UNIVERSITETET I OSLO.

Like dokumenter
g m = I C / V T = 60 ms r π = β / g m = 3k3

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 3k3 )

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO.

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 2k5 )

Figur 1. 1e) Uten tilkopling på inngangene A og B - Hva er spenningen på katoden til dioden D1? 1,4 volt

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2008

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren Oppgave 1

UNIVERSITETET I OSLO.

Figur 1 viser et nettverk med et batteri på 18 volt, 2 silisiumdioder og 4 motstander.

UNIVERSITETET I OSLO.

FYS Forslag til løsning på eksamen våren 2014

UNIVERSITETET I OSLO.

UNIVERSITETET I OSLO.

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 V-2007 ( rev.2 )

Forslag til løsning på eksamen i FYS1210 våren 2005 side 1. Fig.1 viser et nettverk med to 9 volt batterier og 4 motstander, - alle på 1kΩ.

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005

UNIVERSITETET I OSLO.

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 2010

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2004

Forslag B til løsning på eksamen FYS august 2004

UNIVERSITETET I OSLO.

Løsningsforslag til eksamen FY108 høsten 2003

TRANSISTORER Transistor forsterker

TRANSISTORER Transistor forsterker

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2018

Prøveeksamen 1. Elektronikk 8.feb Løsningsforslag

Løsningsforslag Elektronikk 1 (LO342E) høst 2006 eksamen 1. desember, 3timer

UNIVERSITETET I OSLO

LAB 7: Operasjonsforsterkere

Oppsummering. BJT - forsterkere og operasjonsforsterkere

«OPERASJONSFORSTERKERE»

Forslag til løsning på eksamen i FY Forslag til løsning på eksamen i F -IN 204 og FY108 våren 2003.

Forslag til løsning på eksame n FY-IN 204 våren 2002

UNIVERSITETET I OSLO

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2009

«OPERASJONSFORSTERKERE»

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017

FYS1210. Repetisjon 2 11/05/2015. Bipolar Junction Transistor (BJT)

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Eksamen i Elektronikk 24. Mai Løsningsforslag Knut Harald Nygaard

UNIVERSITETET I OSLO

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Ny/Utsatt eksamen i Elektronikk 2. August Løsningsforslag Knut Harald Nygaard

EKSAMEN Løsningsforslag Emne: Fysikk og datateknikk

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Lab 7 Operasjonsforsterkere

UNIVERSITETET I OSLO

FYS1210 Løsningsforslag. Eksamen V2015

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Onsdag 15. august Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG

Fasit til Eksamen FY-IN 204 våren (avholdt høsten) 1998.

UNIVERSITETET I OSLO

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

EKSAMEN. Emne: Fysikk og datateknikk

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1

Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Onsdag 15. august Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG

Løsning eks Oppgave 1

UNIVERSITETET I OSLO.

Eksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Lørdag 5. juni Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2015

LØSNINGSFORSLAG KRETSDEL

Transistorkretser Laboratorieeksperimenter realfagseminar Sjøkrigsskolen 15. November 2010

Eksamensoppgave i TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK

Introduksjon til oppgave 1: Transistorkarakteristikken til BC-547

LØSNINGSFORSLAG KRETSDEL

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

UNIVERSITETET I OSLO

= 10 log{ } = 23 db. Lydtrykket avtar prop. med kvadratet av avstanden, dvs. endring ved øking fra 1 m til 16 m

Eksamensoppgaver i Elektronikk 1 - LO350E.

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

UNIVERSITETET I OSLO

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

TRANSISTORER. Navn: Navn: Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall. Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2.

Oppgave 1 (30%) a) De to nettverkene gitt nedenfor skal forenkles. Betrakt hvert av nettverkene inn på klemmene:

Innhold Oppgaver om AC analyse

Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK

INF1411 Obligatorisk oppgave nr. 3

Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger. Likeretter (Rectifier) omforme AC til DC

TRANSISTORER. Navn: Navn: Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall. Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2.

INF1411 Oblig nr. 4 Vår 2011

Lab 1 Innføring i simuleringsprogrammet PSpice

VEILEDNING TIL LABORATORIEØVELSE NR 2

Lab 6 Klokkegenerator, tellerkretser og digital-analog omformer

Monostabil multivibrator One shot genererer en enkelt puls med spesifisert varighet kretsen har en stabil tilstand

Løsningsforslag eksamen EDT202T, Elektronikk 2, den

Løsningsforslag til EKSAMEN

Løsningsforslag til EKSAMEN

Praktiske målinger med oscilloskop og signalgenerator Vi ser på likerettere og frekvensfilter

EKSAMEN. Oppgavesettet består av 3 oppgaver. Alle spørsmål på oppgavene skal besvares, og alle spørsmål teller likt til eksamen.

Transkript:

UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Eksamensdag : 1. juni 2011 Tid for eksamen : 09:00 (3 timer) Oppgavesettet er på 4 sider ( + 3 sider logaritmepapir) Vedlegg : Logaritmepapir 3 stk Tillatte hjelpemidler : Lommekalkulator. : Lærebok: Robert T. Paynter & B.J.Toby Boydell "Electronics Technology Fundamentals". Engelsk/Norsk Norsk/Engelsk ordbok Kontroller at oppgavesettet er komplett før du begynner å besvare spørsmålene. Oppgave 1 Figure 1 viser en enkel transistorforsterker med en NPN-transistor BC546A. Transistoren har en oppgitt strømforsterkning β = 200. Kondensatoren C1 har verdien 1 µf. Tilført spenning fra batteriet V2 er 10 volt. 1a) Transistoren skal arbeide med en kollektor hvilestrøm ( I CQ ) på 1,5 ma. Beregn verdiene til basismotstanden R1 og kollektormotstanden R2. 1b) Hvor stor er transistorens transkonduktans g m? 1c) Hvor stor er spenningsforsterkningen? 1d) Tegn opp småsignalekvivalenten for lave frekvenser. 1e) Hva blir nedre grensefrekvens til forsterkeren? 1f) Øvre grensefrekvens bestemmes blant annet av transistorens interne kapasitanser. Forsterkningen til kretsen vil også ha betydning for øvre grensefrekvens. Forklar kort hvordan dette henger sammen. 1

Eksamen FYS 1210 1. juni 2011 Oppgave 2 Figure 2 viser en forsterker sammensatt av to like operasjonsforsterkere (OpAmp) med et Gain-Bandwidth produkt (GBW) = 1MHz. Forsyningsspenning V+ = 12 volt. V- er koplet til jord. 2a) Hvor stor er forsterkningen ( i db) for midlere frekvenser? 2b) Hva er øvre og nedre grensefrekvens? 2c) Tegn opp frekvenskarakteristikken til forsterkeren i området 1 Hz til 1 MHz. Bruk vedlagte logaritmepapir. 2d) Hvor stor er DC-spenningen på pinne 1, 2 og 3 til OpAmp_2? 2e) Vi vil beholde den store forsterkningen men vi ønsker å heve øvre grensefrekvens maksimalt. Du kan endre verdien på motstandene R2 og R9. (Nå er R2 = 100k og R9 = 220k) Kom med forslag til nye verdier. 2f) Hvilke konsekvenser får det om vi kortslutter kondensator C3? 2

Eksamen FYS 1210 1. juni 2011 Oppgave 3 Spenningskilden V1 = 10 volt R1 = 1,2 kω R2 = 1,8 kω R3 = 1 kω 3a) Kretsen i Figure 3A kan vha. Thevenins teorem transformeres til kretsen i Figure 3B Beregn Theveninspenningen V_TH og Theveninmotstanden R_TH. Figure 3C viser et nettverk med et batteri V1 = +12 volt, 4 motstander og 2 dioder : R1 = 3 kω, R2 = 1,5 kω, R3 = 9 kω, R4 = 3 kω og 2 silisiumdioder D1 og D2. 3b) Hva er spenningen i punktene AA og BB målt i forhold til jord (Gnd)? 3c) Hvor stor er strømmen gjennom R4? 3d) Hvor stor er strømmen gjennom D2? 3e) Hvor stor er strømmen ut fra batteriet? Oppgave 3 fortsettes på side 4 3

Eksamen FYS 1210 1. juni 2011 Oppgave 3 forts. Figur 3D viser en monostabil multivibrator MV. Når en kort positiv puls kommer på Vinn sender kretsen ut en positiv puls med lengde bestemt av tidskonstanten RB2 * C1. Transistorene er vanlige NPN silisium. ( Passende verdier: RB2 = 100k RK2 = 10k ) 3f) Uten signal inn på Vinn : Hva er spenningen på basis til TR2 (ca.)? Hvor stor er spenningen Vut (ca.)? Alle spenninger måles rel. til jord 3g) Skisser spenningsforløpet på Kollektor og Basen til transistor TR2 fra en kort stund før den positive pulsen kommer på Vinn til kretsen igjen er tilbake i sin stabile tilstand. Oppgave 4 Vi skal konstruere en ikkeinverterende (non inverting) forsterker ved hjelp av 2 operasjonsforsterkere begge med Gain-Bandwidth produkt (GBW) = 10 MHz. Kravene til forsterkeren er : Rinn = 10 kω. ( - Skal være konstant innenfor hele frekvensspekteret ) Spenningsforsterkningen A V = 40 db og vi ønsker størst mulig båndbredde. (! ) 4a) Tegn kretsen. Sett på komponentverdier. 4b) Tegn opp frekvensresponsen til forsterkeren. ( 1 10 MHz ) Bruk vedlagte logaritmepapir. Vi blir plaget av et støysignal med lav frekvens og vi ønsker å begrense forsterkningen for lave frekvenser. Ved hjelp av en kondensator skal nedre grensefrekvens settes til 100 Hz. Kravet om konstant Rinn = 10 kω opprettholdes. 4c) Tegn kretsen med kondensatoren på riktig plass - og beregn størrelsen til kondensatoren. SLUTT 4

5

6

7