Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Like dokumenter
Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Eksamen i Elektronikk 24. Mai Løsningsforslag Knut Harald Nygaard

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Ny/Utsatt eksamen i Elektronikk 2. August Løsningsforslag Knut Harald Nygaard

Ny og utsatt eksamen i Elektronikk 28. Juli Løsningsforslag Knut Harald Nygaard

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

UNIVERSITETET I OSLO

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO.

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 2k5 )

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2008

Løsningsforslag Elektronikk 1 (LO342E) høst 2006 eksamen 1. desember, 3timer

Prøveeksamen 1. Elektronikk 8.feb Løsningsforslag

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren Oppgave 1

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO.

Prøveeksamen 2. Elektronikk 24. mars Løsningsforslag

UNIVERSITETET I OSLO.

Forslag til løsning på eksamen i FYS1210 våren 2005 side 1. Fig.1 viser et nettverk med to 9 volt batterier og 4 motstander, - alle på 1kΩ.

Figur 1. 1e) Uten tilkopling på inngangene A og B - Hva er spenningen på katoden til dioden D1? 1,4 volt

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 3k3 )

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

EKSAMEN Løsningsforslag Emne: Fysikk og datateknikk

Løsningsforslag til eksamen FY108 høsten 2003

Forslag B til løsning på eksamen FYS august 2004

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO.

g m = I C / V T = 60 ms r π = β / g m = 3k3

Oppsummering. BJT - forsterkere og operasjonsforsterkere

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO.

Figur 1 viser et nettverk med et batteri på 18 volt, 2 silisiumdioder og 4 motstander.

01-Passivt Chebychevfilter (H00-4)

FYS1210 Løsningsforslag. Eksamen V2015

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2018

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 2010

Forslag til løsning på eksamen i FY Forslag til løsning på eksamen i F -IN 204 og FY108 våren 2003.

LAB 7: Operasjonsforsterkere

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer

EKSAMEN. Emne: Fysikk og datateknikk

FYS Forslag til løsning på eksamen våren 2014

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag. Eksamen i: Fysikk for tretermin (FO911A)

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

UNIVERSITETET I OSLO

«OPERASJONSFORSTERKERE»

UNIVERSITETET I OSLO.

Lab 7 Operasjonsforsterkere

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

Løsningsforslag til EKSAMEN

303d Signalmodellering: Gated sinus a) Finn tidsfunksjonen y(t) b) Utfør en Laplace transformasjon og finn Y(s)

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2004

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 V-2007 ( rev.2 )

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

«OPERASJONSFORSTERKERE»

Løsningsforslag til EKSAMEN

UNIVERSITETET I OSLO

LØSNINGSFORSLAG i stikkordsform Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017

LØSNINGSFORSLAG i stikkordsform Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Forslag til løsning på eksame n FY-IN 204 våren 2002

FYS1210. Repetisjon 2 11/05/2015. Bipolar Junction Transistor (BJT)

UNIVERSITETET I OSLO

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

Løsningsforslag til EKSAMEN

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2015

Forelesning nr.12 INF 1411 Elektroniske systemer. Opamp-kretser Oscillatorer og aktive filtre

Fasit til Eksamen FY-IN 204 våren (avholdt høsten) 1998.

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

TRANSISTORER Transistor forsterker

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

UNIVERSITETET I OSLO

Emnenavn: Fysikk og kjemi. Eksamenstid: 9:00 til 13:00. Faglærer: Erling P. Strand

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1

UNIVERSITETET I OSLO.

«OPERASJONSFORSTERKERE»

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer. Måleteknikk Operasjonsforsterkere

Løsningsforslag eksamen EDT202T, Elektronikk 2, den

Løsningsforslag eksamen inf 1410 våren 2009

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

LØSNINGSFORSLAG TIL SIGNALBEHANDLING 1 JUNI 2010

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1

Praktiske målinger med oscilloskop og signalgenerator Vi ser på likerettere og frekvensfilter

Eksamensoppgaver i Elektronikk 1 - LO350E.

Universitetet i Agder. Fakultet for teknologi og realfag E K S A M E N. Elektriske kretser og PLS-programmering

Løsning eks Oppgave 1

Løsningsforslag til EKSAMEN

= 10 log{ } = 23 db. Lydtrykket avtar prop. med kvadratet av avstanden, dvs. endring ved øking fra 1 m til 16 m

Transkript:

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag Eksamen i: Elektronikk Målform: Bokmål Dato: 24. mai 2017 Tid: 3 timer/0900-1200 Antall sider (inkl. forside): 5 (inkludert Vedlegg 1 side) Antall oppgaver: 4 Tillatte hjelpemidler: Håndholdt kalkulator som ikke kommuniserer trådløst. Forhåndsgodkjent ordbok. Merknad: Kandidaten må selv kontrollere at oppgavesettet er fullstendig. Ved eventuelle uklarheter i oppgaveteksten skal du redegjøre for de forutsetninger du legger til grunn for løsningen. Besvarelsen skal merkes med kandidatnummer, ikke navn. Bruk blå eller sort kulepenn på innføringsarket. Faglig veileder: Knut Harald Nygaard Utarbeidet av (faglærer): Knut Harald Nygaard Kontrollert av (en av disse): Annen lærer Sensor Instituttleder/ Programkoordinator Instituttleders/ Programkoordinators underskrift: Emnekode: ELTS2100

Oppgave 1 Operasjonsforsterkeren i kretsløpet i figuren nedenfor kan regnes som ideell. v ut 1 2 a) Vis at overføringsfunksjonen er gitt som: H(s)= V ut V inn (s)=( 1+ 2 1) 1+( )s 1 2 1+ 2 s der 1 2 er 1 i parallell med 2. b) La = 1 μf og finn alle komponentverdiene når det ønskes en inngangsmotstand på 100 kω, en forsterkning ved lavere frekvenser på 10 ganger og en grensefrekvens på 1000 rad/s. c) Skisser asymptotisk forløp for H(jω). Husk skalering av aksene. Oppgave 2 En operasjonsforsterker brukes i inverterende kopling. Det ønskes en spenningsforsterkning lik 100 ganger med en tilbakekoplingsmotstand på 100 kω. Omgivelsestemperaturen antas lik 295 K. a) Tegn skjema for forsterkeren med angivelse av komponentverdier. Midlere støyspenning pr. enhets båndbredde for den benyttede operasjonsforsterkeren er vist i figuren nedenfor. I det følgende antas at ekvivalent støystrøm for operasjonsforsterkeren kan neglisjeres.

b) Finn tilnærmet operasjonsforsterkerens ekvivalente støyspenning (referert pluss-inngangen) for frekvensområdet 100 Hz til 10 khz. c) Finn motstandenes støyspenning (referert pluss-inngangen) for samme frekvensområde. d) Finn total støyspenning (referert pluss-inngangen) for forsterkeren (operasjonsforsterker med motstander). e) Finn signal/støy-forholdet når forsterkeren påtrykkes et signal på 5 mv. Oppgave 3 I figuren nedenfor er vist en nett-transformator Tr, en brulikeretter D og en reservoar-kondensator. Transformatoren gir ut 15 V (effektivverdi) når laststrømmen er I L = 1 A. Anta et konstant spenningsfall over hver diode i brulikeretteren på 1 V. Tr D I L a) Finn den verdien på kondensatoren som gir en maksimal størrelse på rippelspenningen (spissspiss) lik 1 V. b) Finn minimal spenning over kondensatoren. En regulator med en transistor og en operasjonsforsterker (som regnes som ideell) kan realiseres som vist i figuren nedenfor. Vi antar at transistoren har en strømforsterkning lik 100 ganger og en base-emitter-spenning på 0,7 V når regulatorens last er en konstant strøm på I ut = 1 A. eferansespenningen V ref = 6,8 V. Spenningen inn på regulatoren er V inn = 15 V, og vi ønsker en utgangsspenning V ut = 10 V når laststrømmen er konstant lik I ut = 1 A. T I ut 1 V inn V B V ut 2 V ref c) Velg 1 = 10 kω og V ref = 6,8 V og finn den størrelsen på 2 som gir den ønskede utgangsspenningen V ut.

d) Hva er operasjonsforsterkerens utgangsspenning V B? Hvor stor strøm må operasjonsforsterkeren levere til transistoren? e) Hva er effekttapet i transistoren? Transistoren er festet på en kjølefinne via en isolerende skive med en termisk motstand på 0,5 K/W. For transistoren oppgis en sjikt-kapsel termisk motstand på 1,0 K/W. Maksimal sjikt-temperatur skal ikke overstige 120 ved maksimal omgivelsestemperatur lik 50. f) Finn den termisk motstanden til kjølefinnen. Oppgave 4 Signalet fra en sensor skal digitaliseres ved bruk av en A/D-omformer på 8 bit som har en maksimal amplitude på 1 V. Sensoren kan modelleres som et første ordens lavpassfilter med en grensefrekvens på 1 khz. Sensorens utgangssignal med en amplitude på 100 mv punktprøves ved 10 khz. a) Hvilken dempning kreves av antifoldnings-filteret ('anti-alias filter') når støyavstanden skal være minst 40 db ved punktprøvingsfrekvensen? b) Finn A/D-omformerens trinnstørrelse. c) Finn signal/støy-forholdet (i db) til det digitaliserte signalet når antifoldningsfilteret har en forsterkning lik 1 gang. Det er ønskelig å forsterke signalet fra sensoren før det tilføres A/D-omformeren. Denne forsterkningen ønskes lagt til antifoldnings-filteret som dermed blir aktivt (med en grensefrekvens lik 1 khz). d) Skisser det aktive antifoldnings-filteret. Bruk en ikke-inverterende operasjonsforsterker med nødvendige motstander og kondensatorer. Ingen beregninger er nødvendige.

Filtre : H LP ( s)= ω 0 H s+ω LP (s)= ω 2 0 0 s 2 2 +2 ζω 0 s+ω 0 H HP ( s)= s s+ω 0 H BP ( s)= 2 ζω 0 s s 2 +2 ζω 0 s+ω 0 2 Butterworth : N =1: s n +1 N =2: s n 2 + 2 s n +1 N =3:(s n 2 +s n +1)(s n +1) H HP ( s)= s2 s 2 +2ζω 0 s+ω 0 2 2 ζ =1 Q H ( jω) db = 10lg[1+(ω/ω 0 ) 2 N ] Normalisering : s n = s Ω 0 n = 0 L n = L Ω 0 0 n = 0 Ω 0 VEDLEGG Likeretting : V eff = V spiss 2 V midl = 2 V spiss π V rippel = I last t 1 ( Spiss-spiss-verdi) Diode /halvleder : I D =I S e V D n V T r D = n V T I D V T = kt e ( k=1. 38 10-23 J / K,e=1.6 10 19 ) V BE BJT : I = I S e n V T hfe = β= I I B I E = I B + I P =I V E r e = n V T I E v be =r e i c =r be i b ( r be = β r e ) A ve = v ut = Last r e + E FET : A vs = v ut = Last = g m Last ( g r s + S 1+g m m = 1 ) S r s OPAMP : v ut =A 0 v diff = A 0 (v + v ) A v = A 0 1+ βa 0 = 1 β = Feedback =1+ Feedback Støy : P n =4 ktb V n = 4 ktb S/N=10 lg P signal Kjøling : T J T A =P ( J + S + SA ) P støy v N 2 =v NA 2 2 2 +i NA S 6 db regel : S / N [db]=6,02 N +1,76(effektivverdi) S / N [db]=6,02 N + 4,77(spissverdi)