Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
|
|
- Selma Corneliussen
- 6 år siden
- Visninger:
Transkript
1 Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer
2 Repetisjon Kap. 5 Kontaktpotensial V 0 = kt q ln Deplesjonssone W = Diodeligningen N an d n i 2 2ε(V 0 V) N a + N d q N a N d I = I o e qv/kt 1 I 0 = qa D p L p p n + D n L n n p
3 Repetisjon Kap. 5 Gjennombrudd: 1. Zenereffekt (ved lave reversspenninger, hardt dopede overganger tunnelering 2. Avalanche / skred (ved høye reversspenninger, lavt dopede overganger ionisering multiplikasjonseffekt! Begrenset forspenning over en diode: maksimalt V 0 Den ideelle diodeligningen antar lavnivåinjeksjon Idealitetsfaktoren, n, ble introdusert for å ta høyde for avvik fra den ideelle dioden Metall-halvlederoverganger Schottkykontakter når Φ m > og n-type Φ m < og p-type ellers Ohmske Schottkykontakter er majoritetsladningbærer komponenter
4 Pensum 1 CRYSTAL PROPERTIES AND GROWTH OF SEMICONDUCTORS 2 ATOMS AND ELECTRONS 3 ENERGY BANDS AND CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS 4 EXCESS CARRIERS IN SEMICONDUCTORS 5 JUNCTIONS Midttermineksamen Forventes kjent / Orienteringsstoff Viktige elektriske og optiske egenskaper Byggesteinen; pn-dioden 6 FIELD-EFFECT TRANSISTORS 7 BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS 8 OPTOELECTRONIC DEVICES Komponenter Lab
5 Kap. 6 - Felt-Effekt Transistorer Komponent med 3 terminaler, hvor strømmen mellom to av dem ( source og drain ) styres av en tredje (kalt gate ) 3 vanlige typer FET s Junction FET Bruker deplesjonssonen til en reversspent pn diode MESFET Bruker en reversspent Schottky barriere kontakt MISFET/MOSFET Bruker et isolerende lag mellom gatekontakt (metall) og halvleder Felteffekttransistorene er en majoritetsbærerkomponent (kun en ladningstype) og kalles derfor unipolar 2 hovedanvendelser: forsterkning og switching (bryter)
6 Transistorer Felt-effekt transistoren var først patentert av Lilienfeld in 1925, men ingenting lagd/publisert. PNP punktkontakt transistor demonstrert av Brattain and Moore 23. des Første MOSFET transistor lagd in 1959/1960 (Kahng og Atalla), som senere ble den viktigste komponenten innen VLSI (very large scale integrated circuit). Årsakene var bl.a. 1. Symmetisk mhp source og drain 2. Uniploar 3. Høy inngangsimpedans (> Ω i dc) 4. Spenningsstyrt 5. Lett å isolere Første IC ble lagd in 1971 med 2300 MOS-transistorer I dag > 10 9 komponenter/chip
7 PPrinsipp for transistor Solid State Electronic Devices, 7e, Global Edition Ben G. Streetman Sanjay Kumar Banerjee Copyright Pearson Education Limited All rights reserved.
8 PPrinsipp for transistor i D = (15 V)/(1000 Ω) =15 ma load line i D = (0 V)/(1000 Ω) = 0 Solid State Electronic Devices, 7e, Global Edition Ben G. Streetman Sanjay Kumar Banerjee Copyright Pearson Education Limited All rights reserved.
9 Felt-Effekt Transistorer Junction FET Brukt bl.a. som bryter, High input impedance-, low noise-, differential- forsterkere MESFET Rask, opp til 45GHz, mikrobølgefrekvenser, kommunikasjon, radar MOSFET Byggestenen i det meste av integrert kretsteknologi CMOS (n-mos og p-mos sammen) Mikroprosessorer og minnekomponenter
10 JFET (Junction Field Effect Transistor) Junction Field Effect Transistor (JFET); høy inngangsimpedans (reversspent overgang) egnet som switch. Deplesjonssonen, som reguleres via gatespenningen, styrer ledningskanalens effektive tverrsnittsareal Partikkelflyt S D (alltid!) I den lavt dopede kanalen ligger S og D på ulike potensial og for lave strømmer er potensialfallet lineært langs kanalen.
11 Figure 6 4 Depletion regions in the channel of a JFET with zero gate bias for several values of V D : (a) linear range; (b) near pinch- off; (c) beyond pinch- off. Solid State Electronic Devices, 7e, Global Edition Ben G. Streetman Sanjay Kumar Banerjee Copyright Pearson Education Limited All rights reserved.
12 Figure 6 5 Effects of a negative gate bias: (a) increase of depletion region widths with V G negative; (b) family of current voltage curves for the channels as V G is varied. Solid State Electronic Devices, 7e, Global Edition Ben G. Streetman Sanjay Kumar Banerjee Copyright Pearson Education Limited All rights reserved.
13
14 Bestemme pinch-off spenningen?
15
16 IV karakteristikk for JFET
17 Figure 6-6 Simplified diagram of the channel with definitions of dimensions and differential volume for calculations. Solid State Electronic Devices, 7e, Global Edition Ben G. Streetman Sanjay Kumar Banerjee Copyright Pearson Education Limited All rights reserved.
18
19
20 Transkonduktans
21 MESFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor) Figure 6 7 GaAs MESFET formed on an n-type GaAs layer grown epitaxially on a semi-insulating substrate. Common metals for the Schottky gate in GaAs are AI or alloys of Ti, W, and Au. The ohmic source and drain contacts may be an alloy of Au and Ge. In this example the device is isolated from others on the same chip by etching through the n region to the semi-insulating substrate. Solid State Electronic Devices, 7e, Global Edition Ben G. Streetman Sanjay Kumar Banerjee Copyright Pearson Education Limited All rights reserved.
22
Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer 1 Repetisjon Kap. 5 Kontaktpotensial V 0 = kt q ln Deplesjonssone W = Diodeligningen N an d n i 2 2ε(V 0 V) N a + N d q N a N d I = I o e
Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer 1 Pensum 1 CRYSTAL PROPERTIES AND GROWTH OF SEMICONDUCTORS 2 ATOMS AND ELECTRONS 3 ENERGY BANDS AND CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS 4 EXCESS
Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer 1 Eksamensdatoer: 11. OG 12. DESEMBER Repetisjon Felteffekttransistoren 3 forskjellige typer: - Junction FET - MESFET - MOSFET JFET MESFET
Fys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 9 Kapittel 6 - Felteffekttransistoren
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 9 Kapittel 6 - Felteffekttransistoren Repetisjon Unipolar Kapittel 6 Felt-effekt transistorer JFET Partikkelfluks S D (alltid) V G styrer ledningskanalen mellom
Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer MOSFET I en n-kanals MOSFET (enhancement-type) lager man en n-type kanal mellom Source og Drain ved å lage et inversjonslag i et p-type substrat
Fys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger Repetisjon: Vp E Cp E Fp E Vp Particle flow Equilibrium (V = 0) Current Forward bias (V = V f ) E E E Vn (V 0 -V f ) V 0 W = qv 0 (1)
Fys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger Repetisjon: Vp E Cp E Fp E Vp Particle flow Equilibrium (V = 0) Current Forward bias (V = V f ) E E E Vn (V 0 -V f ) V 0 W = qv 0 (1)
Fys Halvlederkomponenter. Lasse Vines kontor: Kristen Nygårds hus, 3. etg.
Fys2210 - Halvlederkomponenter Lasse Vines lassevi@fys.uio.no kontor: Kristen Nygårds hus, 3. etg. Fys2210 NB: Forelesning Torsdag 30/8 (i øvingstimen) 3 timer forelesning og 3t øving til uke 41, deretter
Fys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 5 Kapittel 5 - Overganger
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 5 Kapittel 5 - Overganger 1 Lab-tider Forslag til lab-tider vil bli lagt ut Ideelt sett 4 per gruppe Skriv dere på et tidspunkt som passer Øvingstime neste torsdag
Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer Forelesning 10
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer Forelesning 10 Repetisjon: V T i virkeligheten Forskjell Φ m Φ s 0 Q i defekter/urenheter i oksidet og interface states Figure 6.20 Influence
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Dagens temaer er hentet fra
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer 1 Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Feedback-oscillatorer Dagens
Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 1
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 1 Materialets struktur kan være - Amorft - Polykrystallinsk - Enkrystallinsk www.physics-in-a-nutshell.com Enkrystallinske materialer kan ha ulik atomstruktur De vanligste
Halvlederkomponenter
Halvlederkomponenter Innledning og bakgrunn for kurset Forskningen og utviklingen som har foregått innen halvlederområdet etter 2. verdenskrig har lagt grunnen til dagens moderne samfunn. Raske og energieffektive
Fys2210 Halvlederkomponenter. Repetisjon
Fys2210 Halvlederkomponenter Repetisjon Pensum 1 CRYSTAL PROPERTIES AND GROWTH OF SEMICONDUCTORS 2 ATOMS AND ELECTRONS 3 ENERGY BANDS AND CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS 4 EXCESS CARRIERS IN SEMICONDUCTORS
Fys2210 Halvlederkomponenter
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 2 Kapittel 3 ENERGY BANDS AND CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS Repetisjon: I faste materialer danner elektronene energibånd N st Si atoms Filled; 2N Unfilled;
Halvlederkomponenter
Halvlederkomponenter Innledning og bakgrunn for kurset Forskningen og utviklingen innen halvlederfysikk etter 2. verdenskrig har dannet grunnlaget for dagens moderne samfunn. Raske og energieffektive elektriske
Fys2210 Halvlederkomponenter. Repetisjon
Fys2210 Halvlederkomponenter Repetisjon FYS2210 Evaluering, H-17 Torsdag 13.12, kl 15:00,??? LENS møterom (Kristen Nygårds hus, 3. etg) Dialogmøte (etter slutteksamen); Alle undervisere Emnerapport (skjema):
Transistorforsterker
Oppsummering Spenningsforsterker klasse Med avkoplet emitter og uten Forsterkeren inverterer signalet faseskift 180o Transistoren er aktiv i hele signalperioden i b B i c C g m I V C T i c v i r π B1 B2
Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer MOSFET Strømforsyning
Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer MOSFET Strømforsyning Dagens temaer Radiorør Transistorer Moores lov Bipolare transistorer Felteffekttransistorer Digitale kretser: AND, OR
Rev. Lindem 25.feb..2014
ev. Lindem 25.feb..2014 Transistorforsterkere - oppsummering Spenningsforsterker klasse Med avkoplet emitter og uten Forsterkeren inverterer signalet faseskift 180 o Transistoren er aktiv i hele signalperioden
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2008 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow
Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger. Likeretter (Rectifier) omforme AC til DC
Revidert versjon 1. feb. 2012 T.Lindem Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger Likeretter (Rectifier) omforme A til D Rectifier (Likeretter) en diodekrets som omformer en A til pulserende D Filter en
Exercise 1: Phase Splitter DC Operation
Exercise 1: DC Operation When you have completed this exercise, you will be able to measure dc operating voltages and currents by using a typical transistor phase splitter circuit. You will verify your
FYS1210. Repetisjon 2 11/05/2015. Bipolar Junction Transistor (BJT)
FYS1210 Repetisjon 2 11/05/2015 Bipolar Junction Transistor (BJT) Sentralt: Forsterkning Forsterkning er et forhold mellom inngang og utgang. 1. Spenningsforsterkning: 2. Strømforsterkning: 3. Effektforsterkning
Electronics Technology Fundamentals
Electronics Technology Fundamentals Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon jan 2007 T.Lindem 1 17.1 Semiconductors P1 Halvledere Semiconductors Atomer som har 4 valenselektroner
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Dagens temaer er hentet fra
Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer
Forelesning nr.9 NF 1411 Elektroniske systemer Transistorer Dagens temaer Historisk overblikk Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Presentasjon 4. obligatoriske labøvelse Dagens temaer er
Forelesning 8. CMOS teknologi
Forelesning 8 CMOS teknologi Hovedpunkter MOS transistoren Komplementær MOS (CMOS) CMOS eksempler - Inverter - NAND / NOR - Fulladder Designeksempler (Cadence) 2 Halvledere (semiconductors) 3 I vanlig
BMXART0814 ( ) M340 8 inn ana TC/RTD, 2*FCN
Produktdatablad Karakteristikk BMXART0814 (45 461 79) M340 8 inn ana TC/RTD, 2*FCN Alternativer Analog/digital conversion Oppløsning analog inngang Inngangsimpedans Permitted overload on inputs Common
Oppsummering. BJT - forsterkere og operasjonsforsterkere
Oppsummering BJT - forsterkere og operasjonsforsterkere OP-AMP vs BJT Fordeler og ulemper Vi har sett på to ulike måter å forsterke opp et signal, ved hjelp av transistor forsterkere og operasjonsforsterkere,
GJ ennomgang av CMOS prosess, tverrsnitt av nmos- og
Del : Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS rosess YNGVAR BERG I. Innhold GJ ennomgang av CMOS rosess, tverrsnitt av nmos og MOS transistor og tverrsnitt av CMOS inverter. Enkel forklaring
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2009 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow
Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer 1 Dagens temaer Historisk overblikk Repetisjon halvledere Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Dagens temaer er hentet fra kapittel
RF Power Capacitors Class1. 5kV Discs
RF Power Capacitors Class 5kV Discs T H E C E R A M C E X P E R T S RF Power Capacitors Class 5kV Discs The CeramTec Group is a world leader in the design and manufacture of complex electronic ceramic
Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer
Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer Dagens temaer Historisk overblikk Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Presentasjon 4. obligatoriske labøvelse Dagens temaer er
Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005
Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005 Oppgave 1 Figur 1 viser et nettverk tilkoplet basen på en bipolar transistor. (For 1a og 1b se læreboka side 199) 1 a ) Tegn opp Thevenin-ekvivalenten
Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer
Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer Dagens temaer Historisk overblikk Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Presentasjon 4. obligatoriske labøvelse Dagens temaer er
RF Power Capacitors Class kV Discs with Moisture Protection
RF Power Capacitors Class 0-20kV Discs with Moisture Protection T H E C E R A M I C E X P E R T S RF Power Capacitors Class 0-20kV Discs with Moisture Protection The CeramTec Group is a world leader in
Solceller - Teori og praksis Solcellers virkningsgrad, effekt og elektriske egenskaper.
Universitetet i Oslo FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgave Solceller - Teori og praksis Solcellers virkningsgrad, effekt og elektriske egenskaper. Sindre Rannem Bilden 27. april 2016 Labdag: Tirsdag
Elektronikk med prosjektoppgaver FYS 1210
Elektronikk med prosjektoppgaver FYS 1210 Lindem 29 jan. 2008 Komponentlære Kretselektronikk Elektriske ledere/ halvledere Doping Dioder - lysdioder Bipolare transistorer Unipolare komponenter FET, MOS,
Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2004
Oppgave Forslag til løsning på Eksamen FYS20 våren 2004 Figure Figur viser et enkelt nettverk bestående av 2 batterier ( V = 9volt og V2 = 2volt) og 3 motstander på kω. a) Hva er spenningen over motstanden
Transistorer en alternativ presentasjon. Temapunkter for de 3 neste ukene
ransistorer en alternativ presentasjon Dekkes delvis i boka Kap 19-21 Linde 3. feb 2010 eapunkter for de 3 neste ukene eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare
DC/AC inverters DC/AC invertere
DC/AC inverters DC/AC invertere Mascot range of DC/AC inverters Using a 12V or 24V battery, these inverters are ideal for applications such TV, video, smaller household appliances, and tools for camping,
Fysikk og teknologi Elektronikk FYS ) Det betyr kjennskap til Ohms lov : U = R I og P = U I
Fysikk og teknologi Elektronikk FYS 1210 Skal vi forstå moderne elektronikk - må vi først beherske elementær lineær kretsteknikk - og litt om passive komponenter - motstander, kondensatorer og spoler 1
RF Power Capacitors Class , 20 & 30 mm Barrel Transmitting Types
RF Power Capacitors Class 2.7, 20 & 30 mm Barrel Transmitting Types T H E C E R A M I C E X P E R T S RF Power Capacitors Class 2.7, 20 & 30 mm Barrel Transmitting Types The CeramTec Group is a world leader
IN 241 VLSI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver uke 36
IN 41 VLI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver uke 36 1) Beregn forsterknings faktoren ß for en nmofet fabrikkert i en prosess med: µ = 600cm/V s (Elektronmobilitet for n-dopet materiale) ε = 5
OTB1E0DM9LP ( ) OTB EThernet, 12inn/6+2ut,skru
Produktdatablad Karakteristikk OTB1E0DM9LP (45 014 91) OTB EThernet, 12inn/6+2ut,skru Hovedkarakteristikk Produktspekter Produkt eller komponent type Modicon OTB I/O distributed module Integrert tilkoblingstype
Fysikk og teknologi - Elektronikk Mål for opplæringen er at eleven skal kunne
14. Jan 06 Den nye læreplanen i fysikk Fysikk og teknologi - Elektronikk Mål for opplæringen er at eleven skal kunne 1. gjøre rede for forskjellen mellom ledere, halvledere og isolatorer ut fra dagens
KROPPEN LEDER STRØM. Sett en finger på hvert av kontaktpunktene på modellen. Da får du et lydsignal.
KROPPEN LEDER STRØM Sett en finger på hvert av kontaktpunktene på modellen. Da får du et lydsignal. Hva forteller dette signalet? Gå flere sammen. Ta hverandre i hendene, og la de to ytterste personene
Oversikt over I/O tilkoblinger og moduler på modellbyen
Oversikt over I/O tilkoblinger og moduler på modellbyen (Dette er et vedlegg som tilhører Hoveddokumentet B014-106 HMI løsning med Wanderware 2014). Her er oversikt over alle modulene som er brukt på modellbyen.
PASSIVE KOMPONENTER. Realisering av Resistans - Passive løsninger
Realisering av Resistans - Passive løsninger L W R ρ N, Resitivitiet: ρ resistans / N Antall Hjørne 0.56 Brønn Metall / Polysilisium SiO 2 Diffusjon Polysilisium Metall Substrat AO 0V. Realiseringer med
Bokmål / Nynorsk / English NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK. Eksamen TFY4185 Måleteknikk
Bokmål / Nynorsk / English Side 1 av 5 NORGES TEKNISK- NATURITENSKAPELIGE UNIERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK Steinar Raaen tel. 482 96 758 Eksamen TFY4185 Måleteknikk Mandag 17. desember 2012 Tid: 09.00-13.00
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2009 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow
PH-03. En MM Phono Forsterker
PH-03 En MM Phono Forsterker Det finnes flere varianter av designet kalt Le Pacific (av Walter). Det er vist et utdrag på slutten av denne beskrivelsen. Designet som følger er min utgave av Le Pacific.
ABE7E16SRM20 ( ) 16O, 1 term, 4 grupper, rele
Produktdatablad Karakteristikk ABE7E16SRM20 (45 018 53) 16O, 1 term, 4 grupper, rele Alternativer Spenningsgrenser Discrete output number Discrete output voltage Diskret utgangsfunksjon Produktkompatibilitet
Sitronelement. Materiell: Sitroner Galvaniserte spiker Blank kobbertråd. Press inn i sitronen en galvanisert spiker og en kobbertråd.
Materiell: Sitronelement Sitroner Galvaniserte spiker Blank kobbertråd Press inn i sitronen en galvanisert spiker og en kobbertråd. Nå har du laget et av elementene i et elektrisk batteri! Teori om elektriske
HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi
HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi Kandidatnr: Eksamensdato: 14.12.2010 Varighet/eksamenstid: Emnekode: 4 timer EDT210T-A Emnenavn: Elektronikk 1 Klasse(r): 2EL Studiepoeng: 7,5 Faglærer(e):
INF3400 Forel. # Avansert CMOS. INF3400 Forelesning #15 Øivind Næss
INF3400 Forel. #15 20.05. Avansert CMOS INF3400 Forelesning #15 Øivind Næss INF3400 Forel. #15 20.05. Oversikt 4.9 Skalering 4.9.1 Transistorskalering 4.9.2 Interconnect Interconnect -skalering 4.9.3 Teknologi
Bokmål / Nynorsk / English NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK. Eksamen TFY4185 Måleteknikk
Bokmål / Nynorsk / English Side av 4 NOGES TEKNISK- NATUITENSKAPELIGE UNIESITET INSTITUTT FO FYSIKK Steinar aaen, tel.482 96 758 Eksamen TFY485 Måleteknikk Lørdag 7. desember 20 Tid: 09.00-3.00 Tillatt
SR2B201BD ( ) Zelio Logic kompakt reléerstatter med/uten display. Antall I/O kan ikke utvides.
Produktdatablad Karakteristikk SR2B201BD (45 023 06) Zelio Logic kompakt reléerstatter med/uten display. Antall I/O kan ikke utvides. Hovedkarakteristikk Produktspekter Produkt eller komponent type Zelio
SR3B262BD ( ) Zelio 16/10 I/O trns m/ur 24VDC
Produktdatablad Karakteristikk SR3B262BD (45 023 31) Zelio 16/10 I/O trns m/ur 24VDC Hovedkarakteristikk Produktspekter Produkt eller komponent type Zelio Logic Modular smart relay Alternativer Local display
UKE 6. Dioder, kap. 17, s , Diode Kretser, kap. 18, s
UKE 6 Dioder, kap. 17, s. 533-564, Diode Kretser, kap. 18, s. 574-605 1 Dioder Lindem 23. jan. 2013 Solid State Components Halvledere Semiconductors Atomer med 4 valenselektroner Mange materialer kan opptre
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2012 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow
SR3B101BD ( ) Zelio 6/4 I/O relé m/ur 24VDC
Produktdatablad Karakteristikk SR3B101BD (45 023 28) Zelio 6/4 I/O relé m/ur 24VDC Hovedkarakteristikk Produktspekter Produkt eller komponent type Zelio Logic Modular smart relay Alternativer Local display
Smart High-Side Power Switch BTS730
PG-DSO20 RoHS compliant (green product) AEC qualified 1 Ω Ω µ Data Sheet 1 V1.0, 2007-12-17 Data Sheet 2 V1.0, 2007-12-17 Ω µ µ Data Sheet 3 V1.0, 2007-12-17 µ µ Data Sheet 4 V1.0, 2007-12-17 Data Sheet
Gradient. Masahiro Yamamoto. last update on February 29, 2012 (1) (2) (3) (4) (5)
Gradient Masahiro Yamamoto last update on February 9, 0 definition of grad The gradient of the scalar function φr) is defined by gradφ = φr) = i φ x + j φ y + k φ ) φ= φ=0 ) ) 3) 4) 5) uphill contour downhill
WÄRTSILÄ MARINE SOLUTION POWER CONVERSION INNOVATIVE LAV- OG NULLUTSLIPPSLØSNINGER OG UTFORDRINGER MED Å FÅ DISSE INN I MARKEDET.
INNOVATIVE LAV- OG NULLUTSLIPPSLØSNINGER OG UTFORDRINGER MED Å FÅ DISSE INN I MARKEDET. WÄRTSILÄ MARINE SOLUTION POWER CONVERSION INGVE SØRFONN 1 THE FUTURE IS NOW! 2 FROM PRODUCT TO ECOSYSTEM 3 READY
Oversikt. Avansert CMOS. INF3400 Del Skalering Transistorskalering Interconnect -skalering Teknologi roadmap
Avansert CMOS INF3400 Del 15 Øivind NæssN INF3400 Del 15 18.05. 1/30 Oversikt 4.9 Skalering 4.9.1 Transistorskalering 4.9.2 Interconnect -skalering 4.9.3 Teknologi roadmap 4.9.4 Design-påvirkninger 5.4.1
SHORE POWER CONVERTER LIST 2018
2018 POWER AT YOUR CONTROL Shore cord capacities These tables provide a approximate indication of the amount of kva capacity of different amperage shore cords at common worldwide voltages. Use these tables
Transistorkretser Laboratorieeksperimenter realfagseminar Sjøkrigsskolen 15. November 2010
Transistorkretser Laboratorieeksperimenter realfagseminar Sjøkrigsskolen 15. November 2010 1. Referanser http://wild-bohemian.com/electronics/flasher.html http://www.creative-science.org.uk/transistor.html
Forslag B til løsning på eksamen FYS august 2004
Forslag B til løsning på eksamen FYS20 3 august 2004 Oppgave (Sweeper frekvensområdet 00Hz til 0MHz Figur viser et båndpassfilter. Motstandene R og R2 har verdi 2kΩ. Kondensatorene C = 00nF og C2 = 0.nF.
UNIVERSITETET I OSLO.
UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FY-IN 204 Eksamensdag : 18 juni 2002 Tid for eksamen : l.0900-1500 Oppgavesettet er på 5 sider. Vedlegg Tillatte hjelpemidler
BYGGING AV LIKESTRØMSKILDE OG TRANSISTORFORSTERKER
BYGGING AV LIKESTRØMSKILDE OG TRANSISTORFORSTERKER OPPGAVE 1. Lag en oppkobling av likespenningskilden skissert i Figur 1. 2. Mål utgangsspenningen som funksjon av ulike verdier på belastningsmotstanden.
Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Onsdag 15. august Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG
Side av 8 NORGES TEKNISKNATURVITENSKAPLIGE UNIVERSITET Institutt for elektronikk og telekommunikasjon Faglig kontakt under eksamen: Ragnar Hergum 73 59 2 23 / 92 87 72 Bjørn B. Larsen 73 59 44 93 Kontinuasjonseksamen
UNIVERSITETET I OSLO Fysisk institutt. FYS2210 Laboratorierapport. -N-MOSFET -Schottkydiode. Sindre Rannem Bilden
UNIVERSITETET I OSLO Fysisk institutt FYS22 Laboratorierapport -N-MOSFET -Schottkydiode ndre Rannem Bilden 27. november 15 Introduksjon Laboratorieoppgaven går ut på å syntesere og karakterisere et sett
Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer Operasjonsforsterkere 1 Dagens temaer Ideel operasjonsforsterker Operasjonsforsterker-karakteristikker Differensiell forsterker Opamp-kretser Dagens temaer
UNIVERSITETET I OSLO
UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i: INF1411 Introduksjon til elektroniske systemer Eksamensdag: 1. juni 2015 Tid for eksamen: 4 timer Oppgavesettet er på 5 sider
ABR1S602B ( ) Utgangsrelé 1NO+1NC 24VDC
Produktdatablad Karakteristikk ABR1S602B (41 721 74) Utgangsrelé 1NO+1NC 24VDC Hovedkarakteristikk Produktspekter Produkt eller type komponent Kontakttype og sammensetning 1 NC + 1 NO [Uc] Styrespenning
Periodisk Emnerapport FYS2210 Høst2013
Til: Universitetet i Oslo Fysisk Institutt v/ Studieadministrasjonen Boks 1048, Blindern 0316 Oslo Periodisk Emnerapport FYS2210 Høst2013 Februar 2014 Utarbeidet av: Bengt G. Svensson, Fysisk Institutt,
ABR1S618B ( ) Utgangsrelé 1NO+1NC 24VDC
Produktdatablad Karakteristikk ABR1S618B (41 721 76) Utgangsrelé 1NO+1NC 24VDC Alternativer Control circuit voltage limits Maksimum brytespenning Farge på kapsling Tilkoblinger Drop-out spenning Holding
RE ( ) Tidsrelé plugg multi V
Produktdatablad Karakteristikk RE88867305 (41 726 84) Tidsrelé plugg multi 24-240V Alternativer Elektrisk tilkobling Kontaktmateriale [In] merkestrøm [Us] matespenning Voltage range Kapslingsmateriale
Transistorer. Dekkes delvis i boka Kap 19-21
ransistorer Dekkes delvis i boka Kap 19-21 eapunkter for de 3 neste ukene: eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare operasjonen til en J klasse A-forsterker Analysere
Elektronikk. Knut Harald Nygaard. Elektronikk. ved. 1Knut Harald Nygaard
1Knut Harald Nygaard ved Knut Harald Nygaard Electronics Electronicsis the branch of science, engineering and technology that deals with electrical circuits involving active electrical components such
Forelesning nr.8 IN 1080 Elektroniske systemer. Dioder og felteffekt-transistorer
Forelesning nr.8 IN 1080 Elektroniske systemer Dioder og felteffekt-transistorer Dagens temaer Impedanstilpasning Dioder Likerettere og strømforsyninger Spesialdioder Dagens temaer er hentet fra kapittel
KYBERNETIKKLABORATORIET. FAG: Industriell IT DATO: 08.14 OPPG.NR.: LV4. LabVIEW Temperaturmålinger BNC-2120
KYBERNETIKKLABORATORIET FAG: Industriell IT DATO: 08.14 OPPG.NR.: LV4. LabVIEW LabVIEW Temperaturmålinger BNC-2120 Lampe/sensor-system u y I denne oppgaven skal vi teste et lampe/sensor-system som vist
Løsningsforslag Obligatorisk oppgave 1 IN241 VLSI-konstruksjon
Løsningsforslag Obligatorisk oppgave 1 IN241 VLSI-konstruksjon Øyvind Hagen Institutt for informatikk Universitetet i Oslo 23. oktober 2001 1 Innhold 1 Prelab 4 1.1 Implementasjon av Vittoz modellen.................
Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Onsdag 15. august Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG
Side av 8 NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPLIGE UNIVERSITET Institutt for elektronikk og telekommunikasjon Faglig kontakt under eksamen: Ragnar Hergum 73 59 2 23 / 92 87 72 Bjørn B. Larsen 73 59 44 93 Kontinuasjonseksamen
GJ ennomgang av CMOS prosess, tverrsnitt av nmos- og
Del : Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS rosess YNGVAR BERG I. Innhold GJ ennomgang av CMOS rosess, tverrsnitt av nmos og MOS transistor og tverrsnitt av CMOS inverter. Enkel forklaring
Data Sheet for Joysticks
Available with Potentiometers or Hall sensors Several handle options Small size at low installation depth The 812 series is available with several different handle options. These small joysticks are recommended
Lab 1 i INF3410. Prelab: Gruppe 5
Lab 1 i INF3410 Prelab: a) EKV modellen ble modellert i Matlab, der EKV.m er brukes til å lage en funksjon av drainsource strømmen. Reverse bias strøm trekkes i fra forward bias strøm, noe som danner grunnlaget
Kunsten å bruke P.I.N. dioden som frekvensmultiplikator.
Kunsten å bruke P.I.N. dioden som frekvensmultiplikator. Versjon6.0 PIN diodens oppbyggning PIN (P lag, I lag og N lag) dioden er en meget universal komponent. Den produseres i en mengde forskjellige kapslinger
Dekkes delvis i boka Kap 19-21
ransistorer en alternativ presentasjon Dekkes delvis i boka Kap 19-21 Linde 25.feb. 2008 eapunkter eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare operasjonen til en J
Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren Oppgave 1
Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 201 Oppgave 1 Nettverksanalyse. Legg spesielt merke til diodenes plassering. Figur 1 viser et nettverk bestående av en NPN silisium transistor Q1 ( β = 200
LAB 7: Operasjonsforsterkere
LAB 7: Operasjonsforsterkere I denne oppgaven er målet at dere skal bli kjent med praktisk bruk av operasjonsforsterkere. Dette gjøres gjennom oppgaver knyttet til operasjonsforsterkeren LM358. Dere skal
TM3TM3 ( ) Modul TM3-2 temp inn, 1 analog ut
Produktdatablad Karakteristikk TM3TM3 (45 016 57) Modul TM3-2 temp inn, 1 analog ut Alternativer Oppløsning analog inngang Tillatt kontinuerlig overlast Input impedance Oppløsning analog utgang LSB verdi
Mot 6: Støy i felteffekttransistorer
/ Mot 6: Støy i felteffekttransistorer To typer av felteffekttransistorer: MOSFET: Kapasitiv kontroll av kanal JFET: Variasjon av bredden på en reversforspent diode hvor deplesjonssonen besteer bredden
Data Sheet for Joysticks
Available with Potentiometers or Hall sensors Several handle options Small size at low installation depth The 812 series is available with several different handle options. These small joysticks are recommended
Basis dokument. 1 Solcelle teori. Jon Skarpeteig. 23. oktober 2009
Basis dokument Jon Skarpeteig 23. oktober 2009 1 Solcelle teori De este solceller er krystallinske, det betyr at strukturen er ordnet, eller periodisk. I praksis vil krystallene inneholde feil av forskjellige
Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer. Dioder
Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer Dioder Dagens temaer Dioder Halvlederfysikk Ulike typer halvledere og ladningsbærere Diodekarakteristikker Likerettere og strømforsyninger Spesialdioder