Electronics Technology Fundamentals
|
|
- Tine Våge
- 7 år siden
- Visninger:
Transkript
1 Electronics Technology Fundamentals Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon jan 2007 T.Lindem 1
2 17.1 Semiconductors P1 Halvledere Semiconductors Atomer som har 4 valenselektroner 2
3 17.1 Semiconductors P2 Ladning og ledning Charge and Conduction Conduction Band Lednings - bånd - Energitilstand over valensbåndet Et elektron som absorberer energi og hopper fra valensbåndet til ledningsbåndet sier vi er i eksertert tilstand (excited state ) 3
4 17.1 Semiconductors P3 Covalent Bonding metoden som enkelte antomer bruker for å komplettere valens-båndet til 8 elektroner. Det utveksles elektroner med naboatomene Silisium med 4 valenselektroner danner en diamant -struktur. Det utveksles elektroner med nabo-atomene slik at det dannes en konfigurasjon med 8 elektroner rundt hvert atom. 4
5 17.1 Semiconductors P4 Conduction Ledning i rene halvledere Electron-Hole Pair - Når det tilføres energi I form av varme/stråling løftes et elektron fra valensbåndet opp i ledningdsbåndet. Recombination Når et fritt elektron I ledningsbåndet faller ned I et ledig hull i valensbåndet. Energien frigjøres enten som varme eller elektromagnetisk stråling For å løsrive et elektron fra denne strukturen trenges en energi på 1,1 ev 5
6 17.2 Doping P1 Doping the process of adding impurity atoms to intrinsic (rent) silicon to increase its conductivity Trivalent Grunnstoff med 3 elektroner i valensbåndet (yttre skall) Pentavalent Grunnstoff med 5 elektroner I valensbåndet Trivalent Impurity Aluminum (Al) Gallium (Ga) Boron (B) Indium (In) Pentavalent Impurity Phosphorus (P) Arsenic (As) Antimony (Sb) Bismuth (Bi) 6
7 17.2 Doping P2 N-Type Materials vi forurenser med et stoff som har 5 valenselektroner. Vi får et ekstra elektron som ikke blir med i den kovalente bindingen. Electrons majority carriers Holes minority carriers Det skal lite energi til før dette elektronet frigjøres - ca 0,05eV 7
8 17.2 Doping P3 P-Type Materials Vi tilfører et stoff med 3 valenselektroner. Det betyr at trukturen ikke fylles det mangler et elektron i den kovalente bindingen Holes majority carriers Electrons minority carriers 8
9 17.2 Doping P4 Setter vi et n-dopet silisium sammen med p-dopet silisium får vi en diffusjon av elektroner fra n-siden over til p-siden. ( Diffusjon = En drift av elektroner fra et område med høy elektrontetthet til et område med lav elektron-tetthet ) 9
10 17.3 The PN Junction P1 PN Junction vi setter sammen n-type og p-type materialer 10
11 17.3 The PN Junction P2 Electron Diffusion Depletion Layer - Det dannes fort et tynnt sperresjikt rundt junction Barrier Potential Elektronene som har forlatt n-siden etterlater seg et positivt ladet område og det etableres et neg. ladet område på p-siden. Det dannes en potensialbarriere på ca 0,6-0,7 volt mellom n og p + E - 11
12 17.4 Bias P1 Bias eller forspenning et potensial som tilføres pn junction fra en utvendig spenningskilde (f.eks. batteri). Denne bias-spenning bestemmer bredden på depletion layer Forward Bias Tilført spenning motvirker det interne sperrefeltet. Dette åpner for elektrontransport fra n til p 12
13 17.4 Bias P2 Forward Bias (Continued) Bulk Resistance (R B ) V F 0.7 V for silicon V F 0.3 V for germanium Katode n Anode p 13
14 17.4 Bias P3 Reverse Bias Tilført spenning virker sammen med det interne sperrefeltet. Dette sperrer for elektrontransport fra n til p 14
15 17.5 PN Junction Diodes P1 Diode a two-electrode (i.e., two-terminal) component that acts as a one-way conductor Insert Figure
16 17.5 PN Junction Diodes P2 Ideal Diode Characteristics would act as a simple switch Reverse Biased (Open Switch) has infinite resistance, zero reverse current, and drops the applied voltage across its terminals Forward Biased (Closed Switch) has no resistance, and therefore, no voltage across its terminals The Practical Diode Forward Voltage (V F ) Knee Voltage (V K ) 16
17 17.5 PN Junction Diodes P3 Practical Circuit Analysis V R 1 = VS VF = VS 0.7 V I T = V R 1 V 0.7 V 1 5 V 0.7 V 1kΩ R1 S = = = R 4.3 ma 17
18 17.6 Diode Ratings P1 Peak Reverse Voltage (V RRM ) the maximum reverse voltage that won t force the diode to conduct 18
19 17.7 Other Diode Characteristics P1 Bulk Resistance (R B ) Den naturlige motsatanden i diodematerialet for p-type og n-type Denne motstanden får betydning når dioden leder strøm V = 0.7 V + I F F R B 19
20 17.7 Other Diode Characteristics P3 Reverse Current (I S ) ( lekkasjestrøm ) En liten strøm av minoritetsbærere (elektroner i P-området) vil lekke over sperresjiktet (depletion layer) når dioden er forspent I sperreretning I S består av to uavhengige strømmer Reverse Saturation Current (I S ) for Si = A for Ge = 10-7 A Surface-Leakage Current (I SL ) varierer med overflatens størrelse Det korrekte uttrykk for strømmen i dioden er gitt av likningen I D V D nv T = I S ( e 1) V D = spenningen over dioden V T = den termiske spenningen = 25mV ved 300 o Kelvin (se komp. fys.elektr) n = 1 ev. 2 avh. Si eller Ge 20
21 17.7 Other Diode Characteristics P4 Diode Capacitance Depletion layer virker som en isolator mellom anode og katode. Vi ser at dioden kan betraktes som en kondensator når den er forspent i sperreretning. Hvis spenningen i sperreretning økes - vil tykkelsen på depletion layer øke. Det betyr at dioden i sperreretning kan brukes som en variabel kondensator. Det lages spesielle dioder til slikt bruk varicap-dioder Brukes ofte i radiomottakere til frekvensinnstilling (stasjonsvalg) 21
22 17.7 Other Diode Characteristics P5 Temperature Effects on Diode Operation NB! Husk disse kurvene er eksponentialfunksjoner. Bokas fremstilling er ikke helt korrekt.. Vi vet at : I F I S e V D V T Hvor k T T V T = 0259volt q = = 0, Ved 300 o Kelvin 22
23 17.7 Other Diode Characteristics P6 Temperature Effects on Diode Operation (Continued) 23
24 17.8 Diode Specifications P3 Diode Identification 24
25 17.9 Zener Diodes P1 Zener Diode a type of diode that is designed to work in the reverse breakdown region of its operating curve Reverse Breakdown Voltage (V BR ) Application: Voltage Regulator Zener Voltage (V Z ) To effekter gir grunnlag for zener-diodens karakteristikk 1. Avalanche (skred) Frie ladninger aksellereres disse kolliderer med Sistrukturen og frigjør nye ladninger 2. Zener-effekt (kvantemekanisk tunneling) E-feltet er så sterkt at elektroner rives løs fra de kovalente bindingene 3. Avhengig av doping-graden vil en eller begge disse effektene bestemme zenerdiodens breakdown voltage 25
26 17.9 Zener Diodes P3 Zener Operating Characteristics Zener Knee Current (I ZK ) Maximum Zener Current (I ZM ) Zener Test Current (I ZT ) Zenerspenningen vil være temperaturavhengig dioder med en spenning på ca. 5,6 volt vil være temperaturstabile. Vi kaller ofte slike dioder referansedioder 26
27 17.9 Zener Diodes P5 Zener Operating Characteristics (Continued) Zener Impedance (Z Z ) the zener diode s opposition to a change in current 27
28 17.11 Light-Emitting Diodes P1 Light-emitting diodes (LEDs) lysdioder er dioder som kan sende ut lys når de får riktig bias 28
29 17.11 Light-Emitting Diodes P2 Light-emitting diodes (LEDs) (Continued) Insert Figure
30 17.11 Light-Emitting Diodes P3 LED Characteristics Forward Voltage: +1.2 to +4.3 V (typical) Reverse Breakdown Voltage: -3 to 10 V (typical) Et fritt elektron som rekombinerer med et hull vil avgi energi E. Avhengig av materialene som benyttes vil denne energien bli avgitt som varme eller som elektromagnetisk stråling med en frekvens ( f ) vi oppfatter som lys. E = h f h = Plancks konstant Gallium Arsenid GaAs infrarødt lys λ 900nm Gallium Arsenid-fosfid, GaAsP RØDT LYS GaP GRØNT LYS GaN BLÅTT LYS 30
31 17.11 Light-Emitting Diodes P4 Current-Limiting Resistors LEDs require the use of series currentlimiting resistors to ensure that the maximum current rating of the LED will not be exceeded R S = V out( pk ) I F V F where V out(pk) V F I F = the peak output voltage of the driving circuit = the minimum rated forward voltage for the LED = the maximum forward current rating for the LED 31
32 17.12 Diodes: A Comparison 32
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2008 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow
DetaljerKapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2009 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow
DetaljerKapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2009 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow
DetaljerKapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2012 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow
DetaljerUKE 6. Dioder, kap. 17, s , Diode Kretser, kap. 18, s
UKE 6 Dioder, kap. 17, s. 533-564, Diode Kretser, kap. 18, s. 574-605 1 Dioder Lindem 23. jan. 2013 Solid State Components Halvledere Semiconductors Atomer med 4 valenselektroner Mange materialer kan opptre
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 5 Kapittel 5 - Overganger
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 5 Kapittel 5 - Overganger 1 Lab-tider Forslag til lab-tider vil bli lagt ut Ideelt sett 4 per gruppe Skriv dere på et tidspunkt som passer Øvingstime neste torsdag
DetaljerFysikk og teknologi Elektronikk FYS ) Det betyr kjennskap til Ohms lov : U = R I og P = U I
Fysikk og teknologi Elektronikk FYS 1210 Skal vi forstå moderne elektronikk - må vi først beherske elementær lineær kretsteknikk - og litt om passive komponenter - motstander, kondensatorer og spoler 1
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger Repetisjon: Vp E Cp E Fp E Vp Particle flow Equilibrium (V = 0) Current Forward bias (V = V f ) E E E Vn (V 0 -V f ) V 0 W = qv 0 (1)
DetaljerFysikk og teknologi - Elektronikk Mål for opplæringen er at eleven skal kunne
14. Jan 06 Den nye læreplanen i fysikk Fysikk og teknologi - Elektronikk Mål for opplæringen er at eleven skal kunne 1. gjøre rede for forskjellen mellom ledere, halvledere og isolatorer ut fra dagens
DetaljerFYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017
FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017 Oppgave 1 1 a. Doping er en prosess hvor vi forurenser rent (intrinsic) halvleder material ved å tilsette trivalente (grunnstoff med 3 elektroner i valensbåndet) og
DetaljerForelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer. Dioder
Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer Dioder Dagens temaer Dioder Halvlederfysikk Ulike typer halvledere og ladningsbærere Diodekarakteristikker Likerettere og strømforsyninger Spesialdioder
DetaljerForelesning nr.8 IN 1080 Elektroniske systemer. Dioder og felteffekt-transistorer
Forelesning nr.8 IN 1080 Elektroniske systemer Dioder og felteffekt-transistorer Dagens temaer Impedanstilpasning Dioder Likerettere og strømforsyninger Spesialdioder Dagens temaer er hentet fra kapittel
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger Repetisjon: Vp E Cp E Fp E Vp Particle flow Equilibrium (V = 0) Current Forward bias (V = V f ) E E E Vn (V 0 -V f ) V 0 W = qv 0 (1)
DetaljerSpenningskilder - batterier
UKE 4 Spenningskilder, batteri, effektoverføring. Kap. 2 60-65 AC. Kap 9, s.247-279 Fysikalsk elektronikk, Kap 1, s.28-31 Ledere, isolatorer og halvledere, doping 1 Spenningskilder - batterier Ideell spenningskilde
DetaljerForelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer Dioder Praktiske anvendelser 1 Dagens temaer Dioder Halvlederfysikk Diodekarakteristikker Ulike typer halvledere og ladningsbærere Likerettere Spesialdioder
DetaljerForelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer. Dioder Praktiske anvendelser
Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer Dioder Praktiske anvendelser Dagens temaer Dioder Halvlederfysikk Ulike typer halvledere og ladningsbærere Diodekarakteristikker Likerettere og strømforsyninger
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer Forelesning 10
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer Forelesning 10 Repetisjon: V T i virkeligheten Forskjell Φ m Φ s 0 Q i defekter/urenheter i oksidet og interface states Figure 6.20 Influence
DetaljerElektronikk med prosjektoppgaver FYS 1210
Elektronikk med prosjektoppgaver FYS 1210 Lindem 29 jan. 2008 Komponentlære Kretselektronikk Elektriske ledere/ halvledere Doping Dioder - lysdioder Bipolare transistorer Unipolare komponenter FET, MOS,
DetaljerSpenningskilder - batterier
UKE 4 Spenningskilder, batteri, effektoverføring. Kap. 2, s. 60-65 AC. Kap 9, s.247-279 Fysikalsk elektronikk, Kap 1, s.28-31 Ledere, isolatorer og halvledere, doping 1 Spenningskilder - batterier Ideell
DetaljerUKE 4. Thevenin Spenningskilde og effektoverføring Fysikalsk elektronikk Ledere, isolatorer og halvledere, doping Litt om AC
UKE 4 Thevenin Spenningskilde og effektoverføring Fysikalsk elektronikk Ledere, isolatorer og halvledere, doping Litt om AC 1 Thévenin s teorem Helmholtz 1853 Léon Charles Thévenin 1883 Ethvert lineært,
DetaljerMeir om halvleiarar. Halvleiarteknologi
Meir om halvleiarar. Halvleiarteknologi YF 42.6, 42.7 (Halvleiarar vart introduserte i fila Energiband i krystallar, som denne fila er eit framhald av.) Hol Leiingsband Valensband E g Eksitasjon av eit
DetaljerBasis dokument. 1 Solcelle teori. Jon Skarpeteig. 23. oktober 2009
Basis dokument Jon Skarpeteig 23. oktober 2009 1 Solcelle teori De este solceller er krystallinske, det betyr at strukturen er ordnet, eller periodisk. I praksis vil krystallene inneholde feil av forskjellige
DetaljerKapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger. Likeretter (Rectifier) omforme AC til DC
Revidert versjon 1. feb. 2012 T.Lindem Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger Likeretter (Rectifier) omforme A til D Rectifier (Likeretter) en diodekrets som omformer en A til pulserende D Filter en
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer 1 Repetisjon Kap. 5 Kontaktpotensial V 0 = kt q ln Deplesjonssone W = Diodeligningen N an d n i 2 2ε(V 0 V) N a + N d q N a N d I = I o e
DetaljerEnergiband i krystallar. Halvleiarar (intrinsikke og ekstrinsikke) Litt om halvleiarteknologi
Energiband i krystallar Halvleiarar (intrinsikke og ekstrinsikke) Litt om halvleiarteknologi Energibandstrukturen til eit material avgjer om det er ein leiar (metall), halvleiar, eller isolator Energiband
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer Repetisjon Kap. 5 Kontaktpotensial V 0 = kt q ln Deplesjonssone W = Diodeligningen N an d n i 2 2ε(V 0 V) N a + N d q N a N d I = I o e qv/kt
DetaljerFor å forstå hvordan halvledere fungerer, er det viktig først å ha forstått hva som gjør at noen stoffer leder strøm, mens andre ikke gjør det.
Kompendium Halvledere Stoffer som leder elektrisk strøm kalles ledere. Stoffer som ikke leder elektrisk strøm kalles isolatorer. Hva er da en halvleder? Litt av svaret ligger i navnet, en halvleder er
DetaljerExercise 1: Phase Splitter DC Operation
Exercise 1: DC Operation When you have completed this exercise, you will be able to measure dc operating voltages and currents by using a typical transistor phase splitter circuit. You will verify your
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer 1 Pensum 1 CRYSTAL PROPERTIES AND GROWTH OF SEMICONDUCTORS 2 ATOMS AND ELECTRONS 3 ENERGY BANDS AND CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS 4 EXCESS
DetaljerDenne metoden krever at du sammenlikner dine ukjente med en serie standarder. r cs
1 Ikke-instrumentelle metoder. Elektronisk deteksjon har ikke alltid vært mulig. Tidligere absorpsjonsmetoder var basert på å bruke øyet som detektor. I noen tilfeller er dette fremdeles en fornuftig metode.
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 9 Kapittel 6 - Felteffekttransistoren
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 9 Kapittel 6 - Felteffekttransistoren Repetisjon Unipolar Kapittel 6 Felt-effekt transistorer JFET Partikkelfluks S D (alltid) V G styrer ledningskanalen mellom
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 1
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 1 Materialets struktur kan være - Amorft - Polykrystallinsk - Enkrystallinsk www.physics-in-a-nutshell.com Enkrystallinske materialer kan ha ulik atomstruktur De vanligste
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer 1 Eksamensdatoer: 11. OG 12. DESEMBER Repetisjon Felteffekttransistoren 3 forskjellige typer: - Junction FET - MESFET - MOSFET JFET MESFET
Detaljer+ - 2.1 ELEKTRISK STRØM 2.1 ELEKTRISK STRØM ATOMER
1 2.1 ELEKTRISK STRØM ATOMER Molekyler er den minste delen av et stoff som har alt som kjennetegner det enkelte stoffet. Vannmolekylet H 2 O består av 2 hydrogenatomer og et oksygenatom. Deles molekylet,
DetaljerCMOS billedsensorer ENERGIBÅND. Orienteringsstoff AO 03V 2.1
NRGIBÅND Orienteringsstoff AO 03V 2.1 nergibånd Oppsplitting av energitilstander i krystallstruktur Atom (H) Molekyl Krystallstruktur Sentrifugal potensial 0 0 0 ffektivt potensial Columb potensial a a
DetaljerTransistorer en alternativ presentasjon. Temapunkter for de 3 neste ukene
ransistorer en alternativ presentasjon Dekkes delvis i boka Kap 19-21 Linde 3. feb 2010 eapunkter for de 3 neste ukene eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare
DetaljerElektronikk med prosjektoppgaver FYS vår 2009
Lindem 13 jan 2008 Elektronikk med prosjektoppgaver FYS 1210 - vår 2009 Viktig informasjon til alle studenter Husk: 1. februar er siste frist for: betaling av semesteravgift semesterregistrering melding
DetaljerFys Halvlederkomponenter. Lasse Vines kontor: Kristen Nygårds hus, 3. etg.
Fys2210 - Halvlederkomponenter Lasse Vines lassevi@fys.uio.no kontor: Kristen Nygårds hus, 3. etg. Fys2210 NB: Forelesning Torsdag 30/8 (i øvingstimen) 3 timer forelesning og 3t øving til uke 41, deretter
DetaljerLABORATORIERAPPORT. Halvlederdioden AC-beregninger. Christian Egebakken
LABORATORIERAPPORT Halvlederdioden AC-beregninger AV Christian Egebakken Sammendrag I dette prosjektet har vi forklart den grunnleggende teorien bak dioden. Vi har undersøkt noen av bruksområdene til vanlige
DetaljerLøsningsforslag til EKSAMEN
Løsningsforslag til EKSAMEN Emnekode: ITD006 Emne: Fysikk og datateknikk Dato: 06. Mai 008 Eksamenstid: kl 9:00 til kl 3:00 Hjelpemidler: 4 sider (A4) ( ark) med egne notater. Kalkulator. Gruppebesvarelse,
DetaljerLaboratorieøvelse i Elektrisitet, MNFFY103 Institutt for Fysikk, NTNU
Laboratorieøvelse i Elektrisitet, MNFFY103 Institutt for Fysikk, NTNU ELEKTROLYSE AV VANN Oppgave 1: Bestem strøm-spennings- og effekt -spennings karakteristikken for et solcellepanel. Bruk Excel til å
DetaljerLøsningsforslag til ukeoppgave 15
Oppgaver FYS1001 Vår 2018 1 Løsningsforslag til ukeoppgave 15 Oppgave 18.11 Se. s. 544 Oppgave 18.12 a) Klorofyll a absorberer fiolett og rødt lys: i figuren ser vi at absorpsjonstoppene er ved 425 nm
DetaljerForslag til løsning på eksamen i FY Forslag til løsning på eksamen i F -IN 204 og FY108 våren 2003.
Forslag til løsning på eksamen i FY-IN 20 og FY108 våren 200. Oppgave 1 a) 20 db forsterkning er det samme som en forsterkning på 10ganger (A=Vut/Vinn = 10). Kretsen skal ha en inngangsmotstand på 20kΩ
DetaljerForslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005
Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005 Oppgave 1 Figur 1 viser et nettverk tilkoplet basen på en bipolar transistor. (For 1a og 1b se læreboka side 199) 1 a ) Tegn opp Thevenin-ekvivalenten
DetaljerHalvlederkomponenter
Halvlederkomponenter Innledning og bakgrunn for kurset Forskningen og utviklingen som har foregått innen halvlederområdet etter 2. verdenskrig har lagt grunnen til dagens moderne samfunn. Raske og energieffektive
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer MOSFET I en n-kanals MOSFET (enhancement-type) lager man en n-type kanal mellom Source og Drain ved å lage et inversjonslag i et p-type substrat
DetaljerLysdetektorer. Kvantedetektor. Termisk detektor. Absorbsjon av fotoner: Kvanterespons Termisk respons. UV MIR Fotoeffekt (Einstein, Nobelpris 1921)
Lysdetektorer Rekombinerer varme Absorbsjon av fotoner: Kvanterespons Termisk respons Kvantedetektor UV MIR Fotoeffekt (Einstein, Nobelpris 1921) Termisk detektor MIR FIR 1 Fotoeffekt (kvantedetektorer)
DetaljerLØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN FY1013 ELEKTRISITET OG MAGNETISME II Fredag 8. desember 2006 kl 09:00 13:00
NOGES EKNISK- NAUVIENSKAPEIGE UNIVESIE INSIU FO FYSIKK Kontakt under eksamen: Per Erik Vullum lf: 93 45 7 ØSNINGSFOSAG I EKSAMEN FY3 EEKISIE OG MAGNEISME II Fredag 8. desember 6 kl 9: 3: Hjelpemidler:
DetaljerEnergibånd i faste stoffer. Et prosjekt i emnet FY1303 elektrisitet og magnetisme, skrevet av Tord Hompland og Sigbjørn Vindenes Egge.
Energibånd i faste stoffer. Et prosjekt i emnet FY1303 elektrisitet og magnetisme, skrevet av Tord Hompland og Sigbjørn Vindenes Egge. 1 Innholdsfortegnelse. Sammendrag...3 Innledning... 4 Hvorfor kvantemekanisk
DetaljerFYS 2150. ØVELSE 10 SPENNINGSFORSYNING
FYS 2150. ØVELSE 10 SPENNINGSFORSYNING Fysisk institutt, UiO Mål Alle former for elektriske og elektroniske apparater er utstyrt med en spenningskilde. Slike spenningskilder leverer enten vekselspenning
DetaljerHalvlederkomponenter
Halvlederkomponenter Innledning og bakgrunn for kurset Forskningen og utviklingen innen halvlederfysikk etter 2. verdenskrig har dannet grunnlaget for dagens moderne samfunn. Raske og energieffektive elektriske
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 2 Kapittel 3 ENERGY BANDS AND CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS Repetisjon: I faste materialer danner elektronene energibånd N st Si atoms Filled; 2N Unfilled;
DetaljerForelesning 8. CMOS teknologi
Forelesning 8 CMOS teknologi Hovedpunkter MOS transistoren Komplementær MOS (CMOS) CMOS eksempler - Inverter - NAND / NOR - Fulladder Designeksempler (Cadence) 2 Halvledere (semiconductors) 3 I vanlig
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Repetisjon
Fys2210 Halvlederkomponenter Repetisjon Pensum 1 CRYSTAL PROPERTIES AND GROWTH OF SEMICONDUCTORS 2 ATOMS AND ELECTRONS 3 ENERGY BANDS AND CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS 4 EXCESS CARRIERS IN SEMICONDUCTORS
DetaljerFysikk og Teknologi Elektronikk
Fysikk og Teknologi Elektronikk Torfinn Lindem Fysisk inst. UiO GOL 13. august 2008 Studieprogrammet Elektronikk og Datateknologi ELDAT 1 Den nye læreplanen i fysikk 14. Jan 06 Lindem august 2008 Fysikk
DetaljerSolceller og halvledere
Prosjekt i Elektrisitet og Magnetisme. Solceller og halvledere Kristian Rød Innlevering 23.april 2004-0 - Innholdsfortegnelse: 1. Sammendrag 2. Innledning 3. Solceller, generelt 4. Halvledere 4.1. Elementært
DetaljerForelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer. Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov
Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov Dagens temaer Organisering av kurset Læringsmål Bakgrunn Strøm, og motivasjon for kurs i analog elektronikk
DetaljerLøsningsforslag til EKSAMEN
Løsningsforslag til EKSAMEN Emnekode: ITD0 Emne: Fysikk og kjemi Dato: 6. Mai 06 Eksamenstid: kl.: 9:00 til kl.: 3:00 Hjelpemidler: 4 sider (A4) ( ark) med egne notater. Ikke-kommuniserende kalkulator.
DetaljerForelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer
Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer Dagens temaer Historisk overblikk Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Presentasjon 4. obligatoriske labøvelse Dagens temaer er
DetaljerFYS ØVELSE 10 SPENNINGSFORSYNING
FYS 2150. ØVELSE 10 SPENNINGSFORSYNING Fysisk institutt, UiO Mål Alle former for elektriske og elektroniske apparater er utstyrt med en spenningskilde. Slike spenningskilder leverer enten vekselspenning
DetaljerProsjekt i Elektrisitet og magnetisme (FY1303) Solceller. Kristian Hagen Torbjørn Lilleheier
Prosjekt i Elektrisitet og magnetisme (FY133) Solceller Av Kristian Hagen Torbjørn Lilleheier Innholdsfortegnelse Sammendrag...3 Innledning...4 Bakgrunnsteori...5 Halvledere...5 Dopede halvledere...7 Pn-overgang...9
DetaljerForslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2004
Oppgave Forslag til løsning på Eksamen FYS20 våren 2004 Figure Figur viser et enkelt nettverk bestående av 2 batterier ( V = 9volt og V2 = 2volt) og 3 motstander på kω. a) Hva er spenningen over motstanden
DetaljerForelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer
Forelesning nr.9 NF 1411 Elektroniske systemer Transistorer Dagens temaer Historisk overblikk Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Presentasjon 4. obligatoriske labøvelse Dagens temaer er
DetaljerBYGGING AV LIKESTRØMSKILDE OG TRANSISTORFORSTERKER
BYGGING AV LIKESTRØMSKILDE OG TRANSISTORFORSTERKER OPPGAVE 1. Lag en oppkobling av likespenningskilden skissert i Figur 1. 2. Mål utgangsspenningen som funksjon av ulike verdier på belastningsmotstanden.
DetaljerForelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov 16.01. INF 1411 1 Dagens temaer Organisering av kurset Læringsmål Bakgrunn og motivasjon for kurs i analog
DetaljerForelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer. Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov
Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov Dagens temaer Organisering av kurset Læringsmål Bakgrunn Strøm, og motivasjon for kurs i analog elektronikk
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO.
UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FY-IN 204 Eksamensdag : 18 juni 2002 Tid for eksamen : l.0900-1500 Oppgavesettet er på 5 sider. Vedlegg Tillatte hjelpemidler
DetaljerForelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Dagens temaer er hentet fra
DetaljerForelesning nr.2 INF 1411 Elektroniske systemer. Effekt, serielle kretser og Kirchhoffs spenningslov
Forelesning nr.2 INF 1411 Elektroniske systemer Effekt, serielle kretser og Kirchhoffs spenningslov Dagens temaer Sammenheng mellom strøm, spenning, energi og effekt Strøm og resistans i serielle kretser
DetaljerFYS1210. Robin A. T. Pedersen. May 15, Forord 6. 2 Acknowledgments 6
FYS1210 Robin A. T. Pedersen May 15, 2016 Contents 1 Forord 6 2 Acknowledgments 6 3 Uke 3 - Introduksjon 6 3.1 Elektrisitet.............................. 7 3.1.1 Ladning............................ 7 3.1.2
Detaljer59.1 Beskrivelse Bildet under viser hvordan modellen tar seg ut slik den står i utstillingen.
59 TERMOGENERATOREN (Rev 2.0, 08.04.99) 59.1 Beskrivelse Bildet under viser hvordan modellen tar seg ut slik den står i utstillingen. 59.2 Oppgaver Legg hånden din på den lille, kvite platen. Hva skjer?
DetaljerWORKSHOP BRUK AV SENSORTEKNOLOGI
WORKSHOP BRUK AV SENSORTEKNOLOGI SENSOROPPSETT 2. Mikrokontroller leser spenning i krets. 1. Sensor forandrer strøm/spenning I krets 3. Spenningsverdi oversettes til tallverdi 4. Forming av tallverdi for
DetaljerForelesning nr.1 IN 1080 Mekatronikk. Kursoversikt Ladning, strøm, spenning og resistans
Forelesning nr.1 IN 1080 Mekatronikk Kursoversikt Ladning, strøm, spenning og resistans Hva er mekatronikk? Mekatronikk : Tverrfaglig disiplin innen ingeniørfag som kombinerer mekanikk, elektronikk, datateknikk,
DetaljerKjemiske bindinger. Som holder stoffene sammen
Kjemiske bindinger Som holder stoffene sammen Bindingstyper Atomer Bindingene tegnes med Lewis strukturer som symboliserer valenselektronene Ionebinding Kovalent binding Polar kovalent binding Elektronegativitet,
DetaljerRF Power Capacitors Class kV Discs with Moisture Protection
RF Power Capacitors Class 0-20kV Discs with Moisture Protection T H E C E R A M I C E X P E R T S RF Power Capacitors Class 0-20kV Discs with Moisture Protection The CeramTec Group is a world leader in
DetaljerKROPPEN LEDER STRØM. Sett en finger på hvert av kontaktpunktene på modellen. Da får du et lydsignal.
KROPPEN LEDER STRØM Sett en finger på hvert av kontaktpunktene på modellen. Da får du et lydsignal. Hva forteller dette signalet? Gå flere sammen. Ta hverandre i hendene, og la de to ytterste personene
DetaljerElektronikk med prosjektoppgaver FYS vår 2010
Elektronikk med prosjektoppgaver FYS 1210 - vår 2010 Lindem 18 jan 2010 Viktig informasjon til alle studenter Husk: 1. februar er siste frist for - - betaling av semesteravgift - semesterregistrering -
DetaljerKondenserte fasers fysikk Modul 4
FYS3410 Kondenserte fasers fysikk Modul 4 Sindre Rannem Bilden 9. mai 2016 Oppgave 1 - Metaller og isolatorer Metaller er karakterisert med et delvis fyllt bånd kallt ledningsbåndet. I motsetning til metaller
DetaljerRF Power Capacitors Class , 20 & 30 mm Barrel Transmitting Types
RF Power Capacitors Class 2.7, 20 & 30 mm Barrel Transmitting Types T H E C E R A M I C E X P E R T S RF Power Capacitors Class 2.7, 20 & 30 mm Barrel Transmitting Types The CeramTec Group is a world leader
DetaljerElektriske kretser. Innledning
Laboratorieøvelse 3 Fys1000 Elektriske kretser Innledning I denne oppgaven skal du måle elektriske størrelser som strøm, spenning og resistans. Du vil få trening i å bruke de sentrale begrepene, samtidig
DetaljerRF Power Capacitors Class1. 5kV Discs
RF Power Capacitors Class 5kV Discs T H E C E R A M C E X P E R T S RF Power Capacitors Class 5kV Discs The CeramTec Group is a world leader in the design and manufacture of complex electronic ceramic
DetaljerLøsningsforslag til ukeoppgave 10
Oppgaver FYS1001 Vår 2018 1 Løsningsforslag til ukeoppgave 10 Oppgave 17.15 Tegn figur og bruk Kirchhoffs 1. lov for å finne strømmene. Vi begynner med I 3 : Mot forgreningspunktet kommer det to strømmer,
DetaljerAST1010 En kosmisk reise. De viktigste punktene i dag: Elektromagnetisk bølge 1/23/2017. Forelesning 4: Elektromagnetisk stråling
AST1010 En kosmisk reise Forelesning 4: Elektromagnetisk stråling De viktigste punktene i dag: Sorte legemer og sort stråling. Emisjons- og absorpsjonslinjer. Kirchhoffs lover. Synkrotronstråling Bohrs
DetaljerSolceller - Teori og praksis Solcellers virkningsgrad, effekt og elektriske egenskaper.
Universitetet i Oslo FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgave Solceller - Teori og praksis Solcellers virkningsgrad, effekt og elektriske egenskaper. Sindre Rannem Bilden 27. april 2016 Labdag: Tirsdag
DetaljerEksamen i TMT 4185 Materialteknologi Tirsdag 12. desember 2006 Tid:
Side 1 av 9 Løsningsforslag Eksamen i TMT 4185 Materialteknologi Tirsdag 12. desember 2006 Tid: 09 00-13 00 Oppgave 1 i) Utherdbare aluminiumslegeringer kan herdes ved utskillingsherding (eng.: age hardening
DetaljerNORGES TEKNISK-NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR MATERIALTEKNOLOGI LØSNINGSFORSLAG
NORGES TEKNISK-NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR MATERIALTEKNOLOGI Oppgave 1 LØSNINGSFORSLAG Eksamen i TMT 4185 Materialteknologi Fredag 18. desember 2009 Tid: 09 00-13 00 (a) (b) Karakteristiske
DetaljerForelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer 1 Dagens temaer Historisk overblikk Repetisjon halvledere Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Dagens temaer er hentet fra kapittel
DetaljerForelesning nr.2 INF 1411 Elektroniske systemer. Effekt, serielle kretser og Kirchhoffs spenningslov
Forelesning nr.2 INF 1411 Elektroniske systemer Effekt, serielle kretser og Kirchhoffs spenningslov Dagens temaer Sammenheng mellom strøm, spenning, energi og effekt Strøm og resistans i serielle kretser
DetaljerEKSAMEN I EMNE SIK5005 MATERIALTEKNOLOGI 2 MANDAG 5. MAI, LØSNINGSFORSLAG -
EKSAMEN I EMNE SIK5005 MATERIALTEKNOLOGI 2 MANDAG 5. MAI, 200 - LØSNINGSFORSLAG - Oppgave 1. a) Fast løsningsherding er beskrevet på side 256-257 i læreboken. Fig. 9.6 gir en skjematisk fremstilling av
DetaljerSolceller i forsvaret VIRKEMÅTE OG BRUKSOMRÅDER
Solceller i forsvaret VIRKEMÅTE OG BRUKSOMRÅDER Farstad, Torstein Otterlei Ingeniørfaglig innføring SKSK 10. juni 2015 Innhold Innledning... 1 Forståelse... 2 Bruksområder... 3 Operasjoner i Norge... 3
DetaljerForelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer
Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer Dagens temaer Historisk overblikk Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Presentasjon 4. obligatoriske labøvelse Dagens temaer er
DetaljerSitronelement. Materiell: Sitroner Galvaniserte spiker Blank kobbertråd. Press inn i sitronen en galvanisert spiker og en kobbertråd.
Materiell: Sitronelement Sitroner Galvaniserte spiker Blank kobbertråd Press inn i sitronen en galvanisert spiker og en kobbertråd. Nå har du laget et av elementene i et elektrisk batteri! Teori om elektriske
DetaljerForelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer 1 Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Feedback-oscillatorer Dagens
DetaljerRev. Lindem 25.feb..2014
ev. Lindem 25.feb..2014 Transistorforsterkere - oppsummering Spenningsforsterker klasse Med avkoplet emitter og uten Forsterkeren inverterer signalet faseskift 180 o Transistoren er aktiv i hele signalperioden
DetaljerProduksjonsartikkel Spenning (Volt) Strøm (Amper) Tilført energi Resultat
Strømmålinger dag a) Mål hvor stor spenning (V) og hvor mye strøm (A) som produseres med solcellepanelet til legosettet, solcellepanelet til hydrogenbilen og solcellepanelet til brennselcellesette. Før
Detaljer12 Halvlederteknologi
12 Halvlederteknologi Innhold 101 Innledende klasseaktivitet 102 Størrelsen på et bildepunkt E 103 Lysdioder EF 104 Temperatursensorer EF 105 Solpanel EF 201 i undersøker et solcellepanel 202 i kalibrerer
DetaljerLØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN FY1013 ELEKTRISITET OG MAGNETISME II Fredag 9. desember 2005 kl
NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK Kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN FY1013 ELEKTRISITET OG MAGNETISME II Fredag
Detaljerelementpartikler protoner(+) nøytroner elektroner(-)
All materie, alt stoff er bygd opp av: atomer elementpartikler protoner(+) nøytroner elektroner(-) ATOMMODELL (Niels Bohr, 1913) - Atomnummer = antall protoner i kjernen - antall elektroner e- = antall
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Repetisjon
Fys2210 Halvlederkomponenter Repetisjon FYS2210 Evaluering, H-17 Torsdag 13.12, kl 15:00,??? LENS møterom (Kristen Nygårds hus, 3. etg) Dialogmøte (etter slutteksamen); Alle undervisere Emnerapport (skjema):
DetaljerTransistorer. Dekkes delvis i boka Kap 19-21
ransistorer Dekkes delvis i boka Kap 19-21 eapunkter for de 3 neste ukene: eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare operasjonen til en J klasse A-forsterker Analysere
Detaljer