Forelesning 8. CMOS teknologi

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Størrelse: px
Begynne med side:

Download "Forelesning 8. CMOS teknologi"

Transkript

1 Forelesning 8 CMOS teknologi

2 Hovedpunkter MOS transistoren Komplementær MOS (CMOS) CMOS eksempler - Inverter - NAND / NOR - Fulladder Designeksempler (Cadence) 2

3 Halvledere (semiconductors) 3 I vanlig form leder havledere elektrisitet dårlig. Ved hjelp av «doping» og elektriske felt kan man endre ledningsevnen. Der to regioner som er dopet annerledes møtes, dannes en «semiconductor junction». Basisien for all moderne elektronikk: Dioder Transistorer Sensitivitet til lys og varme; solpaneler og thermoelektriske komponeneter. LED eller lys dioder. Mest vanlige halvledere: silisium, germanium og gallium.

4 NMOS transistoren NMOS (Negative doped Metal Oxide Silicon) En 3 (4) terminals komponent Drain Drain Symbol: Gate Gate Source Source Spenningen på gate bestemmer om transistoren leder strøm mellom drain og source terminalene 4

5 NMOS transistoren Ledning Gate poly Isolasjon Ledning n+ n+ Source Drain Silisiumskive p- p- Sett fra siden Silisiumskive n+ poly n+ p- : Svakt positivt dopet silisium n+ : Sterkt negativt dopet silisium (ledende) poly : Polykrystalinskt silisium (ledende) Sett ovenifra 5

6 NMOS transistoren Gate Isolasjon Source poly Drain n+ n+ p- Silisium skive n+ og poly leder strøm, p- leder også strøm til en viss grad Strøm (elektroner) kan ikke gå i fra p- til n+ materiale Strøm kan derfor i utgangspunktet ikke gå i fra source til drain 6

7 NMOS transistoren Gate Isolasjon Source 5V Drain n+ n+ p- Silisium skive Hvis man setter en positiv spenning på gate terminalen (5V)* i forhold til silisiumskiven, dannes det et n+ lag under gate terminalen Nå kan det gå strøm i mellom source og drain * Forutsetter en 5V prosess i alle påfølgende forklaringer 7

8 NMOS transistoren NMOS brukt som styrt bryter (digital anvendelse) Metallledning Gate Metallledning Bryter ekvivalent p- n+ n+ Metallledning Gate Metallledning p- n+ n+ 5V Bryter ekvivalent 8

9 PMOS transistoren PMOS (Positive doped Metal Oxide Silicon) En 3 (4) terminals-komponent Source Source Symbol: Gate Gate Drain Drain Spenningen på gate bestemmer om transistoren leder strøm i mellom drain og source terminalene 9

10 PMOS transistoren Gate Isolasjon Source poly Drain p+ p+ N-brønn p+ poly p+ n- N-brønn p- Silisiumskive Sett fra siden n- p- Sett ovenifra Silisiumskive n- : Svakt negativt dopet silisium p+ : Sterkt positivt dopet silisium (ledende) poly : Polykrystalinskt silisium (ledende) 10

11 PMOS transistoren Gate Source poly Drain p+ p+ n- N-brønn p- Silisium skive p+ og poly leder strøm, n- leder også strøm til en viss grad Strøm (elektroner) kan ikke gå i fra p+ til n- materiale Strøm kan derfor i utgangspunktet ikke gå i fra drain til source 11

12 PMOS transistoren Gate Source Drain p+ p+ n- 5V N-brønn p- Silisium skive Hvis man setter en negativ spenning på gateterminalen (-5V) i forhold til brønnen, dannes det et p+ lag under gateterminalen Nå kan det gå strøm mellom drain og source 12

13 PMOS transistoren PMOS brukt som styrt bryter (digital anvendelse) Metallledning Gate 5V Metallledning Bryter ekvivalent n- p+ p+ 5V Metallledning Gate Metallledning n- p+ p+ 5V Bryter ekvivalent 13

14 CMOS kretser CMOS (Complementary MOS) inverter Vdd Gnd n+ n+ p- n- p+ 5V Vdd p+ x x Metall Sett fra siden x Poly n- Gnd p- x 14 Kontakt fra metall til n+ Sett ovenifra

15 CMOS inverter Tilstand 1 - inn, 5V ut Vdd Gnd 5V n+ n+ p+ n- p- Sett fra siden 5V Vdd p+ 5V Gnd e- n- Vdd Gnd p- 5V Sett ovenifra 15

16 CMOS inverter Tilstand 2-5V inn ut Vdd 5V Gnd n+ n+ p- p+ n- Sett fra siden 5V 5V Vdd p+ 5V 5V Gnd e- n- Vdd Gnd p- Sett ovenifra 16

17 CMOS NAND-krets Vdd Vdd A B Både A og B må være 5V for å koble utgangen ned til A (AB) B Gnd 17

18 CMOS NAND-krets B A (AB) Vdd B A n- A 5V (AB) B p- Gnd Skjema Utlegg 18

19 CMOS NOR-krets A Det holder at enten A eller B er 5V for å koble utgangen ned til B (A+B) B A 19

20 CMOS NOR-krets A A B Vdd n- B (A+B) 5V (A+B) A B Gnd Skjema Utlegg 20

21 CMOS-kretser A C En enkel CMOS port kan implementere generelle funksjoner Eksempel: F = (C(A+B)) B (C(A+B)) A B C Vdd n- p- C (C(A+B)) B A Gnd 21

22 Eksempel: Fulladder CMOS-kretser 22

23 Open drain (wired AND) En port med open drain(collector)-utgang kan bare trekke utgangsspenningen ned til Gnd / 0, ikke dra den opp til Vdd / 1 Fordel: Utganger fra flere porter kan kobles sammen (ingen logisk/elektrisk konflikt) Andre egenskaper: For å kunne få 1 ut, bruker vi en ekstern motstand mot Vdd Nye funksjoner blir generert i utgangsledningene. (Kan resultere i færre porter) 23

24 Open drain Eksempel 1: Eksempel 2: Får 3-inputs NOR gratis Evt. får 3-inputs AND gratis 24

25 CMOS - teknologiutvikling Skalering reduksjon i geometriske størrelser Gate isolasjon: Vanlig tykkelse 1.2nm 7nm State of the art: <3 atomlag Gevinst ved reduksjon i tykkelse: Raskere transistor Transistor lengde: Vanlig lengde: 0.06µm-0.35µm State of the art: <10nm Gevinst ved reduksjon i lengde: Raskere transistor poly Isolasjon: Silisiumoksyd n+ n+ p- Silisiumskive 25 Transistorlengde

26 CMOS - teknologiutvikling Sideeffekt ved skalering: Forsyningsspenningen må reduseres Flere metall lag Mer 3 dimensjonal ledningsstruktur Vanlig antall metall lag: 5-12 Eksempel: Xilinx Virtex V FPGA 65nm transistorlengde, 12 metall lag, Vdd kjerne = 1V 26

27 CMOS - teknologiutvikling Eksempel på mikrochip overflate Transistor Metall ledninger nm

28 CMOS - teknologiutvikling Intel 90nm prosess 28

29 CMOS - teknologiutvikling Intel 90nm prosess Tverrsnitt av metall ledinger i 7 lag 29

30 30 CMOS skjulte budskap

31 Kurs i CMOS design ved IFI INF3400/ Digital mikroelektronikk (vår) INF3410/ Analog mikroelektronikk (høst) 31

32 Oppsummering MOS transistoren Komplementær MOS (CMOS) CMOS eksempler - Inverter - NAND / NOR - Fulladder CMOS teknologi 2006 Designeksempler (Cadence) 32

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer 1 Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Feedback-oscillatorer Dagens

Detaljer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Dagens temaer er hentet fra

Detaljer

PENSUM INF spring 2013

PENSUM INF spring 2013 PENSUM INF3400 - spring 2013 Contents 1 Kjede med porter 2 1.1 Logisk effort for portene....................................... 2 1.2 Kritisk signalvei........................................... 2 1.3

Detaljer

GJ ennomgang av CMOS prosess, tverrsnitt av nmos- og

GJ ennomgang av CMOS prosess, tverrsnitt av nmos- og Del : Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS rosess YNGVAR BERG I. Innhold GJ ennomgang av CMOS rosess, tverrsnitt av nmos og MOS transistor og tverrsnitt av CMOS inverter. Enkel forklaring

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i: INF3400 Digital mikroelektronikk Eksamensdag: 10. juni 2011 Tid for eksamen: 9.00 13.00 Oppgavesettet er på 5 sider. Vedlegg:

Detaljer

INF1400. Digital teknologi. Joakim Myrvoll 2014

INF1400. Digital teknologi. Joakim Myrvoll 2014 INF1400 Digital teknologi Joakim Myrvoll 2014 Innhold 1 Forenkling av funksjonsuttrykk 3 1.1 Huntingtons postulater......................................... 3 1.2 DeMorgans...............................................

Detaljer

Oppgave 1 INF3400. Løsning: 1a Gitt funksjonen Y = (A (B + C) (D + E + F)). Tegn et transistorskjema (skjematikk) i komplementær CMOS for funksjonen.

Oppgave 1 INF3400. Løsning: 1a Gitt funksjonen Y = (A (B + C) (D + E + F)). Tegn et transistorskjema (skjematikk) i komplementær CMOS for funksjonen. Eksamen Vår 2006 INF400 INF400 Eksamen vår 2006 0.06. /9 Oppgave a Gitt funksjonen Y (A (B + C) (D + E + F)). Tegn et transistorskjema (skjematikk) i komplementær CMOS for funksjonen. INF400 Eksamen vår

Detaljer

INF 5460 Elektrisk støy beregning og mottiltak

INF 5460 Elektrisk støy beregning og mottiltak INF 5460 Elektrisk støy beregning og mottiltak Obligatorisk oppgave nummer 3. Frist for levering: 30 April (kl 23:59). Vurderingsform: Godkjent/Ikke godkjent. Oppgavene leveres på individuell basis. Oppgavene

Detaljer

Repetisjon. Sentrale temaer i kurset som er relevante for eksamen (Eksamen kan inneholde stoff som ikke er nevnt her)

Repetisjon. Sentrale temaer i kurset som er relevante for eksamen (Eksamen kan inneholde stoff som ikke er nevnt her) Repetisjon Sentrale temaer i kurset som er relevante for eksamen (Eksamen kan inneholde stoff som ikke er nevnt her) Hovedpunkter Pensumoversikt Gjennomgang av sentrale deler av pensum Div informasjon

Detaljer

INF1400 Kap 0 Digitalteknikk

INF1400 Kap 0 Digitalteknikk INF1400 Kap 0 Digitalteknikk Binære tall (ord): Digitale signaler: Hva betyr digital? Tall som kun er representert ved symbolene 0 og 1 (bit s). Nøyaktighet gitt av antall bit. (avrundingsfeil) Sekvenser

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO UNIVRSITTT I OSLO et matematisk-naturvitenskapelige fakultet ksamen i: IN3400 igital mikroelektronikk ksamensdag: 1. juni 013 Tid for eksamen: 09.00 13.00 Oppgavesettet er på 6 sider. Vedlegg: Ingen Tillatte

Detaljer

Løsningsforslag DEL1 og 2 INF3400/4400

Løsningsforslag DEL1 og 2 INF3400/4400 Løsningsforslag L og 2 INF3400/4400 NGVR RG. Oppgave.3 I. Oppgaver Tegn en MOS 4-inngangs NOR port på transistor nivå.. Løsningsforslag 0 0 0 0 0 0 0 Fig. 2. NOR port med fire innganger. Fig.. To-inngangs

Detaljer

Løsningsforslag DEL1 og 2 INF3400/4400

Løsningsforslag DEL1 og 2 INF3400/4400 Løsningsforslag L1 og 2 INF3400/4400 NGVR RG I. Oppgaver. Oppgave 1.3 Tegn en MOS 4-inngangs NOR port på transistor nivå..1 Løsningsforslag 0 0 1 0 1 0 11 0 1 0 0 Fig. 2. NOR port med fire innganger. Fig.

Detaljer

INF1400 Kap 1. Digital representasjon og digitale porter

INF1400 Kap 1. Digital representasjon og digitale porter INF4 Kap Digital representasjon og digitale porter Hovedpunkter Desimale / binære tall Digital hardware-representasjon Binær koding av bokstaver og lyd Boolsk algebra Digitale byggeblokker / sannhetstabell

Detaljer

IN troduksjon til CMOS fabrikasjonsprosess. Stick diagrammer

IN troduksjon til CMOS fabrikasjonsprosess. Stick diagrammer Del 7: CMOS fabrikasjonsprosess og utleggsregler YNGVAR BERG I. Innhold IN troduksjon til CMOS fabrikasjonsprosess. Stick diagrammer og utlegg av inverter blir gjennomgått. CMOS prosesser og fremtilling

Detaljer

INF3400 Forel. # Avansert CMOS. INF3400 Forelesning #15 Øivind Næss

INF3400 Forel. # Avansert CMOS. INF3400 Forelesning #15 Øivind Næss INF3400 Forel. #15 20.05. Avansert CMOS INF3400 Forelesning #15 Øivind Næss INF3400 Forel. #15 20.05. Oversikt 4.9 Skalering 4.9.1 Transistorskalering 4.9.2 Interconnect Interconnect -skalering 4.9.3 Teknologi

Detaljer

Dagens temaer. Dagens temaer er hentet fra P&P kapittel 3. Motivet for å bruke binær representasjon. Boolsk algebra: Definisjoner og regler

Dagens temaer. Dagens temaer er hentet fra P&P kapittel 3. Motivet for å bruke binær representasjon. Boolsk algebra: Definisjoner og regler Dagens temaer Dagens temaer er hentet fra P&P kapittel 3 Motivet for å bruke binær representasjon Boolsk algebra: Definisjoner og regler Kombinatorisk logikk Eksempler på byggeblokker 05.09.2003 INF 103

Detaljer

Oversikt. Avansert CMOS. INF3400 Del Skalering Transistorskalering Interconnect -skalering Teknologi roadmap

Oversikt. Avansert CMOS. INF3400 Del Skalering Transistorskalering Interconnect -skalering Teknologi roadmap Avansert CMOS INF3400 Del 15 Øivind NæssN INF3400 Del 15 18.05. 1/30 Oversikt 4.9 Skalering 4.9.1 Transistorskalering 4.9.2 Interconnect -skalering 4.9.3 Teknologi roadmap 4.9.4 Design-påvirkninger 5.4.1

Detaljer

INF3400 Uke Wire Engineering 4.7 Design Margins. INF3400 Uke 14 Øivind Næss

INF3400 Uke Wire Engineering 4.7 Design Margins. INF3400 Uke 14 Øivind Næss INF3400 Uke 14 13.05. 4.6 Wire Engineering 4.7 Design Margins INF3400 Uke 14 Øivind Næss INF3400 Uke 14 13.05. Konstruksjon av gode ledninger Ønsker å oppnå lav forsinkelse, lite areal og lavt effektforbruk

Detaljer

Digital representasjon

Digital representasjon Digital representasjon Nesten alt elektrisk utstyr i dag inneholder digital elektronikk: PC er, mobiltelefoner, MP3-spillere, DVD/CD-spillere, biler, kjøleskap, TV, fotoapparater, osv osv. Hva betyr digital?

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO Eksamen i: UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet INF1400 Digital teknologi Eksamensdag: 29. november 2011 Tid for eksamen: Vedlegg: Tillatte hjelpemidler: Oppgavesettet er på

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO UIVERSITETET I OSLO Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i Eksamensdag: Oppgavesettet er på 7 sider. Vedlegg: Tillatte hjelpemidler: Løsningsforslag Digital mikroelektronikk Ingen Alle trykte

Detaljer

Tips og triks til INF3400

Tips og triks til INF3400 Tips og triks til INF3400 Joakim S. Hovlandsvåg 11. desember 2008 1 Opp- og nedtrekk - kap1 Ved inverterte formlar gjeld følgande: i nedtrekk blir ei seriekobling, opptrekk får parallellkobling

Detaljer

Rapport laboratorieøving 2 RC-krets. Thomas L Falch, Jørgen Faret Gruppe 225

Rapport laboratorieøving 2 RC-krets. Thomas L Falch, Jørgen Faret Gruppe 225 Rapport laboratorieøving 2 RC-krets Thomas L Falch, Jørgen Faret Gruppe 225 Utført: 12. februar 2010, Levert: 26. april 2010 Rapport laboratorieøving 2 RC-krets Sammendrag En RC-krets er en seriekobling

Detaljer

Konstruksjon av gode ledninger

Konstruksjon av gode ledninger 4.6 Wire Engineering 4.7 Design Margins INF3400 Del 14 Øivind NæssN INF3400/4400 våren Design av ledere og design marginer 1/25 Konstruksjon av gode ledninger Ønsker å oppnå lav forsinkelse, lite areal

Detaljer

IN 241 VLSI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver 25/ uke 39

IN 241 VLSI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver 25/ uke 39 IN 4 VLSI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver 5/9-00 uke 39 ) Skisser en standard CMOS inverter. Anta ßnßp. Tegn opp noen drain-source karakteristikker for begge transistorene. Bytt ut Vds og

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO UNIVRSITTT I OSLO et matematisk-naturvitenskapelige fakultet ksamen i: INF400 igital mikroelektronikk ksamensdag: 11. juni 2008 Tid for eksamen: Oppgavesettet er på 5 sider. Vedlegg: Ingen Tillatte hjelpemidler:

Detaljer

Forelesning 6. Sekvensiell logikk

Forelesning 6. Sekvensiell logikk Forelesning 6 Sekvensiell logikk Hovedpunkter Låsekretser (latch er) SR latch bygget med NOR S R latch bygget med NAN latch Flip-Flops Master-slave flip-flop JK flip-flop T flip-flop 2 efinisjoner Kombinatorisk

Detaljer

INF1400. Sekvensiell logikk del 1

INF1400. Sekvensiell logikk del 1 INF1400 Sekvensiell logikk del 1 Hovedpunkter Låsekretser (latch er) SR latch med NOR-porter S R latch med NAND-porter D-latch Flip-flop Master-slave D-flip-flop JK flip-flop T-flip-flop Omid Mirmotahari

Detaljer

Dagens temaer. Architecture INF ! Dagens temaer hentes fra kapittel 3 i Computer Organisation and

Dagens temaer. Architecture INF ! Dagens temaer hentes fra kapittel 3 i Computer Organisation and Dagens temaer! Dagens temaer hentes fra kapittel 3 i Computer Organisation and Architecture! Enkoder/demultiplekser (avslutte fra forrige gang)! Kort repetisjon 2-komplements form! Binær addisjon/subtraksjon!

Detaljer

Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Onsdag 15. august Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG

Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Onsdag 15. august Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG Side av 8 NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPLIGE UNIVERSITET Institutt for elektronikk og telekommunikasjon Faglig kontakt under eksamen: Ragnar Hergum 73 59 2 23 / 92 87 72 Bjørn B. Larsen 73 59 44 93 Kontinuasjonseksamen

Detaljer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer MOSFET I en n-kanals MOSFET (enhancement-type) lager man en n-type kanal mellom Source og Drain ved å lage et inversjonslag i et p-type substrat

Detaljer

Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Onsdag 15. august Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG

Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Onsdag 15. august Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG Side av 8 NORGES TEKNISKNATURVITENSKAPLIGE UNIVERSITET Institutt for elektronikk og telekommunikasjon Faglig kontakt under eksamen: Ragnar Hergum 73 59 2 23 / 92 87 72 Bjørn B. Larsen 73 59 44 93 Kontinuasjonseksamen

Detaljer

Lab 1 i INF3410. Prelab: Gruppe 5

Lab 1 i INF3410. Prelab: Gruppe 5 Lab 1 i INF3410 Prelab: a) EKV modellen ble modellert i Matlab, der EKV.m er brukes til å lage en funksjon av drainsource strømmen. Reverse bias strøm trekkes i fra forward bias strøm, noe som danner grunnlaget

Detaljer

Rev. Lindem 25.feb..2014

Rev. Lindem 25.feb..2014 ev. Lindem 25.feb..2014 Transistorforsterkere - oppsummering Spenningsforsterker klasse Med avkoplet emitter og uten Forsterkeren inverterer signalet faseskift 180 o Transistoren er aktiv i hele signalperioden

Detaljer

Obligatorisk oppgave 2 i INF4400 for Jan Erik Ramstad

Obligatorisk oppgave 2 i INF4400 for Jan Erik Ramstad Obligatorisk oppgave i INF44 for Jan Erik Ramstad Jan Erik Ramstad Institutt for Informatikk Universitetet i Oslo janera@fys.uio.no 5. februar 6.5 DC karakteristikk for en inverter.5 Vut (V).5 4 Bakgrunn

Detaljer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer 1 Dagens temaer Historisk overblikk Repetisjon halvledere Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Dagens temaer er hentet fra kapittel

Detaljer

VLSI (Very-Large-Scale-Integrated- Circuits) it Mer enn porter på samme. LSI (Large-Scale-Integrated-Circuits)

VLSI (Very-Large-Scale-Integrated- Circuits) it Mer enn porter på samme. LSI (Large-Scale-Integrated-Circuits) Teknologier Repetisjon Sentrale temaer i kurset som er relevante for eksamen (Eksamen kan inneholde stoff som ikke er nevnt her) VLSI (Very-Large-Scale-Integrated- Circuits) it Mer enn porter på samme

Detaljer

TFE4101 Krets- og Digitalteknikk Høst 2016

TFE4101 Krets- og Digitalteknikk Høst 2016 Norges teknisk naturvitenskapelige universitet Institutt for elektronikk og telekomunikasjon TFE40 Krets- og Digitalteknikk Høst 206 Løsningsforslag Øving 5 Boolske funksjoner, algebraisk forenkling av

Detaljer

Cadence Oppstart og Skjemategning

Cadence Oppstart og Skjemategning Cadence Oppstart og Skjemategning Dag T. Wisland 17. januar 2005 1 Introduksjon Cadence er en komplett pakke for konstruksjon av elektroniske kretser og inneholder en rekke forskjellige verktøy både for

Detaljer

TDT4160 Datamaskiner Grunnkurs 2011. Gunnar Tufte

TDT4160 Datamaskiner Grunnkurs 2011. Gunnar Tufte 1 TDT4160 Datamaskiner Grunnkurs 2011 Gunnar Tufte 2 Kapittel 3: Digital logic level 3 Nivå 0: Digtalekretsar Fundamentale komponentar AND, OR, NOT,NAND, NOR XOR porter D-vipper for lagring av ett bit

Detaljer

MO deller for tidsforsinkelse i logiske porter blir gjennomgått.

MO deller for tidsforsinkelse i logiske porter blir gjennomgått. Del 5: Statisk digital CMOS NGVR ERG I. Innhold MO deller for tidsforsinkelse i logiske porter blir gjennomgått. I tillegg til enkel lineær model for tidsforsinkelse blir Elmore tidsforsinkelsesmodell

Detaljer

Digital Teknologi. Forelesning nr 1

Digital Teknologi. Forelesning nr 1 Digital Teknologi Forelesning nr 1 Hovedpunkter Desimale / binære tall Digital hardware-representasjon Binær koding av bokstaver og lyd Boolsk algebra Digitale byggeblokker / sannhetstabell Generelle porter

Detaljer

Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK

Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK Side av 9 NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPLIGE UNIVERSITET Institutt for elektronikk og telekommunikasjon Faglig kontakt under eksamen: Ragnar Hergum 73 59 2 23 / 92 87 72 Bjørn B. Larsen 73 59 44 93 Kontinuasjonseksamen

Detaljer

GJ ennomgang av CMOS prosess, tverrsnitt av nmos- og

GJ ennomgang av CMOS prosess, tverrsnitt av nmos- og Del : Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS rosess YNGVAR BERG I. Innhold GJ ennomgang av CMOS rosess, tverrsnitt av nmos og MOS transistor og tverrsnitt av CMOS inverter. Enkel forklaring

Detaljer

Masteroppgave 60 studiepoeng

Masteroppgave 60 studiepoeng UNIVERSITETET I OSLO Fysisk Institutt Implementasjon av Ultra Lav Spenning Kombinatoriske og Sekvensielle Kretser i 90 nm CMOS Masteroppgave 60 studiepoeng Mustafa Karais 01. Oktober 2009 i ii Abstrakt

Detaljer

Halvledere. Vg1 Vg3 Antall elever: Maksimum 15 Varighet: 90 minutter. Passer for:

Halvledere. Vg1 Vg3 Antall elever: Maksimum 15 Varighet: 90 minutter. Passer for: Halvledere Lærerveiledning Passer for: Vg1 Vg3 Antall elever: Maksimum 15 Varighet: 90 minutter Halvledere er et skoleprogram hvor elevene får en innføring i halvlederelektronikk. Elevene får bygge en

Detaljer

Transistorforsterker

Transistorforsterker Oppsummering Spenningsforsterker klasse Med avkoplet emitter og uten Forsterkeren inverterer signalet faseskift 180o Transistoren er aktiv i hele signalperioden i b B i c C g m I V C T i c v i r π B1 B2

Detaljer

LØSNINGSFORSLAG 2006

LØSNINGSFORSLAG 2006 LØSNINGSFORSLAG 2006 Side 1 Oppgave 1), vekt 12.5% 1a) Bruk Karnaughdiagram for å forenkle følgende funksjon: Y = a b c d + a b c d + a b cd + a bc d + a bc d + ab c d + ab cd ab cd 00 01 11 10 00 1 1

Detaljer

Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer. Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov

Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer. Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov Dagens temaer Organisering av kurset Læringsmål Bakgrunn Strøm, og motivasjon for kurs i analog elektronikk

Detaljer

Del 5: Statisk digital CMOS

Del 5: Statisk digital CMOS Del 5: Statisk digital CMOS NGVR ERG I. Innhold Modeller for tidsforsinkelse i logiske porter blir gjennomgått. I tillegg til enkel lineær model for tidsforsinkelse blir Elmore tidsforsinkelsesmodell gjennomgått.

Detaljer

CMOS inverter DC karakteristikker og hvordan transistorstørrelser

CMOS inverter DC karakteristikker og hvordan transistorstørrelser Del : Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor YNGVR BERG I. Innhold CMOS inverter DC karakteristikker og hvordan transistorstørrelser påvirker karakteristikken. Definisjon

Detaljer

For å forstå hvordan halvledere fungerer, er det viktig først å ha forstått hva som gjør at noen stoffer leder strøm, mens andre ikke gjør det.

For å forstå hvordan halvledere fungerer, er det viktig først å ha forstått hva som gjør at noen stoffer leder strøm, mens andre ikke gjør det. Kompendium Halvledere Stoffer som leder elektrisk strøm kalles ledere. Stoffer som ikke leder elektrisk strøm kalles isolatorer. Hva er da en halvleder? Litt av svaret ligger i navnet, en halvleder er

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO. UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Eksamensdag : 1. juni 2007 Tid for eksamen : Kl. 14:30 17:30 (3 timer) Oppgavesettet

Detaljer

INF1400. Sekvensiell logikk del 1

INF1400. Sekvensiell logikk del 1 INF4 Sekvensiell logikk del Hovedpunkter Låsekretser (latch er) SR latch med NOR-porter S R latch med NAN-porter -latch Flip-flop Master-slave -flip-flop JK flip-flop T-flip-flop Omid Mirmotahari 3 efinisjoner

Detaljer

2. La det bli lys Ditt første Arduino program

2. La det bli lys Ditt første Arduino program 2. La det bli lys Ditt første Arduino program Det første vi skal gjøre nå, er å få den Orange "L"-lampen til å blinke. På denne måten sørger vi for at vi kan snakke med Arduinoen, og at vi får lastet opp

Detaljer

Obligatorisk oppgave 4 i INF4400 for Jan Erik Ramstad

Obligatorisk oppgave 4 i INF4400 for Jan Erik Ramstad Obligatoris oppgave i INF for Jan Eri Ramstad Jan Eri Ramstad Institutt for Informati Universitetet i Oslo janera@fys.uio.no. Mars6 6. april Bagrunn Worst case transient simulering NAND port Oppgave I

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO UNIVERSITETET I OSLO et matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i: INF1400 igital teknologi Eksamensdag: 3. desember 2008 Tid for eksamen: 14:30 17:30 Oppgavesettet er på 5 sider Vedlegg: 1 Tillatte

Detaljer

Transistorkretser Laboratorieeksperimenter realfagseminar Sjøkrigsskolen 15. November 2010

Transistorkretser Laboratorieeksperimenter realfagseminar Sjøkrigsskolen 15. November 2010 Transistorkretser Laboratorieeksperimenter realfagseminar Sjøkrigsskolen 15. November 2010 1. Referanser http://wild-bohemian.com/electronics/flasher.html http://www.creative-science.org.uk/transistor.html

Detaljer

Del 3: Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor

Del 3: Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor Del : Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor YNGVR BERG I. Innhold Vi ser på CMOS inverter DC karakteristikker og hvordan transistorstørrelser påvirker karakteristikken.

Detaljer

Lab 5 Enkle logiske kretser - DTL og 74LS00

Lab 5 Enkle logiske kretser - DTL og 74LS00 Universitetet i Oslo FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgave Lab 5 Enkle logiske kretser - DTL og 74LS00 Sindre Rannem Bilden 4. april 2016 Labdag: Tirsdag Labgruppe: 3 Oppgave 1: Funksjonstabell En logisk

Detaljer

Hovedpunkter. Digital Teknologi. Digitale Teknologi? Digitale Teknologi? Forelesning nr 1. Tall som kun er representert ved symbolene 0 og 1

Hovedpunkter. Digital Teknologi. Digitale Teknologi? Digitale Teknologi? Forelesning nr 1. Tall som kun er representert ved symbolene 0 og 1 3 Digital Teknologi Forelesning nr Digitale Teknologi? Teknologi som opererer med digitale signaler, eller diskrete data. Vi skal se at det er mange fordeler med digitale systemer 4 Desimale / binære tall

Detaljer

INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk LøsningsforslagOppgaver DEL 15 Våren 2007

INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk LøsningsforslagOppgaver DEL 15 Våren 2007 INF34/44 Digital Mikroelektronikk LøsningsforslagOppgaver DEL 15 Våren 27 YNGVAR BERG Del 15: Avansert CMOS I. DEL 15 II. Oppgaver A. Hvordan er fremtiden for CMOS? A.1 Løsningsforslag Teori Det har i

Detaljer

Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer. Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov

Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer. Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov Dagens temaer Organisering av kurset Læringsmål Bakgrunn Strøm, og motivasjon for kurs i analog elektronikk

Detaljer

Eksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK

Eksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK Side 1 av 12 NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPLIGE UNIVERSITET Institutt for elektronikk og telekommunikasjon Faglig kontakt under eksamen: Ragnar Hergum 73 59 20 23 / 920 87 172 Bjørn B. Larsen 73 59 44

Detaljer

Modul nr Elektriske kretser

Modul nr Elektriske kretser Modul nr. 1270 Elektriske kretser Tilknyttet rom: Newtonrom Fauske 1270 Newton håndbok - Elektriske kretser Side 2 Kort om denne modulen Formålet med denne modulen er at elevene skal få et grunnlag for

Detaljer

INF1510: Bruksorientert design

INF1510: Bruksorientert design INF1510: Bruksorientert design Ukeoppgaver i Arduino - uke 1 Vår 2017 Innhold 1. Elektrisitet 2 1.1. Kretsbygging 2 1.2. Komponenter 2 1.3. Dårlige kretser 3 1.4. Analoge og Digitale signaler 4 1.5. Likestrøm

Detaljer

FYS1210. Repetisjon 2 11/05/2015. Bipolar Junction Transistor (BJT)

FYS1210. Repetisjon 2 11/05/2015. Bipolar Junction Transistor (BJT) FYS1210 Repetisjon 2 11/05/2015 Bipolar Junction Transistor (BJT) Sentralt: Forsterkning Forsterkning er et forhold mellom inngang og utgang. 1. Spenningsforsterkning: 2. Strømforsterkning: 3. Effektforsterkning

Detaljer

RAPPORT LAB 3 TERNING

RAPPORT LAB 3 TERNING TFE4110 Digitalteknikk med kretsteknikk RAPPORT LAB 3 TERNING av June Kieu Van Thi Bui Valerij Fredriksen Labgruppe 201 Lab utført 09.03.2012 Rapport levert: 16.04.2012 FAKULTET FOR INFORMASJONSTEKNOLOGI,

Detaljer

Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer

Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov 16.01. INF 1411 1 Dagens temaer Organisering av kurset Læringsmål Bakgrunn og motivasjon for kurs i analog

Detaljer

Meir om halvleiarar. Halvleiarteknologi

Meir om halvleiarar. Halvleiarteknologi Meir om halvleiarar. Halvleiarteknologi YF 42.6, 42.7 (Halvleiarar vart introduserte i fila Energiband i krystallar, som denne fila er eit framhald av.) Hol Leiingsband Valensband E g Eksitasjon av eit

Detaljer

59.1 Beskrivelse Bildet under viser hvordan modellen tar seg ut slik den står i utstillingen.

59.1 Beskrivelse Bildet under viser hvordan modellen tar seg ut slik den står i utstillingen. 59 TERMOGENERATOREN (Rev 2.0, 08.04.99) 59.1 Beskrivelse Bildet under viser hvordan modellen tar seg ut slik den står i utstillingen. 59.2 Oppgaver Legg hånden din på den lille, kvite platen. Hva skjer?

Detaljer

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer Operasjonsforsterkere 1 Dagens temaer Ideel operasjonsforsterker Operasjonsforsterker-karakteristikker Differensiell forsterker Opamp-kretser Dagens temaer

Detaljer

INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 13 Våren 2007

INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 13 Våren 2007 INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 3 Våren 2007 YNGVA BEG I. Del 3 A. Eksamensoppgave 2005 Hvorfor trengs buffere (repeaters) for å drive signaler over en viss avstand? Hvilke metallag

Detaljer

Fysikk og teknologi Elektronikk FYS ) Det betyr kjennskap til Ohms lov : U = R I og P = U I

Fysikk og teknologi Elektronikk FYS ) Det betyr kjennskap til Ohms lov : U = R I og P = U I Fysikk og teknologi Elektronikk FYS 1210 Skal vi forstå moderne elektronikk - må vi først beherske elementær lineær kretsteknikk - og litt om passive komponenter - motstander, kondensatorer og spoler 1

Detaljer

Del 6: Tidsforsinkelse i logiske kjeder

Del 6: Tidsforsinkelse i logiske kjeder el 6: Tidsforsinkelse i logiske kjeder NGVR ERG I. Innhold Tidsforsinkelse i kjeder med logiske porter. eregning av optimalt antall porter i en kjede. Logisk effort, og tidsforsinkelse i komplementære

Detaljer

TI dsforsinkelse i kjeder med logiske porter. Beregning av

TI dsforsinkelse i kjeder med logiske porter. Beregning av el 6: Tidsforsinkelse i logiske kjeder NGVR ERG I. Innhold TI dsforsinkelse i kjeder med logiske porter. eregning av optimalt antall porter i en kjede. Logisk effort, og tidsforsinkelse i komplementære

Detaljer

Del 3: Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor VDD. Vinn. Vut. I. Innhold

Del 3: Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor VDD. Vinn. Vut. I. Innhold Del : Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor YNGVR BERG I. Innhold CMOS INVERTER DC karakteristikker og hvordan transistorstørrelser påvirker karakteristikken. Definisjon

Detaljer

Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer. Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov

Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer. Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov Forelesning nr.1 INF 1411 Elektroniske systemer Kursoversikt Strøm, spenning, ladning og Ohms lov Dagens temaer Organisering av kurset Læringsmål Bakgrunn Strøm, og motivasjon for kurs i analog elektronikk

Detaljer

Forelesning nr.1 IN 1080 Mekatronikk. Kursoversikt Ladning, strøm, spenning og resistans

Forelesning nr.1 IN 1080 Mekatronikk. Kursoversikt Ladning, strøm, spenning og resistans Forelesning nr.1 IN 1080 Mekatronikk Kursoversikt Ladning, strøm, spenning og resistans Hva er mekatronikk? Mekatronikk : Tverrfaglig disiplin innen ingeniørfag som kombinerer mekanikk, elektronikk, datateknikk,

Detaljer

Del 9: Dynamisk CMOS

Del 9: Dynamisk CMOS Del 9: Dynamisk CMOS NGVR ERG I. Innhold Dynamiske retser blir gjennomgått. Problemer med dynamiske kretser diskuteres. Domino logikk og dual-rail domino logikk blir presentert. Problemer med ladningsdeling

Detaljer

Dagens temaer. Dagens temaer hentes fra kapittel 3 i læreboken. Oppbygging av flip-flop er og latcher. Kort om 2-komplements form

Dagens temaer. Dagens temaer hentes fra kapittel 3 i læreboken. Oppbygging av flip-flop er og latcher. Kort om 2-komplements form Dagens temaer Dagens temaer hentes fra kapittel 3 i læreboken Oppbygging av flip-flop er og latcher Kort om 2-komplements form Binær addisjon/subtraksjon Aritmetisk-logisk enhet (ALU) Demo av Digital Works

Detaljer

Prototyping med Arduino del 2

Prototyping med Arduino del 2 Prototyping med Arduino del 2 Magnus Li magl@ifi.uio.no INF1510 30.01.2017 Arduinoundervisningen Forelesninger Mandag 30.01 & 06.02 Gjennomgang av grunnleggende temaer Teknisk verksted Mandag 30.01, 06.02,

Detaljer

Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer. Dioder

Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer. Dioder Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer Dioder Dagens temaer Dioder Halvlederfysikk Ulike typer halvledere og ladningsbærere Diodekarakteristikker Likerettere og strømforsyninger Spesialdioder

Detaljer

LABORATORIEOPPGAVE NR 6. Logiske kretser - DTL (Diode-Transistor Logic) Læringsmål: Oppbygning

LABORATORIEOPPGAVE NR 6. Logiske kretser - DTL (Diode-Transistor Logic) Læringsmål: Oppbygning LABORATORIEOPPGAVE NR 6 Logiske kretser - DTL (Diode-Transistor Logic) Læringsmål: Gi en kort innføring i de elektriske egenskapene til digiale kretser. Delmål: Studentene skal etter gjennomført laboratorieoppgave:

Detaljer

Forelesning 4. Binær adder m.m.

Forelesning 4. Binær adder m.m. Forelesning 4 Binær adder m.m. Hovedpunkter Binær addisjon 2 er komplement Binær subtraksjon BCD- og GRAY-code Binær adder Halv og full adder Flerbitsadder Carry propagation / carry lookahead 2 Binær addisjon

Detaljer

Litt mer om Arduino. Roger Antonsen Sten Solli INF1510 31. januar 2011

Litt mer om Arduino. Roger Antonsen Sten Solli INF1510 31. januar 2011 Litt mer om Arduino Roger Antonsen Sten Solli INF1510 31. januar 2011 ARDUINO Input (Data) Prosessering Output Arduino Man kan bruke de 3 elementene i varierende grad, og også kutte noen helt ut. Det finnes

Detaljer

Fysikk og teknologi - Elektronikk Mål for opplæringen er at eleven skal kunne

Fysikk og teknologi - Elektronikk Mål for opplæringen er at eleven skal kunne 14. Jan 06 Den nye læreplanen i fysikk Fysikk og teknologi - Elektronikk Mål for opplæringen er at eleven skal kunne 1. gjøre rede for forskjellen mellom ledere, halvledere og isolatorer ut fra dagens

Detaljer

Del 4: Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler

Del 4: Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler Del 4: Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler NGVA BEG I. Innhold Enkle modeller for MOS transistor kapasitanser gjennomgås, herunder gate- og diffusjonskapasitanser.

Detaljer

IN 241 VLSI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver uke 36

IN 241 VLSI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver uke 36 IN 41 VLI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver uke 36 1) Beregn forsterknings faktoren ß for en nmofet fabrikkert i en prosess med: µ = 600cm/V s (Elektronmobilitet for n-dopet materiale) ε = 5

Detaljer

GJ ennomgang av CMOS prosess, tversnitt av nmos- og

GJ ennomgang av CMOS prosess, tversnitt av nmos- og Del : Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS rosess YNGVAR BERG I. Innhold GJ ennomgang av CMOS rosess, tversnitt av nmos og MOS og tverrsnitt av CMOS inverter. Enkel forklaring å begreer

Detaljer

SUPER DISCLAIMER. Vi endrer opplegget litt fra år til år, og vi hører på dere!

SUPER DISCLAIMER. Vi endrer opplegget litt fra år til år, og vi hører på dere! ARDUINO BASISKUNNSKAP ELEKTRISITET SIKKERHET PRAKSIS INSTALLASJON PROGRAMMERING GRUNNLEGGENDE TEORI ÅPEN SONE FOR EKSPERIMENTELL INFORMATIKK STUDIELABEN Roger Antonsen INF1510 23. januar 2012 SUPER DISCLAIMER

Detaljer

Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK

Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPLIGE UNIVERSITET Institutt for elektronikk og telekommunikasjon aglig kontakt under eksamen: Ragnar Hergum 73 59 20 23 / 920 87 172 Bjørn B. Larsen 73 59 44 93 / 902 08 317

Detaljer

Dagens temaer. temaer hentes fra kapittel 3 i Computer Organisation. av sekvensielle kretser. and Architecture. Tilstandsdiagram.

Dagens temaer. temaer hentes fra kapittel 3 i Computer Organisation. av sekvensielle kretser. and Architecture. Tilstandsdiagram. Dagens temaer 1 Dagens Sekvensiell temaer hentes fra kapittel 3 i Computer Organisation and Architecture logikk Flip-flop er Design av sekvensielle kretser Tilstandsdiagram Tellere og registre Sekvensiell

Detaljer

INF1400. Karnaughdiagram

INF1400. Karnaughdiagram INF4 Karnaughdiagram Hvor er vi Vanskelighetsnivå Binær Porter Karnaugh Kretsdesign Latch og flipflopp Sekvensiell Tilstandsmaskiner Minne Eksamen Tid juleaften Omid Mirmotahari 2 Hva lærte vi forrige

Detaljer

Forelesning nr.1 INF 1410

Forelesning nr.1 INF 1410 1 Forelesning nr.1 INF 1410 Kursoversikt Kretsanalyse, basiskomponenter og strøm- og spenningslover Dagens temaer Organisering av kurset INF 1410 Bakgrunn 2 og motivasjon Læringsmål for kurset og oversikt

Detaljer

Enkle logiske kretser Vi ser på DTL (Diode Transistor Logikk) og 74LSxx (Low Power Schottky logikk)

Enkle logiske kretser Vi ser på DTL (Diode Transistor Logikk) og 74LSxx (Low Power Schottky logikk) Kurs: FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgaver Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: Omhandler: LABORATORIEOPPGAVE NR 5 Revidert desember 2014 T. Lindem, K. Ø. Spildrejorde, M. Elvegård Enkle logiske kretser Vi

Detaljer

WORKSHOP BRUK AV SENSORTEKNOLOGI

WORKSHOP BRUK AV SENSORTEKNOLOGI WORKSHOP BRUK AV SENSORTEKNOLOGI SENSOROPPSETT 2. Mikrokontroller leser spenning i krets. 1. Sensor forandrer strøm/spenning I krets 3. Spenningsverdi oversettes til tallverdi 4. Forming av tallverdi for

Detaljer

+ - 2.1 ELEKTRISK STRØM 2.1 ELEKTRISK STRØM ATOMER

+ - 2.1 ELEKTRISK STRØM 2.1 ELEKTRISK STRØM ATOMER 1 2.1 ELEKTRISK STRØM ATOMER Molekyler er den minste delen av et stoff som har alt som kjennetegner det enkelte stoffet. Vannmolekylet H 2 O består av 2 hydrogenatomer og et oksygenatom. Deles molekylet,

Detaljer

INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 8 Våren 2006 YNGVAR BERG

INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 8 Våren 2006 YNGVAR BERG INF/ Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 8 Våren 6 NGV EG I. DEL 8 Del 8: Effektforbruk og statisk MOS II. Gjennomføring Teori, eksempler og oppgaver knyttet til DEL 8 (og DEL blir gjennomgått

Detaljer