INF5490 RF MEMS. L11: RF MEMS resonatorer III. V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO
|
|
- Ingebjørg Nygård
- 5 år siden
- Visninger:
Transkript
1 INF549 RF MEMS L11: RF MEMS resonatorer III V7, Oddvar Søråsen Institutt for inforatikk, UiO 1
2 Dagens forelesning Vertikalt vibrerende resonatorer Claped-claped bea c-c bea Virkeåte Detaljert odellering free-free bea f-f bea Andre typer resonatorer Tuning fork Bjelke ed lateral bevegelse Disk resonatorer
3 Bea-resonator Det er ønskelig ed en høyere resonansfrekvens enn ka-strukturen kan oppnå Massen å reduseres er-> bea resonator Fordeler ved bea-resonatorer Mindre diensjoner Høyere resonansfrekvens Enkel Kan ha ange frekvens-referanser på en chip Mer lineær frekvensvariasjon hp tep over et større oråde Mulighet for integrering ed elektronikk lavere kostnader 3
4 Bea-resonator En-port -realisering 4
5 Utgangskrets Resonator er en tidsvarierende kapasitans C Enkel elektrisk utgangskrets L shunt blokkerende induktor: Åpen ved høye frekvenser C_ serie blokkerende kapasitans: Kortsluttet ved høye frekvenser Når Vd er en høy DC-spenning, så er den doinerende utgangs-strøen ved inngangsfrekvens : i Vd * dc/dt Ved høye frekvenser er i strøen gjenno RL Kan være inngangsipedans i åleutrustningen. Kan erstattes av transip.-forsterker 5
6 Mekanisk resonans-frekvens Paraetre E Youngs odul ρ tettheten av aterialet h tykkelsen av bea Lr lengde av bea g odellerer effekten av en elektrisk fjærstivhet k_e Gjør seg gjeldende når en setter spenning på elektrodene Subtraheres fra den ekaniske fjærstivheten, k_ bea-softening κ skaleringsfaktor effekten av overflatens topografi, typisk.9 V_p DC spenning på ledende bea k_r effektiv resonator fjærstivhet _r effektiv asse NB! E og ρ inngår + fjærstivhetsledd 6
7 Typiske frekvenser 7
8 Bea-softening DC-spenningen, Vd, forårsaker en nedoverrettet elektrostatisk kraft Kraften virker ot den ekaniske gjenopprettelses-kraften i bjelken Dette gjør den effektive ekaniske fjærkonstanten til systeet indre Resonansfrekvensen faller ed en gitt faktor 1 C V P / k g resonansfrekvensen kan tunes elektrisk! 8
9 Detaljert odellering c-c bea odelleres ed referanse til boka T. Itoh et al: RF Technologies for Low Power Wireless Counications, kap. 1: Transceiver Front-End Architectures Using Vibrating Microechanical Signal Processors, by Clark T.-C. Nguyen + oppsuering av resultater fra diverse publikasjoner 9
10 Claped-claped bea 1
11 Beregning av elektrisk eksitasjon påtrykte spenninger A Beregn først potensiell energi B Deretter beregnes kraften 11
12 1 A. Electrical exitation energy potential effective voltage on bea input on electrode input 1 1 b e b e b e v v C CV U v v v v perittivity in vacuu gap static,non- resonance resonator electrode bea width width, W electrode r ε ε ε d W d W W d A C x C v v v v x C v v x U F e r e e e b b b e d B. Force is change of potential energy vs. x
13 Prosedyre, forts. C Sett på DC-spenning, Vp D Regn videre på ligningen for kraften E Diskusjon av ulike bidrag Off-resonans DC-kraft Kraft i takt ed inngangsspenning Dobbeltfrekvens-ledd 13
14 14 C. A DC voltage is applied to the bea x C t V t V V V F t V v v V v i i i i P P d i i i e P b + cos cos 1 cos, cos 1 cos cos 1 1 cos t V t V t t i i i i i i + + D. Observe that:
15 15 Then t V x C t V x C V V V x C F x C t V V t V V V F i i i i P i P d i i i i i P P d cos 4 cos 4 cos 1 1 cos E. Off-resonance DC force Static bending of bea Force driven by the input frequency, aplified by VP, cos 4 i i i i and t V x C This ter can drive the bea into vibrations at The ter can usually be neglected
16 Prosedyre, forts. Kraftens hovedbidrag er prop ed cos Driver bea inn i resonans F Kraften gir displaceent x-variasjon Den lokale fjærstivheten varierer over bredden av drive-elektroden Lokalt displaceent er avhengig av posisjon y G Utledning av et uttykk for displaceent, xy, so funksjon av fjærstivheten i posisjonen y 16
17 Topologi 17
18 The ain contribution to the force: V P C V x i cos t i At resonance the force will be: F d V P C x v i The force will give a varying displaceent, since the distance between the bea and electrode is dependent on y-position Generally : F k x, static! k y k reff y effective bea stiffness in y 18
19 19 Dynaic perforance of a echanical syste: resonance at, / 1/ j Q F kx j Q Q j j H s Q s k s b s k F kx s H k s b s force displaceent F x s H F. generally G. In our case: i P reff reff d v x C V jk Q y k F j Q y x + Force and displaceent in opposite directions
20 Prosedyre, forts Når bjelken beveger seg, dannes det en tidsvarierende kapasitans ello elektroden og resonatoren H Dette fører til en utgangsstrø so er DCbiased via Vp dc/dx er her et ulineært ledd dx/dt er hastigheten
21 When the bea oves, a tie dependent capacitance between the electrode and resonator will be created, giving an output current: H. C x io VP Q& O, where QO V x t P C 1
22 Frekvenskarakteristikk Typiske paraetre, Q, vakuu Gir båndpassfilter, Q ~ 1, Egner seg for referanse oscillatorer og filtre ed lave tap Q ~ noen hundre ved atosfære-trykk
23 Prosedyre, forts. Overføring til ekanisk ekvivalentkrets: ass-spring-daper -krets NB! Befinner oss fortsatt i ekanisk doene Bjelken beskrives ved luped eleents Eleentverdiene er avhengig av HVOR på bjelken en betrakter, - avhengig av y 3
24 I. Beregning av ekvivalent asse so funksjon av y Utfyllende fra R. A. Johnson: Mechanical Filters in Electronics, Wiley, 1983 Forenklet utledning av utbøyningsligning For på fundaentaloden Hvert punkt, y, har en gitt effektiv asse, en gitt hastighet og en gitt fjærkonstant Lavest asse idt på, der hastigheten er høyest KEtot r y 1 [ v y ] KE peak kinetic energy of tot v y velocity at location y Den ekvivalente assen ved en lokasjon y the syste 4
25 x Flexural ode resonator: bea y t w width, u displaceent in x direction E elastic odulus, ρ density 3 wt I 1 oent of inertia The bea equation u t 4 u 4 y 4 EI u, where u u 4 1e ρa y Trial solution: ρa u EI u y Acosh ky + Bsinh ky + C cosky + Dsin ky A, B, C, D can be found fro initial conditions Mode shape for fundaental frequency, c - c bea: u y ξ cosky cosh ky + sin ky sinh ky jt here: k is the wave nuber Fro Johnson 5
26 6 [ ] [ ] od od y X dy y X wt y u dy y u A y M y v dy y v A y v KE y M y u j u e t y u y v e l e l eq l tot eq t j ρ ρ ρ ass : Equivalent direction along the bea Velocity in y - & Xode is the shape of the fundaental ode displaceent as a function of y
27 X X ode ode β shape of displaceent as a function of y y ξ cos βy cosh βy + sin βy sinh βy 4.73 / L r ξ the fundentalode, " wave nuber" 7
28 8 Prosedyre, forts. J Når en har beregnet ekvivalent asse so funksjon av y, kan en beregne ekvivalent fjærstivhet k_r y og depefaktor c_r y k_r ekvivalent, dvs. ed innvirkning både fra ekaniske og elektriske effekter Q k Q k Q c s Q s k s c s y c y y y k k k f r r r r r r r r / :,, 1 π The daping factor ass is the equivalent where spring stiffness Equivalent Resonance frequency J.
29 By just looking at the echanical contribution: A certain frequency, _no, and a corresponding Q-factor, Q_no are obtained: The echanical spring constant : gives the noinal values : c y b r k no cr y Q r no y r y, Q y no k no y Q no no, Q where k no k y The daping is only dependent on the echanical factors : y no y r K. Q_no is the Q-factor of the resonator without the effect of the applied voltage ky is the echanical stiffness without being influenced by the applied voltage and electrodes 9
30 Tunbar elektrisk fjærstivhet Fjærstivheten kan tunes ved Vp Resultanten er avhengig av forholdet ello k_e og k_ L Beregn hvordan k_e avhenger av lokasjon y 3
31 The resonance frequency can be tuned by Vp The electrically tunable spring constant, ke, is subtracted fro the echanical one The resulting spring constant will be decreased: k r k The electrostatic bea- softening will change the spring stiffness ke, echanical inus electrical The resonance frequency f f 1 π 1.3χ k k r r E h ρ L 1 π k 1 k k e r k 1 k 1/ e / / r r 1 π k r k 1 k e 1/ The relation is changed along the y-direction and has to be sued in an integral 31
32 L. k e is dependent on the capacitance C y dependent on the gap d y caused byv By equating the potential energy to the work : εa U ke d CVP VP d C εa ke VP V P 3 d d A contribution to the total spring stiffness fro an eleent at the location y and with a sall electrode width dy dk e y V P ε W dy r [ d y ] 3 P which is The local spring stiffness is dependent on the gap! d is the displaceent fro an equilibriu position 3
33 33 The gap, dy, has to be coputed: [ ] be solved iteratively The equation ust " displaceent" equilibriu position where fro the, give a displaceent, will A force of dy y X y X y d y k W V d y d k d A V F V d F sh sh L L r P P P e e : 1 ε ε Static bending shape due to the distributed DC force [ ] dy y k y dk V d g k k y d W dy V y dk y dk y d e e L L e P e r P e e 1, 3 Then can be coputed: then has been found, When ε
34 Regner bjelken flat over elektroden 34
35 35
36 Differential electrical spring stiffness in location y and with an electrode width dy 36
37 Bea-softening Resonansfrekvensen faller ed en gitt faktor 1 C VP / k g resonansfrekvensen kan tunes elektrisk! 37
38 Såsignal-ekvivalent En elektrisk ekvivalentkrets trengs for å odellere og siulere ipedansoppførselen til denne ikroekaniske resonatoren i en felles elektroekanisk krets 38
39 Koblingskoeffisient Hvis en ser inn i kretsen fra venstre En ser en en transforert LCR-krets ed nye eleentverdier gitt av 1.17 Elektroekanisk koblingskoeffisient transforer turns ratio Koblingskoeffisienten er uteislet i notater fra UCLA Tatt i forbindelse ed -port lateral cob-drive actuator L1 39
40 4
41 41
42 4
43 Diskusjon: Ionescu, EPFL 43
44 44
45 45
46 46
47 47
48 Tap, c-c-bea Stivheten til en gitt resonator-bjelke øker i takt ed økende resonans-frekvens Mer energi pr sykel går inn i substratet via ankere c-c-bea har tap gjenno ankerfestene Q-faktoren går ned når frekvensen øker c-c-bea er ikke den beste strukturen ved de høyeste frekvensorådene! Eks. Q 8, ved 1 MHz, Q 3 ved 7 MHz c-c bea kan brukes til referanse-oscillator eller HF/VHF filter/ikser free-free bea kan brukes for å inske tapet gjenno ankerene i substratet! 48
49 free-free-bea Gunstig når det gjelder tap til substratet gjenno ankerfestene f-f-bea er opphengt ved 4 support-bjelker i bredderetningen Torsjons-oppheng Oppheng festet ved nodepunktene for flexural ode Support-diensjonene tilsvarer en kvart-bølgelengde av f-f-bjelkens resonans-frekvens Ipedansen so bjelken erfarer fra support nulles ut Bjelken blir fri til å vibrere so o den ikke hadde noe oppheng Høyere Q kan oppnås Eks. Q, ved 1 MHz Anvendes i referanse-oscillatorer, HF/VHF-filtre/iksere 49
50 free-free bea Nguyen,
51 51
52 5
53 53
54 Andre typer resonatorer Steegaffel balansert! 54
55 55
56 56
57 Disk resonatorer Fordeler av disker frafor bjelker Redusert luft-deping Vakuu trengs ikke for åling av Q-faktor Høyere stivhet Frekvensen er høyere for gitte diensjoner Større volu Høyere Q fordi er energi er lagret Mindre probleer ed terisk støy Periferien av disken kan ha ulike bevegelsesønstre Radial, wine-glass 57
58 58
59 Ionescu, EPFL 59
60 EAM Electroechanical Aplitude Modulation sinus også på shuttle 6
61 Begrensninger i ikroekaniske resonatorer Frekvens-begrensninger Redusere for å oppnå høyere frekvens Vil gi fluktuasjoner i frekvensen ass loading : utveksling av olekyler ot ogivelsene Luft-gass-olekyler utøver Brownske bevegelser kraft Energi-begrensninger Q avhenger av energitap fra deping Viskøs deping Vertikal bevegelse: squeezed-fil daping Horisontal bevegelse: Stokes- eller Couette-type deping 61
62 Begrensninger, forts. Teperaturavhengighet Resonansfrekvensen endres pga. teperaturøkning og aldring Økt teperatur fører til redusert frekvens Analog eller digital kopensasjon feedback Mekanisk kopensasjon Benytte strukturer ed deler so har både kopressivt og tensilt stress: otvirkende effekter 6
63 63
64 Teperatur-kopensasjon, forts. Topp-elektroden reduserer effektiv fjærkonstant ved at Vc gir en elektrostatisk tiltrekning Topp-elektroden hever seg fysisk pga. teperaturøkning fører til en indre reduksjonen av fjærkonstanten Generelt sett faller den ekaniske fjærkonstanten ed økende teperatur. Men reduksjonen blir indre enn den skulle ha blitt pga. at topp-elektroden sin effekt avtar dvs. bea softening -effekten blir indre! 64
INF5490 RF MEMS. F9: RF MEMS resonatorer III. V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO
INF5490 RF MEMS F9: RF MEMS resonatorer III V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 Dagens forelesning Vertikalt vibrerende resonatorer Clamped-clamped beam (c-c beam) Virkemåte Detaljert
DetaljerINF5490 RF MEMS. L9: RF MEMS resonatorer III
INF5490 RF MEMS L9: RF MEMS resonatorer III 1 Dagens forelesning Vertikalt vibrerende resonatorer Clamped-clamped beam (c-c beam) Virkemåte Detaljert modellering free-free beam (f-f beam) Andre typer resonatorer
DetaljerINF5490 RF MEMS. L8: RF MEMS resonatorer II
INF5490 RF MEMS L8: RF MEMS resonatorer II 1 Dagens forelesning Lateralt vibrerende resonator: Kam-resonatoren Virkemåte Detaljert modellering A) phasor-modellering B) modellering ved konvertering mellom
DetaljerINF5490 RF MEMS. F8: RF MEMS resonatorer II. V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO
INF5490 RF MEMS F8: RF MEMS resonatorer II V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 Dagens forelesning Lateralt vibrerende resonator: Kam-resonatoren Virkemåte Detaljert modellering A) phasor-modellering
DetaljerTypiske spørsmål til en muntlig eksamen i IN5490 RF MEMS, 2008
Typiske spørsmål til en muntlig eksamen i IN5490 RF MEMS, 2008 Q1: Mikromaskinering Hva er hovedforskjellen mellom bulk og overflate mikromaskinering? Beskriv hovedtrinnene for å implementere en polysi
DetaljerINF5490 RF MEMS. L6: RF MEMS svitsjer, II
INF5490 RF MEMS L6: RF MEMS svitsjer, II 1 Dagens forelesning Design av RF MEMS svitsjer Elektromekanisk design, II RF design Eks. på implementasjoner Struktur Ytelse Fremstilling Alternative strukturer
DetaljerINF5490 RF MEMS. F6: RF MEMS svitsjer, II. V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO
INF5490 RF MEMS F6: RF MEMS svitsjer, II V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 Dagens forelesning Design av RF MEMS svitsjer Elektromekanisk design, II RF design Eks. på implementasjoner
DetaljerTypiske eksamensspørsmål innen emnet INF5490 RF MEMS, våren 2007
Typiske eksamensspørsmål innen emnet INF5490 RF MEMS, våren 2007 1. Forklar hovedtrekkene i bulk mikromaskinering og overflate mikromaskinering? Nevn noen muligheter og begrensninger ved metodene? F2 Hvilke
DetaljerFYSMEK1110 Eksamensverksted 23. Mai :15-18:00 Oppgave 1 (maks. 45 minutt)
FYSMEK1110 Eksamensverksted 23. Mai 2018 14:15-18:00 Oppgave 1 (maks. 45 minutt) Page 1 of 9 Svar, eksempler, diskusjon og gode råd fra studenter (30 min) Hva får dere poeng for? Gode råd fra forelesere
DetaljerINF5490 RF MEMS. L8: RF MEMS svitsjer, II. V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO
INF5490 RF MEMS L8: RF MEMS svitsjer, II V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 Dagens forelesning Design av RF MEMS svitsjer Elektromekanisk design, II RF design Eks. på implementasjoner
DetaljerINF L4: Utfordringer ved RF kretsdesign
INF 5490 L4: Utfordringer ved RF kretsdesign 1 Kjøreplan INF5490 L1: Introduksjon. MEMS i RF L2: Fremstilling og virkemåte L3: Modellering, design og analyse Dagens forelesning: Noen typiske trekk og utfordringer
DetaljerINF 5490 RF MEMS. L10: Mikromekaniske filtre
INF 5490 RF MEMS L10: Mikromekaniske filtre 1 Dagens forelesning Egenskaper ved mekaniske filtre Visualisering av virkemåte Konstruksjon, modellering Eksempler 2 resonator c-c beam struktur for HF-VHF
DetaljerINF 5490 RF MEMS. L9: RF MEMS faseskiftere. Resonatorer, I. V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO
INF 5490 RF MEMS L9: RF MEMS faseskiftere. Resonatorer, I V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 Dagens forelesning Faseskiftere Funksjon Anvendelse Teknologi Analoge faseskiftere Digitale
DetaljerFysikkolympiaden 1. runde 28. oktober 8. november 2013
Norsk Fysikklærerforening i saarbeid ed Skolelaboratoriet Universitetet i Oslo Fysikkolypiaden 1. runde 8. oktober 8. noveber 013 Hjelpeidler: Tabell og forelsalinger i fysikk og ateatikk Loeregner Tid:
DetaljerINF 5490 RF MEMS. L7: RF MEMS faseskiftere. Resonatorer I
INF 5490 RF MEMS L7: RF MEMS faseskiftere. Resonatorer I 1 Dagens forelesning Faseskiftere Funksjon Anvendelse Teknologi Analoge faseskiftere Digitale faseskiftere Mekaniske resonatorer Grunnleggende prinsipper
DetaljerFYS2130. Tillegg til kapittel 13. Harmonisk oscillator. Løsning med komplekse tall
FYS130. Tillegg til kapittel 13 Haronisk oscillator. Løsning ed koplekse tall Differensialligningen for en udepet haronisk oscillator er && x+ ω x = 0 (1) so er en hoogen lineær differensialligning av.
DetaljerTFY4170 Fysikk 2 Justin Wells
TFY4170 Fysikk 2 Justin Wells Forelesning 5: Wave Physics Interference, Diffraction, Young s double slit, many slits. Mansfield & O Sullivan: 12.6, 12.7, 19.4,19.5 Waves! Wave phenomena! Wave equation
DetaljerExercise 1: Phase Splitter DC Operation
Exercise 1: DC Operation When you have completed this exercise, you will be able to measure dc operating voltages and currents by using a typical transistor phase splitter circuit. You will verify your
DetaljerINF5490 RF MEMS. F11: RF MEMS kapasitanser. V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO
INF5490 RF MEMS F11: RF MEMS kapasitanser V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 Dagens forelesning Passive komponenter i RF kretser Kapasitanser, C Induktanser, L Tunbare RF MEMS kapasitanser
DetaljerMasteroppgaver høsten 2006
Masteroppgaver høsten Oddvar Søråsen Rom 3411, 22 85 24 56, oddvar@ifi.uio.no 28. September, Masteroppgaver Tema: Mikroelektromekaniske systemer, MEMS Elektroniske systemer med innslag av MEMS-komponenter
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer MOSFET I en n-kanals MOSFET (enhancement-type) lager man en n-type kanal mellom Source og Drain ved å lage et inversjonslag i et p-type substrat
DetaljerINF5490 RF MEMS. L11: RF MEMS kapasitanser
INF5490 RF MEMS L11: RF MEMS kapasitanser 1 Dagens forelesning Tunbare og programmerbare passive komponenter i RF kretser Tunbare RF MEMS kapasitanser Vertikalt tunbare kapasitanser 2-plate kapasitans
DetaljerGradient. Masahiro Yamamoto. last update on February 29, 2012 (1) (2) (3) (4) (5)
Gradient Masahiro Yamamoto last update on February 9, 0 definition of grad The gradient of the scalar function φr) is defined by gradφ = φr) = i φ x + j φ y + k φ ) φ= φ=0 ) ) 3) 4) 5) uphill contour downhill
DetaljerElektriske svingekretser - FYS2130
Elektriske svingekretser - FYS3 Koplekse ipedanser Vekselsstrøskretser blir ofte enklere å behandle når ipedansene skrives på kopleks for. De koplekse ipedanser er Z ˆ i for kondensator ed kapasitans i
DetaljerBokmål / Nynorsk / English NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK. Eksamen TFY4185 Måleteknikk
Bokmål / Nynorsk / English Side 1 av 5 NORGES TEKNISK- NATURITENSKAPELIGE UNIERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK Steinar Raaen tel. 482 96 758 Eksamen TFY4185 Måleteknikk Mandag 17. desember 2012 Tid: 09.00-13.00
DetaljerSpinn og Impulsbalanse HIA Avd. teknologi Morten Ottestad
Ipuls og spinn balanse 4.0.005 Side av Spinn og Ipulsbalanse HIA Avd. teknologi Morten Ottestad. ynaikk rettlinjede bevegelser. Ipuls balansen Newtons I lov). Eleenter i ekaniske syste.. jær 3.. eper 4..3
DetaljerNeural Network. Sensors Sorter
CSC 302 1.5 Neural Networks Simple Neural Nets for Pattern Recognition 1 Apple-Banana Sorter Neural Network Sensors Sorter Apples Bananas 2 Prototype Vectors Measurement vector p = [shape, texture, weight]
DetaljerMandag 21.08.06. Mange senere emner i studiet bygger på kunnskap i bølgefysikk. Eksempler: Optikk, Kvantefysikk, Faststoff-fysikk etc. etc.
Institutt for fysikk, NTNU TFY46/FY2: Bølgefysikk Høsten 26, uke 34 Mandag 2.8.6 Hvorfor bølgefysikk? Man støter på bølgefenoener overalt. Eksepler: overflatebølger på vann akustiske bølger (f.eks. lyd)
DetaljerTTK4100 Kybernetikk introduksjon Øving 1 - Løsningsforslag
TTK4100 Kybernetikk introduksjon Øving 1 - Løsningsforslag Oppgave 1: UAV En AUV (Autonoous Underwater Vehicle) er et ubeannet undervannsfartøy so kan utføre selvstendige oppdrag under vann. I denne oppgaven
DetaljerForelesning nr.7 INF 1411 Elektroniske systemer. Tidsrespons til reaktive kretser Integrasjon og derivasjon med RC-krester
Forelesning nr.7 INF 1411 Elektroniske systemer Tidsrespons til reaktive kretser Integrasjon og derivasjon med RC-krester Dagens temaer Nøyaktigere modeller for ledere, R, C og L Tidsrespons til reaktive
DetaljerRF Power Capacitors Class1 5kV Discs
RF Power Capacitors Class 5kV Discs Morgan Advanced Materials is a world leader in the design and manufacture of complex electronic ceramic components and assemblies used in a wide range of applications
DetaljerRF Power Capacitors Class kV Discs
RF Power Capacitors Class 0-5kV Discs Morgan Advanced Materials is a world leader in the design and manufacture of complex electronic ceramic components and assemblies used in a wide range of applications
DetaljerBokmål / Nynorsk / English NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK. Eksamen TFY4185 Måleteknikk
Bokmål / Nynorsk / English Side av 4 NOGES TEKNISK- NATUITENSKAPELIGE UNIESITET INSTITUTT FO FYSIKK Steinar aaen, tel.482 96 758 Eksamen TFY485 Måleteknikk Lørdag 7. desember 20 Tid: 09.00-3.00 Tillatt
DetaljerRF Power Capacitors Class1. 5kV Discs
RF Power Capacitors Class 5kV Discs T H E C E R A M C E X P E R T S RF Power Capacitors Class 5kV Discs The CeramTec Group is a world leader in the design and manufacture of complex electronic ceramic
DetaljerForelesning nr.4 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.4 INF 1411 Elektroniske systemer Vekselstrøm Kondensatorer 1 Dagens temaer Sinusformede spenninger og strømmer Firkant-, puls- og sagtannsbølger Effekt i vekselstrømkretser Kondesator Oppbygging,
DetaljerRF Power Capacitors Class1 : 10kV Discs
RF Power Capacitors Class : 0kV Discs Morgan Advanced Materials is a world leader in the design and manufacture of complex electronic ceramic components and assemblies used in a wide range of applications
DetaljerLøsningsforslag. Midtveiseksamen i Fys-Mek1110 våren 2008
Side av Løsningsforslag idtveiseksaen i Fys-ek våren 8 Oppgave a) En roer sitter i en båt på vannet og ror ed konstant fart. Tegn et frilegeediagra for roeren, og navngi alle kreftene. Suen av kreftene
DetaljerTrigonometric Substitution
Trigonometric Substitution Alvin Lin Calculus II: August 06 - December 06 Trigonometric Substitution sin 4 (x) cos (x) dx When you have a product of sin and cos of different powers, you have three different
DetaljerPhysical origin of the Gouy phase shift by Simin Feng, Herbert G. Winful Opt. Lett. 26, (2001)
by Simin Feng, Herbert G. Winful Opt. Lett. 26, 485-487 (2001) http://smos.sogang.ac.r April 18, 2014 Introduction What is the Gouy phase shift? For Gaussian beam or TEM 00 mode, ( w 0 r 2 E(r, z) = E
DetaljerRF Power Capacitors Class kV Discs with Moisture Protection
RF Power Capacitors Class 0-20kV Discs with Moisture Protection Morgan Advanced Materials is a world leader in the design and manufacture of complex electronic ceramic components and assemblies used in
DetaljerI oppgave 2 og 3 brukes det R 2R nettverk i kretsene. Det anbefales å gjøre denne forberedelsen før gjennomføring av Lab 8.
Forberedelse Lab 8: Datakonvertering Lab 8 består av: Oppgave 1: Binærteller (SN74HC393N). Oppgave 2: Digital til analog konvertering (DAC). Oppgvae 3: Analog til digital konvertering (ADC). I oppgave
DetaljerPerpetuum (im)mobile
Perpetuum (im)mobile Sett hjulet i bevegelse og se hva som skjer! Hva tror du er hensikten med armene som slår ut når hjulet snurrer mot høyre? Hva tror du ordet Perpetuum mobile betyr? Modell 170, Rev.
DetaljerForelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer. Anvendelser av RC-krester Spoler og RL-kretser
Forelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer Anvendelser av RC-krester Spoler og RL-kretser Dagens temaer Mer om ac-signaler og sinussignaler Filtre Bruk av RC-kretser Induktorer (spoler) Sinusrespons
DetaljerRF Power Capacitors Class kV Discs with Moisture Protection
RF Power Capacitors Class 0-20kV Discs with Moisture Protection T H E C E R A M I C E X P E R T S RF Power Capacitors Class 0-20kV Discs with Moisture Protection The CeramTec Group is a world leader in
DetaljerForelesning nr.7 IN 1080 Elektroniske systemer. Spoler og induksjon Praktiske anvendelser Nøyaktigere modeller for R, C og L
Forelesning nr.7 IN 1080 Elektroniske systemer Spoler og induksjon Praktiske anvendelser Nøyaktigere modeller for R, C og L Dagens temaer Induksjon og spoler RL-kretser og anvendelser Fysiske versus ideelle
DetaljerRF Power Capacitors Class , 20 & 30 mm Barrel Transmitting Types
RF Power Capacitors Class 2.7, 20 & 30 mm Barrel Transmitting Types T H E C E R A M I C E X P E R T S RF Power Capacitors Class 2.7, 20 & 30 mm Barrel Transmitting Types The CeramTec Group is a world leader
DetaljerOblig 6 i Fys-Mek1110
Sindre Ranne Bilden, Idun Osnes & Ingrid Marie Bergh Bakke Oblig 6 i Fys-Mek1110 a) Akselerasjon Fart Siden det ikke er noen for for friksjon eller andre ikke-konservative krefter i bildet, vil forholdet
DetaljerFysikk-OL Norsk finale 2004
Universitetet i Oslo Norsk Fysikklærerforening Fysikk-OL Norsk finale 004 3. uttakingsrunde Fredag. april kl 09.00 til.00 Hjelpeidler: abell/forelsaling og loeregner Oppgavesettet består av 6 oppgaver
Detaljer= 10 log{ } = 23 db. Lydtrykket avtar prop. med kvadratet av avstanden, dvs. endring ved øking fra 1 m til 16 m
Løsning eks.2012 Oppgave 1 a) 3) 28 V rms b) 2) 2V c) 2) 95 db. Beregning av SPL i 16 m avstand ved P o = 200 W når 1 W gir 96 db i 1 m avstand: Økning i db SPL når tilført effekt til høyttaleren økes
Detaljer«OPERASJONSFORSTERKERE»
Kurs: FYS 1210 Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 7 Revidert utgave 18. mars 2013 (Lindem) Omhandler: «OPERASJONSFORSTERKERE» FORSTERKER MED TILBAKEKOBLING AVVIKSPENNING OG HVILESTRØM STRØM-TIL-SPENNING
DetaljerForslag B til løsning på eksamen FYS august 2004
Forslag B til løsning på eksamen FYS20 3 august 2004 Oppgave (Sweeper frekvensområdet 00Hz til 0MHz Figur viser et båndpassfilter. Motstandene R og R2 har verdi 2kΩ. Kondensatorene C = 00nF og C2 = 0.nF.
DetaljerINF 5490 RF MEMS. L15: Oppsummering, repetisjon
INF 5490 RF MEMS L15: Oppsummering, repetisjon 1 Oversikt Motivasjon Mikromaskinering Modellering Spesielle forhold ved RF systemer Q-faktor Transduser-prinsipper RF MEMS komponenter Svitsjer Faseskiftere
DetaljerFYSMEK1110 Oblig 5 Midtveis Hjemmeeksamen Sindre Rannem Bilden
Oblig 5 Midtveis Hjemmeeksamen a) Om man tenker seg en trekant med side d, y og l. Vil l uttrykkes gjennom Pytagoras setning som l = y 2 + d 2. b) c) Fjærkraft er definert ved F = ± k l der l = l - l 0
DetaljerFAG: FYS105 Fysikk (utsatt eksamen) LÆRER: Per Henrik Hogstad KANDIDATEN MÅ SELV KONTROLLERE AT OPPGAVESETTET ER FULLSTENDIG
UNIVERSITETET I AGDER Gristad E K S A M E N S O P P G A V E : FAG: FYS105 Fysikk (utsatt eksaen) LÆRER: Per Henrik Hogstad Klasse(r): Dato: 6.11.11 Eksaenstid, fra-til: 09.00 14.00 Eksaensoppgaven består
DetaljerHØGSKOLEN I NARVIK - SIVILINGENIØRUTDANNINGEN
HØGSKOLEN I NARVIK - SIVILINGENIØRUTDANNINGEN EKSAMEN I FAGET STE 6243 MODERNE MATERIALER KLASSE: 5ID DATO: 7 Oktober 2005 TID: 900-200, 3 timer ANTALL SIDER: 7 (inklusiv Appendix: tabell og formler) TILLATTE
DetaljerLøsningsforslag til eksamen i TFY4230 STATISTISK FYSIKK Tirsdag 9. aug 2011
NTNU Side 1 av 5 Institutt for fysikk Fakultet for naturvitenskap og teknologi Dette løsningsforslaget er på 5 sider. Løsningsforslag til eksamen i TFY430 STATISTISK FYSIKK Tirsdag 9. aug 011 Oppgave 1.
DetaljerSolutions #12 ( M. y 3 + cos(x) ) dx + ( sin(y) + z 2) dy + xdz = 3π 4. The surface M is parametrized by σ : [0, 1] [0, 2π] R 3 with.
Solutions #1 1. a Show that the path γ : [, π] R 3 defined by γt : cost ı sint j sint k lies on the surface z xy. b valuate y 3 cosx dx siny z dy xdz where is the closed curve parametrized by γ. Solution.
DetaljerRF Power Capacitors Class1
RF Power Capacitors Class 2.7, 20 & 30mm Doorknob/Barrel Transmitting Types Morgan Advanced Materials is a world leader in the design and manufacture of complex electronic ceramic components and assemblies
DetaljerForelesning nr.4 INF 1411 Elektroniske systemer. Vekselstrøm Kondensatorer
Forelesning nr.4 INF 1411 Elektroniske systemer Vekselstrøm Kondensatorer Dagens temaer Sinusformede spenninger og strømmer Firkant-, puls- og sagtannsbølger Effekt i vekselstrømkretser Kondensator Presentasjon
DetaljerForslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2004
Oppgave Forslag til løsning på Eksamen FYS20 våren 2004 Figure Figur viser et enkelt nettverk bestående av 2 batterier ( V = 9volt og V2 = 2volt) og 3 motstander på kω. a) Hva er spenningen over motstanden
DetaljerKROPPEN LEDER STRØM. Sett en finger på hvert av kontaktpunktene på modellen. Da får du et lydsignal.
KROPPEN LEDER STRØM Sett en finger på hvert av kontaktpunktene på modellen. Da får du et lydsignal. Hva forteller dette signalet? Gå flere sammen. Ta hverandre i hendene, og la de to ytterste personene
DetaljerKondensator. Symbol. Lindem 22. jan. 2012
UKE 5 Kondensatorer, kap. 12, s. 364-382 RC kretser, kap. 13, s. 389-413 Frekvensfilter, kap. 15, s. 462-500 og kap. 16, s. 510-528 Spoler, kap. 10, s. 289-304 1 Kondensator Lindem 22. jan. 2012 Kondensator
DetaljerOppgavesett kap. 6 (3 av..) GEF2200
Oppgavesett kap. 6 (3 av..) GEF2200 s.m.blichner@geo.uio.no Exercise 1 - Denitions ect What do we call droplets in the liquid phase with temperatures below 0 C? What changes when an embryo of ice exceeds
DetaljerLØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Onsdag 3. juni 2009 kl
NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK Faglig kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 / 45 45 55 33 LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I FY003 ELEKTRISITET
DetaljerSlope-Intercept Formula
LESSON 7 Slope Intercept Formula LESSON 7 Slope-Intercept Formula Here are two new words that describe lines slope and intercept. The slope is given by m (a mountain has slope and starts with m), and intercept
DetaljerELSEMA 1, 2, 4-Channel 27MHz Transmitter FMT312E, FMT31202E, FMT31204E
FMT-312E, FMT-31202E, FMT-31204E 12V 1Watt 27MHz Transmitter Features 3 versions available 1-channel (FMT-312E), 2-channel (FMT- 31202E) and 4-channel (FMT-31204E) 1 Watt Transmitter with current consumption
DetaljerBevegelsesmengde Kollisjoner
eegelsesengde Kollisjoner 4.3.3 neste uke: ingen forelesning ingen gruppeunderisning ingen datalab på grunn a idteiseksaen FYS-MEK 4.3.3 Energibearing energi i systeet er beart: E tot = K +U + E T arbeid
DetaljerUniversitetet i Bergen Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i emnet Mat131 - Differensiallikningar I Onsdag 25. mai 2016, kl.
1 MAT131 Bokmål Universitetet i Bergen Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i emnet Mat131 - Differensiallikningar I Onsdag 25. mai 2016, kl. 09-14 Oppgavesettet er 4 oppgaver fordelt på
DetaljerRingvorlesung Biophysik 2016
Ringvorlesung Biophysik 2016 Born-Oppenheimer Approximation & Beyond Irene Burghardt (burghardt@chemie.uni-frankfurt.de) http://www.theochem.uni-frankfurt.de/teaching/ 1 Starting point: the molecular Hamiltonian
DetaljerForelesning nr.4 IN 1080 Mekatronikk. Vekselstrøm Kondensatorer
Forelesning nr.4 IN 1080 Mekatronikk Vekselstrøm Kondensatorer Dagens temaer Mer om Thévenins og Nortons teoremer Sinusformede spenninger og strømmer Firkant-, puls- og sagtannsbølger Effekt i vekselstrømkretser
DetaljerUKE 5. Kondensatorer, kap. 12, s RC kretser, kap. 13, s Frekvensfilter, kap. 15, s kap. 16, s
UKE 5 Kondensatorer, kap. 2, s. 364-382 R kretser, kap. 3, s. 389-43 Frekvensfilter, kap. 5, s. 462-500 kap. 6, s. 50-528 Kondensator Lindem 22. jan. 202 Kondensator (apacitor) er en komponent som kan
DetaljerKondensator - Capacitor. Kondensator - en komponent som kan lagre elektrisk ladning. Symbol. Kapasitet, C = 1volt
Kondensator - apacitor Lindem jan.. 008 Kondensator - en komponent som kan lagre elektrisk ladning. Symbol Kapasiteten ( - capacity ) til en kondensator måles i Farad. Som en teknisk definisjon kan vi
DetaljerINF 5490 RF MEMS. F7: RF MEMS faseskiftere. Resonatorer I. V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO
INF 5490 RF MEMS F7: RF MEMS faseskiftere. Resonatorer I V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 Dagens forelesning Faseskiftere Funksjon Anvendelse Teknologi Analoge faseskiftere Digitale
DetaljerArbeid mot friksjon 1 (lærerveiledning)
Arbeid mot friksjon 1 (lærerveiledning) Vanskelighetsgrad: Liten, middels Short English summary In this exercise we shall measure the work (W) done when a constant force (F) pulls a block some distance
DetaljerLAB 7: Operasjonsforsterkere
LAB 7: Operasjonsforsterkere I denne oppgaven er målet at dere skal bli kjent med praktisk bruk av operasjonsforsterkere. Dette gjøres gjennom oppgaver knyttet til operasjonsforsterkeren LM358. Dere skal
DetaljerTFY4106 Fysikk. Institutt for fysikk, NTNU. Løsningsforslag til øving 9.
TFY4106 Fysikk. Institutt for fysikk, NTNU. Løsningsforslag til øving 9. Oppgave 1 a) var C er korrekt. Fasehastigheten er gitt ved v ω k og vi ser fra figuren at dette forholdet er størst for små verdier
DetaljerGeneralization of age-structured models in theory and practice
Generalization of age-structured models in theory and practice Stein Ivar Steinshamn, stein.steinshamn@snf.no 25.10.11 www.snf.no Outline How age-structured models can be generalized. What this generalization
DetaljerLØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I FY1002 BØLGEFYSIKK Mandag 10. desember 2007 kl
NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK Faglig kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 / 45 45 55 33 LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I FY1002 BØLGEFYSIKK
DetaljerProduct Facts. Product code example
ESAM Smoke control damper for multi Rectangular smoke control damper ESAM is specifically designed for use in multi fire compartment applications as a closing or as an opening damper for smoke extract
DetaljerMA2501 Numerical methods
MA250 Numerical methods Solutions to problem set Problem a) The function f (x) = x 3 3x + satisfies the following relations f (0) = > 0, f () = < 0 and there must consequently be at least one zero for
DetaljerForelesning nr.12 INF 1411 Elektroniske systemer. Opamp-kretser Oscillatorer og aktive filtre
Forelesning nr.12 INF 1411 Elektroniske systemer Opamp-kretser Oscillatorer og aktive filtre Dagens temaer Komparatorer, addisjon- og subtraksjonskretser Integrasjon og derivasjon med opamp-kretser Oscillator
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO ØKONOMISK INSTITUTT
UNIVERSITETET I OSLO ØKONOMISK INSTITUTT Eksamen i: ECON320/420 Matematikk 2: Matematisk analyse og lineær algebra Exam: ECON320/420 Mathematics 2: Calculus and Linear Algebra Eksamensdag: Tirsdag 7. juni
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO ØKONOMISK INSTITUTT
1 UNIVERSITETET I OSLO ØKONOMISK INSTITUTT BOKMÅL Utsatt eksamen i: ECON2915 Vekst og næringsstruktur Eksamensdag: 07.12.2012 Tid for eksamen: kl. 09:00-12:00 Oppgavesettet er på 5 sider Tillatte hjelpemidler:
DetaljerForelesning nr.4 INF 1411 Elektroniske systemer. Vekselstrøm Kondensatorer
Forelesning nr.4 INF 1411 Elektroniske systemer Vekselstrøm Kondensatorer Dagens temaer Sinusformede spenninger og strømmer Firkant-, puls- og sagtannsbølger Effekt i vekselstrømkretser Kondensator Presentasjon
DetaljerUKE 5. Kondensatorer, kap. 12, s RC kretser, kap. 13, s Frekvensfilter, kap. 15, s og kap. 16, s.
UKE 5 Kondensatorer, kap. 12, s. 364-382 R kretser, kap. 13, s. 389-413 Frekvensfilter, kap. 15, s. 462-500 og kap. 16, s. 510-528 1 Kondensator Lindem 22. jan. 2012 Kondensator (apacitor) er en komponent
DetaljerIntroduksjon til FYS 3231 / 4231
Introduksjon til FYS 3231 / 4231 Presentasjon av kurspersoner Hvem er studentene? Lærebok og forelesninger Websider Sensorama 2015 Sensorama 2016 Sensorama 2017 Litt om målesystemer og sensorer Tentativ
DetaljerForelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer Anvendelser av RC-krester Spoler og RL-kretser 1 Dagens temaer Bruk av RC-kretser Sinusrespons til RL-kretser Impedans og fasevinkel til serielle RL-kretser
DetaljerFig 1A Ideell jord. Høyde λ/2 Fig 1D Tørr jord. Høyde λ/2. Fig 1B Ideell jord. Høyde λ/4 Fig 1E Tørr jord. Høyde λ/4
HF-antenner Av Snorre Prytz, Forsvarets forskningsinstitutt Generelt om NVIS-antenner En NVIS (Near Vertical Incident Skyvave) antenne skal dirigere mest mulig av RF effekten rett opp. Effekten blir reflektert
DetaljerINF5490 RF MEMS. L3: Modellering, design og analyse. V2008, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO
INF5490 RF MEMS L3: Modellering, design og analyse V2008, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 Dagens forelesning MEMS - virkemåte Transduser-prinsipper Sensorprinsipper Metoder for å modellere
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO
UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet Eksamen i : FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Eksamensdag : Tirsdag 2. juni 2015 Tid for eksamen : 09:00 12:00 (3 timer) Oppgavesettet
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO ØKONOMISK INSTITUTT
UNIVERSITETET I OSLO ØKONOMISK INSTITUTT Eksamen i: ECON30/40 Matematikk : Matematisk analyse og lineær algebra Exam: ECON30/40 Mathematics : Calculus and Linear Algebra Eksamensdag: Tirsdag 0. desember
DetaljerKondensator - Capacitor. Kondensator - en komponent som kan lagre elektrisk ladning. Symbol. Kapasitet, C. 1volt
Kondensator - apacitor Lindem. mai 00 Kondensator - en komponent som kan lagre elektrisk ladning. Symbol Kapasiteten ( - capacity ) til en kondensator måles i Farad. Som en teknisk definisjon kan vi si
DetaljerLøsningsforslag til øving 6
1 FY100/TFY4160 Bølgefysikk. Institutt for fysikk, NTNU. Høsten 01. Løsningsforslag til øving 6 Oppgave 1 a) Litt repetisjon: Generelt er hastigheten til mekaniske bølger gitt ved mediets elastiske modul
DetaljerSVM and Complementary Slackness
SVM and Complementary Slackness David Rosenberg New York University February 21, 2017 David Rosenberg (New York University) DS-GA 1003 February 21, 2017 1 / 20 SVM Review: Primal and Dual Formulations
DetaljerMathematics 114Q Integration Practice Problems SOLUTIONS. = 1 8 (x2 +5x) 8 + C. [u = x 2 +5x] = 1 11 (3 x)11 + C. [u =3 x] = 2 (7x + 9)3/2
Mathematics 4Q Name: SOLUTIONS. (x + 5)(x +5x) 7 8 (x +5x) 8 + C [u x +5x]. (3 x) (3 x) + C [u 3 x] 3. 7x +9 (7x + 9)3/ [u 7x + 9] 4. x 3 ( + x 4 ) /3 3 8 ( + x4 ) /3 + C [u + x 4 ] 5. e 5x+ 5 e5x+ + C
DetaljerMandag F d = b v. 0 x (likevekt)
Institutt for fysikk, NTNU TFY46/FY: Bølgefysikk Høsten 6, uke 35 Mandag 8.8.6 Dempet harmonisk svingning [FGT 3.7; YF 3.7; TM 4.4; AF.3; LL 9.7,9.8] I praksis dempes frie svingninger pga friksjon, f.eks.
DetaljerNORGES TEKNISK-NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET Side 1 av 5 INSTITUTT FOR ENERGI- OG PROSESSTEKNIKK
NORGES TEKNISK-NATURVITENSKAPEIGE UNIVERSITET Side 1 av 5 INSTITUTT FOR ENERGI- OG PROSESSTEKNIKK Faglig kontakt under eksamen: Reidar Kristoffersen, tlf.: 73 59 35 67 EKSAMEN I TEP 4110 FUIDMEKANIKK Bokmål/Nnorsk/English
DetaljerNO X -chemistry modeling for coal/biomass CFD
NO X -chemistry modeling for coal/biomass CFD Jesper Møller Pedersen 1, Larry Baxter 2, Søren Knudsen Kær 3, Peter Glarborg 4, Søren Lovmand Hvid 1 1 DONG Energy, Denmark 2 BYU, USA 3 AAU, Denmark 4 DTU,
Detaljer