Rev. Lindem 25.feb..2014

Størrelse: px
Begynne med side:

Download "Rev. Lindem 25.feb..2014"

Transkript

1 ev. Lindem 25.feb Transistorforsterkere - oppsummering Spenningsforsterker klasse Med avkoplet emitter og uten Forsterkeren inverterer signalet faseskift 180 o Transistoren er aktiv i hele signalperioden g m I V C T r g m i b B i c C r π v i B2 C E B1 i c v o i e v g m C ev. v g m ( C L ) i b B i c C r π v i B2 C E B1 i c v o v C E i e Signalkilden ser inn mot en motstand E r inn B1 r B2 r inn ( 1) hvor E 1

2 Transistorforsterkere - oppsummering Emitterfølger - ingen invertering ingen spenningsforsterkning men stor effektforsterkning impedanstransformator (Zinn= høy Zut= lav) Strømforst erkning i P P i i e b V Effektforsterkning i b ( 1) i i b 1 0, 99( 1) Hva er dette? Ingen lastmotstand på kollektor Felles kollektor Forsterker som virker på bare en halvperiode = klasse B forsterker (?) 2

3 Transistorforsterkere - Effektforsterkere Virkningsgrad PL ( vgitt signaleffe kt til lasten ) P ( tilført effekt fra power ) CC Klassifisering av forsterkere i. Lavfrekvensforsterkere høyfrekvensforsterkere ii. vstemte forsterkere uavstemte forsterkere iii. Smalbåndforsterkere bredbåndsforsterkere Småsignalforsterkere - ofte betegnelse på rene spenningsforsterkere Effektforsterkere - omfatter 4 grupper forsterkere Effektforsterkere inndeles etter hvordan transistorens arbeidspunkt er plassert Klasse - klasse B Klasse B Klasse C Klasse D 3

4 Transistorforsterkere - Effektforsterkere : rbeidspunktet ligger midt i det aktive området. Kollektorstrømmen følger variasjonene i inngangssignalet gjennom hele perioden. Lav virkningsgrad B : rbeidspunktet ligger på grensen mellom det aktive området og cut-off. Signalkomponenten i kollektorstrømmen gjengir bare annenhver halvperiode av inngangssignalet. Høy virkningsgrad C : Signalkomponenten i kollektorstrømmen gjengir bare en del av annenhver halvperiode av inngangssignalet. Brukes i avstemte effektforsterkere. Høy virkningsgrad D : En «switching amplifier» eller en Pulse With Modulation (PWM) - forsterker. Transistorene i slutt-trinnet skifter mellom to tilstander helt av - «cut off» eller helt på - «saturation» Fordel : Nesten ingen varmeutvikling i slutt-trinnet høy virkningsgrad 4

5 Transistorforsterkere - Effektforsterker Effektforsterker Klasse (emitterfølger) Kretsanalyse E = 5Ω V CC = 10 v IC MX = 2 Transistoren tåler 5 watt avgitt varme (P C MX = 5w). Kurven for et max. kollektortap på 5w er inntegnet (rødt). Vi legger arbeidspunktet så nær denne kurven som mulig. Dvs. dette punktet gir størst kollektortap effekttapet er størst når forsterkeren ikke er tilført signal! Uten signal vil total avgitt effekt være P T =10W(DC). Dette fordeler seg med 5w på transistoren og 5w på lastmotstanden E. Vi får maksimal signaleffekt til lasten når utgangen styres mellom cut off og metning. Dvs. signalspenning på 10V PP over lasten E. (Signalspenning 10Vpp = 3,5 Vrms) V V 5 MS P 3, ,4 Paradoks transistoren er kaldest når avlevert signaleffekt til lasten er størst. Effekt til lasten P L V E rms E E 2,5 watt P Virkningsgrad P Klasse forsterker - max virkningsgrad η = 25% L Total 2,5w 10w 0,25 5

6 Transistorforsterkere Effektforsterkere klasse B Emitterfølger gir effektforsterkning Forsterker som bare virker på en halvperiode = klasse B forsterker Push-Pull Klasse B forsterkere bruker både npn - og pnp transistorer Uten signal er begge transistorene cut off Forsterkeren har Cross over distrortion transistorene er cut off en kort periode ved hver 0 - gjennomgang. Base Emitter-dioden må overstige 0,7 volt før transistoren leder.. Dette forårsaker forvrengning av signalet. 6

7 Transistorforsterkere - Effektforsterkere Effektforsterker klasse B ingen cross over - forvrengning Forsterker klasse B ( Single supply ) Effekten P Lmax 2 V 7,5 v / 2 L( MS ) p 2 Forsterker klasse B Vha. 2 dioder forspennes de to basene på transistorene Q 1 og Q 2 slik at de leder litt strøm - uten signal inn. Dvs. hele signalperioden forsterkes Transistorene er ikke cut off når signalet nærmer seg 0. For Vcc=15volt blir maks signalspenning over L= 15Vpp Vrms = 5,35 volt 2,8watt For VCC 15volt L L Klasse B forsterker - max virkningsgrad η = % 7

8 Transistorforsterkere Effektforsterkere - Klasse D Class D - forsterkere finnes I flere utgaver noen har digital inngang andre analog. Figuren viser blokkskjematisk hvordan et analogt signal puls-bredde modulerer et puls-tog på utgangen. ( Pulse With Modulation (PWM) ) Transistorene i slutt-trinnet skifter mellom to tilstander helt av - «cut off» eller helt på - «saturation» Fordel : nesten ingen varmeutvikling i slutt-trinnet. Små integrerte forsterkere kan levere stor effekt. 8

9 Lindem 19. feb Felt-Effekt-Transistor FET Spenningskontrollert strømkilde B BJT r π C Gate FET Drain E Småsignalmodeller Source BJT vs FET - FET har en MEGET stor inngangsmotstand i forhold til en BJT Ladningstransport i en FET skjer ved MJOITETSBÆEE. Vi kaller derfor en FET for en UNIPOL komponent (device) MOSFET n-kanal To typer FET : MOSFET : JFET : MOSFET og JFET Metall Oksyd Felt Effekt Transistor Junction Felt Effekt Transistor JFET n-kanal Fordeler med FET : Meget stor inngangsmotstand. Vil ikke belaste signalkilden så mye som en BJT. Ulemper med FET : For samme arbeidsstrøm (I C = I D ) vil en FET ha mye lavere transkonduktans g m enn en BJT Det betyr mindre forsterkning Typisk FET g m = 2-10 ms n-kanal JFET 9

10 Felteffekt-transistor FET JFET : Junction Felt Effekt Transistor n-kanal JFET Mellom p- og n- dannes et sperresjikt (som i en vanlig diode). Når vi øker spenningen i sperreretningen - øker tykkelsen på dette sjiktet. Vi når fort en verdi (Pinch-Off Voltage V P ) hvor det bare blir en meget tynn kanal som kan lede strøm mellom S og D. Økes spenningen øker lengden av denne tynne kanalen. Vi er inne i det flate område på karakteristikken. breakdown voltage (VB) N-kanal JFET som forsterker 10

11 Felteffekt-transistor FET JFET : Junction Felt Effekt Transistor På samme måte som med bipolare junction transistorer innføres her Transconductance g m. Men som vi ser av kurven for I D vs. V GS dette er ingen eksponentialfunksjon. Det betyr at g m for en JFET blir langt mindre enn for en BJT g m I V D GS 2.75 m 1V 2750 μs 2,75mS Typiske verdier for en n-kanal forsterker Typiske verdier for JFET Spenningsforsterkning g v m r D Husk - g m for en BJT var ms IC 2m gm 80mS V 25mV T 11

12 MOSFET : Metall Oksyd Felt Effekt Transistor 2 typer MOSFET Enhansment MOSFET ( Normalt av ) Depletion MOSFET ( Normalt på ) E-MOSFET Depletion MOSFET ( Normalt på ) Uten spenning på Gate eksisterer en ledende kanal mellom Source og Drain. Gate - Source spenningen ( V GS ) bestemmer hvor åpen kanalen mellom Source og Drain skal være D-MOSFET 12

13 MOSFET : Metall Oksyd Felt Effekt Transistor Enhansment MOSFET ( Normalt av ) Gate - Source må ha en tilstrekkelig høy pos. spenning ( V GSth ) før det etableres en ledende kanal mellom Source og Drain. E-MOSFET E-MOSFET må ha pos. spenning på Gate før den leder strøm 13

14 MOSFET : Metall Oksyd Felt Effekt Transistor nvendelser MOSFET brukes både i analoge og i digitale kretser men mest digitalt - rbeider med rektangulære kurveformer firkantpulser 0 og 1 - Complimentary MOS ( CMOS ) danner en egen digital kretsfamilie - CMOS gir enklere logiske kretser enn BJT - CMOS trekker vesentlig mindre strøm enn BJT-kretser - trenger nesten ingen input current CMOS inverter Bruker både n-kanal og p-kanal (complimentary) MOS. Når Q1 er åpen er Q2 stengt - og omv. Det betyr meget lite strømtrekk når kretsen arbeider statisk. ( Dvs. står med et fast logisk nivå 0 eller 1 ) Y = 14 End

Transistorforsterker

Transistorforsterker Oppsummering Spenningsforsterker klasse Med avkoplet emitter og uten Forsterkeren inverterer signalet faseskift 180o Transistoren er aktiv i hele signalperioden i b B i c C g m I V C T i c v i r π B1 B2

Detaljer

Transistorforsterker

Transistorforsterker Oppsummerng Spennngsforsterker klasse Med avkoplet emtter og uten Forsterkeren nverterer sgnalet faseskft 180 Transstoren er aktv hele sgnalperoden b B c g m I V T c v r π B1 B2 vo e r π β g m v g m ev.

Detaljer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Dagens temaer er hentet fra

Detaljer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer 1 Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Feedback-oscillatorer Dagens

Detaljer

Oppsummering. BJT - forsterkere og operasjonsforsterkere

Oppsummering. BJT - forsterkere og operasjonsforsterkere Oppsummering BJT - forsterkere og operasjonsforsterkere OP-AMP vs BJT Fordeler og ulemper Vi har sett på to ulike måter å forsterke opp et signal, ved hjelp av transistor forsterkere og operasjonsforsterkere,

Detaljer

R = I V. g = Transistorforsterkere - oppsummering

R = I V. g = Transistorforsterkere - oppsummering Transstorforsterkere - oppsummerng Spennngsforsterker klasse Med avkoplet emtter og uten Forsterkeren nverterer sgnalet faseskft 180 o Transstoren er aktv hele sgnalperoden g m I T v g m ev. v g m ( )

Detaljer

FYS1210. Repetisjon 2 11/05/2015. Bipolar Junction Transistor (BJT)

FYS1210. Repetisjon 2 11/05/2015. Bipolar Junction Transistor (BJT) FYS1210 Repetisjon 2 11/05/2015 Bipolar Junction Transistor (BJT) Sentralt: Forsterkning Forsterkning er et forhold mellom inngang og utgang. 1. Spenningsforsterkning: 2. Strømforsterkning: 3. Effektforsterkning

Detaljer

Transistorforsterkere - oppsummering

Transistorforsterkere - oppsummering ev. ndem 5 feb.08 Transstorforsterkere - oppsummerng v Spennngsforsterker klasse Forsterkeren nverterer sgnalet faseskft 80 o. Transstoren er aktv hele sgnalperoden. Fgurene vser småsgnalmodeller Småsgnalparameter

Detaljer

Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger. Likeretter (Rectifier) omforme AC til DC

Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger. Likeretter (Rectifier) omforme AC til DC Revidert versjon 1. feb. 2012 T.Lindem Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger Likeretter (Rectifier) omforme A til D Rectifier (Likeretter) en diodekrets som omformer en A til pulserende D Filter en

Detaljer

TRANSISTORER Transistor forsterker

TRANSISTORER Transistor forsterker Kurs: FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgaver Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORAORIEØELSE NR 4 Omhandler: RANSISORER ransistor forsterker 27. februar 2012. Lindem Utført dato: Utført av: Navn: email:

Detaljer

TRANSISTORER Transistor forsterker

TRANSISTORER Transistor forsterker Kurs: FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgaver Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORAORIEØVELSE NR 4 Omhandler: RANSISORER ransistor forsterker Revidert utgave, desember 2014 (. Lindem, M.Elvegård, K.Ø. Spildrejorde)

Detaljer

Figur 1. 1e) Uten tilkopling på inngangene A og B - Hva er spenningen på katoden til dioden D1? 1,4 volt

Figur 1. 1e) Uten tilkopling på inngangene A og B - Hva er spenningen på katoden til dioden D1? 1,4 volt Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 2013 Oppgave 1 Nettverksanalyse. Legg spesielt merke til diodenes plassering. Figur 1 viser et nettverk bestående av en NPN silisium transistor Q1 ( β = 200

Detaljer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer 1 Dagens temaer Historisk overblikk Repetisjon halvledere Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Dagens temaer er hentet fra kapittel

Detaljer

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren Oppgave 1

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren Oppgave 1 Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 201 Oppgave 1 Nettverksanalyse. Legg spesielt merke til diodenes plassering. Figur 1 viser et nettverk bestående av en NPN silisium transistor Q1 ( β = 200

Detaljer

FYS Forslag til løsning på eksamen våren 2014

FYS Forslag til løsning på eksamen våren 2014 FYS1210 - Forslag til løsning på eksamen våren 2014 Oppgave 1 Figure 1. viser en forsterker sammensatt av 2 operasjonsforsterkere. Operasjonsforsterkeren 741 har et Gain Band Width produkt GBW = 1MHz.

Detaljer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Dagens temaer er hentet fra

Detaljer

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017 FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017 Oppgave 1 1 a. Doping er en prosess hvor vi forurenser rent (intrinsic) halvleder material ved å tilsette trivalente (grunnstoff med 3 elektroner i valensbåndet) og

Detaljer

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer Operasjonsforsterkere 1 Dagens temaer Ideel operasjonsforsterker Operasjonsforsterker-karakteristikker Differensiell forsterker Opamp-kretser Dagens temaer

Detaljer

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2004

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2004 Oppgave Forslag til løsning på Eksamen FYS20 våren 2004 Figure Figur viser et enkelt nettverk bestående av 2 batterier ( V = 9volt og V2 = 2volt) og 3 motstander på kω. a) Hva er spenningen over motstanden

Detaljer

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 2k5 )

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 2k5 ) Forslag til løsning på eksamensoppgavene i FYS0 vår 0 8.6 Oppgave Figure viser en enkel transistorforsterker med en NPNtransistor N Transistoren har en oppgitt strømforsterkning β = 50. Kondensatoren C

Detaljer

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005 Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005 Oppgave 1 Figur 1 viser et nettverk tilkoplet basen på en bipolar transistor. (For 1a og 1b se læreboka side 199) 1 a ) Tegn opp Thevenin-ekvivalenten

Detaljer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer Dagens temaer Historisk overblikk Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Presentasjon 4. obligatoriske labøvelse Dagens temaer er

Detaljer

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 3k3 )

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 3k3 ) Forslag til løsning på eksamensoppgavene i FYS1210 våren 2011 Oppgave 1 Figure 1 viser en enkel transistorforsterker med en NPN-transistor BC546A. Transistoren har en oppgitt strømforsterkning β = 200.

Detaljer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer Forelesning nr.9 NF 1411 Elektroniske systemer Transistorer Dagens temaer Historisk overblikk Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Presentasjon 4. obligatoriske labøvelse Dagens temaer er

Detaljer

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2008

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2008 Oppgave 1 Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2008 1a) Hvor stor er strømmen gjennom? 12 ma 1b) Hvor stor er strømmen gjennom? 6 ma 1c) Hva er spenningen i punktene AA og BB målt i forhold til

Detaljer

Figur 1 viser et nettverk med et batteri på 18 volt, 2 silisiumdioder og 4 motstander.

Figur 1 viser et nettverk med et batteri på 18 volt, 2 silisiumdioder og 4 motstander. Forslag til løsning på eksamen i FYS 20 våren 2006 (rev 4) Oppgave. Figur Figur viser et nettverk med et batteri på 8 volt, 2 silisiumdioder og 4 motstander. a) Hva er spenningen i punktene AA og BB målt

Detaljer

VEILEDNING TIL LABORATORIEØVELSE NR 2

VEILEDNING TIL LABORATORIEØVELSE NR 2 VEILEDNING TIL LABORATORIEØVELSE NR 2 «TRANSISTORER» FY-IN 204 Revidert utgave 2000-03-01 Veiledning FY-IN 204 : Oppgave 2 1 2. Transistoren Litteratur: Millman, Kap. 3 og Kap. 10 Oppgave: A. TRANSISTORKARAKTERISTIKKER:

Detaljer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer Dagens temaer Historisk overblikk Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Presentasjon 4. obligatoriske labøvelse Dagens temaer er

Detaljer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer Repetisjon Kap. 5 Kontaktpotensial V 0 = kt q ln Deplesjonssone W = Diodeligningen N an d n i 2 2ε(V 0 V) N a + N d q N a N d I = I o e qv/kt

Detaljer

g m = I C / V T = 60 ms r π = β / g m = 3k3

g m = I C / V T = 60 ms r π = β / g m = 3k3 Forslag til løsning eksamen FYS20 vår 20 Oppgave Figure viser en enkel transistorforsterker med en NPN-transistor BC546A. Transistoren har en oppgitt strømforsterkning β = 200. Kondensatoren C har verdien

Detaljer

Løsningsforslag til eksamen FY108 høsten 2003

Løsningsforslag til eksamen FY108 høsten 2003 Løsningsforslag til eksamen FY08 høsten 003 Figur viser et båndpassfilter. Motstandene R og R har verdi kω. Kondensatorene C = µf og C = 0,nF. Signalkilden leverer et AC-signal med spissverdi (peakvalue)

Detaljer

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 2010

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 2010 Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 2010 Oppgave 1 n seriekopling av solceller forsyner ubest med elektrisk energi. Ubelastet måler vi en spenning på 5 volt over solcellene (Vi måler mellom og

Detaljer

Transistorer en alternativ presentasjon. Temapunkter for de 3 neste ukene

Transistorer en alternativ presentasjon. Temapunkter for de 3 neste ukene ransistorer en alternativ presentasjon Dekkes delvis i boka Kap 19-21 Linde 3. feb 2010 eapunkter for de 3 neste ukene eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare

Detaljer

Transistorkretser Laboratorieeksperimenter realfagseminar Sjøkrigsskolen 15. November 2010

Transistorkretser Laboratorieeksperimenter realfagseminar Sjøkrigsskolen 15. November 2010 Transistorkretser Laboratorieeksperimenter realfagseminar Sjøkrigsskolen 15. November 2010 1. Referanser http://wild-bohemian.com/electronics/flasher.html http://www.creative-science.org.uk/transistor.html

Detaljer

TRANSISTORER. Navn: Navn: Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall. Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2.

TRANSISTORER. Navn:   Navn:   Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall. Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2. Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2 Omhandler: TRANSISTORER Revidert utgave 23.02.2001 Utført dato: Utført av: Navn: email:

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO. UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : Eksamens dag : Tid for eksamen : Oppgavesettet er på 6 sider Vedlegg : Tillatte hjelpemidler : FYS1210-Elektronikk med prosjektoppgaver

Detaljer

Introduksjon til oppgave 1: Transistorkarakteristikken til BC-547

Introduksjon til oppgave 1: Transistorkarakteristikken til BC-547 LAB 5: Transistorer Mål Registrere transistorkarakteristikker, fortsette treningen i bruk av kretssimulator og måle på en forsterker. Om oppgavene Oppgave 1 Måle kollektorstrømmen I C som funksjon av spenningen

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO. UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FY-IN 204 / FY108 Eksamensdag : 16 juni 2003 Tid for eksamen : Kl.0900-1500 Oppgavesettet er på 5 sider. Vedlegg : Logaritmepapir

Detaljer

PH-03. En MM Phono Forsterker

PH-03. En MM Phono Forsterker PH-03 En MM Phono Forsterker Det finnes flere varianter av designet kalt Le Pacific (av Walter). Det er vist et utdrag på slutten av denne beskrivelsen. Designet som følger er min utgave av Le Pacific.

Detaljer

TRANSISTORER. Navn: Navn: Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall. Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2.

TRANSISTORER. Navn:   Navn:   Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall. Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2. Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2 Omhandler: TRANSISTORER Revidert utgave 23.02.2001, 20.02.2003 av HBalk Utført dato: Utført

Detaljer

Oppsummering FYS 1210

Oppsummering FYS 1210 Oppsummering FYS 1210 Hjelpemidler til eksamen Lærebok Electronics Technology Fundamentals Robert Paynter & B.J.Toby Boydell 2 Kretsteknikk Ohms lov eller (Ohm) Kirchhoff s lov om strømmer Summen av strømmene

Detaljer

Løsningsforslag Elektronikk 1 (LO342E) høst 2006 eksamen 1. desember, 3timer

Løsningsforslag Elektronikk 1 (LO342E) høst 2006 eksamen 1. desember, 3timer Løsningsforslag Elektronikk 1 (LO342E) høst 2006 eksamen 1. desember, 3timer (Bare kalkulator og tabell tillatt.) Oppgave 1 Vi regner med n = 1,3 i EbersMoll likninga, U BEQ = 0,7V, og strømforsterkning

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO. UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : Eksamens dag : Tid for eksamen : Oppgavesettet er på 6 sider Vedlegg : Tillatte hjelpemidler : FYS1210-Elektronikk med prosjektoppgaver

Detaljer

«OPERASJONSFORSTERKERE»

«OPERASJONSFORSTERKERE» Kurs: FYS 1210 Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 7 Revidert utgave 18. mars 2013 (Lindem) Omhandler: «OPERASJONSFORSTERKERE» FORSTERKER MED TILBAKEKOBLING AVVIKSPENNING OG HVILESTRØM STRØM-TIL-SPENNING

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO. UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FY-IN 204 Eksamensdag : 18 juni 2002 Tid for eksamen : l.0900-1500 Oppgavesettet er på 5 sider. Vedlegg Tillatte hjelpemidler

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet Eksamen i : FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Eksamensdag : Tirsdag 7. juni 2016 Tid for eksamen : 09:00 12:00 (3 timer) Oppgavesettet

Detaljer

FYS1210 Løsningsforslag. Eksamen V2015

FYS1210 Løsningsforslag. Eksamen V2015 FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2015 Oppgave 1 1a) I første del av oppgaven skal vi se bort fra lasten, altså RL = 0. Vi velger arbeidspunkt til å være 6 Volt, altså halvparten av forskyningsspenningen.

Detaljer

Forslag B til løsning på eksamen FYS august 2004

Forslag B til løsning på eksamen FYS august 2004 Forslag B til løsning på eksamen FYS20 3 august 2004 Oppgave (Sweeper frekvensområdet 00Hz til 0MHz Figur viser et båndpassfilter. Motstandene R og R2 har verdi 2kΩ. Kondensatorene C = 00nF og C2 = 0.nF.

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i: INF1411 Introduksjon til elektroniske systemer Eksamensdag: 28. mai 2014 Tid for eksamen: 4 timer Oppgavesettet er på 6 sider

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO. UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturitenskapelige fakultet. Eksamen i : FY-IN 204 Eksamensdag : 12 juni 1999, Tid for eksamen : Kl.0900-1500 Oppgaesettet er på 5 sider. Vedlegg Tillatte hjelpemidler

Detaljer

Oppsummering FYS

Oppsummering FYS Oppsummering FYS 1210 2017 Hjelpemidler til eksamen I år vil det ikke være mulig å bruke læreboken. Nødvendig formler blir lagt ved oppgavesettet. Du finner en foreløpig utgave av formelarket på hjemmesiden

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO. UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FY-IN 204 Eksamensdag : 2 september 1998 (utsatt grunnet streik V-98) Tid for eksamen : l.0900-1500 Oppgavesettet er på

Detaljer

ELEKTRONIKK 2 DAK-ØVING 6 Endre i transistormodell, DCsvip, AC-svip, impedans 2004

ELEKTRONIKK 2 DAK-ØVING 6 Endre i transistormodell, DCsvip, AC-svip, impedans 2004 ELEKTRONIKK 2 DAK-ØVING 6 Endre i transistormodell, DCsvip, AC-svip, impedans 2004 Vi skal i denne oppgaven forsøke å simulere et enkelt forsterkertrinn med bipolar transistor. Vi har imidlertid ikke modell

Detaljer

Forelesning nr.6 INF Operasjonsforsterker Fysiske karakteristikker og praktiske anvendelser

Forelesning nr.6 INF Operasjonsforsterker Fysiske karakteristikker og praktiske anvendelser Forelesning nr.6 INF 1410 Operasjonsforsterker Fysiske karakteristikker og praktiske anendelser Oersikt dagens temaer Kretsekialent for opamp Fysiske begrensinger Common-mode rejection Komparatorer Metning

Detaljer

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer. Måleteknikk Operasjonsforsterkere

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer. Måleteknikk Operasjonsforsterkere Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer Måleteknikk Operasjonsforsterkere Dagens temaer Måleteknikk Wheatstone-bro Ideell operasjonsforsterker Differensiell forsterker Opamp-kretser Dagens temaer

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet Eksamen i : FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Eksamensdag : Tirsdag 2. juni 2015 Tid for eksamen : 09:00 12:00 (3 timer) Oppgavesettet

Detaljer

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer. Måleteknikk Operasjonsforsterkere

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer. Måleteknikk Operasjonsforsterkere Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer Måleteknikk Operasjonsforsterkere Dagens temaer Måleteknikk Wheatstone-bro Ideell operasjonsforsterker Differensiell forsterker Opamp-kretser Dagens temaer

Detaljer

LAB 7: Operasjonsforsterkere

LAB 7: Operasjonsforsterkere LAB 7: Operasjonsforsterkere I denne oppgaven er målet at dere skal bli kjent med praktisk bruk av operasjonsforsterkere. Dette gjøres gjennom oppgaver knyttet til operasjonsforsterkeren LM358. Dere skal

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO. UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Eksamensdag : 6. juni 2012 Tid for eksamen : 09:00 (3 timer) Oppgavesettet er

Detaljer

Forelesning 8. CMOS teknologi

Forelesning 8. CMOS teknologi Forelesning 8 CMOS teknologi Hovedpunkter MOS transistoren Komplementær MOS (CMOS) CMOS eksempler - Inverter - NAND / NOR - Fulladder Designeksempler (Cadence) 2 Halvledere (semiconductors) 3 I vanlig

Detaljer

«OPERASJONSFORSTERKERE»

«OPERASJONSFORSTERKERE» Kurs: FYS 1210 Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 7 Revidert utgave, desember 2014 (T. Lindem, K.Ø. Spildrejorde, M. Elvegård) Omhandler: «OPERASJONSFORSTERKERE» FORSTERKER MED TILBAKEKOBLING

Detaljer

INF 5460 Elektrisk støy beregning og mottiltak

INF 5460 Elektrisk støy beregning og mottiltak INF 5460 Elektrisk støy beregning og mottiltak Obligatorisk oppgave nummer 3. Frist for levering: 30 April (kl 23:59). Vurderingsform: Godkjent/Ikke godkjent. Oppgavene leveres på individuell basis. Oppgavene

Detaljer

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag Ny/utsatt eksamen i: Elektronikk Målform: Bokmål Dato: 2. august 2017 Tid: 3 timer/0900-1200 Antall sider (inkl. forside): 5 (inkludert Vedlegg

Detaljer

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi HØGSKOLEN SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi Kandidatnr: Eksamensdato: 0.1.009 Varighet/eksamenstid: Emnekode: 5 timer EDT10T Emnenavn: Elektronikk 1 Klasse(r): EL Studiepoeng: 7,5 Faglærer(e): ngrid

Detaljer

Forslag til løsning på eksame n FY-IN 204 våren 2002

Forslag til løsning på eksame n FY-IN 204 våren 2002 Forslag til løsning på eksame n FY-N 04 våren 00 Spenningsforsterkningen er tilnærmet gitt av motstandene og. Motstanden har ingen innflytelse på forsterkningen. For midlere frekvenser ser vi bort fra

Detaljer

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag Ny/utsatt eksamen i: Elektronikk Målform: Bokmål Dato: 2. august 2016 Tid: 0900-1200 Antall sider (inkl. forside): 6 (inkludert Vedlegg 1 side)

Detaljer

Eksamensoppgaver i Elektronikk 1 - LO350E.

Eksamensoppgaver i Elektronikk 1 - LO350E. Eksamensoppgaver i Elektronikk 1 - LO350E. 96h, 97h, 98h 99h, 99utsatt 00h, 00utsatt 01h, 01utsatt 02h, 02utsatt 03h, 03utsatt 04h, 04utsatt 05h, 05utsatt 06h, 06utsatt Rolf Ingebrigtsen Elnikk1/EksSaml/22.11.2007

Detaljer

INF1411 Oblig nr. 4 Vår 2011

INF1411 Oblig nr. 4 Vår 2011 INF1411 Oblig nr. 4 Vår 2011 Informasjon og orientering Alle obligatoriske oppgaver ved IFI skal følge instituttets reglement for slike oppgaver. Det forutsettes at du gjør deg kjent med innholdet i reglementet

Detaljer

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer. Måleteknikk Operasjonsforsterkere

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer. Måleteknikk Operasjonsforsterkere Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer Måleteknikk Operasjonsforsterkere Dagens temaer Måleteknikk Wheatstone-bro Ideell operasjonsforsterker Differensiell forsterker Opamp-kretser Dagens temaer

Detaljer

ENKLE LOGISKE KRETSER

ENKLE LOGISKE KRETSER Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 3 Omhandler: ENKLE LOGISKE KRETSER Revidert utgave 28.02.2001 Utført dato: Utført av: Navn:

Detaljer

Monostabil multivibrator One shot genererer en enkelt puls med spesifisert varighet kretsen har en stabil tilstand

Monostabil multivibrator One shot genererer en enkelt puls med spesifisert varighet kretsen har en stabil tilstand Lindem 22.april 2013 MULTIVIBRATORER En egen gruppe regenerative kretser. Brukes mest til generering av pulser i timere. 3 typer : Bistabile Monostabile Astabile Bistabil multivibrator Bistabil latch /

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i: INF1411 Introduksjon til elektroniske systemer Eksamensdag: 1. juni 2015 Tid for eksamen: 4 timer Oppgavesettet er på 5 sider

Detaljer

Forslag til løsning på eksamen i FYS1210 våren 2005 side 1. Fig.1 viser et nettverk med to 9 volt batterier og 4 motstander, - alle på 1kΩ.

Forslag til løsning på eksamen i FYS1210 våren 2005 side 1. Fig.1 viser et nettverk med to 9 volt batterier og 4 motstander, - alle på 1kΩ. Forslag til løsning på eksamen i FYS20 våren 2005 side Eksamen har totalt 22 spørsmål Oppgave Fig. viser et nettverk med to 9 volt atterier og 4 motstander, - alle på kω. a ) Hva lir spenningen over motstand

Detaljer

Forelesning nr.12 INF 1411 Elektroniske systemer. Opamp-kretser Oscillatorer og aktive filtre

Forelesning nr.12 INF 1411 Elektroniske systemer. Opamp-kretser Oscillatorer og aktive filtre Forelesning nr.12 INF 1411 Elektroniske systemer Opamp-kretser Oscillatorer og aktive filtre Dagens temaer Komparatorer, addisjon- og subtraksjonskretser Integrasjon og derivasjon med opamp-kretser Oscillator

Detaljer

Prøveeksamen 1. Elektronikk 8.feb. 2010. Løsningsforslag

Prøveeksamen 1. Elektronikk 8.feb. 2010. Løsningsforslag Prøveeksamen 1 Elektronikk 8.feb. 2010 Løsningsforslag OPPGAVE 1 a) I koplingen til venstre ovenfor er u I et sinusformet signal med moderat frekvens og effektivverdi på 6,3V. Kretsen er en negativ toppverdikrets,

Detaljer

Monostabil multivibrator One shot genererer en enkelt puls med spesifisert varighet kretsen har en stabil tilstand

Monostabil multivibrator One shot genererer en enkelt puls med spesifisert varighet kretsen har en stabil tilstand Lindem 24.april 2010 MULTIVIBATOE En egen gruppe regenerative kretser. Brukes mest til generering av pulser i timere. 3 typer : Bistabile Monostabile Astabile Bistabil multivibrator Bistabil latch / flip

Detaljer

Ny/Utsatt eksamen i Elektronikk 2. August Løsningsforslag Knut Harald Nygaard

Ny/Utsatt eksamen i Elektronikk 2. August Løsningsforslag Knut Harald Nygaard Ny/Utsatt eksamen i Elektronikk 2. August 2017 Løsningsforslag Knut Harald Nygaard Oppgave 1 Operasjonsforsterkeren i kretsløpet i figuren nedenfor kan regnes som ideell. v inn v ut C a) Overføringsfunksjonen

Detaljer

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1 Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren 2012 Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) Oppgave 1a) (vekt 5 %) Hva er strømmen i og spenningen V out i krets A) i Figur 1? Svar

Detaljer

AVDELING FOR TEKNOLOGI

AVDELING FOR TEKNOLOGI AVDELING FOR TEKNOLOGI INSTITUTT FOR ELEKTROTEKNIKK Eksamensdato: 8. mai 00 Varighet: 0900-1400 Fagnummer: SO417E Fagnavn: Elektronikk Vekttall: 5 Klasse(r): EE ET 3ET 3EE Faglærer: Petter Brækken - tlf.

Detaljer

Mot 6: Støy i felteffekttransistorer

Mot 6: Støy i felteffekttransistorer / Mot 6: Støy i felteffekttransistorer To typer av felteffekttransistorer: MOSFET: Kapasitiv kontroll av kanal JFET: Variasjon av bredden på en reversforspent diode hvor deplesjonssonen besteer bredden

Detaljer

IN 241 VLSI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver 25/ uke 39

IN 241 VLSI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver 25/ uke 39 IN 4 VLSI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver 5/9-00 uke 39 ) Skisser en standard CMOS inverter. Anta ßnßp. Tegn opp noen drain-source karakteristikker for begge transistorene. Bytt ut Vds og

Detaljer

Enkle logiske kretser Vi ser på DTL (Diode Transistor Logikk) og 74LSxx (Low Power Schottky logikk)

Enkle logiske kretser Vi ser på DTL (Diode Transistor Logikk) og 74LSxx (Low Power Schottky logikk) Kurs: FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgaver Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: Omhandler: LABORATORIEOPPGAVE NR 5 Revidert desember 2014 T. Lindem, K. Ø. Spildrejorde, M. Elvegård Enkle logiske kretser Vi

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO. UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Eksamensdag : 1. juni 2011 Tid for eksamen : 09:00 (3 timer) Oppgavesettet er

Detaljer

FYS Elektronikk med prosjektoppgaver Vår Løsningsforslag uke 9

FYS Elektronikk med prosjektoppgaver Vår Løsningsforslag uke 9 FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Vår 2016 Løsningsforslag uke 9 Innhold 20.4 Forsterkerekvivalent........................ 1 20.6 Forsterkerekvivalent........................ 1 20.8 Forsterkerekvivalent........................

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i: INF1411 Introduksjon til elektroniske systemer Eksamensdag: 6. juni 2016 Tid for eksamen: 4 timer Oppgavesettet er på 6 sider

Detaljer

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag Eksamen i: Elektronikk Målform: Bokmål Dato: 24. mai 2017 Tid: 3 timer/0900-1200 Antall sider (inkl. forside): 5 (inkludert Vedlegg 1 side) Antall

Detaljer

Lab 7 Operasjonsforsterkere

Lab 7 Operasjonsforsterkere Universitetet i Oslo FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgave Lab 7 Operasjonsforsterkere Sindre Rannem Bilden 13. april 2016 Labdag: Tirsdag Labgruppe: 3 Oppgave 1: Forsterker med tilbakekobling I en operasjonsforsterker

Detaljer

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2015

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2015 FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2015 K. Spildrejorde, M. Elvegård Juni 2015 1 Oppgave 1: Frekvensfilter Frekvensfilteret har følgende verdier: 1A C1 = 1nF C2 = 100nF R1 = 10kΩ R2 = 10kΩ Filteret er et

Detaljer

Eksamen i Elektronikk 24. Mai Løsningsforslag Knut Harald Nygaard

Eksamen i Elektronikk 24. Mai Løsningsforslag Knut Harald Nygaard Eksamen i Elektronikk 24. Mai 2017 Løsningsforslag Knut Harald Nygaard Oppgave 1 Operasjonsforsterkeren i kretsløpet i figuren nedenfor kan regnes som ideell. v inn R C v ut a) Overføringsfunksjonen er

Detaljer

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag Ny og utsatt eksamen i: Elektronikk Målform: Bokmål Dato: 1. august 01 Tid: 0900-100 Antall sider (inkl. forside): 5 (inkludert Vedlegg 1 side)

Detaljer

Enkle logiske kretser Vi ser på DTL (Diode Transistor Logikk) og 74LSxx (Low Power Schotky logikk)

Enkle logiske kretser Vi ser på DTL (Diode Transistor Logikk) og 74LSxx (Low Power Schotky logikk) Kurs: FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgaver Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: Omhandler: LABORATORIEOPPGAVE NR 5 Revidert 11. mars 2014 T.Lindem Enkle logiske kretser Vi ser på DTL (Diode Transistor Logikk)

Detaljer

LABORATORIEOPPGAVE NR 6. Logiske kretser - DTL (Diode-Transistor Logic) Læringsmål: Oppbygning

LABORATORIEOPPGAVE NR 6. Logiske kretser - DTL (Diode-Transistor Logic) Læringsmål: Oppbygning LABORATORIEOPPGAVE NR 6 Logiske kretser - DTL (Diode-Transistor Logic) Læringsmål: Gi en kort innføring i de elektriske egenskapene til digiale kretser. Delmål: Studentene skal etter gjennomført laboratorieoppgave:

Detaljer

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag Ny og utsatt eksamen i: Elektronikk Målform: Bokmål Dato: 7. august 2013 Tid: 0900-1200 Antall sider (inkl. forside): 5 (inkludert Vedlegg 1 side)

Detaljer

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1 Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren 2012 Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) Oppgave 1a) (vekt 5 %) Hva er strømmen i og spenningen V out i krets A) i Figur 1? Svar

Detaljer

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 V-2007 ( rev.2 )

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 V-2007 ( rev.2 ) Forslag til løsning på eksamen FYS20 V-2007 ( rev.2 ) Oppgave Figur a viser et nettverk med et atteri på 24 volt og 4 motstander. R = 3kΩ, R2 =,5 kω, R3 = 9 kω, R4 = 3 kω a) Hva er spenningen i punktene

Detaljer

Lab 5 Enkle logiske kretser - DTL og 74LS00

Lab 5 Enkle logiske kretser - DTL og 74LS00 Universitetet i Oslo FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgave Lab 5 Enkle logiske kretser - DTL og 74LS00 Sindre Rannem Bilden 4. april 2016 Labdag: Tirsdag Labgruppe: 3 Oppgave 1: Funksjonstabell En logisk

Detaljer

FYS1210. Robin A. T. Pedersen. May 15, Forord 6. 2 Acknowledgments 6

FYS1210. Robin A. T. Pedersen. May 15, Forord 6. 2 Acknowledgments 6 FYS1210 Robin A. T. Pedersen May 15, 2016 Contents 1 Forord 6 2 Acknowledgments 6 3 Uke 3 - Introduksjon 6 3.1 Elektrisitet.............................. 7 3.1.1 Ladning............................ 7 3.1.2

Detaljer

Carsten Andersen & Karsten Rislå. Fordypning i. Systemforståelse, elektriske målinger og oppgaver. Basisforlaget

Carsten Andersen & Karsten Rislå. Fordypning i. Systemforståelse, elektriske målinger og oppgaver. Basisforlaget Carsten Andersen & Karsten Rislå Fordypning i BOOST ER Systemforståelse, elektriske målinger og oppgaver Basisforlaget Carsten Andersen Karsten Rislå Basisforlaget Kronprinsensgt. 6 4608 Kristiansand Tlf.

Detaljer

Spenningskilder - batterier

Spenningskilder - batterier UKE 4 Spenningskilder, batteri, effektoverføring. Kap. 2 60-65 AC. Kap 9, s.247-279 Fysikalsk elektronikk, Kap 1, s.28-31 Ledere, isolatorer og halvledere, doping 1 Spenningskilder - batterier Ideell spenningskilde

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO UNIVRSITTT I OSLO et matematisk-naturvitenskapelige fakultet ksamen i: IN3400 igital mikroelektronikk ksamensdag: 1. juni 013 Tid for eksamen: 09.00 13.00 Oppgavesettet er på 6 sider. Vedlegg: Ingen Tillatte

Detaljer