(12) Translation of european patent specification (11) NO/EP 2734661 B1 (19) NO NORWAY (1) Int Cl. C30B 11/00 (06.01) C30B 28/06 (06.01) C30B 29/06 (06.01) H01L 21/324 (06.01) H01L 21/67 (06.01) Norwegian Industrial Property Office (21) Translation Published 1.11.23 (80) Date of The European Patent Office Publication of the Granted Patent 1.08.19 (86) European Application Nr. 127486.3 (86) European Filing Date 12.07.19 (87) The European Application s Publication Date 14.0.28 (30) Priority 11.07.22, GB, 1112610 11.07.22, US, 116110676 P (84) Designated Contracting States: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR (73) Proprietor REC Solar Pte Ltd., Tuas South Avenue, 14, Singapore 637312, SG-Singapore (72) Inventor BAKKE, Per, Storvegen, N-3919 PorsgrunnNorge VLADIMIROV, Egor, Kirkeveien 3, N-390 BrevikNorge HOMAYONIFAR, Pouria, Utsikten 26, N-3911 PorsgrunnNorge TEIXEIRA, Alexandre, Skomvaergata 8 H307, N-3921 PorsgrunnNorge (74) Agent or Attorney Bryn Aarflot AS, Postboks 449 Sentrum, 0104 OSLO, Norge (4) Title Heating a furnace for the growth of semiconductor material (6) References Cited: DE-A1-3 031 747 DE-A1-1008 034 029 JP-A- 00 3 981 US-A- 3 796 2 US-A1-07 21 937 US-A1-08 311 417
Enclosed is a translation of the patent claims in Norwegian. Please note that as per the Norwegian Patents Acts, section 66i the patent will receive protection in Norway only as far as there is agreement between the translation and the language of the application/patent granted at the EPO. In matters concerning the validity of the patent, language of the application/patent granted at the EPO will be used as the basis for the decision. The patent documents published by the EPO are available through Espacenet (http://worldwide.espacenet.com) or via the search engine on our website here: https://search.patentstyret.no/
1 PATENTKRAV 1. En multi-ingot ovn for veksten av krystallinsk halvleder-materiale, ovnen omfatter: et hus som danner en varm sone for å motta en rekke av digler som inneholder halvleder-materiale; i det minste en oppvarmingsanordning for å oppvarme halvleder-materialet; karakterisert ved at den eller hver oppvarmingsanordning er anordnet for å påføre et forhånds10 bestemt differensial varmefluksprofil til et horisontalt tverrsnitt av halvleder-materialet i én eller flere digler, hvori varmefluksprofilet er valgt i avhengighet av posisjonen innen rekken av den ene eller flere digler. 2. 1 En ovn ifølge krav 1, ovnen omfatter et flertall av oppvarmingsanordninger, hvori hver oppvarmingsanordning er forbundet med en enkel digel og er anordnet for å anvende det forhåndsbestemte differensial varmefluksprofilet til det horisontale tverrsnittet av halvleder-materialet i den tilhørende enkle digel. 3. En ovn ifølge enten krav 1 eller krav 2, hvori det forhåndsbestemte differensial varmefluksprofilet omfatter kun et symmetriplan perpendikulær til det horisontale tverrsnittet av halvleder-materialet, og symmetriplanet går gjennom et geometrisk senter av rekken. 4. 2 En ovn ifølge krav 3, hvori den fysiske geometri av oppvarmingsanordningen er symmetrisk med hensyn til symmetriplanet av det forhåndsbestemte differensial varmefluktprofilet som går gjennom et geometrisk senter av rekken.. En ovn ifølge krav 3 eller krav 4, hvori det forhåndsbestemte varmefluksprofilet varierer langs en skjæringslinje mellom det horisontale tverrsnittet til halvleder30 materialet og symmetriplanet til det forhåndsbestemte differensial varmefluksprofilet som går gjennom et geometrisk senter av rekken. 6. En ovn ifølge et hvilket av helst de foregående krav, hvori oppvarmingsanord- ningen er en motstandsvarmer som omfatter i det minste et motstandsvarmeelement. 3
2 7. En ovn ifølge krav 6, hvori oppvarmingsanordningen omfatter et flertall av mot- standsvarmeelementer, og hvori motstandsvarmeelementene er anordnet i minst to forskjellige konfigurasjoner. 8. En ovn ifølge krav 7, hvori i det minste to forskjellige konfigurasjoner omfatter variasjoner i fysisk geometri av motstandsvarmeelementene. 9. En ovn ifølge hvilken som helst av kravene 6 til 8, hvori i det minste ett mot- standsvarmeelement er konfigurert for å generere en variabel total varmefluks per 10 lengdeenhet projisert på en linje som passerer gjennom sine kontaktpunkter med en krafttilførsel. 10. En ovn ifølge krav 9, hvori i det minste ett oppvarmingselement strekker seg mellom parallelle lederskinner og omfatter: i det minste én primærseksjon i kontakt med én av lederskinnene; 1 én eller flere sekundære seksjoner, hvori den i det minste ene primære seksjon og den ene eller flere sekundære seksjon strekker seg perpendikulær til lederskinnene, og er forskjøvet fra hverandre, og en forbindelsesseksjon som strekker seg mellom i det minste én primærseksjon og den ene eller flere sekundære seksjoner, slik at oppvarmingselementet genererer økt total varmefluks per lengdeenhet langs linjen som går gjennom sine kontaktpunkter i området av forbindelsesseksjonen. 11. 2 En ovn ifølge et hvilket som helst av de foregående krav, hvori ovnen videre omfatter et flertall av prosesskamre innen den varme sonen, hvori hvert kammer er anordnet for å motta én av diglene i rekken. 12. En ovn ifølge et hvilket som helst av de foregående krav, hvori den eller hver oppvarmingsanordning er en toppoppvarmingsanordning anbrakt over halvleder30 materialet. 13. En ovn ifølge et hvilket som helst av de foregående krav, hvori den eller hver oppvarmingsanordning omfatter et flertall av varmeelementer anordnet i et flertall av grupper, hvori oppvarmingsanordningen videre omfatter en uavhengig krafttilførsel for 3 hver gruppe.
3 14. En ovn ifølge et hvert av de foregående krav, videre omfattende i det minste én separator anbrakt mellom den eller hver oppvarmingsanordning og halvledermaterialet. 1. En ovn ifølge en hvert av de foregående krav, hvori det krystallinske halvleder- materialet er for anvendelse som fotoelektrisk materiale for å omdanne innfallende stråling til elektrisk ladning. 16. 10 En fremgangsmåte for drift av en multi-ingot ovn for veksten av et krystallinsk halvleder-materiale, hvori fremgangsmåten omfatter oppvarming av et prosesskammer ved å benytte en oppvarmingsanordning som påfører et forhåndsbestemt differensial varmefluktprofil til et horisontalt tverrsnitt av halvleder-materialet innen én eller flere digler, det forhåndsbestemte differensial varmefluksprofilet velges i avhengighet av posisjonen av den ene eller flere digler innen en rekke. 1 17. En fremgangsmåte ifølge krav 16, hvori det krystallinske halvleder-materialet er for anvendelse som fotoelektrisk materiale for å omdanne innfallende stråling til elektrisk ladning. 18. En fremgangsmåte for å vokse krystallinsk halvleder-materiale, omfattende: lasting av et ovnprosesskammer med materiale som skal oppvarmes; lukking av ovnen; evakuering av luften innen prosesskammeret; tilføring av en strømning av gass inn i prosesskammeret; 2 oppvarming av materialet idet fremgangsmåten i henhold til enten krav 16 eller krav 17 utføres; avkjøling av materialet; evakuering av gassen; innretning av trykket i prosesskammeret til atmosfærisk trykk; 30 åpning av ovnen; og fjerning av materialet.