1 Patentkrav 1. Vandig alkalisk sammensetning som omfatter: (A) minst ett kvaternært ammoniumhydroksid; (b1) vannløselige sulfonsyrer og deres vannløselige salter med den generelle (R 1 -SO3 - )nx n+ (I), R-PO3 2- (X n+ )3-n (II); (b) vannløselige fosforsyreestere og deres vannløselige salter med den generelle hydrogen, ammonium, alkalimetall og jordalkalimetall; variabelen R 1 er valgt fra gruppen som består av alifatiske enheter som har 2 til karbonatomer og minst én olefinsk umettet dobbelbinding, og cykloalifatiske enheter som har 4 til 6 karbonatomer og minst én olefinsk umettet dobbelbinding; og variabelen R er valgt fra gruppen som består av alifatiske enheter som har 2 til karbonatomer og minst én olefinsk umettet dobbelbinding, cykloalifatiske enheter som har 4 til 6 karbonatomer og minst én olefinsk umettet dobbelbinding, og alkyl arylenheter, hvori arylenhetene er valgt fra benzen og naftalen, alkylenhetene er valgt fra metylen, etan-diyl og propan-diyl, og fosforatomet i den generelle formelen II er bundet direkte og svovelatomet i den generelle formelen III og fosforatomet i de generelle formlene IV og V hvert er bundet via et oksygenatom til et alifatisk karbonatom; og (C) et buffersystem, hvori minst én komponent annen enn vann er flyktig. 3 2. Sammensetning ifølge krav 1, karakterisert ved at buffersystemet (C) er valgt fra gruppen som består av alkalimetallkarbonater, alkalimetallkarbona-
2 ter/ammoniakk, alkalimetallacetater, alkalimetallacetater/ammoniakk, ammoniumacetat, ammoniumacetat/ammoniakk, ammoniumkarbonat og ammoniumkarbonat/ammoniakk. 3. Sammensetning ifølge krav 1 eller 2, karakterisert ved at den inne- holder minst én komponent valgt fra gruppen som består av syrer (D), baser (E), oksidasjonsmidler (F) og metallchelaterende midler (G). 3 4. Fremgangsmåte for å behandle overflaten av et silisiumsubstrat som omfatter trinnene med å: (1) tilveiebringe en vandig alkalisk sammensetning som omfatter (A) minst ett kvaternært ammoniumhydroksid; (b1a) vannløselige sulfonsyrer og deres vannløselige salter med den generelle (R-SO3 - )nx n+ (Ia), R-PO3 2 (X n+ )3-n (II), (b) vannløselige fosforsyreestere og deres vannløselige salter med den generelle hydrogen, ammonium, alkalimetall og jordalkalimetall; og variabelen R er valgt fra gruppen som består av alifatiske enheter som har 2 til karbonatomer og minst én olefinsk umettet dobbelbinding, cykloalifatiske enheter som har 4 til 6 karbonatomer og minst én olefinsk umettet dobbelbinding, og alkylarylenheter, hvori arylenhetene er valgt fra benzen og naftalen, alkylenhetene er valgt fra metylen, etan-diyl og propan-diyl, og svovelatomet og fosforatomet i de generelle formlene la og II hvert er bundet direkte og svovelatomet i den generelle formelen III og fosforatomet i de generelle formlene IV og V hvert er bundet via et oksygenatom til et alifatisk karbonatom; og
3 (C) et buffersystem, hvori minst én komponent annen enn vann er flyktig; (2) bringe minst én hovedoverflate av silisiumsubstratet minst én gang i kontakt med den nevnte vandige alkaliske sammensetningen over en tid og ved en temperatur tilstrekkelig til å oppnå en ren hydrofil overflate; og (3) fjerne den minst éne hovedoverflaten fra kontakten med den vandige alkaliske sammensetningen.. Fremgangsmåte ifølge krav 4, karakterisert ved at buffersystemet (C) er valgt fra gruppen som består av alkalimetallkarbonater, alkalimetallkarbonater/ammoniakk, alkalimetallacetater, alkalimetallacetater/ammoniakk, ammoniumacetat, ammoniumacetat/ammoniakk, ammoniumkarbonat og ammoniumkarbonat/ammoniakk. 6. Fremgangsmåte ifølge krav 4 eller, karakterisert ved at den vandige alkaliske sammensetningen gjør modifikasjonen av overflaten av silisiumsubstratene ved etsing og oksidasjon, fjerningen av silikatglass og døde lag generert ved emitterdopingen, fjerningen av porøs silisium generert ved den våte kantisolasjonen og/eller fjerningen av avfall som har re-forurenset overflaten av silisiumsubstratene. 3 7. Fremgangsmåte for fremstilling av anordninger som genererer elektrisitet etter eksponeringen for elektromagnetisk stråling som omfatter trinnene med å (1.I) teksturere minst én hovedoverflate av et silisiumsubstrat med en etsende sammensetning, og derved generere en hydrofob overflate; (1.II) hydrofilisere den hydrofobe overflaten ved anvendelse av fremgangsmåten for å behandle overflaten av silisiumsubstratet i henhold til ett av kravene 4 til 6; (1.III) påføre minst én spray-på emitterkilde på den hydrofile overflaten; (1.IV) varme opp silisiumsubstratet brakt i kontakt med emitterkilden, og derved danne emittere innen silisiumsubstratet eller emittere innen silisiumsubstratet og et silikatglass oppå overflaten av silisiumsubstratet; (1.V) modifisere det øvre laget av silisiumsubstratet som inneholder emitterene eller fjerne silikatglasset fra overflaten av silisiumhalvlederen og, deretter modifisere det øvre laget av silisiumsubstratet som inneholder emitterene, og derved oppnå en hydrofob overflate; (1.VI) hydrofilisere den hydrofobe overflaten ved anvendelse av fremgangsmåten for å behandle overflaten av silisiumsubstratet ifølge ett av kravene 4 til 6; (1.VII) avsette et antireflekterende lag oppå det modifiserte øvre laget av silisiumsubstratet som inneholder emitterene, og derved oppnå et mellomprodukt; og (1.VIII) videre prosessering av mellomproduktet for å oppnå anordningen;
4 med det forbehold at enten prosesstrinn (1.II) eller prosesstrinn (1.VI) blir utført eller at begge prosesstrinnene (1.II) og (1.VI) blir utført. 8. Fremgangsmåte for fremstilling ifølge krav 7, karakterisert ved at et vått kantisolasjonstrinn blir utført før prosesstrinnet (1.VI). 9. Fremgangsmåte for fremstilling ifølge krav 8, karakterisert ved at fremgangsmåten for å behandle overflaten av et silisiumsubstrat ifølge ett av kravene 4 til 6 blir utført etter det våte kantisolasjonstrinnet.. Fremgangsmåte for fremstilling ifølge ett av kravene 7 til 9, karakterisert ved at anordningene er fotoelektriske celler og solceller. 11. Fremgangsmåte for fremstilling av anordninger som genererer elektrisitet etter eksponeringen for elektromagnetisk stråling som omfatter trinnene med å (2.I) teksturere minst én hovedoverflate av et silisiumsubstrat med en etsende sammensetning, og derved generere en hydrofob overflate; (2.II) behandle den hydrofobe overflaten av silisiumsubstratet i en oppvarmet atmosfære som inneholder minst én gassformig emitterkilde, og derved danne emittere innen silisiumsubstratet eller emittere innen silisiumsubstratet og et silikatglass oppå overflaten av silisiumsubstratet; (2.III) modifisere det øvre laget av silisiumsubstratet som inneholder emitterene eller fjerne silikatglasset fra overflaten av silisiumhalvlederen og, deretter, modifisere det øvre laget av silisiumsubstratet som inneholder emitterene ved fremgangsmåten for å behandle overflaten av et silisiumsubstrat ifølge ett av kravene 4 til 6; (2.IV) avsette et antireflekterende lag oppå det modifiserte øvre laget av silisiumsubstratet som inneholder emitterene, og derved oppnå et mellompriodukt; og (2.V) videre prosessering av mellomprioduktet for å oppnå anordningen. 12. Fremgangsmåte for fremstilling ifølge krav 11, karakterisert ved at et vått kantisolasjonstrinn blir utført før prosesstrinnet (2.IV). 3 13. Fremgangsmåte for fremstilling ifølge krav 12, karakterisert ved at fremgangsmåten for å behandle overflaten av et silisiumsubstrat ifølge ett av kravene 4 til 6 blir utført etter det våte kantisolasjonstrinnet.
14. Fremgangsmåte for fremstilling ifølge ett av kravene 11 til 13, karakterisert ved at anordningene er fotoelektriske celler og solceller.. Anvendelse av et buffersystem, hvori minst én komponent annen enn vann er flyktig for å stabilisere ph-en for vandige alkaliske sammensetninger som inneholder (A) minst ett kvaternært ammoniumhydroksid; og (b1a) vannløselige sulfonsyrer og deres vannløselige salter med den generelle (R-SO3 - )nx n+ (Ia), R-PO3 2- (X n+ )3-n (II), (b) vannløselige fosforsyreestere og deres vannløselige salter med den generelle hydrogen, ammonium, alkalimetall og jordalkalimetall; og variabelen R er valgt fra gruppen som består av alifatiske enheter som har 2 til karbonatomer og minst én olefinsk umettet dobbelbinding, cykloalifatiske enheter som har 4 til 6 karbonatomer og minst én olefinsk umettet dobbelbinding, og alkylarylenheter, hvori arylenhetene er valgt fra benzen og naftalen, alkylenhetene er valgt fra metylen, etan-diyl og propan-diyl, og svovelatomet og fosforatomet i de generelle formlene Ia og II er hvert bundet direkte og svovelatomet i den generelle formelen III og fosforatomet i de generelle formlene IV og V er hvert bundet via et oksygenatom til et alifatisk karbonatom.