Transistorer en alternativ presentasjon. Temapunkter for de 3 neste ukene
|
|
- Bjarne Per Karlsen
- 8 år siden
- Visninger:
Transkript
1 ransistorer en alternativ presentasjon Dekkes delvis i boka Kap Linde 3. feb 2010 eapunkter for de 3 neste ukene eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare operasjonen til en J klasse A-forsterker Analysere klasse - o klasse A - forsterker Kort analyse av bryterkretser switchin circuits eskrive strukturene o operasjonen til felteffekt transistorene JF o MOSF 1
2 D operasjon til en ipolar Junction ransistor - J n J er byet opp av tre dopede reioner i et halvlederateriale separert ed to pn-overaner (pn junctions) Disse reionene kalles itter, ase o Kollektor Det er to typer J-transistorer avheni av saensetninen til de dopede orådene npn eller pnp 2
3 D operasjon til en ipolar Junction ransistor - J Det er to halvlederoveraner ( junctions ) - base - eitter junction o base - collector junction Uttrykket bipolar refererer se til at både elektroner o hull innår i ladninstransporten transistorstrukturen. Skal transistoren virke so forsterker å de to overanene ha rikti forspennin - ase - eitter () junction er forspent i lederetnin - ase - collector () junction er forspent i sperreretnin 3
4 D operasjon til en ipolar Junction ransistor - J itter ase Kollektor n p n ase-itter-dioden forspennes i sperreretnin. = + itter-ase-dioden forspennes i lederetnin = 0,7 volt - elektroner strøer fra itter inn i asen - asen er fysisk tynn pa. diffusjon strøer elektroner ot Kollektor. lektronene er inoritetsbærere i et p-dopet ateriale. are noen få elektroner vil rekobinere ed hull - o trekkes ut so en liten strø på base- ledninen. De aller fleste elektronene når depletion layer på rensen ot Kollektor. Pa. -feltet vil elektronene bli trukket over til kollektor, - hvor de fritt trekkes ot den positive batteripolen. 4
5 D operasjon til en ipolar Junction ransistor - J Under norale arbeidsforhold vil strøene o variere direkte so funksjon av = β Strøforsterkninen β vil være i oråde ransistoren har 3 operasjons - odi ase-itter Junction ollector-ase Junction Operatin Reion Reverse biased Forward biased Forward biased Reverse biased Reverse biased Forward biased utoff Active Saturation 5
6 D operasjon til en ipolar Junction ransistor - J UOFF ee diodene er koplet i sperreretnin = (forsyninsspennin) SAURAON ee diodene er koplet i lederetnin ~ 0,1-0,2 volt A ase Kollektor -dioden i sperreretnin itter ase dioden i lederetnin 6
7 D operasjon til en ipolar Junction ransistor - J Forholdet ello, o Kirchhoff : = + D- strøforsterknin β : = β 50 < β < 300 For A sinaler brukes ofte betenelsen h F på β Straks base-eitter-dioden beynner å lede vil strøen holde se nesten konstant selv o øker krafti. øker litt pa redusert tykkelse på baseoråde. Når øker øker tykkelsen på sperresjiktet ello basis o kollektor. Hvis sperresjiktet fyller hele basis opplever vi punch throuh jennosla. 7
8 Operasjon til en ipolar Junction ransistor - J transistorens aktive oråde vil kollektorstrøen endre se lite selv o øker krafti. Strøen bestees helt av base-eitter-dioden o strøen so trekkes ut på basen. ( laboppave # 3 ) slope 1 R Arbeidslinje - lastlinje La transistoren arbeide i sitt aktive oråde. el arbeidspunkt idt på lastlinja.(cc/2). Se på fiuren hvordan så strøendriner på basen ir store spenninsendriner over transistoren. ( ransistor trans resistans et uttrykk so forteller at koponenten kan betraktes so en variabel otstand.) 8
9 ipolar Junction ransistor J brukt so forsterker D - berenin på en enkel transistorforsterker : Du har itt en transistor ed kjent strøforsterknin β Du veler o Du berener R, o R Kondensatorene stopper D en slipper A - sinalet ijenno ksepel : i har en npn-transistor 546 ed strøforst. β = 100. i har et batteri på 9 volt ( = 9 v ) eler arbeidspunkt ved cc/2. Det betyr at å være 4,5 volt eler 1A so kollektorstrø. R R R 4, 5volt 4, 5 4, 5 k 3 1A 10 1 A 10A 100 9v 0, 7v 8, 3 volt 8, 3v 830 k 10A 9
10 Datablad for en ipolar Junction ransistor 546 Denne transistoren brukes på laben i FYS1210 β 10
11 n enkel J - transistor brukt so forsterker - teperaturprobleer Strøforsterkninen β vil endre se ed teperaturen. Det betyr at arbeidspunktet A vil flytte se lans last linjen ed teperaturen. A1 A2 var ierer ( ) Q A3 tep i vil ha en krets hvor strøen Q er est uli stabil uavheni av β itter otkoplin - (ne. feedback) ru ker Kirchhof lans basestrøveien 1) R R 0 o ser på eitterstrøen 2) kobinerer 1) o 2 ) Q Hvis R R R vil være uavheni av ( Q Q R ) R 11
12 n enkel J - transistor brukt so forsterker - teperaturprobleer 50 est stabiliserin ot teperaturdrift o variasjoner i β får vi ed en eitterotstand R o i tille låse fast spenninen på basen ed en spenninsdeler - R 1 o R 2 ) (Denne koplinen har fått navnet Universal bias) Skal vi jøre en kretsanalyse på denne kretsen å vi bruke hevenin se fi. under. Q H RH R and Q Q R R Hvis β varierer fra 50 til 100 vil Q bare endre se fra β = 50 Q = 1,46 A β = 100 Q = 1,56 A ndrin på 6,8% - når β dobles 12 Neste såsinalparaetere
13 n enkel J - transistor brukt so forsterker - Hvor stor blir forsterkninen? i ser på Såsinalodeller i har sett hvordan vi vha. en eitterotstand kan stabilisere forsterkerens arbeidspunkt - Alle betraktniner så lant er jort ed en D odell av forsterkeren. ( n statisk bereninsodell ) - Men hvordan virker forsterkeren for så sinaler? i erstatter det vanlie transistorsybolet ed en såsinalodell o sinalstrøer o spenniner anis ed så bokstaver Mello ase o itter ser sinalet en dynaisk otstand r π (-dioden) ello itter o ollector finner vi en strøenerator so leverer sinalstrøen i. Denne strøen bestees av transistorens transkonduktans r π o kalles såsinalparaetere 13
14 Såsinalparaetere : o r π ranskonduktans - steilhet ( benevnin Sieens ) S e itterstrøen hvor ( diodelikninen) D o e 25 S D 1 Δ Steilhet Δ Steilheten er itt av tanenten til kurven for. Deriverer hp. d( d ) S e 1 1 ksepel : Forsterkeren settes opp ed = 2 A - so ir 2 A 80S 25 14
15 Såsinalparaetere : o r π Dynaisk innansotstand r π r en liten endrin i ir stor endrin i Δ S e 1) 2) Δ Forholdet ello Δ o Δ kalles den dynaiske innansresistansen r π Kobinerer liknin 1) o 2) r 15
16 ransistorforsterker i berener spenninsforsterkninen A Steilhet 1) 2) R R R Setter inn 1) i 2) so ir A Output nput Forsterninen A R R ( ohs lov) er definert so R Gitt =10volt Setter = 5volt i besteer at = 2A A R erener R 5v 2A R 2,5 k 80S 2A 25 Forsterkninen A 80 S 2,5 k
Transistorer. Dekkes delvis i boka Kap 19-21
ransistorer Dekkes delvis i boka Kap 19-21 eapunkter for de 3 neste ukene: eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare operasjonen til en J klasse A-forsterker Analysere
DetaljerDekkes delvis i boka Kap 19-21
ransistorer en alternativ presentasjon Dekkes delvis i boka Kap 19-21 Linde 25.feb. 2008 eapunkter eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare operasjonen til en J
DetaljerKapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger. Likeretter (Rectifier) omforme AC til DC
Revidert versjon 1. feb. 2012 T.Lindem Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger Likeretter (Rectifier) omforme A til D Rectifier (Likeretter) en diodekrets som omformer en A til pulserende D Filter en
DetaljerMot 6: Støy i felteffekttransistorer
/ Mot 6: Støy i felteffekttransistorer To typer av felteffekttransistorer: MOSFET: Kapasitiv kontroll av kanal JFET: Variasjon av bredden på en reversforspent diode hvor deplesjonssonen besteer bredden
DetaljerFYS1210. Repetisjon 2 11/05/2015. Bipolar Junction Transistor (BJT)
FYS1210 Repetisjon 2 11/05/2015 Bipolar Junction Transistor (BJT) Sentralt: Forsterkning Forsterkning er et forhold mellom inngang og utgang. 1. Spenningsforsterkning: 2. Strømforsterkning: 3. Effektforsterkning
DetaljerForelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Dagens temaer er hentet fra
DetaljerForelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer 1 Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Feedback-oscillatorer Dagens
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer Forelesning 10
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer Forelesning 10 Repetisjon: V T i virkeligheten Forskjell Φ m Φ s 0 Q i defekter/urenheter i oksidet og interface states Figure 6.20 Influence
DetaljerTRANSISTORER Transistor forsterker
Kurs: FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgaver Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORAORIEØVELSE NR 4 Omhandler: RANSISORER ransistor forsterker Revidert utgave, desember 2014 (. Lindem, M.Elvegård, K.Ø. Spildrejorde)
DetaljerRev. Lindem 25.feb..2014
ev. Lindem 25.feb..2014 Transistorforsterkere - oppsummering Spenningsforsterker klasse Med avkoplet emitter og uten Forsterkeren inverterer signalet faseskift 180 o Transistoren er aktiv i hele signalperioden
DetaljerTRANSISTORER Transistor forsterker
Kurs: FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgaver Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORAORIEØELSE NR 4 Omhandler: RANSISORER ransistor forsterker 27. februar 2012. Lindem Utført dato: Utført av: Navn: email:
DetaljerFYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017
FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017 Oppgave 1 1 a. Doping er en prosess hvor vi forurenser rent (intrinsic) halvleder material ved å tilsette trivalente (grunnstoff med 3 elektroner i valensbåndet) og
DetaljerTransistorforsterker
Oppsummering Spenningsforsterker klasse Med avkoplet emitter og uten Forsterkeren inverterer signalet faseskift 180o Transistoren er aktiv i hele signalperioden i b B i c C g m I V C T i c v i r π B1 B2
DetaljerOppsummering. BJT - forsterkere og operasjonsforsterkere
Oppsummering BJT - forsterkere og operasjonsforsterkere OP-AMP vs BJT Fordeler og ulemper Vi har sett på to ulike måter å forsterke opp et signal, ved hjelp av transistor forsterkere og operasjonsforsterkere,
DetaljerForelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer 1 Dagens temaer Historisk overblikk Repetisjon halvledere Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Dagens temaer er hentet fra kapittel
DetaljerForelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer
Forelesning nr.9 NF 1411 Elektroniske systemer Transistorer Dagens temaer Historisk overblikk Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Presentasjon 4. obligatoriske labøvelse Dagens temaer er
DetaljerForelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer
Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer Dagens temaer Historisk overblikk Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Presentasjon 4. obligatoriske labøvelse Dagens temaer er
DetaljerForelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer
Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer Dagens temaer Historisk overblikk Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Presentasjon 4. obligatoriske labøvelse Dagens temaer er
Detaljerg m = I C / V T = 60 ms r π = β / g m = 3k3
Forslag til løsning eksamen FYS20 vår 20 Oppgave Figure viser en enkel transistorforsterker med en NPN-transistor BC546A. Transistoren har en oppgitt strømforsterkning β = 200. Kondensatoren C har verdien
Detaljerg m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 3k3 )
Forslag til løsning på eksamensoppgavene i FYS1210 våren 2011 Oppgave 1 Figure 1 viser en enkel transistorforsterker med en NPN-transistor BC546A. Transistoren har en oppgitt strømforsterkning β = 200.
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO.
UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Eksamensdag : 1. juni 2011 Tid for eksamen : 09:00 (3 timer) Oppgavesettet er
DetaljerForelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer MOSFET Strømforsyning
Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer MOSFET Strømforsyning Dagens temaer Radiorør Transistorer Moores lov Bipolare transistorer Felteffekttransistorer Digitale kretser: AND, OR
DetaljerForslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2004
Oppgave Forslag til løsning på Eksamen FYS20 våren 2004 Figure Figur viser et enkelt nettverk bestående av 2 batterier ( V = 9volt og V2 = 2volt) og 3 motstander på kω. a) Hva er spenningen over motstanden
DetaljerTransistorkretser Laboratorieeksperimenter realfagseminar Sjøkrigsskolen 15. November 2010
Transistorkretser Laboratorieeksperimenter realfagseminar Sjøkrigsskolen 15. November 2010 1. Referanser http://wild-bohemian.com/electronics/flasher.html http://www.creative-science.org.uk/transistor.html
DetaljerForslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2008
Oppgave 1 Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2008 1a) Hvor stor er strømmen gjennom? 12 ma 1b) Hvor stor er strømmen gjennom? 6 ma 1c) Hva er spenningen i punktene AA og BB målt i forhold til
DetaljerIntroduksjon til oppgave 1: Transistorkarakteristikken til BC-547
LAB 5: Transistorer Mål Registrere transistorkarakteristikker, fortsette treningen i bruk av kretssimulator og måle på en forsterker. Om oppgavene Oppgave 1 Måle kollektorstrømmen I C som funksjon av spenningen
DetaljerFigur 1 viser et nettverk med et batteri på 18 volt, 2 silisiumdioder og 4 motstander.
Forslag til løsning på eksamen i FYS 20 våren 2006 (rev 4) Oppgave. Figur Figur viser et nettverk med et batteri på 8 volt, 2 silisiumdioder og 4 motstander. a) Hva er spenningen i punktene AA og BB målt
DetaljerElevverksted Elektronikk Bruk av transistor som bryter
Skolelaboratoriet for matematikk, naturfag og teknologi Elevverksted Elektronikk Bruk av transistor som bryter Bakgrunnskunnskap: - Å kunne beregne strøm, spenning og resistans i elektriske kretser. Dvs.
DetaljerForslag til løsning på eksamen i FY Forslag til løsning på eksamen i F -IN 204 og FY108 våren 2003.
Forslag til løsning på eksamen i FY-IN 20 og FY108 våren 200. Oppgave 1 a) 20 db forsterkning er det samme som en forsterkning på 10ganger (A=Vut/Vinn = 10). Kretsen skal ha en inngangsmotstand på 20kΩ
DetaljerForslag til løsning på eksamen FYS1210 våren Oppgave 1
Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 201 Oppgave 1 Nettverksanalyse. Legg spesielt merke til diodenes plassering. Figur 1 viser et nettverk bestående av en NPN silisium transistor Q1 ( β = 200
DetaljerFigur 1. 1e) Uten tilkopling på inngangene A og B - Hva er spenningen på katoden til dioden D1? 1,4 volt
Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 2013 Oppgave 1 Nettverksanalyse. Legg spesielt merke til diodenes plassering. Figur 1 viser et nettverk bestående av en NPN silisium transistor Q1 ( β = 200
DetaljerForslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 2010
Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 2010 Oppgave 1 n seriekopling av solceller forsyner ubest med elektrisk energi. Ubelastet måler vi en spenning på 5 volt over solcellene (Vi måler mellom og
DetaljerForslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005
Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005 Oppgave 1 Figur 1 viser et nettverk tilkoplet basen på en bipolar transistor. (For 1a og 1b se læreboka side 199) 1 a ) Tegn opp Thevenin-ekvivalenten
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer 1 Repetisjon Kap. 5 Kontaktpotensial V 0 = kt q ln Deplesjonssone W = Diodeligningen N an d n i 2 2ε(V 0 V) N a + N d q N a N d I = I o e
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO.
UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FY-IN 204 Eksamensdag : 2 september 1998 (utsatt grunnet streik V-98) Tid for eksamen : l.0900-1500 Oppgavesettet er på
Detaljerg m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 2k5 )
Forslag til løsning på eksamensoppgavene i FYS0 vår 0 8.6 Oppgave Figure viser en enkel transistorforsterker med en NPNtransistor N Transistoren har en oppgitt strømforsterkning β = 50. Kondensatoren C
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer 1 Pensum 1 CRYSTAL PROPERTIES AND GROWTH OF SEMICONDUCTORS 2 ATOMS AND ELECTRONS 3 ENERGY BANDS AND CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS 4 EXCESS
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger Repetisjon: Vp E Cp E Fp E Vp Particle flow Equilibrium (V = 0) Current Forward bias (V = V f ) E E E Vn (V 0 -V f ) V 0 W = qv 0 (1)
DetaljerFYS Forslag til løsning på eksamen våren 2014
FYS1210 - Forslag til løsning på eksamen våren 2014 Oppgave 1 Figure 1. viser en forsterker sammensatt av 2 operasjonsforsterkere. Operasjonsforsterkeren 741 har et Gain Band Width produkt GBW = 1MHz.
DetaljerFYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2018
FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2018 Morgan Kjølerbakken Oppgave 1 Kondensatorer og filtre (totalt 5 poeng) 1 a. Beskrivelse av hvordan kondensatoren lades opp er gitt av differensial likningen V = 1
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO
UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet Eksamen i : FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Eksamensdag : Tirsdag 7. juni 2016 Tid for eksamen : 09:00 12:00 (3 timer) Oppgavesettet
DetaljerMeir om halvleiarar. Halvleiarteknologi
Meir om halvleiarar. Halvleiarteknologi YF 42.6, 42.7 (Halvleiarar vart introduserte i fila Energiband i krystallar, som denne fila er eit framhald av.) Hol Leiingsband Valensband E g Eksitasjon av eit
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer Repetisjon Kap. 5 Kontaktpotensial V 0 = kt q ln Deplesjonssone W = Diodeligningen N an d n i 2 2ε(V 0 V) N a + N d q N a N d I = I o e qv/kt
DetaljerFYS 2150: ØVELSE 6 TRANSISTORER OG SPENNINGSFORSTERKER
FYS 2150: Øvelse 6 Transistorer og spenningsforsterker 1 FYS 2150: ØVELSE 6 TRANSISTORER OG SPENNINGSFORSTERKER Fysisk institutt, Universitetet i Oslo Mål. Etter denne øvelsen skal du vite hvordan en transistor
DetaljerFor å forstå hvordan halvledere fungerer, er det viktig først å ha forstått hva som gjør at noen stoffer leder strøm, mens andre ikke gjør det.
Kompendium Halvledere Stoffer som leder elektrisk strøm kalles ledere. Stoffer som ikke leder elektrisk strøm kalles isolatorer. Hva er da en halvleder? Litt av svaret ligger i navnet, en halvleder er
DetaljerFasit til Eksamen FY-IN 204 våren (avholdt høsten) 1998.
Fasit til ksamen FY-IN 4 åren (aholdt høsten) 1998. Oppgae 1 a) a. V 1,7 olt (asis - emitter spenningen (V ) til en Si-transistor som leder,7olt) b. V,5 -,7 1,8 olt c. Spenningen oer to stk A1,7 * 1,4
DetaljerBatteri. Lampe. Strømbryter. Magnetbryter. Motstand. Potensiometer. Fotomotstand. Kondensator. Lysdiode. Transistor NPN. Motor. Mikrofon.
Batteri Lampe Strømbryter Magnetbryter Motstand Potensiometer Fotomotstand Kondensator Lysdiode Transistor NPN Motor Mikrofon Høytaler Ampèremeter 1 1. Sett sammen kretsen. Pass på at motorens pluss og
DetaljerOppsummering FYS 1210
Oppsummering FYS 1210 Hjelpemidler til eksamen Lærebok Electronics Technology Fundamentals Robert Paynter & B.J.Toby Boydell 2 Kretsteknikk Ohms lov eller (Ohm) Kirchhoff s lov om strømmer Summen av strømmene
DetaljerElectronics Technology Fundamentals
Electronics Technology Fundamentals Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon jan 2007 T.Lindem 1 17.1 Semiconductors P1 Halvledere Semiconductors Atomer som har 4 valenselektroner
DetaljerOppsummering FYS
Oppsummering FYS 1210 2017 Hjelpemidler til eksamen I år vil det ikke være mulig å bruke læreboken. Nødvendig formler blir lagt ved oppgavesettet. Du finner en foreløpig utgave av formelarket på hjemmesiden
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 5 Kapittel 5 - Overganger
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 5 Kapittel 5 - Overganger 1 Lab-tider Forslag til lab-tider vil bli lagt ut Ideelt sett 4 per gruppe Skriv dere på et tidspunkt som passer Øvingstime neste torsdag
DetaljerFysikk og Teknologi Elektronikk
Fysikk og Teknologi Elektronikk Torfinn Lindem Fysisk inst. UiO GOL 13. august 2008 Studieprogrammet Elektronikk og Datateknologi ELDAT 1 Den nye læreplanen i fysikk 14. Jan 06 Lindem august 2008 Fysikk
DetaljerFYS1210. Robin A. T. Pedersen. May 15, Forord 6. 2 Acknowledgments 6
FYS1210 Robin A. T. Pedersen May 15, 2016 Contents 1 Forord 6 2 Acknowledgments 6 3 Uke 3 - Introduksjon 6 3.1 Elektrisitet.............................. 7 3.1.1 Ladning............................ 7 3.1.2
DetaljerLøsningsforslag Elektronikk 1 (LO342E) høst 2006 eksamen 1. desember, 3timer
Løsningsforslag Elektronikk 1 (LO342E) høst 2006 eksamen 1. desember, 3timer (Bare kalkulator og tabell tillatt.) Oppgave 1 Vi regner med n = 1,3 i EbersMoll likninga, U BEQ = 0,7V, og strømforsterkning
DetaljerTransistor brukt som forsterker
anssto ukt so fosteke se på Såsnalodelle ha sett hodan ha. en etteotstand kan stalsee fostekeens aedspunkt - lle etaktnne så lant e jot ed en D odell a fostekeen. n statsk eennsodell Men hodan ke fostekeen
DetaljerR = I V. g = Transistorforsterkere - oppsummering
Transstorforsterkere - oppsummerng Spennngsforsterker klasse Med avkoplet emtter og uten Forsterkeren nverterer sgnalet faseskft 180 o Transstoren er aktv hele sgnalperoden g m I T v g m ev. v g m ( )
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO.
UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Eksamensdag : 6. juni 2012 Tid for eksamen : 09:00 (3 timer) Oppgavesettet er
DetaljerHØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi
HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi Kandidatnr: Eksamensdato: 14.12.2010 Varighet/eksamenstid: Emnekode: 4 timer EDT210T-A Emnenavn: Elektronikk 1 Klasse(r): 2EL Studiepoeng: 7,5 Faglærer(e):
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO
UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i: INF1411 Elektroniske systemer Eksamensdag: 4. juni 2012 Tid for eksamen: 14:30 18:30 Oppgavesettet er på 5 sider Vedlegg: Ingen
DetaljerLysdetektorer. Kvantedetektor. Termisk detektor. Absorbsjon av fotoner: Kvanterespons Termisk respons. UV MIR Fotoeffekt (Einstein, Nobelpris 1921)
Lysdetektorer Rekombinerer varme Absorbsjon av fotoner: Kvanterespons Termisk respons Kvantedetektor UV MIR Fotoeffekt (Einstein, Nobelpris 1921) Termisk detektor MIR FIR 1 Fotoeffekt (kvantedetektorer)
DetaljerCarsten Andersen & Karsten Rislå. Fordypning i. Systemforståelse, elektriske målinger og oppgaver. Basisforlaget
Carsten Andersen & Karsten Rislå Fordypning i BOOST ER Systemforståelse, elektriske målinger og oppgaver Basisforlaget Carsten Andersen Karsten Rislå Basisforlaget Kronprinsensgt. 6 4608 Kristiansand Tlf.
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO.
UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : Eksamens dag : Tid for eksamen : Oppgavesettet er på 6 sider Vedlegg : Tillatte hjelpemidler : FYS1210-Elektronikk med prosjektoppgaver
DetaljerLøsningsforslag til EKSAMEN
Løsninsorsla til EKSAMEN Emnekode: ITD0 Emne: Fysikk o kjemi Dato: 9. April 05 Eksamenstid: kl.: 9:00 til kl.: 3:00 Hjelpemidler: 4 sider (A4) ( ark) med ene notater. Ikke-kommuniserende kalkulator. Gruppebesvarelse,
DetaljerPrøveeksamen 1. Elektronikk 8.feb. 2010. Løsningsforslag
Prøveeksamen 1 Elektronikk 8.feb. 2010 Løsningsforslag OPPGAVE 1 a) I koplingen til venstre ovenfor er u I et sinusformet signal med moderat frekvens og effektivverdi på 6,3V. Kretsen er en negativ toppverdikrets,
DetaljerELEKTRONIKK 2 DAK-ØVING 6 Endre i transistormodell, DCsvip, AC-svip, impedans 2004
ELEKTRONIKK 2 DAK-ØVING 6 Endre i transistormodell, DCsvip, AC-svip, impedans 2004 Vi skal i denne oppgaven forsøke å simulere et enkelt forsterkertrinn med bipolar transistor. Vi har imidlertid ikke modell
DetaljerKapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2008 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow
DetaljerVEILEDNING TIL LABORATORIEØVELSE NR 2
VEILEDNING TIL LABORATORIEØVELSE NR 2 «TRANSISTORER» FY-IN 204 Revidert utgave 2000-03-01 Veiledning FY-IN 204 : Oppgave 2 1 2. Transistoren Litteratur: Millman, Kap. 3 og Kap. 10 Oppgave: A. TRANSISTORKARAKTERISTIKKER:
DetaljerINF1411 Oblig nr. 4 - Veiledning
INF1411 Oblig nr. 4 - Veiledning Informasjon I denne oppgaven skal vi, foruten vanlige motstander og kondensatorer, benytte oss av en elektrolyttkondensator, 3 typer dioder (LED, Zener og Likeretter) og
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO
UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet Eksamen i : FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Eksamensdag : Tirsdag 2. juni 2015 Tid for eksamen : 09:00 12:00 (3 timer) Oppgavesettet
DetaljerINF1411 Oblig nr. 4 Vår 2011
INF1411 Oblig nr. 4 Vår 2011 Informasjon og orientering Alle obligatoriske oppgaver ved IFI skal følge instituttets reglement for slike oppgaver. Det forutsettes at du gjør deg kjent med innholdet i reglementet
DetaljerKapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2009 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow
DetaljerForslag B til løsning på eksamen FYS august 2004
Forslag B til løsning på eksamen FYS20 3 august 2004 Oppgave (Sweeper frekvensområdet 00Hz til 0MHz Figur viser et båndpassfilter. Motstandene R og R2 har verdi 2kΩ. Kondensatorene C = 00nF og C2 = 0.nF.
DetaljerNorsk Fysikklærerforening Norsk Fysisk Selskaps faggruppe for undervisning
Nork Fikklærerforenin Nork Fik Selkap faruppe for underinin FYSIKK-OLYMPIADEN 4 5 Andre runde: 3/ 5 Skri øert: Nan, fødeldato, hjeeadree o eentuell e-potadree, kolen nan o adree. Varihet: 3 klokketier
DetaljerInnledning. Forarbeid. Fasit til elevenes forarbeid Oppgavene finnes på eget elevark på hjemmesiden vår. Hva kan motstanden En vannkran på et vannrør
Til lærer, informasjon om for- og etterarbeid Elektronisk løgndetektor VGS Innledning Her finner du: Forarbeid til elevene o Fasit til elevenes forarbeid o Bakgrunnsstoff til powerpoint-presentasjonen
DetaljerForslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2009
Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2009 Oppgave 1 Figure 1 viser DC forspenning av en BJT-transistor - 2N2222. Denne transistoren har en strømforsterkning β = 200. R1 = 62 kω, R2 = 9 kω, R3=1
DetaljerHØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG INGRID KVAKLAND AVD. FOR TEKNOLOGI INSTITUTT FOR ELEKTRO OG DATATEKNIKK 7005 TRONDHEIM
HØGSOLN SØ-TØNDLAG NGD VALAND AVD. FO TNOLOG NSTTTT FO LTO OG DATATN 7005 TONDHM lektronikk Løsningsforslag øving7 Oppgave 1 a) etingelsen for at en transistor er forspent i det aktive området er at pn-overgangen
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO.
UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FY-IN 204 / FY108 Eksamensdag : 16 juni 2003 Tid for eksamen : Kl.0900-1500 Oppgavesettet er på 5 sider. Vedlegg : Logaritmepapir
DetaljerTRANSISTORER. Navn: Navn: Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall. Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2.
Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2 Omhandler: TRANSISTORER Revidert utgave 23.02.2001 Utført dato: Utført av: Navn: email:
DetaljerHALVLEDER-DIODER Karakteristikker Målinger og simuleringer
Kurs: FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgaver Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 3 Omhandler: HALVLEDER-DIODER Karakteristikker Målinger og simuleringer Revidert utgave, desember 2014 (T.
DetaljerFasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1
Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren 2012 Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) Oppgave 1a) (vekt 5 %) Hva er strømmen i og spenningen V out i krets A) i Figur 1? Svar
DetaljerLøsningsforslag til eksamen FY108 høsten 2003
Løsningsforslag til eksamen FY08 høsten 003 Figur viser et båndpassfilter. Motstandene R og R har verdi kω. Kondensatorene C = µf og C = 0,nF. Signalkilden leverer et AC-signal med spissverdi (peakvalue)
DetaljerHØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi
HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi Kandidatnr: Eksamensdato: 13.12.2011 Varighet/eksamenstid: Emnekode: Emnenavn: Klasse(r): 4 timer EDT210T-A Grunnleggende elektronikk 2EL Studiepoeng: 7,5
DetaljerEnergiband i krystallar. Halvleiarar (intrinsikke og ekstrinsikke) Litt om halvleiarteknologi
Energiband i krystallar Halvleiarar (intrinsikke og ekstrinsikke) Litt om halvleiarteknologi Energibandstrukturen til eit material avgjer om det er ein leiar (metall), halvleiar, eller isolator Energiband
DetaljerTRANSISTORER. Navn: Navn: Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall. Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2.
Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2 Omhandler: TRANSISTORER Revidert utgave 23.02.2001, 20.02.2003 av HBalk Utført dato: Utført
DetaljerLØSNINGSFORSLAG EKSAMEN TEP 4120 TERMODYNAMIKK 1 Lørdag 5. desember 2009 Tid: kl. 09:00-13:00
Side av NORGES TEKNISK-NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET (NTNU) - TRONDHEIM INSTITUTT FOR ENERGI OG PROSESSTEKNIKK LØSNINGSFORSLAG EKSAMEN TEP 0 TERMODYNAMIKK Lørda. desember 009 Tid: kl. 09:00 - :00 OPPGAVE
DetaljerForsvarets ingeniørhøgskole. Jørstadmoen LABORATORIERAPPORT. Oppgave: 163 Transistorens karakteristikk. Forspenningsnettverk. INGP400 Elektronikk
Forsvarets ingeniørhøgskole Jørstadmoen LABORATORIERAPPORT Oppgave: 163 Transistorens karakteristikk. Forspenningsnettverk INGP400 Elektronikk av Labatoriegruppe: Forsøk utført: Rapport levert: Andreas
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Repetisjon
Fys2210 Halvlederkomponenter Repetisjon Pensum 1 CRYSTAL PROPERTIES AND GROWTH OF SEMICONDUCTORS 2 ATOMS AND ELECTRONS 3 ENERGY BANDS AND CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS 4 EXCESS CARRIERS IN SEMICONDUCTORS
DetaljerNorsk Fysikklærerforening Norsk Fysisk Selskaps faggruppe for undervisning
Norsk Fysikklærerforening Norsk Fysisk Selskaps faggruppe for unervisning FYSIKK-KONKURRANSE 00 00 Anre rune: 7/ 00 Skriv øverst: Navn, føselsato, hjeearesse og eventuell e-postaresse, skolens navn og
DetaljerBYGGING AV LIKESTRØMSKILDE OG TRANSISTORFORSTERKER
BYGGING AV LIKESTRØMSKILDE OG TRANSISTORFORSTERKER OPPGAVE 1. Lag en oppkobling av likespenningskilden skissert i Figur 1. 2. Mål utgangsspenningen som funksjon av ulike verdier på belastningsmotstanden.
DetaljerHalvledere. Vg1 Vg3 Antall elever: Maksimum 15 Varighet: 90 minutter. Passer for:
Halvledere Lærerveiledning Passer for: Vg1 Vg3 Antall elever: Maksimum 15 Varighet: 90 minutter Halvledere er et skoleprogram hvor elevene får en innføring i halvlederelektronikk. Elevene får bygge en
DetaljerDiodekart: Opplegg av: Tormod Ludvigsen, Kjeldås Skole 2008. www.kjeldas.skole.no
Diodekart: Opplegg av: Tormod Ludvigsen, Kjeldås Skole 2008 www.kjeldas.skole.no Steg for steg hva du bør gjøre for å lage et diodekart: 1. Lag en tegning som du skal bruke, og finn en plastplate. 2. Stek
Detaljer12 Halvlederteknologi
12 Halvlederteknologi Innhold 101 Innledende klasseaktivitet 102 Størrelsen på et bildepunkt E 103 Lysdioder EF 104 Temperatursensorer EF 105 Solpanel EF 201 i undersøker et solcellepanel 202 i kalibrerer
DetaljerELEKTRONIKK 2 DAK-ØVING 5 Skjemategning, endre komponentmodell, forvrengning, temperatursvip, Monte Carlo simulering
ELEKTRONIKK 2 DAK-ØVING 5 Skjemategning, endre komponentmodell, forvrengning, temperatursvip, Monte Carlo simulering 2004 Oppgave 1 Vi ønsker å bruke de europeiske komplementære bipolare effekttransistorene
DetaljerHydraulisk system. Tanken har rette vegger. Vannspeilarealet A[m 2 ] er da konstant og uavhengig nivået x[m]. Generell balanseligning:
Hyraulik yte. / / Tanken har rette eer. Vanneilarealet er a kontant o uaheni niået. Generell balanelinin: kkuulert olu r tienhet i tank Inntrønin Uttrønin t V V t t V t Syte 0: t t t 0 0 Niåenrin: Tranferfunkjon:
DetaljerForelesning nr.2 INF 1411 Elektroniske systemer. Effekt, serielle kretser og Kirchhoffs spenningslov
Forelesning nr.2 INF 1411 Elektroniske systemer Effekt, serielle kretser og Kirchhoffs spenningslov Dagens temaer Sammenheng mellom strøm, spenning, energi og effekt Strøm og resistans i serielle kretser
DetaljerEKSAMEN. Emne: Fysikk og datateknikk
EKSAMEN Emnekode: ITD006 Emne: Fysikk og datateknikk Dato: 04. Mai 20 Eksamenstid: kl 9:00 til kl 3:00 Hjelpemidler: 4 sider (A4) (2 ark) med egne notater. Ikke-kummuniserende kalkulator. Gruppebesvarelse,
DetaljerFasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1
Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren 2012 Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) Oppgave 1a) (vekt 5 %) Hva er strømmen i og spenningen V out i krets A) i Figur 1? Svar
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer 1 Eksamensdatoer: 11. OG 12. DESEMBER Repetisjon Felteffekttransistoren 3 forskjellige typer: - Junction FET - MESFET - MOSFET JFET MESFET
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO
UNIVERSITETET I OSLO Side 1 Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i: INF1411 Eksamensdag: mandag 3.juni 2013 Tid for eksamen: 14.30-18.30 Oppgavesettet er på 6 sider Vedlegg: Ingen Tillatte
Detaljer