Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Like dokumenter
Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Ny/Utsatt eksamen i Elektronikk 2. August Løsningsforslag Knut Harald Nygaard

Eksamen i Elektronikk 24. Mai Løsningsforslag Knut Harald Nygaard

Ny og utsatt eksamen i Elektronikk 28. Juli Løsningsforslag Knut Harald Nygaard

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

UNIVERSITETET I OSLO.

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 2k5 )

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

UNIVERSITETET I OSLO

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2008

Prøveeksamen 1. Elektronikk 8.feb Løsningsforslag

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

UNIVERSITETET I OSLO.

Løsningsforslag Elektronikk 1 (LO342E) høst 2006 eksamen 1. desember, 3timer

UNIVERSITETET I OSLO.

Prøveeksamen 2. Elektronikk 24. mars Løsningsforslag

UNIVERSITETET I OSLO.

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

UNIVERSITETET I OSLO.

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren Oppgave 1

01-Passivt Chebychevfilter (H00-4)

Forslag til løsning på eksamen i FYS1210 våren 2005 side 1. Fig.1 viser et nettverk med to 9 volt batterier og 4 motstander, - alle på 1kΩ.

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

EKSAMEN Løsningsforslag Emne: Fysikk og datateknikk

Løsningsforslag til eksamen FY108 høsten 2003

UNIVERSITETET I OSLO.

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag. Eksamen i: Fysikk for tretermin (FO911A)

Forslag B til løsning på eksamen FYS august 2004

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 3k3 )

UNIVERSITETET I OSLO

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

g m = I C / V T = 60 ms r π = β / g m = 3k3

Figur 1. 1e) Uten tilkopling på inngangene A og B - Hva er spenningen på katoden til dioden D1? 1,4 volt

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2018

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Figur 1 viser et nettverk med et batteri på 18 volt, 2 silisiumdioder og 4 motstander.

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO.

Oppsummering. BJT - forsterkere og operasjonsforsterkere

Forslag til løsning på eksamen i FY Forslag til løsning på eksamen i F -IN 204 og FY108 våren 2003.

Løsningsforslag til EKSAMEN

EKSAMEN. Emne: Fysikk og datateknikk

UNIVERSITETET I OSLO.

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 2010

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

LØSNINGSFORSLAG i stikkordsform Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Forslag til løsning på eksame n FY-IN 204 våren 2002

LAB 7: Operasjonsforsterkere

Eksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Lørdag 5. juni Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG

LØSNINGSFORSLAG i stikkordsform Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2004

UNIVERSITETET I OSLO.

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1

UNIVERSITETET I OSLO.

«OPERASJONSFORSTERKERE»

UNIVERSITETET I OSLO

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 V-2007 ( rev.2 )

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005

= 10 log{ } = 20 db. Lydtrykket avtar prop. med kvadratet av avstanden, dvs. endring ved øking fra 1 m til 16 m

Løsning eks Oppgave 1

UNIVERSITETET I OSLO

Emnenavn: Fysikk og kjemi. Eksamenstid: 9:00 til 13:00. Faglærer: Erling P. Strand

= 10 log{ } = 23 db. Lydtrykket avtar prop. med kvadratet av avstanden, dvs. endring ved øking fra 1 m til 16 m

LABORATORIEØVELSE B FYS LINEÆR KRETSELEKTRONIKK 1. LAPLACE TRANSFORMASJON 2. AC-RESPONS OG BODEPLOT 3. WIENBROFILTER

«OPERASJONSFORSTERKERE»

FYS Forslag til løsning på eksamen våren 2014

Lab 7 Operasjonsforsterkere

303d Signalmodellering: Gated sinus a) Finn tidsfunksjonen y(t) b) Utfør en Laplace transformasjon og finn Y(s)

FYS1210 Løsningsforslag. Eksamen V2015

Løsningsforslag eksamen inf 1410 våren 2009

Eksamensoppgaver i Elektronikk 1 - LO350E.

Elektronikk 2 løsningsforslag våren 2002

EKSAMEN. Oppgavesettet består av 3 oppgaver. Alle spørsmål på oppgavene skal besvares, og alle spørsmål teller likt til eksamen.

Løsningsforslag til EKSAMEN

Løsningsforslag til EKSAMEN

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1

Avdeling for ingeniørutdanning. Eksamen i materialteknologi og tilvirkning

Løsningsforslag til EKSAMEN

Eksamensoppgave i TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK

TRANSISTORER Transistor forsterker

Forelesning nr.14 INF 1410

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

Forelesning nr.12 INF 1411 Elektroniske systemer. Opamp-kretser Oscillatorer og aktive filtre

En del utregninger/betraktninger fra lab 8:

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer. Måleteknikk Operasjonsforsterkere

Tidsbase og triggesystem. Figur 1 - Blokkskjema for oscilloskop

Contents. Oppgavesamling tilbakekobling og stabilitet. 01 Innledende oppgave om ABC tilbakekobling. 02 Innledende oppgave om Nyquist diagram

PH-03. En MM Phono Forsterker

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2015

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer. Måleteknikk Operasjonsforsterkere

Transkript:

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag Ny/utsatt eksamen i: Elektronikk Målform: Bokmål Dato: 2. august 2017 Tid: 3 timer/0900-1200 Antall sider (inkl. forside): 5 (inkludert Vedlegg 1 side) Antall oppgaver: 4 Tillatte hjelpemidler: Håndholdt kalkulator som ikke kommuniserer trådløst. Forhåndsgodkjent ordbok. Merknad: Kandidaten må selv kontrollere at oppgavesettet er fullstendig. Ved eventuelle uklarheter i oppgaveteksten skal du redegjøre for de forutsetninger du legger til grunn for løsningen. Besvarelsen skal merkes med kandidatnummer, ikke navn. Bruk blå eller sort kulepenn på innføringsarket. Faglig veileder: Knut Harald Nygaard Utarbeidet av (faglærer): Knut Harald Nygaard Kontrollert av (en av disse): Annen lærer Sensor Instituttleder/ Programkoordinator Instituttleders/ Programkoordinators underskrift: Emnekode: ELTS2100

Oppgave 1 Operasjonsforsterkeren i kretsløpet i figuren nedenfor kan regnes som ideell. v ut 2 1 a) Vis at overføringsfunksjonen kan skrives som: H(s)= 1+( 1+ 2 )s 1+ 1 s b) La = 1 μf og finn alle komponentverdiene når det ønskes en inngangsmotstand på 100 kω og en forsterkning ved høyere frekvenser på 10 ganger med en grensefrekvens på 100 rad/s. c) Skisser asymptotisk forløp for H(jω) (db). Husk skalering av aksene. Oppgave 2 En operasjonsforsterker brukes i ikke-inverterende kopling. Det ønskes en spenningsforsterkning lik 10 ganger med en tilbakekoplingsmotstand på 180 kω. Omgivelsestemperaturen antas lik 295 K. a) Tegn skjema for forsterkeren med angivelse av komponentverdier. Midlere støyspenning pr. enhets båndbredde for den benyttede operasjonsforsterkeren er vist i figuren nedenfor. I det følgende antas at ekvivalent støystrøm for operasjonsforsterkeren kan neglisjeres. b) Finn tilnærmet operasjonsforsterkerens ekvivalente støyspenning (referert pluss-inngangen) for frekvensområdet 10 khz til 1 MHz.

c) Finn motstandenes støyspenning (referert pluss-inngangen) for samme frekvensområde. d) Finn total støyspenning (referert pluss-inngangen) for forsterkeren (operasjonsforsterker med motstander). e) Finn signal/støy-forholdet når forsterkeren påtrykkes et signal på 10 mv. Oppgave 3 I figuren nedenfor er vist en nett-transformator Tr, en brulikeretter D og en glatte-kondensator. Transformatoren gir ut 18 V (effektivverdi) når laststrømmen er I L = 1 A. Anta et konstant spenningsfall over brulikeretteren på 2 V. Tr D I L a) Finn den verdien på kondensatoren som gir en maksimal størrelse på rippelspenningen (spissspiss) lik 1,6 V. b) Finn midlere spenning over kondensatoren. En regulator med en zenerdiode D og en MOSFET kan realiseres som vist i figuren nedenfor. Vi antar at transistoren har en konstant gate-source-spenning lik 4 V. Spenningen inn på regulatoren er V inn = 24 V, og vi ønsker en utgangsspenning V ut = 19 V når laststrømmen er konstant lik I L = 1 A. I L D V inn V ut 1 c) Finn den zenerspenningen som gir den ønskede utgangsspenningen. Finn størrelsen på 1 når det antas at 5 ma er passe zenerdiodestrøm. d) Anta at transistoren opererer ved en drain-strøm på 0,5 A. Finn størrelsen på når zenerdiodestrømmen antas å kunne neglisjeres. e) Hva er effekttapet i transistoren?

Transistoren er festet på en kjølefinne via en isolerende skive med en termisk motstand på 0,5 K/W. For transistoren oppgis en sjikt-kapsel termisk motstand på 1,0 K/W. Maksimal sjikt-temperatur skal ikke overstige 100 ved maksimal omgivelsestemperatur lik 50. f) Finn den termiske motstanden kjølefinnen må ha. Oppgave 4 Operasjonsforsterkeren U i kretsløpet i figuren nedenfor kan regnes som ideell. V I U 1 2 a) Vis at impedansen Z(s) = V(s)/I(s) = + sl, der = 1 + 2 og L = 1 2. Tips: Spenningene på pluss- og minus-inngangen på operasjonsforsterkeren er like og det går ingen strøm inn i disse inngangene. Q-verdien for en spole er gitt som Q = ωl/. Vi ønsker en Q-verdi på 1 ved 50 Hz. b) Finn størrelsen på L og for denne Q-verdien når 1 = 2 = 56 kω. c) En kondensator S legges i serie med Z. Tegn skjema for denne kretsen (der Z representeres ved sitt ekvivalentskjema). Finn den størrelsen på S som gir en resonansfrekvens på 50 Hz. d) Hvor stor er motstanden ved resonans (for koplingen i punkt c)?

VEDLEGG Filtre: H LP ( s)= ω 0 H s+ω LP (s)= ω 2 0 0 s 2 2 +2 ζω 0 s+ω 0 H HP ( s)= s s+ω 0 H BP ( s)= 2ζω 0 s s 2 +2ζω 0 s+ω 0 2 H HP ( s)= s2 s 2 +2ζω 0 s+ω 0 2 2ζ =1 Q Butterworth: N=1: s n +1 N=2: s n 2 + 2 s n +1 N=3:(s n 2 +s n +1)(s n +1) H ( jω) db =10lg[1+(ω/ω 0 ) 2 N ] Normalisering: s n = s Ω 0 n = 0 L n = LΩ 0 0 n = 0 Ω 0 Likeretting: V eff = V spiss 2 V midl = 2V spiss π V rippel = I last t 1 ( Spiss-spiss-verdi) Diode/halvleder: I D =I S e V D n V T r D = n V T I D V T = kt e ( k=1.38 10-23 J / K,e=1.6 10 19 ) BJT: I = I S e r e = n V T I E V BE n V T hfe = β= I I B I E =I B + I P =I V E v be =r e i c =r be i b ( r be =β r e ) A ve = v ut = Last r e + E FET: A vs = v ut = Last r s + S = g m Last 1+g m S ( g m = 1 r s ) OPAMP: v ut =A 0 v diff = A 0 (v + v ) A v = A 0 1+ βa 0 = 1 β = Feedback =1+ Feedback Støy: P n =4kTB V n = 4kTB Kjøling: T J T A =P( J + S + SA ) S/N=10 lg P signal P støy v N 2 =v NA 2 2 2 +i NA S 6dB regel: S / N [db]=6,02 N +1,76(effektivverdi) S/ N [db]=6,02 N+4,77(spissverdi)