen i Elektronikk 24. Mai Løsningsforslag Knut Harald Nygaard

Eksamen i Elektronikk 24. Mai Løsningsforslag Knut Harald Nygaard Eksamen i Elektronikk 24. Mai 2017 Løsningsforslag Knut Harald Nygaard Oppgave 1 Operasjonsforsterkeren i kretsløpet i figuren nedenfor kan regnes som ideell. v inn R C v ut a) Overføringsfunksjonen er

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet Eksamen i : FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Eksamensdag : Tirsdag 2. juni 2015 Tid for eksamen : 09:00 12:00 (3 timer) Oppgavesettet

Detaljer

Forslag til løsning på eksame n FY-IN 204 våren 2002

Forslag til løsning på eksame n FY-IN 204 våren 2002 Forslag til løsning på eksame n FY-N 04 våren 00 Spenningsforsterkningen er tilnærmet gitt av motstandene og. Motstanden har ingen innflytelse på forsterkningen. For midlere frekvenser ser vi bort fra

Detaljer

TRANSISTORER. Navn: Navn: Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall. Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2.

TRANSISTORER. Navn:   Navn:   Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall. Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2. Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2 Omhandler: TRANSISTORER Revidert utgave 23.02.2001, 20.02.2003 av HBalk Utført dato: Utført

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO. UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FY-IN 204 Eksamensdag : 2 september 1998 (utsatt grunnet streik V-98) Tid for eksamen : l.0900-1500 Oppgavesettet er på

Detaljer

Forelesning nr.8 IN 1080 Elektroniske systemer. Dioder og felteffekt-transistorer

Forelesning nr.8 IN 1080 Elektroniske systemer. Dioder og felteffekt-transistorer Forelesning nr.8 IN 1080 Elektroniske systemer Dioder og felteffekt-transistorer Dagens temaer Impedanstilpasning Dioder Likerettere og strømforsyninger Spesialdioder Dagens temaer er hentet fra kapittel

Detaljer

ELEKTRONIKK 2 DAK-ØVING 6 Endre i transistormodell, DCsvip, AC-svip, impedans 2004

ELEKTRONIKK 2 DAK-ØVING 6 Endre i transistormodell, DCsvip, AC-svip, impedans 2004 ELEKTRONIKK 2 DAK-ØVING 6 Endre i transistormodell, DCsvip, AC-svip, impedans 2004 Vi skal i denne oppgaven forsøke å simulere et enkelt forsterkertrinn med bipolar transistor. Vi har imidlertid ikke modell

Detaljer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer 1 Repetisjon Kap. 5 Kontaktpotensial V 0 = kt q ln Deplesjonssone W = Diodeligningen N an d n i 2 2ε(V 0 V) N a + N d q N a N d I = I o e

Detaljer

Forslag B til løsning på eksamen FYS august 2004

Forslag B til løsning på eksamen FYS august 2004 Forslag B til løsning på eksamen FYS20 3 august 2004 Oppgave (Sweeper frekvensområdet 00Hz til 0MHz Figur viser et båndpassfilter. Motstandene R og R2 har verdi 2kΩ. Kondensatorene C = 00nF og C2 = 0.nF.

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO. UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Eksamensdag : 6. juni 2012 Tid for eksamen : 09:00 (3 timer) Oppgavesettet er

Detaljer

Løsningsforslag til eksamen FY108 høsten 2003

Løsningsforslag til eksamen FY108 høsten 2003 Løsningsforslag til eksamen FY08 høsten 003 Figur viser et båndpassfilter. Motstandene R og R har verdi kω. Kondensatorene C = µf og C = 0,nF. Signalkilden leverer et AC-signal med spissverdi (peakvalue)

Detaljer

FYS Elektronikk med prosjektoppgaver Vår Løsningsforslag uke 9

FYS Elektronikk med prosjektoppgaver Vår Løsningsforslag uke 9 FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Vår 2016 Løsningsforslag uke 9 Innhold 20.4 Forsterkerekvivalent........................ 1 20.6 Forsterkerekvivalent........................ 1 20.8 Forsterkerekvivalent........................

Detaljer

Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes

Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2009 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow

Detaljer

Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes

Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2008 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow

Detaljer

Elevverksted Elektronikk Bruk av transistor som bryter

Elevverksted Elektronikk Bruk av transistor som bryter Skolelaboratoriet for matematikk, naturfag og teknologi Elevverksted Elektronikk Bruk av transistor som bryter Bakgrunnskunnskap: - Å kunne beregne strøm, spenning og resistans i elektriske kretser. Dvs.

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO. UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FY-IN 204 Eksamensdag : 18 juni 2002 Tid for eksamen : l.0900-1500 Oppgavesettet er på 5 sider. Vedlegg Tillatte hjelpemidler

Detaljer

UKE 5. Kondensatorer, kap. 12, s RC kretser, kap. 13, s Frekvensfilter, kap. 15, s og kap. 16, s.

UKE 5. Kondensatorer, kap. 12, s RC kretser, kap. 13, s Frekvensfilter, kap. 15, s og kap. 16, s. UKE 5 Kondensatorer, kap. 12, s. 364-382 R kretser, kap. 13, s. 389-413 Frekvensfilter, kap. 15, s. 462-500 og kap. 16, s. 510-528 1 Kondensator Lindem 22. jan. 2012 Kondensator (apacitor) er en komponent

Detaljer

Prøveeksamen 1. Elektronikk 8.feb. 2010. Løsningsforslag

Prøveeksamen 1. Elektronikk 8.feb. 2010. Løsningsforslag Prøveeksamen 1 Elektronikk 8.feb. 2010 Løsningsforslag OPPGAVE 1 a) I koplingen til venstre ovenfor er u I et sinusformet signal med moderat frekvens og effektivverdi på 6,3V. Kretsen er en negativ toppverdikrets,

Detaljer

FYS1210 Løsningsforslag. Eksamen V2015

FYS1210 Løsningsforslag. Eksamen V2015 FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2015 Oppgave 1 1a) I første del av oppgaven skal vi se bort fra lasten, altså RL = 0. Vi velger arbeidspunkt til å være 6 Volt, altså halvparten av forskyningsspenningen.

Detaljer

Forsvarets ingeniørhøgskole. Jørstadmoen LABORATORIERAPPORT. Oppgave: 163 Transistorens karakteristikk. Forspenningsnettverk. INGP400 Elektronikk

Forsvarets ingeniørhøgskole. Jørstadmoen LABORATORIERAPPORT. Oppgave: 163 Transistorens karakteristikk. Forspenningsnettverk. INGP400 Elektronikk Forsvarets ingeniørhøgskole Jørstadmoen LABORATORIERAPPORT Oppgave: 163 Transistorens karakteristikk. Forspenningsnettverk INGP400 Elektronikk av Labatoriegruppe: Forsøk utført: Rapport levert: Andreas

Detaljer

Fysikk og Teknologi Elektronikk

Fysikk og Teknologi Elektronikk Fysikk og Teknologi Elektronikk Torfinn Lindem Fysisk inst. UiO GOL 13. august 2008 Studieprogrammet Elektronikk og Datateknologi ELDAT 1 Den nye læreplanen i fysikk 14. Jan 06 Lindem august 2008 Fysikk

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i: INF1411 Elektroniske systemer Eksamensdag: 4. juni 2012 Tid for eksamen: 14:30 18:30 Oppgavesettet er på 5 sider Vedlegg: Ingen

Detaljer

Lab 4. Dioder og diode kretser

Lab 4. Dioder og diode kretser Lab 4. Dioder og diode kretser I denne labben skal vi bli mer kjent med hvordan dioder fungerer og måle på karekteristikken til diodene. Grunnalagent for denne laben finner du i kapittel 17 og 18 i Paynter

Detaljer

UKE 5. Kondensatorer, kap. 12, s RC kretser, kap. 13, s Frekvensfilter, kap. 15, s kap. 16, s

UKE 5. Kondensatorer, kap. 12, s RC kretser, kap. 13, s Frekvensfilter, kap. 15, s kap. 16, s UKE 5 Kondensatorer, kap. 2, s. 364-382 R kretser, kap. 3, s. 389-43 Frekvensfilter, kap. 5, s. 462-500 kap. 6, s. 50-528 Kondensator Lindem 22. jan. 202 Kondensator (apacitor) er en komponent som kan

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO. UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturitenskapelige fakultet. Eksamen i : FY-IN 204 Eksamensdag : 12 juni 1999, Tid for eksamen : Kl.0900-1500 Oppgaesettet er på 5 sider. Vedlegg Tillatte hjelpemidler

Detaljer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer 1 Pensum 1 CRYSTAL PROPERTIES AND GROWTH OF SEMICONDUCTORS 2 ATOMS AND ELECTRONS 3 ENERGY BANDS AND CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS 4 EXCESS

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO. UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : Eksamens dag : Tid for eksamen : Oppgavesettet er på 6 sider Vedlegg : Tillatte hjelpemidler : FYS1210-Elektronikk med prosjektoppgaver

Detaljer

Lysdetektorer. Kvantedetektor. Termisk detektor. Absorbsjon av fotoner: Kvanterespons Termisk respons. UV MIR Fotoeffekt (Einstein, Nobelpris 1921)

Lysdetektorer. Kvantedetektor. Termisk detektor. Absorbsjon av fotoner: Kvanterespons Termisk respons. UV MIR Fotoeffekt (Einstein, Nobelpris 1921) Lysdetektorer Rekombinerer varme Absorbsjon av fotoner: Kvanterespons Termisk respons Kvantedetektor UV MIR Fotoeffekt (Einstein, Nobelpris 1921) Termisk detektor MIR FIR 1 Fotoeffekt (kvantedetektorer)

Detaljer

EKSAMEN Løsningsforslag Emne: Fysikk og datateknikk

EKSAMEN Løsningsforslag Emne: Fysikk og datateknikk Emnekode: ITD006 EKSAMEN Løsningsforslag Emne: Fysikk og datateknikk Dato: 09. Mai 006 Eksamenstid: kl 9:00 til kl :00 Hjelpemidler: 4 sider (A4) ( ark) med egne notater. Kalkulator. Gruppebesvarelse,

Detaljer

Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer

Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer Dioder Praktiske anvendelser 1 Dagens temaer Dioder Halvlederfysikk Diodekarakteristikker Ulike typer halvledere og ladningsbærere Likerettere Spesialdioder

Detaljer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer Repetisjon Kap. 5 Kontaktpotensial V 0 = kt q ln Deplesjonssone W = Diodeligningen N an d n i 2 2ε(V 0 V) N a + N d q N a N d I = I o e qv/kt

Detaljer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger

Fys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger Repetisjon: Vp E Cp E Fp E Vp Particle flow Equilibrium (V = 0) Current Forward bias (V = V f ) E E E Vn (V 0 -V f ) V 0 W = qv 0 (1)

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO. UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FY-IN 204 / FY108 Eksamensdag : 16 juni 2003 Tid for eksamen : Kl.0900-1500 Oppgavesettet er på 5 sider. Vedlegg : Logaritmepapir

Detaljer

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1 Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren 2012 Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) Oppgave 1a) (vekt 5 %) Hva er strømmen i og spenningen V out i krets A) i Figur 1? Svar

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i: INF1411 Introduksjon til elektroniske systemer Eksamensdag: 28. mai 2014 Tid for eksamen: 4 timer Oppgavesettet er på 6 sider

Detaljer

Kondensator - Capacitor. Kondensator - en komponent som kan lagre elektrisk ladning. Symbol. Kapasitet, C. 1volt

Kondensator - Capacitor. Kondensator - en komponent som kan lagre elektrisk ladning. Symbol. Kapasitet, C. 1volt Kondensator - apacitor Lindem. mai 00 Kondensator - en komponent som kan lagre elektrisk ladning. Symbol Kapasiteten ( - capacity ) til en kondensator måles i Farad. Som en teknisk definisjon kan vi si

Detaljer

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag Eksamen i: Elektronikk Målform: Bokmål Dato: 24. mai 2017 Tid: 3 timer/0900-1200 Antall sider (inkl. forside): 5 (inkludert Vedlegg 1 side) Antall

Detaljer

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer Operasjonsforsterkere 1 Dagens temaer Ideel operasjonsforsterker Operasjonsforsterker-karakteristikker Differensiell forsterker Opamp-kretser Dagens temaer

Detaljer

FYS1210. Robin A. T. Pedersen. May 15, Forord 6. 2 Acknowledgments 6

FYS1210. Robin A. T. Pedersen. May 15, Forord 6. 2 Acknowledgments 6 FYS1210 Robin A. T. Pedersen May 15, 2016 Contents 1 Forord 6 2 Acknowledgments 6 3 Uke 3 - Introduksjon 6 3.1 Elektrisitet.............................. 7 3.1.1 Ladning............................ 7 3.1.2

Detaljer

LAB 7: Operasjonsforsterkere

LAB 7: Operasjonsforsterkere LAB 7: Operasjonsforsterkere I denne oppgaven er målet at dere skal bli kjent med praktisk bruk av operasjonsforsterkere. Dette gjøres gjennom oppgaver knyttet til operasjonsforsterkeren LM358. Dere skal

Detaljer

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2009

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2009 Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2009 Oppgave 1 Figure 1 viser DC forspenning av en BJT-transistor - 2N2222. Denne transistoren har en strømforsterkning β = 200. R1 = 62 kω, R2 = 9 kω, R3=1

Detaljer

Eksamensoppgaver i Elektronikk 1 - LO350E.

Eksamensoppgaver i Elektronikk 1 - LO350E. Eksamensoppgaver i Elektronikk 1 - LO350E. 96h, 97h, 98h 99h, 99utsatt 00h, 00utsatt 01h, 01utsatt 02h, 02utsatt 03h, 03utsatt 04h, 04utsatt 05h, 05utsatt 06h, 06utsatt Rolf Ingebrigtsen Elnikk1/EksSaml/22.11.2007

Detaljer

«OPERASJONSFORSTERKERE»

«OPERASJONSFORSTERKERE» Kurs: FYS 1210 Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 7 Revidert utgave 18. mars 2013 (Lindem) Omhandler: «OPERASJONSFORSTERKERE» FORSTERKER MED TILBAKEKOBLING AVVIKSPENNING OG HVILESTRØM STRØM-TIL-SPENNING

Detaljer

Kondensator. Symbol. Lindem 22. jan. 2012

Kondensator. Symbol. Lindem 22. jan. 2012 UKE 5 Kondensatorer, kap. 12, s. 364-382 RC kretser, kap. 13, s. 389-413 Frekvensfilter, kap. 15, s. 462-500 og kap. 16, s. 510-528 Spoler, kap. 10, s. 289-304 1 Kondensator Lindem 22. jan. 2012 Kondensator

Detaljer

Electronics Technology Fundamentals

Electronics Technology Fundamentals Electronics Technology Fundamentals Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon jan 2007 T.Lindem 1 17.1 Semiconductors P1 Halvledere Semiconductors Atomer som har 4 valenselektroner

Detaljer

Carsten Andersen & Karsten Rislå. Fordypning i. Systemforståelse, elektriske målinger og oppgaver. Basisforlaget

Carsten Andersen & Karsten Rislå. Fordypning i. Systemforståelse, elektriske målinger og oppgaver. Basisforlaget Carsten Andersen & Karsten Rislå Fordypning i BOOST ER Systemforståelse, elektriske målinger og oppgaver Basisforlaget Carsten Andersen Karsten Rislå Basisforlaget Kronprinsensgt. 6 4608 Kristiansand Tlf.

Detaljer

Kondensator - Capacitor. Kondensator - en komponent som kan lagre elektrisk ladning. Symbol. Kapasitet, C = 1volt

Kondensator - Capacitor. Kondensator - en komponent som kan lagre elektrisk ladning. Symbol. Kapasitet, C = 1volt Kondensator - apacitor Lindem jan.. 008 Kondensator - en komponent som kan lagre elektrisk ladning. Symbol Kapasiteten ( - capacity ) til en kondensator måles i Farad. Som en teknisk definisjon kan vi

Detaljer

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag Ny/utsatt eksamen i: Elektronikk Målform: Bokmål Dato: 2. august 2016 Tid: 0900-1200 Antall sider (inkl. forside): 6 (inkludert Vedlegg 1 side)

Detaljer

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag Ny og utsatt eksamen i: Elektronikk Målform: Bokmål Dato: 1. august 01 Tid: 0900-100 Antall sider (inkl. forside): 5 (inkludert Vedlegg 1 side)

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet Eksamen i : FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Eksamensdag : Tirsdag 7. juni 2016 Tid for eksamen : 09:00 12:00 (3 timer) Oppgavesettet

Detaljer

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1 Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren 2012 Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) Oppgave 1a) (vekt 5 %) Hva er strømmen i og spenningen V out i krets A) i Figur 1? Svar

Detaljer