Electronics Technology Fundamentals

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Størrelse: px
Begynne med side:

Download "Electronics Technology Fundamentals"

Transkript

1 Electronics Technology Fundamentals Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon jan 2007 T.Lindem 1

2 17.1 Semiconductors P1 Halvledere Semiconductors Atomer som har 4 valenselektroner 2

3 17.1 Semiconductors P2 Ladning og ledning Charge and Conduction Conduction Band Lednings - bånd - Energitilstand over valensbåndet Et elektron som absorberer energi og hopper fra valensbåndet til ledningsbåndet sier vi er i eksertert tilstand (excited state ) 3

4 17.1 Semiconductors P3 Covalent Bonding metoden som enkelte antomer bruker for å komplettere valens-båndet til 8 elektroner. Det utveksles elektroner med naboatomene Silisium med 4 valenselektroner danner en diamant -struktur. Det utveksles elektroner med nabo-atomene slik at det dannes en konfigurasjon med 8 elektroner rundt hvert atom. 4

5 17.1 Semiconductors P4 Conduction Ledning i rene halvledere Electron-Hole Pair - Når det tilføres energi I form av varme/stråling løftes et elektron fra valensbåndet opp i ledningdsbåndet. Recombination Når et fritt elektron I ledningsbåndet faller ned I et ledig hull i valensbåndet. Energien frigjøres enten som varme eller elektromagnetisk stråling For å løsrive et elektron fra denne strukturen trenges en energi på 1,1 ev 5

6 17.2 Doping P1 Doping the process of adding impurity atoms to intrinsic (rent) silicon to increase its conductivity Trivalent Grunnstoff med 3 elektroner i valensbåndet (yttre skall) Pentavalent Grunnstoff med 5 elektroner I valensbåndet Trivalent Impurity Aluminum (Al) Gallium (Ga) Boron (B) Indium (In) Pentavalent Impurity Phosphorus (P) Arsenic (As) Antimony (Sb) Bismuth (Bi) 6

7 17.2 Doping P2 N-Type Materials vi forurenser med et stoff som har 5 valenselektroner. Vi får et ekstra elektron som ikke blir med i den kovalente bindingen. Electrons majority carriers Holes minority carriers Det skal lite energi til før dette elektronet frigjøres - ca 0,05eV 7

8 17.2 Doping P3 P-Type Materials Vi tilfører et stoff med 3 valenselektroner. Det betyr at trukturen ikke fylles det mangler et elektron i den kovalente bindingen Holes majority carriers Electrons minority carriers 8

9 17.2 Doping P4 Setter vi et n-dopet silisium sammen med p-dopet silisium får vi en diffusjon av elektroner fra n-siden over til p-siden. ( Diffusjon = En drift av elektroner fra et område med høy elektrontetthet til et område med lav elektron-tetthet ) 9

10 17.3 The PN Junction P1 PN Junction vi setter sammen n-type og p-type materialer 10

11 17.3 The PN Junction P2 Electron Diffusion Depletion Layer - Det dannes fort et tynnt sperresjikt rundt junction Barrier Potential Elektronene som har forlatt n-siden etterlater seg et positivt ladet område og det etableres et neg. ladet område på p-siden. Det dannes en potensialbarriere på ca 0,6-0,7 volt mellom n og p + E - 11

12 17.4 Bias P1 Bias eller forspenning et potensial som tilføres pn junction fra en utvendig spenningskilde (f.eks. batteri). Denne bias-spenning bestemmer bredden på depletion layer Forward Bias Tilført spenning motvirker det interne sperrefeltet. Dette åpner for elektrontransport fra n til p 12

13 17.4 Bias P2 Forward Bias (Continued) Bulk Resistance (R B ) V F 0.7 V for silicon V F 0.3 V for germanium Katode n Anode p 13

14 17.4 Bias P3 Reverse Bias Tilført spenning virker sammen med det interne sperrefeltet. Dette sperrer for elektrontransport fra n til p 14

15 17.5 PN Junction Diodes P1 Diode a two-electrode (i.e., two-terminal) component that acts as a one-way conductor Insert Figure

16 17.5 PN Junction Diodes P2 Ideal Diode Characteristics would act as a simple switch Reverse Biased (Open Switch) has infinite resistance, zero reverse current, and drops the applied voltage across its terminals Forward Biased (Closed Switch) has no resistance, and therefore, no voltage across its terminals The Practical Diode Forward Voltage (V F ) Knee Voltage (V K ) 16

17 17.5 PN Junction Diodes P3 Practical Circuit Analysis V R 1 = VS VF = VS 0.7 V I T = V R 1 V 0.7 V 1 5 V 0.7 V 1kΩ R1 S = = = R 4.3 ma 17

18 17.6 Diode Ratings P1 Peak Reverse Voltage (V RRM ) the maximum reverse voltage that won t force the diode to conduct 18

19 17.7 Other Diode Characteristics P1 Bulk Resistance (R B ) Den naturlige motsatanden i diodematerialet for p-type og n-type Denne motstanden får betydning når dioden leder strøm V = 0.7 V + I F F R B 19

20 17.7 Other Diode Characteristics P3 Reverse Current (I S ) ( lekkasjestrøm ) En liten strøm av minoritetsbærere (elektroner i P-området) vil lekke over sperresjiktet (depletion layer) når dioden er forspent I sperreretning I S består av to uavhengige strømmer Reverse Saturation Current (I S ) for Si = A for Ge = 10-7 A Surface-Leakage Current (I SL ) varierer med overflatens størrelse Det korrekte uttrykk for strømmen i dioden er gitt av likningen I D V D nv T = I S ( e 1) V D = spenningen over dioden V T = den termiske spenningen = 25mV ved 300 o Kelvin (se komp. fys.elektr) n = 1 ev. 2 avh. Si eller Ge 20

21 17.7 Other Diode Characteristics P4 Diode Capacitance Depletion layer virker som en isolator mellom anode og katode. Vi ser at dioden kan betraktes som en kondensator når den er forspent i sperreretning. Hvis spenningen i sperreretning økes - vil tykkelsen på depletion layer øke. Det betyr at dioden i sperreretning kan brukes som en variabel kondensator. Det lages spesielle dioder til slikt bruk varicap-dioder Brukes ofte i radiomottakere til frekvensinnstilling (stasjonsvalg) 21

22 17.7 Other Diode Characteristics P5 Temperature Effects on Diode Operation NB! Husk disse kurvene er eksponentialfunksjoner. Bokas fremstilling er ikke helt korrekt.. Vi vet at : I F I S e V D V T Hvor k T T V T = 0259volt q = = 0, Ved 300 o Kelvin 22

23 17.7 Other Diode Characteristics P6 Temperature Effects on Diode Operation (Continued) 23

24 17.8 Diode Specifications P3 Diode Identification 24

25 17.9 Zener Diodes P1 Zener Diode a type of diode that is designed to work in the reverse breakdown region of its operating curve Reverse Breakdown Voltage (V BR ) Application: Voltage Regulator Zener Voltage (V Z ) To effekter gir grunnlag for zener-diodens karakteristikk 1. Avalanche (skred) Frie ladninger aksellereres disse kolliderer med Sistrukturen og frigjør nye ladninger 2. Zener-effekt (kvantemekanisk tunneling) E-feltet er så sterkt at elektroner rives løs fra de kovalente bindingene 3. Avhengig av doping-graden vil en eller begge disse effektene bestemme zenerdiodens breakdown voltage 25

26 17.9 Zener Diodes P3 Zener Operating Characteristics Zener Knee Current (I ZK ) Maximum Zener Current (I ZM ) Zener Test Current (I ZT ) Zenerspenningen vil være temperaturavhengig dioder med en spenning på ca. 5,6 volt vil være temperaturstabile. Vi kaller ofte slike dioder referansedioder 26

27 17.9 Zener Diodes P5 Zener Operating Characteristics (Continued) Zener Impedance (Z Z ) the zener diode s opposition to a change in current 27

28 17.11 Light-Emitting Diodes P1 Light-emitting diodes (LEDs) lysdioder er dioder som kan sende ut lys når de får riktig bias 28

29 17.11 Light-Emitting Diodes P2 Light-emitting diodes (LEDs) (Continued) Insert Figure

30 17.11 Light-Emitting Diodes P3 LED Characteristics Forward Voltage: +1.2 to +4.3 V (typical) Reverse Breakdown Voltage: -3 to 10 V (typical) Et fritt elektron som rekombinerer med et hull vil avgi energi E. Avhengig av materialene som benyttes vil denne energien bli avgitt som varme eller som elektromagnetisk stråling med en frekvens ( f ) vi oppfatter som lys. E = h f h = Plancks konstant Gallium Arsenid GaAs infrarødt lys λ 900nm Gallium Arsenid-fosfid, GaAsP RØDT LYS GaP GRØNT LYS GaN BLÅTT LYS 30

31 17.11 Light-Emitting Diodes P4 Current-Limiting Resistors LEDs require the use of series currentlimiting resistors to ensure that the maximum current rating of the LED will not be exceeded R S = V out( pk ) I F V F where V out(pk) V F I F = the peak output voltage of the driving circuit = the minimum rated forward voltage for the LED = the maximum forward current rating for the LED 31

32 17.12 Diodes: A Comparison 32

Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes

Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2008 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow

Detaljer

Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes

Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2009 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow

Detaljer

Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes

Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2009 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow

Detaljer

Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes

Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2012 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow

Detaljer

UKE 6. Dioder, kap. 17, s , Diode Kretser, kap. 18, s

UKE 6. Dioder, kap. 17, s , Diode Kretser, kap. 18, s UKE 6 Dioder, kap. 17, s. 533-564, Diode Kretser, kap. 18, s. 574-605 1 Dioder Lindem 23. jan. 2013 Solid State Components Halvledere Semiconductors Atomer med 4 valenselektroner Mange materialer kan opptre

Detaljer

Fysikk og teknologi Elektronikk FYS ) Det betyr kjennskap til Ohms lov : U = R I og P = U I

Fysikk og teknologi Elektronikk FYS ) Det betyr kjennskap til Ohms lov : U = R I og P = U I Fysikk og teknologi Elektronikk FYS 1210 Skal vi forstå moderne elektronikk - må vi først beherske elementær lineær kretsteknikk - og litt om passive komponenter - motstander, kondensatorer og spoler 1

Detaljer

Fysikk og teknologi - Elektronikk Mål for opplæringen er at eleven skal kunne

Fysikk og teknologi - Elektronikk Mål for opplæringen er at eleven skal kunne 14. Jan 06 Den nye læreplanen i fysikk Fysikk og teknologi - Elektronikk Mål for opplæringen er at eleven skal kunne 1. gjøre rede for forskjellen mellom ledere, halvledere og isolatorer ut fra dagens

Detaljer

Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer. Dioder

Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer. Dioder Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer Dioder Dagens temaer Dioder Halvlederfysikk Ulike typer halvledere og ladningsbærere Diodekarakteristikker Likerettere og strømforsyninger Spesialdioder

Detaljer

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017 FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017 Oppgave 1 1 a. Doping er en prosess hvor vi forurenser rent (intrinsic) halvleder material ved å tilsette trivalente (grunnstoff med 3 elektroner i valensbåndet) og

Detaljer

Spenningskilder - batterier

Spenningskilder - batterier UKE 4 Spenningskilder, batteri, effektoverføring. Kap. 2 60-65 AC. Kap 9, s.247-279 Fysikalsk elektronikk, Kap 1, s.28-31 Ledere, isolatorer og halvledere, doping 1 Spenningskilder - batterier Ideell spenningskilde

Detaljer

Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer

Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer Dioder Praktiske anvendelser 1 Dagens temaer Dioder Halvlederfysikk Diodekarakteristikker Ulike typer halvledere og ladningsbærere Likerettere Spesialdioder

Detaljer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer Forelesning 10

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer Forelesning 10 Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer Forelesning 10 Repetisjon: V T i virkeligheten Forskjell Φ m Φ s 0 Q i defekter/urenheter i oksidet og interface states Figure 6.20 Influence

Detaljer

Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer. Dioder Praktiske anvendelser

Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer. Dioder Praktiske anvendelser Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer Dioder Praktiske anvendelser Dagens temaer Dioder Halvlederfysikk Ulike typer halvledere og ladningsbærere Diodekarakteristikker Likerettere og strømforsyninger

Detaljer

Elektronikk med prosjektoppgaver FYS 1210

Elektronikk med prosjektoppgaver FYS 1210 Elektronikk med prosjektoppgaver FYS 1210 Lindem 29 jan. 2008 Komponentlære Kretselektronikk Elektriske ledere/ halvledere Doping Dioder - lysdioder Bipolare transistorer Unipolare komponenter FET, MOS,

Detaljer

UKE 4. Thevenin Spenningskilde og effektoverføring Fysikalsk elektronikk Ledere, isolatorer og halvledere, doping Litt om AC

UKE 4. Thevenin Spenningskilde og effektoverføring Fysikalsk elektronikk Ledere, isolatorer og halvledere, doping Litt om AC UKE 4 Thevenin Spenningskilde og effektoverføring Fysikalsk elektronikk Ledere, isolatorer og halvledere, doping Litt om AC 1 Thévenin s teorem Helmholtz 1853 Léon Charles Thévenin 1883 Ethvert lineært,

Detaljer

Meir om halvleiarar. Halvleiarteknologi

Meir om halvleiarar. Halvleiarteknologi Meir om halvleiarar. Halvleiarteknologi YF 42.6, 42.7 (Halvleiarar vart introduserte i fila Energiband i krystallar, som denne fila er eit framhald av.) Hol Leiingsband Valensband E g Eksitasjon av eit

Detaljer

Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger. Likeretter (Rectifier) omforme AC til DC

Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger. Likeretter (Rectifier) omforme AC til DC Revidert versjon 1. feb. 2012 T.Lindem Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger Likeretter (Rectifier) omforme A til D Rectifier (Likeretter) en diodekrets som omformer en A til pulserende D Filter en

Detaljer

Basis dokument. 1 Solcelle teori. Jon Skarpeteig. 23. oktober 2009

Basis dokument. 1 Solcelle teori. Jon Skarpeteig. 23. oktober 2009 Basis dokument Jon Skarpeteig 23. oktober 2009 1 Solcelle teori De este solceller er krystallinske, det betyr at strukturen er ordnet, eller periodisk. I praksis vil krystallene inneholde feil av forskjellige

Detaljer

Energiband i krystallar. Halvleiarar (intrinsikke og ekstrinsikke) Litt om halvleiarteknologi

Energiband i krystallar. Halvleiarar (intrinsikke og ekstrinsikke) Litt om halvleiarteknologi Energiband i krystallar Halvleiarar (intrinsikke og ekstrinsikke) Litt om halvleiarteknologi Energibandstrukturen til eit material avgjer om det er ein leiar (metall), halvleiar, eller isolator Energiband

Detaljer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer Repetisjon Kap. 5 Kontaktpotensial V 0 = kt q ln Deplesjonssone W = Diodeligningen N an d n i 2 2ε(V 0 V) N a + N d q N a N d I = I o e qv/kt

Detaljer

For å forstå hvordan halvledere fungerer, er det viktig først å ha forstått hva som gjør at noen stoffer leder strøm, mens andre ikke gjør det.

For å forstå hvordan halvledere fungerer, er det viktig først å ha forstått hva som gjør at noen stoffer leder strøm, mens andre ikke gjør det. Kompendium Halvledere Stoffer som leder elektrisk strøm kalles ledere. Stoffer som ikke leder elektrisk strøm kalles isolatorer. Hva er da en halvleder? Litt av svaret ligger i navnet, en halvleder er

Detaljer

Denne metoden krever at du sammenlikner dine ukjente med en serie standarder. r cs

Denne metoden krever at du sammenlikner dine ukjente med en serie standarder. r cs 1 Ikke-instrumentelle metoder. Elektronisk deteksjon har ikke alltid vært mulig. Tidligere absorpsjonsmetoder var basert på å bruke øyet som detektor. I noen tilfeller er dette fremdeles en fornuftig metode.

Detaljer

+ - 2.1 ELEKTRISK STRØM 2.1 ELEKTRISK STRØM ATOMER

+ - 2.1 ELEKTRISK STRØM 2.1 ELEKTRISK STRØM ATOMER 1 2.1 ELEKTRISK STRØM ATOMER Molekyler er den minste delen av et stoff som har alt som kjennetegner det enkelte stoffet. Vannmolekylet H 2 O består av 2 hydrogenatomer og et oksygenatom. Deles molekylet,

Detaljer

CMOS billedsensorer ENERGIBÅND. Orienteringsstoff AO 03V 2.1

CMOS billedsensorer ENERGIBÅND. Orienteringsstoff AO 03V 2.1 NRGIBÅND Orienteringsstoff AO 03V 2.1 nergibånd Oppsplitting av energitilstander i krystallstruktur Atom (H) Molekyl Krystallstruktur Sentrifugal potensial 0 0 0 ffektivt potensial Columb potensial a a

Detaljer

LABORATORIERAPPORT. Halvlederdioden AC-beregninger. Christian Egebakken

LABORATORIERAPPORT. Halvlederdioden AC-beregninger. Christian Egebakken LABORATORIERAPPORT Halvlederdioden AC-beregninger AV Christian Egebakken Sammendrag I dette prosjektet har vi forklart den grunnleggende teorien bak dioden. Vi har undersøkt noen av bruksområdene til vanlige

Detaljer

Løsningsforslag til EKSAMEN

Løsningsforslag til EKSAMEN Løsningsforslag til EKSAMEN Emnekode: ITD006 Emne: Fysikk og datateknikk Dato: 06. Mai 008 Eksamenstid: kl 9:00 til kl 3:00 Hjelpemidler: 4 sider (A4) ( ark) med egne notater. Kalkulator. Gruppebesvarelse,

Detaljer

Transistorer en alternativ presentasjon. Temapunkter for de 3 neste ukene

Transistorer en alternativ presentasjon. Temapunkter for de 3 neste ukene ransistorer en alternativ presentasjon Dekkes delvis i boka Kap 19-21 Linde 3. feb 2010 eapunkter for de 3 neste ukene eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare

Detaljer

Laboratorieøvelse i Elektrisitet, MNFFY103 Institutt for Fysikk, NTNU

Laboratorieøvelse i Elektrisitet, MNFFY103 Institutt for Fysikk, NTNU Laboratorieøvelse i Elektrisitet, MNFFY103 Institutt for Fysikk, NTNU ELEKTROLYSE AV VANN Oppgave 1: Bestem strøm-spennings- og effekt -spennings karakteristikken for et solcellepanel. Bruk Excel til å

Detaljer

Elektronikk med prosjektoppgaver FYS vår 2009

Elektronikk med prosjektoppgaver FYS vår 2009 Lindem 13 jan 2008 Elektronikk med prosjektoppgaver FYS 1210 - vår 2009 Viktig informasjon til alle studenter Husk: 1. februar er siste frist for: betaling av semesteravgift semesterregistrering melding

Detaljer

Halvlederkomponenter

Halvlederkomponenter Halvlederkomponenter Innledning og bakgrunn for kurset Forskningen og utviklingen som har foregått innen halvlederområdet etter 2. verdenskrig har lagt grunnen til dagens moderne samfunn. Raske og energieffektive

Detaljer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer MOSFET I en n-kanals MOSFET (enhancement-type) lager man en n-type kanal mellom Source og Drain ved å lage et inversjonslag i et p-type substrat

Detaljer

Lysdetektorer. Kvantedetektor. Termisk detektor. Absorbsjon av fotoner: Kvanterespons Termisk respons. UV MIR Fotoeffekt (Einstein, Nobelpris 1921)

Lysdetektorer. Kvantedetektor. Termisk detektor. Absorbsjon av fotoner: Kvanterespons Termisk respons. UV MIR Fotoeffekt (Einstein, Nobelpris 1921) Lysdetektorer Rekombinerer varme Absorbsjon av fotoner: Kvanterespons Termisk respons Kvantedetektor UV MIR Fotoeffekt (Einstein, Nobelpris 1921) Termisk detektor MIR FIR 1 Fotoeffekt (kvantedetektorer)

Detaljer

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005 Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005 Oppgave 1 Figur 1 viser et nettverk tilkoplet basen på en bipolar transistor. (For 1a og 1b se læreboka side 199) 1 a ) Tegn opp Thevenin-ekvivalenten

Detaljer

Energibånd i faste stoffer. Et prosjekt i emnet FY1303 elektrisitet og magnetisme, skrevet av Tord Hompland og Sigbjørn Vindenes Egge.

Energibånd i faste stoffer. Et prosjekt i emnet FY1303 elektrisitet og magnetisme, skrevet av Tord Hompland og Sigbjørn Vindenes Egge. Energibånd i faste stoffer. Et prosjekt i emnet FY1303 elektrisitet og magnetisme, skrevet av Tord Hompland og Sigbjørn Vindenes Egge. 1 Innholdsfortegnelse. Sammendrag...3 Innledning... 4 Hvorfor kvantemekanisk

Detaljer

FYS 2150. ØVELSE 10 SPENNINGSFORSYNING

FYS 2150. ØVELSE 10 SPENNINGSFORSYNING FYS 2150. ØVELSE 10 SPENNINGSFORSYNING Fysisk institutt, UiO Mål Alle former for elektriske og elektroniske apparater er utstyrt med en spenningskilde. Slike spenningskilder leverer enten vekselspenning

Detaljer

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN FY1013 ELEKTRISITET OG MAGNETISME II Fredag 8. desember 2006 kl 09:00 13:00

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN FY1013 ELEKTRISITET OG MAGNETISME II Fredag 8. desember 2006 kl 09:00 13:00 NOGES EKNISK- NAUVIENSKAPEIGE UNIVESIE INSIU FO FYSIKK Kontakt under eksamen: Per Erik Vullum lf: 93 45 7 ØSNINGSFOSAG I EKSAMEN FY3 EEKISIE OG MAGNEISME II Fredag 8. desember 6 kl 9: 3: Hjelpemidler:

Detaljer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Repetisjon

Fys2210 Halvlederkomponenter. Repetisjon Fys2210 Halvlederkomponenter Repetisjon Pensum 1 CRYSTAL PROPERTIES AND GROWTH OF SEMICONDUCTORS 2 ATOMS AND ELECTRONS 3 ENERGY BANDS AND CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS 4 EXCESS CARRIERS IN SEMICONDUCTORS

Detaljer

Fysikk og Teknologi Elektronikk

Fysikk og Teknologi Elektronikk Fysikk og Teknologi Elektronikk Torfinn Lindem Fysisk inst. UiO GOL 13. august 2008 Studieprogrammet Elektronikk og Datateknologi ELDAT 1 Den nye læreplanen i fysikk 14. Jan 06 Lindem august 2008 Fysikk

Detaljer

Solceller og halvledere

Solceller og halvledere Prosjekt i Elektrisitet og Magnetisme. Solceller og halvledere Kristian Rød Innlevering 23.april 2004-0 - Innholdsfortegnelse: 1. Sammendrag 2. Innledning 3. Solceller, generelt 4. Halvledere 4.1. Elementært

Detaljer

Forelesning 8. CMOS teknologi

Forelesning 8. CMOS teknologi Forelesning 8 CMOS teknologi Hovedpunkter MOS transistoren Komplementær MOS (CMOS) CMOS eksempler - Inverter - NAND / NOR - Fulladder Designeksempler (Cadence) 2 Halvledere (semiconductors) 3 I vanlig

Detaljer

Prosjekt i Elektrisitet og magnetisme (FY1303) Solceller. Kristian Hagen Torbjørn Lilleheier

Prosjekt i Elektrisitet og magnetisme (FY1303) Solceller. Kristian Hagen Torbjørn Lilleheier Prosjekt i Elektrisitet og magnetisme (FY133) Solceller Av Kristian Hagen Torbjørn Lilleheier Innholdsfortegnelse Sammendrag...3 Innledning...4 Bakgrunnsteori...5 Halvledere...5 Dopede halvledere...7 Pn-overgang...9

Detaljer

FYS ØVELSE 10 SPENNINGSFORSYNING

FYS ØVELSE 10 SPENNINGSFORSYNING FYS 2150. ØVELSE 10 SPENNINGSFORSYNING Fysisk institutt, UiO Mål Alle former for elektriske og elektroniske apparater er utstyrt med en spenningskilde. Slike spenningskilder leverer enten vekselspenning

Detaljer

Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer. Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov

Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer. Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov Dagens temaer Organisering av kurset Læringsmål Bakgrunn Strøm, og motivasjon for kurs i analog elektronikk

Detaljer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer Dagens temaer Historisk overblikk Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Presentasjon 4. obligatoriske labøvelse Dagens temaer er

Detaljer

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2004

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2004 Oppgave Forslag til løsning på Eksamen FYS20 våren 2004 Figure Figur viser et enkelt nettverk bestående av 2 batterier ( V = 9volt og V2 = 2volt) og 3 motstander på kω. a) Hva er spenningen over motstanden

Detaljer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer Forelesning nr.9 NF 1411 Elektroniske systemer Transistorer Dagens temaer Historisk overblikk Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Presentasjon 4. obligatoriske labøvelse Dagens temaer er

Detaljer

BYGGING AV LIKESTRØMSKILDE OG TRANSISTORFORSTERKER

BYGGING AV LIKESTRØMSKILDE OG TRANSISTORFORSTERKER BYGGING AV LIKESTRØMSKILDE OG TRANSISTORFORSTERKER OPPGAVE 1. Lag en oppkobling av likespenningskilden skissert i Figur 1. 2. Mål utgangsspenningen som funksjon av ulike verdier på belastningsmotstanden.

Detaljer

Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer

Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov 16.01. INF 1411 1 Dagens temaer Organisering av kurset Læringsmål Bakgrunn og motivasjon for kurs i analog

Detaljer

Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer. Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov

Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer. Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov Dagens temaer Organisering av kurset Læringsmål Bakgrunn Strøm, og motivasjon for kurs i analog elektronikk

Detaljer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Dagens temaer er hentet fra

Detaljer

FYS1210. Robin A. T. Pedersen. May 15, Forord 6. 2 Acknowledgments 6

FYS1210. Robin A. T. Pedersen. May 15, Forord 6. 2 Acknowledgments 6 FYS1210 Robin A. T. Pedersen May 15, 2016 Contents 1 Forord 6 2 Acknowledgments 6 3 Uke 3 - Introduksjon 6 3.1 Elektrisitet.............................. 7 3.1.1 Ladning............................ 7 3.1.2

Detaljer

Forelesning nr.2 INF 1411 Elektroniske systemer. Effekt, serielle kretser og Kirchhoffs spenningslov

Forelesning nr.2 INF 1411 Elektroniske systemer. Effekt, serielle kretser og Kirchhoffs spenningslov Forelesning nr.2 INF 1411 Elektroniske systemer Effekt, serielle kretser og Kirchhoffs spenningslov Dagens temaer Sammenheng mellom strøm, spenning, energi og effekt Strøm og resistans i serielle kretser

Detaljer

WORKSHOP BRUK AV SENSORTEKNOLOGI

WORKSHOP BRUK AV SENSORTEKNOLOGI WORKSHOP BRUK AV SENSORTEKNOLOGI SENSOROPPSETT 2. Mikrokontroller leser spenning i krets. 1. Sensor forandrer strøm/spenning I krets 3. Spenningsverdi oversettes til tallverdi 4. Forming av tallverdi for

Detaljer

Forelesning nr.1 IN 1080 Mekatronikk. Kursoversikt Ladning, strøm, spenning og resistans

Forelesning nr.1 IN 1080 Mekatronikk. Kursoversikt Ladning, strøm, spenning og resistans Forelesning nr.1 IN 1080 Mekatronikk Kursoversikt Ladning, strøm, spenning og resistans Hva er mekatronikk? Mekatronikk : Tverrfaglig disiplin innen ingeniørfag som kombinerer mekanikk, elektronikk, datateknikk,

Detaljer

Kondenserte fasers fysikk Modul 4

Kondenserte fasers fysikk Modul 4 FYS3410 Kondenserte fasers fysikk Modul 4 Sindre Rannem Bilden 9. mai 2016 Oppgave 1 - Metaller og isolatorer Metaller er karakterisert med et delvis fyllt bånd kallt ledningsbåndet. I motsetning til metaller

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO. UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FY-IN 204 Eksamensdag : 18 juni 2002 Tid for eksamen : l.0900-1500 Oppgavesettet er på 5 sider. Vedlegg Tillatte hjelpemidler

Detaljer

Elektriske kretser. Innledning

Elektriske kretser. Innledning Laboratorieøvelse 3 Fys1000 Elektriske kretser Innledning I denne oppgaven skal du måle elektriske størrelser som strøm, spenning og resistans. Du vil få trening i å bruke de sentrale begrepene, samtidig

Detaljer

AST1010 En kosmisk reise. De viktigste punktene i dag: Elektromagnetisk bølge 1/23/2017. Forelesning 4: Elektromagnetisk stråling

AST1010 En kosmisk reise. De viktigste punktene i dag: Elektromagnetisk bølge 1/23/2017. Forelesning 4: Elektromagnetisk stråling AST1010 En kosmisk reise Forelesning 4: Elektromagnetisk stråling De viktigste punktene i dag: Sorte legemer og sort stråling. Emisjons- og absorpsjonslinjer. Kirchhoffs lover. Synkrotronstråling Bohrs

Detaljer

59.1 Beskrivelse Bildet under viser hvordan modellen tar seg ut slik den står i utstillingen.

59.1 Beskrivelse Bildet under viser hvordan modellen tar seg ut slik den står i utstillingen. 59 TERMOGENERATOREN (Rev 2.0, 08.04.99) 59.1 Beskrivelse Bildet under viser hvordan modellen tar seg ut slik den står i utstillingen. 59.2 Oppgaver Legg hånden din på den lille, kvite platen. Hva skjer?

Detaljer

Kjemiske bindinger. Som holder stoffene sammen

Kjemiske bindinger. Som holder stoffene sammen Kjemiske bindinger Som holder stoffene sammen Bindingstyper Atomer Bindingene tegnes med Lewis strukturer som symboliserer valenselektronene Ionebinding Kovalent binding Polar kovalent binding Elektronegativitet,

Detaljer

Solceller - Teori og praksis Solcellers virkningsgrad, effekt og elektriske egenskaper.

Solceller - Teori og praksis Solcellers virkningsgrad, effekt og elektriske egenskaper. Universitetet i Oslo FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgave Solceller - Teori og praksis Solcellers virkningsgrad, effekt og elektriske egenskaper. Sindre Rannem Bilden 27. april 2016 Labdag: Tirsdag

Detaljer

Elektronikk med prosjektoppgaver FYS vår 2010

Elektronikk med prosjektoppgaver FYS vår 2010 Elektronikk med prosjektoppgaver FYS 1210 - vår 2010 Lindem 18 jan 2010 Viktig informasjon til alle studenter Husk: 1. februar er siste frist for - - betaling av semesteravgift - semesterregistrering -

Detaljer

KROPPEN LEDER STRØM. Sett en finger på hvert av kontaktpunktene på modellen. Da får du et lydsignal.

KROPPEN LEDER STRØM. Sett en finger på hvert av kontaktpunktene på modellen. Da får du et lydsignal. KROPPEN LEDER STRØM Sett en finger på hvert av kontaktpunktene på modellen. Da får du et lydsignal. Hva forteller dette signalet? Gå flere sammen. Ta hverandre i hendene, og la de to ytterste personene

Detaljer

NORGES TEKNISK-NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR MATERIALTEKNOLOGI LØSNINGSFORSLAG

NORGES TEKNISK-NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR MATERIALTEKNOLOGI LØSNINGSFORSLAG NORGES TEKNISK-NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR MATERIALTEKNOLOGI Oppgave 1 LØSNINGSFORSLAG Eksamen i TMT 4185 Materialteknologi Fredag 18. desember 2009 Tid: 09 00-13 00 (a) (b) Karakteristiske

Detaljer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer Dagens temaer Historisk overblikk Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Presentasjon 4. obligatoriske labøvelse Dagens temaer er

Detaljer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer 1 Dagens temaer Historisk overblikk Repetisjon halvledere Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Dagens temaer er hentet fra kapittel

Detaljer

EKSAMEN I EMNE SIK5005 MATERIALTEKNOLOGI 2 MANDAG 5. MAI, LØSNINGSFORSLAG -

EKSAMEN I EMNE SIK5005 MATERIALTEKNOLOGI 2 MANDAG 5. MAI, LØSNINGSFORSLAG - EKSAMEN I EMNE SIK5005 MATERIALTEKNOLOGI 2 MANDAG 5. MAI, 200 - LØSNINGSFORSLAG - Oppgave 1. a) Fast løsningsherding er beskrevet på side 256-257 i læreboken. Fig. 9.6 gir en skjematisk fremstilling av

Detaljer

Forelesning nr.2 INF 1411 Elektroniske systemer. Effekt, serielle kretser og Kirchhoffs spenningslov

Forelesning nr.2 INF 1411 Elektroniske systemer. Effekt, serielle kretser og Kirchhoffs spenningslov Forelesning nr.2 INF 1411 Elektroniske systemer Effekt, serielle kretser og Kirchhoffs spenningslov Dagens temaer Sammenheng mellom strøm, spenning, energi og effekt Strøm og resistans i serielle kretser

Detaljer

Solceller i forsvaret VIRKEMÅTE OG BRUKSOMRÅDER

Solceller i forsvaret VIRKEMÅTE OG BRUKSOMRÅDER Solceller i forsvaret VIRKEMÅTE OG BRUKSOMRÅDER Farstad, Torstein Otterlei Ingeniørfaglig innføring SKSK 10. juni 2015 Innhold Innledning... 1 Forståelse... 2 Bruksområder... 3 Operasjoner i Norge... 3

Detaljer

Rev. Lindem 25.feb..2014

Rev. Lindem 25.feb..2014 ev. Lindem 25.feb..2014 Transistorforsterkere - oppsummering Spenningsforsterker klasse Med avkoplet emitter og uten Forsterkeren inverterer signalet faseskift 180 o Transistoren er aktiv i hele signalperioden

Detaljer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer 1 Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Feedback-oscillatorer Dagens

Detaljer

12 Halvlederteknologi

12 Halvlederteknologi 12 Halvlederteknologi Innhold 101 Innledende klasseaktivitet 102 Størrelsen på et bildepunkt E 103 Lysdioder EF 104 Temperatursensorer EF 105 Solpanel EF 201 i undersøker et solcellepanel 202 i kalibrerer

Detaljer

Produksjonsartikkel Spenning (Volt) Strøm (Amper) Tilført energi Resultat

Produksjonsartikkel Spenning (Volt) Strøm (Amper) Tilført energi Resultat Strømmålinger dag a) Mål hvor stor spenning (V) og hvor mye strøm (A) som produseres med solcellepanelet til legosettet, solcellepanelet til hydrogenbilen og solcellepanelet til brennselcellesette. Før

Detaljer

Eksamen i TMT 4185 Materialteknologi Tirsdag 12. desember 2006 Tid:

Eksamen i TMT 4185 Materialteknologi Tirsdag 12. desember 2006 Tid: Side 1 av 9 Løsningsforslag Eksamen i TMT 4185 Materialteknologi Tirsdag 12. desember 2006 Tid: 09 00-13 00 Oppgave 1 i) Utherdbare aluminiumslegeringer kan herdes ved utskillingsherding (eng.: age hardening

Detaljer

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN FY1013 ELEKTRISITET OG MAGNETISME II Fredag 9. desember 2005 kl

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN FY1013 ELEKTRISITET OG MAGNETISME II Fredag 9. desember 2005 kl NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK Kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN FY1013 ELEKTRISITET OG MAGNETISME II Fredag

Detaljer

Informasjon til lærer

Informasjon til lærer Lærer, utfyllende informasjon Fornybare energikilder Det er egne elevark til for- og etterarbeidet. Her får du utfyllende informasjon om: Sentrale begreper som benyttes i programmet. Etterarbeid. Informasjon

Detaljer

Sitronelement. Materiell: Sitroner Galvaniserte spiker Blank kobbertråd. Press inn i sitronen en galvanisert spiker og en kobbertråd.

Sitronelement. Materiell: Sitroner Galvaniserte spiker Blank kobbertråd. Press inn i sitronen en galvanisert spiker og en kobbertråd. Materiell: Sitronelement Sitroner Galvaniserte spiker Blank kobbertråd Press inn i sitronen en galvanisert spiker og en kobbertråd. Nå har du laget et av elementene i et elektrisk batteri! Teori om elektriske

Detaljer

Transistorer. Dekkes delvis i boka Kap 19-21

Transistorer. Dekkes delvis i boka Kap 19-21 ransistorer Dekkes delvis i boka Kap 19-21 eapunkter for de 3 neste ukene: eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare operasjonen til en J klasse A-forsterker Analysere

Detaljer

Solceller. Josefine Helene Selj

Solceller. Josefine Helene Selj Solceller Josefine Helene Selj Silisium Solceller omdanner lys til strøm Bohrs atommodell Silisium er et grunnstoff med 14 protoner og 14 elektroner Elektronene går i bane rundt kjernen som består av protoner

Detaljer

Onsdag 04.03.09 og fredag 06.03.09

Onsdag 04.03.09 og fredag 06.03.09 Institutt for fysikk, NTNU TFY4155/FY1003: Elektrisitet og magnetisme Vår 2009, uke 10 Onsdag 04.03.09 og fredag 06.03.09 Ohms lov [FGT 26.3; YF 25.2,25.3; TM 25.2; AF 24.3, LHL 21.2, DJG 7.1.1] Må ha

Detaljer

Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer. Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov

Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer. Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov Dagens temaer Organisering av kurset Læringsmål Bakgrunn Strøm, og motivasjon for kurs i analog elektronikk

Detaljer

Elektronikk med prosjektoppgaver FYS vår 2012

Elektronikk med prosjektoppgaver FYS vår 2012 Elektronikk med prosjektoppgaver FYS 1210 - vår 2012 Lindem 22 jan. 2012 Viktig informasjon til alle studenter Husk: 1. februar er siste frist for - - betaling av semesteravgift - semesterregistrering

Detaljer

HALVLEDER-DIODER Karakteristikker Målinger og simuleringer

HALVLEDER-DIODER Karakteristikker Målinger og simuleringer Kurs: FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgaver Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 3 Omhandler: HALVLEDER-DIODER Karakteristikker Målinger og simuleringer Revidert utgave, desember 2014 (T.

Detaljer

RF Power Capacitors Class1

RF Power Capacitors Class1 RF Power Capacitors Class 2.7, 20 & 30mm Doorknob/Barrel Transmitting Types Morgan Advanced Materials is a world leader in the design and manufacture of complex electronic ceramic components and assemblies

Detaljer

elementpartikler protoner(+) nøytroner elektroner(-)

elementpartikler protoner(+) nøytroner elektroner(-) All materie, alt stoff er bygd opp av: atomer elementpartikler protoner(+) nøytroner elektroner(-) ATOMMODELL (Niels Bohr, 1913) - Atomnummer = antall protoner i kjernen - antall elektroner e- = antall

Detaljer

Transistorforsterker

Transistorforsterker Oppsummering Spenningsforsterker klasse Med avkoplet emitter og uten Forsterkeren inverterer signalet faseskift 180o Transistoren er aktiv i hele signalperioden i b B i c C g m I V C T i c v i r π B1 B2

Detaljer

Oppsummering FYS 1210

Oppsummering FYS 1210 Oppsummering FYS 1210 Hjelpemidler til eksamen Lærebok Electronics Technology Fundamentals Robert Paynter & B.J.Toby Boydell 2 Kretsteknikk Ohms lov eller (Ohm) Kirchhoff s lov om strømmer Summen av strømmene

Detaljer

INF1411 Oblig nr. 3 - Veiledning

INF1411 Oblig nr. 3 - Veiledning INF1411 Oblig nr. 3 - Veiledning Informasjon Instrumentene som behøves i denne obligen er markert over: DMM det digitale multimeteret er du kjent med fra de to foregående oppgavene Scope er et oscilloskop

Detaljer

RF Power Capacitors Class1 5kV Discs

RF Power Capacitors Class1 5kV Discs RF Power Capacitors Class 5kV Discs Morgan Advanced Materials is a world leader in the design and manufacture of complex electronic ceramic components and assemblies used in a wide range of applications

Detaljer

RF Power Capacitors Class kV Discs

RF Power Capacitors Class kV Discs RF Power Capacitors Class 0-5kV Discs Morgan Advanced Materials is a world leader in the design and manufacture of complex electronic ceramic components and assemblies used in a wide range of applications

Detaljer

Dekkes delvis i boka Kap 19-21

Dekkes delvis i boka Kap 19-21 ransistorer en alternativ presentasjon Dekkes delvis i boka Kap 19-21 Linde 25.feb. 2008 eapunkter eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare operasjonen til en J

Detaljer

UKE 5. Kondensatorer, kap. 12, s RC kretser, kap. 13, s Frekvensfilter, kap. 15, s kap. 16, s

UKE 5. Kondensatorer, kap. 12, s RC kretser, kap. 13, s Frekvensfilter, kap. 15, s kap. 16, s UKE 5 Kondensatorer, kap. 2, s. 364-382 R kretser, kap. 3, s. 389-43 Frekvensfilter, kap. 5, s. 462-500 kap. 6, s. 50-528 Kondensator Lindem 22. jan. 202 Kondensator (apacitor) er en komponent som kan

Detaljer

Del 1 - Generelt om batterier

Del 1 - Generelt om batterier Navn: Oppgaver til undervisningsopplegg om batterier Les hovedteksten på http://ungenergi.no/energibaerere/elektrisitet/batteri/ Del 1 - Generelt om batterier 1. Hva er en galvanisk celle og hva består

Detaljer

Oppsummering FYS

Oppsummering FYS Oppsummering FYS 1210 2017 Hjelpemidler til eksamen I år vil det ikke være mulig å bruke læreboken. Nødvendig formler blir lagt ved oppgavesettet. Du finner en foreløpig utgave av formelarket på hjemmesiden

Detaljer

Kondensator - Capacitor. Kondensator - en komponent som kan lagre elektrisk ladning. Symbol. Kapasitet, C. 1volt

Kondensator - Capacitor. Kondensator - en komponent som kan lagre elektrisk ladning. Symbol. Kapasitet, C. 1volt Kondensator - apacitor Lindem. mai 00 Kondensator - en komponent som kan lagre elektrisk ladning. Symbol Kapasiteten ( - capacity ) til en kondensator måles i Farad. Som en teknisk definisjon kan vi si

Detaljer

UKE 5. Kondensatorer, kap. 12, s RC kretser, kap. 13, s Frekvensfilter, kap. 15, s og kap. 16, s.

UKE 5. Kondensatorer, kap. 12, s RC kretser, kap. 13, s Frekvensfilter, kap. 15, s og kap. 16, s. UKE 5 Kondensatorer, kap. 12, s. 364-382 R kretser, kap. 13, s. 389-413 Frekvensfilter, kap. 15, s. 462-500 og kap. 16, s. 510-528 1 Kondensator Lindem 22. jan. 2012 Kondensator (apacitor) er en komponent

Detaljer

Modul nr Solceller

Modul nr Solceller Modul nr. 1605 Solceller Tilknyttet rom: Newton Larvik 1605 Newton håndbok - Solceller Side 2 Kort om denne modulen Modulen passer best for vg1, og har solceller som gjennomgående tema. Det benyttes varierte,

Detaljer

Løsningsforslag til EKSAMEN

Løsningsforslag til EKSAMEN Løsningsforslag til EKSAMEN Emnekode: ITD0 Emne: Fysikk og kjemi Dato: 30. April 03 Eksamenstid: kl.: 9:00 til kl.: 3:00 Hjelpemidler: 4 sider (A4) ( ark) med egne notater. Ikke-kummuniserende kalkulator.

Detaljer

Fysikkdag for Sørreisa sentralskole. Lys og elektronikk. Presentert av: Fysikk 1. Teknologi og forskningslære. Physics SL/HL (IB)

Fysikkdag for Sørreisa sentralskole. Lys og elektronikk. Presentert av: Fysikk 1. Teknologi og forskningslære. Physics SL/HL (IB) Fysikkdag for Sørreisa sentralskole Tema Lys og elektronikk Presentert av: Fysikk 1 Teknologi og forskningslære Og Physics SL/HL (IB) Innhold Tidsplan... 3 Post 1: Elektrisk motor... 4 Post 2: Diode...

Detaljer

Solenergi og solceller- teori

Solenergi og solceller- teori Solenergi og solceller- teori Innholdsfortegnelse Solenergi er fornybart men hvorfor?... 1 Sola -Energikilde nummer én... 1 Solceller - Slik funker det... 3 Strøm, spenning og effekt ampere, volt og watt...

Detaljer