UNIVERSITETET I OSLO

Like dokumenter
UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO

PENSUM INF spring 2013

Oppgave 1 INF3400. Løsning: 1a Gitt funksjonen Y = (A (B + C) (D + E + F)). Tegn et transistorskjema (skjematikk) i komplementær CMOS for funksjonen.

Del 6: Tidsforsinkelse i logiske kjeder

TI dsforsinkelse i kjeder med logiske porter. Beregning av

Løsningsforslag DEL1 og 2 INF3400/4400

Løsningsforslag DEL1 og 2 INF3400/4400

INF3400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 8

INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 8 Våren 2006 YNGVAR BERG

Del 9: Dynamisk CMOS

Tips og triks til INF3400

Del 5: Statisk digital CMOS

UNIVERSITETET I OSLO

Formelsamling INF3400 Våren 2014 Del 1 til 8 YNGVAR BERG

TR ansistormodellen utvides med en modell for strøm i

MO deller for tidsforsinkelse i logiske porter blir gjennomgått.

Obligatorisk oppgave 4 i INF4400 for Jan Erik Ramstad

Obligatorisk oppgave 2 i INF4400 for Jan Erik Ramstad

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO

MO deller for tidsforsinkelse i logiske porter blir gjennomgått.

INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 13 og 14

INF3400 Uke Wire Engineering 4.7 Design Margins. INF3400 Uke 14 Øivind Næss

KONVENSJONELLE latcher og vipper i CMOS blir gjennomgått.

UNIVERSITETET I OSLO

Forelesning 8. CMOS teknologi

Eksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK

INF3400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 12

CMOS inverter DC karakteristikker og hvordan transistorstørrelser

Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK

TFE4101 Krets- og Digitalteknikk Høst 2016

Konstruksjon av gode ledninger

Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK

UNIVERSITETET I OSLO.

Del 3: Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO

Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Onsdag 15. august Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG

INF 5460 Elektrisk støy beregning og mottiltak

Eksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Fredag 25. mai Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG

UNIVERSITETET I OSLO

Del 11: Latcher og vipper

Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK

FYS1210. Repetisjon 2 11/05/2015. Bipolar Junction Transistor (BJT)

UNIVERSITETET I OSLO.

CMOS med transmisjonsporter blir presentert, herunder

INF3400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 11 Latcher og vipper

INF3400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 9

Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet

UNIVERSITETET I OSLO.

Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet

1 (vekt 10%) +5V. Rb Out. (Ron)

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO

Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Onsdag 15. august Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG

UNIVERSITETET I OSLO

Forelesning 4. Binær adder m.m.

UNIVERSITETET I OSLO.

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer

UNIVERSITETET I OSLO

LØSNINGSFORSLAG KRETSDEL

Rapport laboratorieøving 2 RC-krets. Thomas L Falch, Jørgen Faret Gruppe 225

UNIVERSITETET I OSLO.

EKSAMEN Løsningsforslag Emne: Fysikk og datateknikk

Eksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Fredag 25. mai Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG

UNIVERSITETET I OSLO

F = a bc + abc + ab c + a b c

Emnenavn: Datateknikk. Eksamenstid: 3 timer. Faglærer: Robert Roppestad. består av 5 sider inklusiv denne forsiden, samt 1 vedleggside.

EKSAMEN Emnekode: ITD13012

Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK

Eksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK Fredag 21. mai 2004 Tid. Kl

UNIVERSITETET I OSLO

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

LØSNINGSFORSLAG KRETSDEL

INNHOLD. Side Eksempeleksamen 2T - Hele oppgavesettet 1. Oppgave 1 Eksempeleksamen 10

Rapport. Lab 1. Absoluttverdikrets - portkretser

UNIVERSITETET I OSLO

Transkript:

UNIVRSITTT I OSLO et matematisk-naturvitenskapelige fakultet ksamen i: INF400 igital mikroelektronikk ksamensdag: 11. juni 2008 Tid for eksamen: Oppgavesettet er på 5 sider. Vedlegg: Ingen Tillatte hjelpemidler: lle trykte og skrevne, og kalkulator Kontroller at oppgavesettet er komplett før du begynner å besvare spørsmålene. 1a Oppgave 1 x y Q G z Figur 1: Kjede med porter. Finn logisk effort for portene og logisk effort for kritisk signalvei. G NN2 = 4/, G NOR2 = 5/ og G INV = 1. Kritisk signalvei går fra inngang / til G. Logisk effeort for kritisk signalvei G = 4 5 1 = 20 9. 1b nta at utgangen skal drive 2 minimumsinvertere. Finn elektrisk effort og kjedens effort F. kstern last blir 2 = 6, kjedens elektriske effort H = 6 x effort F = G H = 20 1 6 = 40. 9 x x og kjedens (Fortsettes på side 2.)

ksamen i INF400, 11. juni 2008 Side 2 1c Hva blir optimal effort for portene? Finn transistorstørrelser for minimum kjedeforsinkelse når parasittisk tidsforsinkelse utgjør halvparten av kjedeforsinkelsen. Vi har optimal effort når parasittisk tidsforsinkelse utgjør halvparten av total tidsforsinkelse for kjeden. Parasittisk tidsforsinkelse er P = 2 + 2 + 1 = 5.. Vi har da at N F 1 = P, dvs. f = F 1 = 5 40. Vi finner x ved = 5. x ette gir x = 8 2 = 2.88. Porten er en NN2 som gir følgende fordeling 5 2 mellom bredde på N og P transistorer: N + P = 2.88.4 og N = P, som gir N = P = 1.44. Vi har videre at Q = 6 1 = 18 =.6. For inverteren har vi f 5 N + P =.6 og P = 2N, som gir N = 1.2 og P = 2.4. Vi har videre at y =.6 (5/) =.6. For inverteren har vi N + P =.6 og P = 4N. Minste f bredde er lik 1 og dermed blir N = 1 og P = 2.6. 1d Hvordan vil du implementere G ved hjelp av en komplementær MOS port? 1e G = ( + ) =. ette er en NN port. Hva blir stige- og falltid for en komplementær MOS implementasjon for G? Vi finner parasittisk kapasitans for porten, dvs. vi tar bare med utgangskapasitanser og tar ikke hensyn til deling. a får vi en parasittisk tidsforsinkelse lik 9R =. Oppgaven så langt er på dette presisjonsnivået og da er det fornuftig å fortsette på tilsvarende nivå. Total tidsforsinkelse kan uttrykkes som t r/f = (9 + 6) R = 15R = 5. 2a Oppgave 2 Tegn transistorskjema for en komplementær MOS port for funksjonen Y = ( + ) ( + ). er vist i figur 2. (Fortsettes på side.)

ksamen i INF400, 11. juni 2008 Side Y 2b Figur 2: Y = ( + ) ( + ). Gitt µ n = 2µ p. Finn transistorstørrelser slik at worst case stige- og falltid blir like. Worst case nedtrekk er gitt av inngsverdiene = = = 1 og = = 0. Vi må da ta med parasitt (diffusjons-) kapasitanser i alle interne node. For worst case opptrekk har vi = = 1 og = = = 0 dom også inkluderer alle interne parasittkapasitanser. Worst case stige og falltid blir da like og vi dimensjonerer kretsen slik at effektiv worst case motstand blir lik for opptrekk og nedtrekk. er vist i figur. Worst case stige- og falltid blir da t = (6 + + 8 + 4 + 7) R = 28R. 2c Finn transistorstørrelser slik at den minste stige- og falltid blir like. Minste falltid er gitt når alle inganger er 1. Vi setter transistorstørrelser på nmos transistorer lik N og pmos transistorer lik P. vi får da en effektiv motstand for best case falltid R minf = R R + 2R R = R + 2R = 7R. For N N N N 2N N 6N nedtrekket får vi totalt (7 + + 6) = 16. vs. minste falltid t minf = 7R 16. For opptrekket har vi (( 2R + ) ) ( 2R 6N P P 2R P 2R + ) 2R P P = 12R og total 7P kapasitans (8 + 4 + 7) = 19. ette gir minste stigetid t minr = 12R 19. 7P Vi setter t minf = t minr og får P = 1.74N. (Fortsettes på side 4.)

ksamen i INF400, 11. juni 2008 Side 4 4 4 4 4 4 4 8 7 Y 6 2d Figur : Y = ( + ) ( + ). nta at portene skal drive fire minimumsinvertere. ruk lmore og finn tidsforsinkelse når = = 1 og = = = 0. Vi bruker resultatet i figur. = = 1 og = = = 0 gir aktivt nedtrekk. t elmore = R 6 + 2R 7 = 20R. Oppgave Gjelder generelt for teorispørsmål: SKRIV MR OG RUK GN OR, FLTT INN SÅ MY U MNR R RLVNT OG HR TI TIL. a Hva er latchup? - ufullstendig Få med forover forspente pn-overgange, aktiverte bipolare transistorer som forsterker hverandre og lager en effektiv kortsluning mellom jord og vdd. b Hva er støymargin? Hvordan påvirkes støymarginen av teknologiutviklingen (liten L)? (Fortsettes på side 5.)

ksamen i INF400, 11. juni 2008 Side 5 - ufullstendig Liten L gir lav forsterkning og dermed mindre støymargin og robusthet. n ports evne til å tolke logiske verdier må være bedre enn portenes garanterte utgangsverdier. c Forklar forskjeller på dynamisk og statisk logikk. - ufullstendig Statisk logikk er drevet til enhver tid, mens dynamisk porter ikke alltid har drevne utganger. d Forklar forskjeller på dynamisk og statisk effektforbruk. - ufullstendig Statisk effektforbruk er effekten som brukes for å holde stabile logiske verdier, mens dynamisk effekt brukes for å endre logiske verdier.