INF5490 RF MEMS. L14: Trådløse systemer med RF MEMS
|
|
- Sivert Håland
- 7 år siden
- Visninger:
Transkript
1 INF5490 RF MEMS L14: Trådløse systemer med RF MEMS 1
2 INF5490: faglig innhold RF MEMS 2 bestanddeler: RF og MEMS Beskrivelse og modellering av MEMSkomponentene er vektlagt Denne forelesning: RF og trådløse systemer MEMS brukt innen RF 2
3 Dagens forelesning Trådløs kommunikasjon Prinsipper for RF transmisjon Teknologi og komponenter som brukes i dag Begrensninger ved dagens RF teknologi Hvor kan RF MEMS komme inn? Transceiver med RF MEMS RF receiver front-end -arkitektur Transmitter arkitektur Aktuelle forskningstemaer 3
4 RF-systemer RF er sentralt innen trådløs kommunikasjon Mobile systemer - gir stor frihet Radiobølger benyttes for transmisjon/mottak Elektromagnetiske bølger (Maxwells ligninger) Radio transceiver er en sentral komponent Transmitter + Receiver Skille mellom sending og mottaking TDMA (Time Division Multiplexing Access) FDMA (Frequency D M A) 4
5 RF-systemer, forts. RF-systemers effektivitet/ytelse Er avhengig av evnen til å overføre effekt på en gitt frekvens Frekvens er en begrenset ressurs Systemene må benytte en begrenset båndbredde Kamp om frekvensbånd Filtrering trengs for å skille kanaler 5
6 6
7 Prinsipper for RF transmisjon Modulasjon / demodulasjon benyttes Signalinnholdet kodes på en bærebølge Ulike kodingsprinsipper eksisterer Forskjellige egenskaper +/- Oppbygging og virkemåte av RF receiver 7
8 Generelt kommunikasjonssystem Bitstrøm moduleres på bærebølge (carrier) Radiokanalen introduserer støy, interferens, forstyrrelser Mottaker former signalet for demodulasjon 8
9 Signalkvalitet Signalkvalitet i radiokanalen er avhengig av Relativ posisjon mellom sender og mottaker Omgivelser, refleksjon Multipath Introdusert støy S/N-forholdet BER= bit error rate 9
10 Koding -modulasjon Overføring av digitale data Mange ulike modulerings-skjema finnes F.eks. BFSK, Binary Frequency Shift Keying Koder bitene til 2 ulike frekvenser (Tb er bit-varighet) 10
11 Demodulasjon BFSK Koherent demodulator 11
12 BPSK Binary Phase-Shift Keying Modulerer fasen på bærebølgen Fasen endres 180 grader ved overgang fra 0 til 1 (+ π) ) 12
13 Demodulasjon BPSK 13
14 QPSK Quadrature Phase-Shift Keying Har mer enn 2 representasjoner av inngangsdata Inngang kombineres i bit-grupper 00,01,10,11 14
15 QPSK, forts. Halve bitraten i hver gren Demultiplekser sender annethvert bit opp og ned I og Q-kanal ligger 90 grader ut av fase In-fase komponent og kvadratur-komponent 15
16 QPSK, forts. QPSK demodulasjon Sin og cos-signalene er ortogonale Hver gren demoduleres uavhengig som for BPSK 16
17 QPSK, forts. QPSK er eks på kvadraturmodulasjon der en deler bitstrømmen i par av bit (dibits) Hver dibit avbildes i fire nivåer før modulering Hvis kanalen som overfører ikke lenger er ideell, men har endelig båndbredde: Offset QPSK kan brukes 17
18 Offset QPSK: modulator Tidsforsinkelse Tb introdusert i Q-grenen Offset = halve symbol-perioden Hindrer simultane transisjoner i signalene ved A og B Mindre faseskift. Lavere krav til overføringsbåndbredde 18
19 Minimum Shift Keying Unngå store faseskift ved enden av hvert symbol! Store, raske endringer betyr stor symbol-båndbredde Tiltak: Multiplisere gren-signalene med halve sinuspulser i stedet for rektangulære T b (2 er perioden for symbolet) Dette er eks på MSK, Minimum Shift Keying Kontinuerlig fase-skift, ikke abrupt endring i fasen og ingen raske signalendringer 19
20 MSK, forts. MSK har et kraftigere fall i sitt spekter enn QPSK Lavere sidelobe-signal-effekt For en kanal med endelig båndbredde introduseres mindre forstyrrelser 20
21 Receiver arkitektur Inngangsfilter, BPF1 Selekterer frekvensbåndet (band selection filter) Smalbåndet RF filtrering Reduserer noe støy (Gauss) og interferens Kompromiss, ellers upraktisk. Godt filter er kostbart i RF 21
22 Receiver, forts. LNA, RF forsterker (Low Noise Amplifier) Krever forholdsvis høy forsterkning pga lavt SNR Kompromiss slik at BPF1 blir praktisk Forsterker også gjenværende interferens/støy Kan lett drives i metning pga interferens/støy Er ulineær, adderer også egen støy Genererer intermodulasjonsprodukter fra interferens Disse kan ha samme frekvens som ønsket signal og virker ødeleggende 22
23 Arkitektur, forts. Anti-image filter benyttes før miksingen, BPF2 Miksing Frekvens-translasjon til Intermediate Frequency, IF Variabel eller fast lokal oscillator (LO)-frekvens 23
24 Arkitektur, forts. Etterfølgende båndpassfilter, BPF3 Opererer på mellomfrekvens, IF Ikke så høye krav til ytelse (Q-faktor), mer praktisk å implementere Forsterker ved IF 24
25 Miksing Miksing er matematisk ekvivalent med multiplikasjon Multiplikasjon av 2 frekvenser, Får generert en mellomfrekvens som er differansen mellom og ωrf ω lo ω rf ωif ω lo 25
26 Miksing, forts. 26
27 Anta at en har en frekvens ω image ω = - 2 x rf Denne ligger på undersiden av oscillatorfrekvensen Beregninger viser at denne også mikses til samme IF ω if 27
28 28 Miksing av image-frekvens med lokal-oscillator-frekvens if if if if if lo rf lo if rf lo image t ω ω ω ω ω ω ω ω ω ω ω ω cos ) cos( ) 2 cos( ) 2 cos( ) 2 cos( ) cos( = = = = =
29 BPF2 Image rejection filter Må fjerne image-frekvensen med et filter BPF2 Ved lav IF, differansen er liten, interferens kan komme fra nabokanaler innen samme overførings-standard Ved høy IF, differansen er stor, interferens kan komme fra signaler som følger andre standarder Trade-offs mellom de ulike filtrene Må kunne selektere riktig kanal Samtidig fjerne image-frekvensen andre interferens-frekvenser 29
30 30
31 LNA Low Noise Amplifier Forsterkeren er typisk ikke-lineær Utgang spesifiseres vanligvis med 3.dje-ordens polynom av inngang Ved en enkel frekvens inn genereres doble og triple frekvenser med gitte amplituder 31
32 Ikke-linearitet ved LNA Det genereres harmoniske 32
33 LNA, forts. Harmonic distortion = forholdet mellom amplitudene til en spesiell harmonic og fundamentalfrekvensen 3.dje harmoniske er vist i ligning: 33
34 Overgang til RF medfører Økt frekvens: kortere bølgelengde i vakuum: signalene varierer over korte avstander spenning V, strøm I λ f = c krav om mindre komponent-dimensjoner høypresisjons-fabrikering mikromaskinering 34
35 Dagens teknologi Teknologi og komponenter som brukes i dag Diskrete, passive komponenter med gode egenskaper R, C, L Eks. krystaller, spoler Slike komponenter trengs pga. høye krav til ytelse og nøyaktighet Off-chip løsninger er resultatet Montasje på kretskort Systemene tar stor plass Integrerte løsninger er ikke mulig Aktive komponenter Forsterkere, svitsjer GaAs, bipolar Si, CMOS Si, PIN-dioder 35
36 Dagens RF teknologi har begrensninger De diskrete komponentene har begrenset ytelse Konvensjonell PIN-diode er ineffektiv ved høye frekvenser RF filtre er spesielt krevende å implementere krav til høy Q-faktor! kostbare Systemene lar seg ikke integrere fullt ut Det vil være viktig for pris, volum, pålitelighet 36
37 37
38 38
39 Transceivere med RF MEMS RF receiver front-end -arkitektur Erstatte dagens komponenter med RF MEMS Bruk av MEMS filter-bank Transmitter arkitektur Aktuelle forskningstemaer innen feltet 39
40 Problemstilling Se hvordan mikromekaniske kretser kan brukes i kommunikasjons-systemer Eks. fra RF receiver front-end A. Direkte erstatning av off-chip passive komponenter med høy Q B. RF kanal-valg ved MEMS filter-bank C. RF front-end med kun mekaniske komponenter 40
41 Formål med eksemplene Vise potensialet til MEMS-teknologien Det forutsettes en viss utvikling av RF MEMS komponenter sammenlignet med dagens status F.eks. UHF-kretser (0.3 3 GHz) med Q ~ Arkitekturene er derfor noe spekulative Gir insitament til videre fremskritt på feltet! 41
42 42
43 43
44 A. Direkte erstatning Erstatte keramiske, SAW og krystall resonatorer Benyttes for RF preselect filter RF image-reject filter IF channel-select filter Krystall referanse oscillator Blokkdiagram med mulige erstatninger 44
45 Itoh et al, fig
46 MEMS baserte passive komponenter Medium Q induktorer Tunbare kapasitanser Brukes i VCO og matche-nettverk Lav-taps MEMS svitsjer (~0.1 db) Utvider fleksibiliteten til antenneutstyret TDD (time-division-detection) kan bli mer praktisk enn FDD (frequency-division-detection) 46
47 Receiver med mulige MEMS erstatninger 47
48 Fordeler med MEMS erstatning Reduksjon av dimensjoner Muligheter for integrasjon Monolittisk Sam-montering ( multi-chip ) RF MEMS blokkene fører til effekt-reduksjon MEMS gir større fleksibilitet for impedanstilpasning av MEMS- filtre Terminerings-impedans skreddersys til etterfølgende LNA (Low Noise Amplifier) Høyere (enn 50 Ω) LNA inngangsimpedans kan brukes effekt-besparelse og reduksjon av støybidrag 48
49 B. Bruk av MEMS resonatorer/filtre Figur viser 3 sentrale blokker som er erstattet av RF MEMS B1. Svitsjbar RF channel-select filter bank B2. Svitsjbar mikromekanisk resonator syntetisator B3. Mikromekanisk mikser-filter 49
50 Bruk av MEMS resonatorer 50
51 RF kanal-valg ved MEMS filter-bank Ide: Benytte et stort antall mikromekaniske resonatorer med høy Q Filter-bank Kombinert med svitsjbare nettverk 51
52 B1. Svitsjbar RF channel-select filter bank Fordeler Kan velge RF kanal direkte Kan velge smal kanal og ikke bare et grov-valg som ved preselection filter Etterfølgende elektroniske blokker vil da ikke påvirkes av effekten fra nærliggende kanaler Disse ville ellers forårsaket interferens LNA kan forenkles dynamisk område kan reduseres og derved reduseres effektforbruket Redusert krav til fase-støy for LO også effektreduksjon On-chip realisering av LO kan bli mulig 52
53 Hvorfor benyttes ikke RF channel-selection i dag? Vanskelig å oppnå med dagens teknologi Et enkelt tunbart filter med Q ~ tusenvis, er urealistisk Løsningen er Benytte mange, enkle, ikke-tunbare filtre med høy Q Ett for hver kanal, - svitsjes på kommando En kommunikasjons-standard krever vis av filtre RF MEMS filtre 53
54 MEMS filterbank Blokk-diagram ved RF filter kanal-valg Felles inngang og utgang Hvert filters passbånd tilsvarer en enkel kanal Kontroll ved Vp fra dekoder Uten påtrykt Vp er inngangs- og utgangselektrodene effektivt open-circuit 54
55 Blokk-diagram for filter-bank Itoh et al 55
56 LNA påvirkes ved bruk av RF filter-bank Eks. CDMA mobiltelefoni, testresultater: Single tone signal 900 khz utenfor senterfrekvens LNA IIP3 > dbm ved konvensjonell realisering (intermodulasjon) Anta at bruk av filterbank demper tonen 40 db IIP3 < dbm Svakere krav til IIP3 gir en størrelsesorden reduksjon i effektforbruk for LNA Kravet til LNAs linearitet minsker Derfor kan forsterkningen i LNA økes, - noe som forbedrer støy-forholdene i etterfølgende trinn 56
57 B2. Svitsjbar MEMS resonator syntetisator Store fordeler med å implementere VCO med MEMS resonatorer Oscillator kan implementeres med svitsjbar resonator-bank Resonatorene svinger med de frekvensene som er nødvendige for den gitte standarden (valgt) Resonatorene har høy Q og kan termisk stabiliseres (mekanisk eller ved kompensasjons-elektronikk) Tilstrekkelig til at VCO kan operere uten krystall-referanse betydelig effekt-reduksjon, f.eks. 90 nw versus 1-4 mw 57
58 B3. Mikromekanisk mikser-filter Bruk av mikromaskinert mikser-filter eliminerer DC effekt-forbruket som dagens aktive miksere krever To innganger benyttes i mikser-filteret En for RF, en fra LO RF-inngangen kan gjøres rent kapasitiv Utgangen kan impedans-tilpasses LNA kan forenkles og trenger ikke lenger et eget trinn for impedans-matching av inngang 58
59 59
60 C. RF front-end med kun mekaniske komponenter 60
61 RF front-end med kun RF MEMS, forts. Trenger en i det hele tatt LNA ved RF? RF filter-banken gir lavt insertion loss Lite signaltap Bruk av relativt bredbåndet image-reject MEMS RF filter umiddelbart etterfulgt av et smalbåndet IF-mikser-filter De eneste aktive komponentene er i LO Dette gir lavt effektforbruk 61
62 Fordeler med kun RF MEMS Systemet i fig har store effekt-fordeler Eliminerer effektforbruket i LNA og mikser Kan øke standby-tiden for mobiltelefoner betraktelig! Flere av de aktuelle komponentene har allerede blitt demonstrert Filtrerings- og mikser-kretser Spesielt er det demonstrert image-reject filtre i UHF med insertion loss på 3 db En lovende teknologi for å oppnå dette systemet er bruk av f-f- beam med høy Q ved høyere frekvenser (enn c-c beam) 62
63 Transceivere med RF MEMS RF receiver front-end -arkitektur Transmitter arkitektur Aktuelle forskningstemaer innen feltet 63
64 RF MEMS transmitter arkitektur Lite er gjort mhp bruk av RF MEMS i transmitter Skyldes manglende evne til effekt-håndtering Sende-effekten er vesentlig Forskning i gang for å bøte på dette Transmitter arkitektur 64
65 Transmitter arkitektur 65
66 RF MEMS transmitter arkitektur RF MEMS kanal-velger kan plasseres etter PA ( power amplifier ) Benytte MEMS filter-bank MEMS resonatorene må kunne hanskes med tilstrekkelig sende-effekt, ha høy Q og lavt insertion loss (<1 db) Rene signaler sendes ut + Kravene til PA kan reduseres, siden alt spektralt grums pga ulinearitet filtreres bort! 66
67 RF MEMS transmitter arkitektur, forts. Arkitekturen vil kunne gi betydelig effektbesparelse Up-converter kan med fordel realiseres ved MEMS mikser-filter-struktur 67
68 Transceivere med RF MEMS RF receiver front-end -arkitektur Transmitter arkitektur Aktuelle forskningstemaer innen feltet Høy Q høy frekvens Linearitet, effekt-leveringsevne Skreddersøm av impedans-nivå Integrasjonsmetoder 68
69 Aktuelle forskningstemaer, RF MEMS transceiver Arkitekturene som er vist, baserer seg i noen grad på resonatorer med ytelse som ennå ikke er oppnådd Antakelser 1. tilstrekkelig høy Q ved UHF 2. tilstrekkelig linearitet og evne til å hanskes med effekt 3. Egnede 2-port impedans-verdier 4. effektive integrasjonsmetoder 69
70 1. Frekvens og Q Beam geometrien er et sentralt tema Hvilke frekvensområder kan dekkes? I dag finnes eks. på komponenter som tilfredsstiller kravet om Q ~ 1000 og UHF Forskning viser at 10 MHz 2.5 GHz kan realiseres med realistiske beam elementstørrelser MEN geometri er bare en av faktorene 70
71 Andre faktorer som påvirker egenskapene Energitap i materialet påvirker Q Absolutt verdi og toleranser i resonatorfrekvens Avhengig av fabrikasjon, trimming og tuning Stabilitet av resonator frekvens Mhp. temperatur-variasjoner og eldring 71
72 Tema som studeres innen dette Flexural-mode resonatorer Q-faktorens avhengighet av materialtype Q-faktorens avhengighet av fremstilling Overflate-renhet Doping: diffusjon eller implantering gir forskjellige egenskaper Tap gjennom ankerne reduserer Q anker-løse strukturer: f-f beam Balanserte stemmegaffel-strukturer Sirkulære resonatorer Konkurrerende resonator-type for høy frekvens og Q Thin-film bulk acoustic resonators Høye frekvenser (UHF og over) Q > 1000 Piezoelektriske materialer 72
73 2. Linearitet og effekt-håndtering Linearitet og mulighet til å håndtere effekt reduseres når dimensjonene krymper Dagens keramiske eller SAW filtre har veldig høy linearitet MEMS strukturer basert på c-c beam har OK linearitet Tilstrekkelig, unntatt for standarder som tillater simultan sending og mottaking Eks. CDMA gjør dette Trenger ekstra filter ( transmit-reject-filter ) foran filterbanken i receiver Fjerner out-of-band transmitter utganger og kryssmodulasjon Filteret kan være bredbåndet GSM trenger ikke dette Benytter burst mode: kvasi-time-duplexed prinsipp 73
74 Effekt-håndtering, forts. Ønsker økt evne til effekt-håndtering Bruke alternative geometrier Bruke alternativ transduksjon Piezoelectric Magnetostrictive 74
75 3. Serie motional resistance RQ Bør ~ minimaliseres Realistisk krav: noen hundre Ω Verdien avhenger av hvor lite en kan gjøre gapet, d Verdien av resistansen bør gi impedansmatching med andre transceiverkomponenter Komponenter foran og etterfølgende 75
76 Resonator impedans Motional impedans og gap-avstand for 2- resonator-struktur Itoh et al 76
77 Resonator impedans, forts. Tabellen viser Ved reduksjon av gapet ( Å) avtar resonans-impedansen fra for eksempel 5000 Ω 300 Ω (870 MHz) Ved tilsvarende reduksjon av gapet degraderes lineariteten viktig å kunne balansere krav til linearitet og impedansekrav 77
78 Eksempel på kompromiss Hvis kravet til impedansmatching betyr at en må benytte et mindre gap enn det lineariteten tillater: Dvs. d_min for ønsket impedansmatching < enn d_min for ønsket linearitet Løsning: bruk flere mikromaskinerte filtre i parallell Med identiske frekvens-karakteristikker F.eks. 10 filtre i parallell med R_Q = 2000 Ω gir R_Q_total = 2000 Ω /10 = 200 Ω Filtre i parallell øker evnen til å håndtere effekt 10 filtre i parallell med 10 mw gir totalt 100 mw 78
79 4. Storskala-integrasjon Sentralt forskningstema Kombinasjon av MEMS med transistorkretser på en enkel chip Monolittisk! Jmfr. forelesning om integrasjon og pakking 79
INF5490 RF MEMS. F14: Trådløse systemer med RF MEMS
INF5490 RF MEMS F14: Trådløse systemer med RF MEMS 1 INF5490: faglig innhold RF MEMS 2 bestanddeler: RF og MEMS Beskrivelse og modellering av MEMSkomponenter er vektlagt Denne forelesning: MEMS komponenter
DetaljerINF5490 RF MEMS. L16: Trådløse systemer med RF MEMS. V2008, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO
INF5490 RF MEMS L16: Trådløse systemer med RF MEMS V2008, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 INF5490: faglig innhold RF MEMS 2 bestanddeler: RF og MEMS Beskrivelse og modellering av MEMSkomponenter
DetaljerTypiske spørsmål til en muntlig eksamen i IN5490 RF MEMS, 2008
Typiske spørsmål til en muntlig eksamen i IN5490 RF MEMS, 2008 Q1: Mikromaskinering Hva er hovedforskjellen mellom bulk og overflate mikromaskinering? Beskriv hovedtrinnene for å implementere en polysi
DetaljerTypiske eksamensspørsmål innen emnet INF5490 RF MEMS, våren 2007
Typiske eksamensspørsmål innen emnet INF5490 RF MEMS, våren 2007 1. Forklar hovedtrekkene i bulk mikromaskinering og overflate mikromaskinering? Nevn noen muligheter og begrensninger ved metodene? F2 Hvilke
DetaljerINF L4: Utfordringer ved RF kretsdesign
INF 5490 L4: Utfordringer ved RF kretsdesign 1 Kjøreplan INF5490 L1: Introduksjon. MEMS i RF L2: Fremstilling og virkemåte L3: Modellering, design og analyse Dagens forelesning: Noen typiske trekk og utfordringer
DetaljerINF 5490 RF MEMS. L10: Mikromekaniske filtre
INF 5490 RF MEMS L10: Mikromekaniske filtre 1 Dagens forelesning Egenskaper ved mekaniske filtre Visualisering av virkemåte Konstruksjon, modellering Eksempler 2 resonator c-c beam struktur for HF-VHF
DetaljerForelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer Operasjonsforsterkere 1 Dagens temaer Ideel operasjonsforsterker Operasjonsforsterker-karakteristikker Differensiell forsterker Opamp-kretser Dagens temaer
DetaljerINF5490 RF MEMS. L6: RF MEMS svitsjer, II
INF5490 RF MEMS L6: RF MEMS svitsjer, II 1 Dagens forelesning Design av RF MEMS svitsjer Elektromekanisk design, II RF design Eks. på implementasjoner Struktur Ytelse Fremstilling Alternative strukturer
DetaljerEt lag er en samling relaterte funksjoner som tilbyr tjenester til laget over og bruker tjenester fra laget under.
Eksamen Tele3004 med Løsningsforslag / Sensorveiledning. Tele3004_14h_eks Oppgave 1 (ca. 20 %) a) Hva er, og hva tilbyr, et lag i en protokollstakk? Et lag er en samling relaterte funksjoner som tilbyr
DetaljerINF5490 RF MEMS. L1: Introduksjon. MEMS i RF
INF5490 RF MEMS L1: Introduksjon. MEMS i RF 1 Denne forelesning Bakgrunn Motivasjon Opplegg for emnet INF5490 Introduksjon til temaet MEMS generelt RF-systemer MEMS i RF-systemer Perspektiv 2 INF5490 RF
DetaljerMasteroppgaver høsten 2006
Masteroppgaver høsten Oddvar Søråsen Rom 3411, 22 85 24 56, oddvar@ifi.uio.no 28. September, Masteroppgaver Tema: Mikroelektromekaniske systemer, MEMS Elektroniske systemer med innslag av MEMS-komponenter
DetaljerForelesning nr.7 INF 1411 Elektroniske systemer. Tidsrespons til reaktive kretser Integrasjon og derivasjon med RC-krester
Forelesning nr.7 INF 1411 Elektroniske systemer Tidsrespons til reaktive kretser Integrasjon og derivasjon med RC-krester Dagens temaer Nøyaktigere modeller for ledere, R, C og L Tidsrespons til reaktive
DetaljerINF5490 RF MEMS. F8: RF MEMS resonatorer II. V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO
INF5490 RF MEMS F8: RF MEMS resonatorer II V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 Dagens forelesning Lateralt vibrerende resonator: Kam-resonatoren Virkemåte Detaljert modellering A) phasor-modellering
DetaljerINF5490 RF MEMS. L8: RF MEMS resonatorer II
INF5490 RF MEMS L8: RF MEMS resonatorer II 1 Dagens forelesning Lateralt vibrerende resonator: Kam-resonatoren Virkemåte Detaljert modellering A) phasor-modellering B) modellering ved konvertering mellom
DetaljerStudere en Phase Locked Loop IC - NE565
Kurs: FYS3230 Sensorer og måleteknikk Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 5 Omhandler: Studere en Phase Locked Loop IC - NE565 Frekvensmodulert sender Mottager for Frequency Shift Keying
DetaljerForelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer Anvendelser av RC-krester Spoler og RL-kretser 1 Dagens temaer Bruk av RC-kretser Sinusrespons til RL-kretser Impedans og fasevinkel til serielle RL-kretser
DetaljerTreleder kopling - Tredleder kopling fordeler lednings resistansen i spenningsdeleren slik at de til en vis grad kanselerer hverandre.
Treleder kopling Tredleder kopling fordeler lednings resistansen i spenningsdeleren slik at de til en vis grad kanselerer hverandre. Dersom Pt100=R, vil treleder koplingen totalt kanselerere virkningen
DetaljerStudere en Phase Locked Loop IC - LM565
Kurs: FYS3230 Sensorer og måleteknikk Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 5 Omhandler: Studere en Phase Locked Loop IC - LM565 Frekvensmodulert sender og mottager for Frequency Shift Keying
DetaljerDet fysiske laget, del 2
Det fysiske laget, del 2 Kjell Åge Bringsrud (med foiler fra Pål Spilling) 1 Pulsforvrengning gjennom mediet Linje g(t) innsignal Dempning A(f) v(t) utsignal A(f) 0% 50% Frekvensresponsen Ideell Frekv.
DetaljerForelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer. Anvendelser av RC-krester Spoler og RL-kretser
Forelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer Anvendelser av RC-krester Spoler og RL-kretser Dagens temaer Mer om ac-signaler og sinussignaler Filtre Bruk av RC-kretser Induktorer (spoler) Sinusrespons
DetaljerFYS1210 Løsningsforslag. Eksamen V2015
FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2015 Oppgave 1 1a) I første del av oppgaven skal vi se bort fra lasten, altså RL = 0. Vi velger arbeidspunkt til å være 6 Volt, altså halvparten av forskyningsspenningen.
DetaljerHØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi
HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi Målform: Bokmål Eksamensdato: 15.1.014 Varighet/eksamenstid: 09.00 14.00 Emnekode: Emnenavn: TELE3004 Trådløs kommunikasjon Klasse(r): 3EE 3EI Studiepoeng:
Detaljer2-Port transmisjons målinger for Anritsu RF og mikrobølge håndholdte instrumenter
Anritsu brukertips : 2-Port transmisjons målinger for Anritsu RF og mikrobølge håndholdte instrumenter Opsjon 21: Dette brukertips dokumentet beskriver bruk av opsjon 21, med navn Transmission Measurement
DetaljerINF5490 RF MEMS. F9: RF MEMS resonatorer III. V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO
INF5490 RF MEMS F9: RF MEMS resonatorer III V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 Dagens forelesning Vertikalt vibrerende resonatorer Clamped-clamped beam (c-c beam) Virkemåte Detaljert
DetaljerINF5490 RF MEMS. F6: RF MEMS svitsjer, II. V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO
INF5490 RF MEMS F6: RF MEMS svitsjer, II V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 Dagens forelesning Design av RF MEMS svitsjer Elektromekanisk design, II RF design Eks. på implementasjoner
DetaljerDet fysiske laget, del 2
Det fysiske laget, del 2 Kjell Åge Bringsrud (med foiler fra Pål Spilling) 02.02.2005 INF3190 1 Analog og digital transmisjon forsterker analog overføring med forsterker, støy er additiv regenerator og
DetaljerINF5490 RF MEMS. L9: RF MEMS resonatorer III
INF5490 RF MEMS L9: RF MEMS resonatorer III 1 Dagens forelesning Vertikalt vibrerende resonatorer Clamped-clamped beam (c-c beam) Virkemåte Detaljert modellering free-free beam (f-f beam) Andre typer resonatorer
DetaljerINF5490 RF MEMS. L8: RF MEMS svitsjer, II. V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO
INF5490 RF MEMS L8: RF MEMS svitsjer, II V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 Dagens forelesning Design av RF MEMS svitsjer Elektromekanisk design, II RF design Eks. på implementasjoner
DetaljerInnendørs GNSS ytelse og utfordringer. Jon Glenn Gjevestad Institutt for matematiske realfag og teknologi, UMB
Innendørs GNSS ytelse og utfordringer Jon Glenn Gjevestad Institutt for matematiske realfag og teknologi, UMB Agenda Mobiltelefon (E911/E112) Kodemåling på svake signaler Multipath High Sensitivity GPS
DetaljerForelesning nr.7 IN 1080 Elektroniske systemer. Spoler og induksjon Praktiske anvendelser Nøyaktigere modeller for R, C og L
Forelesning nr.7 IN 1080 Elektroniske systemer Spoler og induksjon Praktiske anvendelser Nøyaktigere modeller for R, C og L Dagens temaer Induksjon og spoler RL-kretser og anvendelser Fysiske versus ideelle
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO.
UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FY-IN 204 / FY108 Eksamensdag : 16 juni 2003 Tid for eksamen : Kl.0900-1500 Oppgavesettet er på 5 sider. Vedlegg : Logaritmepapir
DetaljerKunsten å temme en YIG oscillator
Kunsten å temme en YIG oscillator V1.5 YIG (Yttrium Iron Garnet.) Det kjemiske elementet Yttrium ble oppdaget av en finsk kjemiker Johan Gadolin fra Ytterby, nær Vaxholm Sverige. Den har symbolet Y og
DetaljerRadiofrekvens (RF)kommunikasjon. Knut Harald Nygaard
Radiofrekvens (RF)kommunikasjon Knut Harald Nygaard Radiokommunikasjonssystem Informasjonskilde Sender Mottaker Informasjon Radio og TV, mobile radiosystemer, mobiltelefoner og punkt-til-punkt mikrobølge
DetaljerForelesning nr.14 INF 1410
Forelesning nr.14 INF 1410 Frekvensrespons 1 Oversikt dagens temaer Generell frekvensrespons Resonans Kvalitetsfaktor Dempning Frekvensrespons Oppførselen For I Like til elektriske kretser i frekvensdomenet
DetaljerForelesning nr.12 INF 1411 Elektroniske systemer. Opamp-kretser Oscillatorer og aktive filtre
Forelesning nr.12 INF 1411 Elektroniske systemer Opamp-kretser Oscillatorer og aktive filtre Dagens temaer Komparatorer, addisjon- og subtraksjonskretser Integrasjon og derivasjon med opamp-kretser Oscillator
DetaljerForelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer. Anvendelser av RC-krester Spoler og RL-kretser
Forelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer Anvendelser av RC-krester Spoler og RL-kretser Dagens temaer Generelle ac-signaler og sinussignaler Filtre Bruk av RC-kretser Induktorer (spoler) Sinusrespons
DetaljerHvilke tekniske utfordringer møter man ved innføring av Tetra offshore?
Hvilke tekniske utfordringer møter man ved innføring av Tetra offshore? Frekvensvalg Dekning Hvordan oppnå tilfredsstillende dekning? God dekning (over alt) er helt avgjørende for et godt resultat og fornøyde
Detaljer01-Passivt Chebychevfilter (H00-4)
Innhold 01-Passivt Chebychevfilter (H00-4)... 1 0-Aktivt Butterworth & Besselfilter (H03-1)... 04 Sallen and Key lavpass til båndpass filter... 3 05 Butterworth & Chebychev (H0- a-d):... 5 06 Fra 1-ordens
DetaljerForslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2004
Oppgave Forslag til løsning på Eksamen FYS20 våren 2004 Figure Figur viser et enkelt nettverk bestående av 2 batterier ( V = 9volt og V2 = 2volt) og 3 motstander på kω. a) Hva er spenningen over motstanden
DetaljerForslag B til løsning på eksamen FYS august 2004
Forslag B til løsning på eksamen FYS20 3 august 2004 Oppgave (Sweeper frekvensområdet 00Hz til 0MHz Figur viser et båndpassfilter. Motstandene R og R2 har verdi 2kΩ. Kondensatorene C = 00nF og C2 = 0.nF.
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO
UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i Eksamensdag: mai 2002 IN 155 Digital Signalbehandling Tid for eksamen: 6. mai 9.00 21. mai 12.00 Oppgavesettet er på 5 sider.
DetaljerINF1411 Obligatorisk oppgave nr. 5
INF1411 Obligatorisk oppgave nr. 5 Fyll inn navn på alle som leverer sammen, 2 per gruppe (1 eller 3 i unntakstilfeller): 1 2 3 Informasjon og orientering I denne prosjektoppgaven skal du bygge en AM radiomottaker.
DetaljerFeilsøkning på Passiv Inter Modulasjons problemer ute i felt
Feilsøkning på Passiv Inter Modulasjons problemer ute i felt Av Nicholas Cannon, Anritsu, USA 1.0 Innledning Introduksjon av høy hastighets data overføring på mobile kommunikasjons nett har økt nettverks
DetaljerOppsummering. BJT - forsterkere og operasjonsforsterkere
Oppsummering BJT - forsterkere og operasjonsforsterkere OP-AMP vs BJT Fordeler og ulemper Vi har sett på to ulike måter å forsterke opp et signal, ved hjelp av transistor forsterkere og operasjonsforsterkere,
DetaljerForelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer. Måleteknikk Operasjonsforsterkere
Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer Måleteknikk Operasjonsforsterkere Dagens temaer Måleteknikk Wheatstone-bro Ideell operasjonsforsterker Differensiell forsterker Opamp-kretser Dagens temaer
DetaljerPraktiske målinger med oscilloskop og signalgenerator
Kurs: FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgaver Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2 Omhandler: Praktiske målinger med oscilloskop og signalgenerator Vi ser på likerettere og frekvensfilter
DetaljerFysisk Lag. Den primære oppgave
Fysisk Lag Fysisk Fysisk Den primære oppgave flytte bits fra avsender til mottaker krever: standardisert måte å representere bit inn på transmisjonsmediet standardisering av kabler og tilkoplingsutstyr
DetaljerKunsten å bruke P.I.N. dioden som frekvensmultiplikator.
Kunsten å bruke P.I.N. dioden som frekvensmultiplikator. Versjon6.0 PIN diodens oppbyggning PIN (P lag, I lag og N lag) dioden er en meget universal komponent. Den produseres i en mengde forskjellige kapslinger
DetaljerFYS Forslag til løsning på eksamen våren 2014
FYS1210 - Forslag til løsning på eksamen våren 2014 Oppgave 1 Figure 1. viser en forsterker sammensatt av 2 operasjonsforsterkere. Operasjonsforsterkeren 741 har et Gain Band Width produkt GBW = 1MHz.
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO
UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet Eksamen i : FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Eksamensdag : Tirsdag 7. juni 2016 Tid for eksamen : 09:00 12:00 (3 timer) Oppgavesettet
Detaljer«OPERASJONSFORSTERKERE»
Kurs: FYS 1210 Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 7 Revidert utgave 18. mars 2013 (Lindem) Omhandler: «OPERASJONSFORSTERKERE» FORSTERKER MED TILBAKEKOBLING AVVIKSPENNING OG HVILESTRØM STRØM-TIL-SPENNING
DetaljerForelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Dagens temaer er hentet fra
DetaljerFysisk Lag. Overføringskapasitet. Olav Lysne med bidrag fra Kjell Åge Bringsrud, Pål Spilling og Carsten Griwodz
Fysisk Lag Olav Lysne med bidrag fra Kjell Åge Bringsrud, Pål Spilling og Carsten Griwodz Fysisk Lag 1 Overføringskapasitet r Faktorer som påvirker kvalitet og kapasitet: m Forvrengning av signal gjennom
DetaljerINF 5490 RF MEMS. L15: Oppsummering, repetisjon
INF 5490 RF MEMS L15: Oppsummering, repetisjon 1 Oversikt Motivasjon Mikromaskinering Modellering Spesielle forhold ved RF systemer Q-faktor Transduser-prinsipper RF MEMS komponenter Svitsjer Faseskiftere
DetaljerPraktiske målinger med oscilloskop og signalgenerator Vi ser på likerettere og frekvensfilter
Kurs: FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgaver Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2 Omhandler: Praktiske målinger med oscilloskop og signalgenerator Vi ser på likerettere og frekvensfilter
DetaljerForelesning nr.6 IN 1080 Elektroniske systemer. Strøm, spenning og impedans i RC-kretser Anvendelser av RC-krester
Forelesning nr.6 IN 1080 Elektroniske systemer Strøm, spenning og impedans i RC-kretser Anvendelser av RC-krester Dagens temaer Strøm, spenning og impedans i serielle RC-kretser Mer om ac-signaler og sinussignaler
DetaljerINF 5460 Elektrisk støy beregning og mottiltak
INF 5460 Elektrisk støy beregning og mottiltak Obligatorisk oppgave nummer 3. Frist for levering: 30 April (kl 23:59). Vurderingsform: Godkjent/Ikke godkjent. Oppgavene leveres på individuell basis. Oppgavene
DetaljerTolkning av måledata betinger kunnskap om egenskaper ved elektriske apparater. en kort innføring i disse for enkelte utbredte apparater
Tolkning av måledata betinger kunnskap om egenskaper ved elektriske apparater en kort innføring i disse for enkelte utbredte apparater Helge Seljeseth helge.seljeseth@sintef.no www.energy.sintef.no 1 Typer
DetaljerInnhold Oppgaver om AC analyse
Innhold Oppgaver om AC analyse 30 a) Finn krets og bodeplot vedhjelp av målt impulsrespons.... 30 b) Finn krets og bodeplot vedhjelp av målt respons.... 30 Gitt Bodeplot, Del opp og finn systemfunksjon...
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO
UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i: INF1411 Introduksjon til elektroniske systemer Eksamensdag: 1. juni 2015 Tid for eksamen: 4 timer Oppgavesettet er på 5 sider
DetaljerForelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer. Anvendelser av RC-krester Spoler og RL-kretser
Forelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer Anvendelser av RC-krester Spoler og RL-kretser Dagens temaer Regneeksempel på RC-krets Bruk av RC-kretser Sinusrespons til RL-kretser Impedans og fasevinkel
DetaljerForelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer 1 Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Feedback-oscillatorer Dagens
DetaljerBølgeledere. Figur 1: Eksempler på bølgeledere. (a) parallell to-leder (b) koaksial (c) hul rektangulær (d) hul sirkulær (e) hul, generell form
Bølgeledere Vi skal se hvordan elektromagnetiske bølger forplanter seg gjennom såkalte bølgeledere. Eksempel på bølgeledere vi kjenner fra tidligere som transportrerer elektromagnetiske bølger er fiberoptiske
Detaljer= 10 log{ } = 23 db. Lydtrykket avtar prop. med kvadratet av avstanden, dvs. endring ved øking fra 1 m til 16 m
Løsning eks.2012 Oppgave 1 a) 3) 28 V rms b) 2) 2V c) 2) 95 db. Beregning av SPL i 16 m avstand ved P o = 200 W når 1 W gir 96 db i 1 m avstand: Økning i db SPL når tilført effekt til høyttaleren økes
DetaljerINF5490 RF MEMS. F1: Introduksjon. MEMS i RF. V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO
INF5490 RF MEMS F1: Introduksjon. MEMS i RF V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 Dagens forelesning Bakgrunn motivasjon Opplegg for emnet INF5490 Introduksjon til temaet MEMS generelt
DetaljerForslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005
Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005 Oppgave 1 Figur 1 viser et nettverk tilkoplet basen på en bipolar transistor. (For 1a og 1b se læreboka side 199) 1 a ) Tegn opp Thevenin-ekvivalenten
DetaljerKapittel 3. Basisbånd demodulering/deteksjon. Avsnitt 3.1-3.2
Kapittel 3 Basisbånd demodulering/deteksjon Avsnitt 3.1-3.2 Basisbånd demodulering & deteksjon Basisbånd: Ingen bærebølgefrekvens Også en modell med ideell oppkonvertering av frekvens i senderen, og ideell
DetaljerLAB 7: Operasjonsforsterkere
LAB 7: Operasjonsforsterkere I denne oppgaven er målet at dere skal bli kjent med praktisk bruk av operasjonsforsterkere. Dette gjøres gjennom oppgaver knyttet til operasjonsforsterkeren LM358. Dere skal
DetaljerForslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2008
Oppgave 1 Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2008 1a) Hvor stor er strømmen gjennom? 12 ma 1b) Hvor stor er strømmen gjennom? 6 ma 1c) Hva er spenningen i punktene AA og BB målt i forhold til
DetaljerINF5490 RF MEMS. F11: RF MEMS kapasitanser. V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO
INF5490 RF MEMS F11: RF MEMS kapasitanser V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 Dagens forelesning Passive komponenter i RF kretser Kapasitanser, C Induktanser, L Tunbare RF MEMS kapasitanser
DetaljerForslag til løsning på eksamen i FY Forslag til løsning på eksamen i F -IN 204 og FY108 våren 2003.
Forslag til løsning på eksamen i FY-IN 20 og FY108 våren 200. Oppgave 1 a) 20 db forsterkning er det samme som en forsterkning på 10ganger (A=Vut/Vinn = 10). Kretsen skal ha en inngangsmotstand på 20kΩ
DetaljerFYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017
FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017 Oppgave 1 1 a. Doping er en prosess hvor vi forurenser rent (intrinsic) halvleder material ved å tilsette trivalente (grunnstoff med 3 elektroner i valensbåndet) og
DetaljerCWDM Passiv optisk multiplekser/demultiplekser
DS-GW-00001-1-NO-REV-B CWDM Passiv optisk multiplekser/demultiplekser Passivt optisk system som på en god og rimelig måte øker kapasiteten på eksisterende nettverk ved at flere bølgelengder overføres på
DetaljerKapittel 11. Multipleksing og multippel aksess
Kapittel 11 Multipleksing og multippel aksess Innledning s. 657 Multipleksing og multippel aksess (MA) Flere datastrømmer, f.eks. brukere Én kanal Kommunikasjonsmedium Multiplekser Demultiplekser Flere
Detaljerg m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 2k5 )
Forslag til løsning på eksamensoppgavene i FYS0 vår 0 8.6 Oppgave Figure viser en enkel transistorforsterker med en NPNtransistor N Transistoren har en oppgitt strømforsterkning β = 50. Kondensatoren C
DetaljerForelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer. Måleteknikk Operasjonsforsterkere
Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer Måleteknikk Operasjonsforsterkere Dagens temaer Måleteknikk Wheatstone-bro Ideell operasjonsforsterker Differensiell forsterker Opamp-kretser Dagens temaer
DetaljerINF5490 RF MEMS. L1: Introduksjon. MEMS i RF. V2008, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO
INF5490 RF MEMS L1: Introduksjon. MEMS i RF V2008, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 Dagens forelesning Bakgrunn for emnet INF5490 Opplegg våren 2008 Introduksjon til temaet MEMS generelt
DetaljerElektronikk. Elektromagnetiske effekter. Elektronikk Knut Harald Nygaard 1
Elektronikk Elektromagnetiske effekter Elektronikk Knut Harald Nygaard 1 Parasittiske effekter Oppførselen til mange elektroniske kretser kan påvirkes av elektriske og elektromagnetiske effekter som kan
DetaljerINF5490 RF MEMS. L11: RF MEMS kapasitanser
INF5490 RF MEMS L11: RF MEMS kapasitanser 1 Dagens forelesning Tunbare og programmerbare passive komponenter i RF kretser Tunbare RF MEMS kapasitanser Vertikalt tunbare kapasitanser 2-plate kapasitans
DetaljerHØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi
HØGSKOLEN SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi Kandidatnr: Eksamensdato: 0.1.009 Varighet/eksamenstid: Emnekode: 5 timer EDT10T Emnenavn: Elektronikk 1 Klasse(r): EL Studiepoeng: 7,5 Faglærer(e): ngrid
DetaljerFYS1210. Repetisjon 2 11/05/2015. Bipolar Junction Transistor (BJT)
FYS1210 Repetisjon 2 11/05/2015 Bipolar Junction Transistor (BJT) Sentralt: Forsterkning Forsterkning er et forhold mellom inngang og utgang. 1. Spenningsforsterkning: 2. Strømforsterkning: 3. Effektforsterkning
DetaljerLab 5 Enkle logiske kretser - DTL og 74LS00
Universitetet i Oslo FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgave Lab 5 Enkle logiske kretser - DTL og 74LS00 Sindre Rannem Bilden 4. april 2016 Labdag: Tirsdag Labgruppe: 3 Oppgave 1: Funksjonstabell En logisk
DetaljerOblig 3 - Mathias Hedberg
Oblig 3 - Mathias Hedberg Oppgave 1: a) Motatt signal = U_AM = 4*(1 + 0.7*cos(2*pi*10e3*t))*sin(2*pi*12e6*t); 1. Bærebølgen: Svar: Etter LP filter: 2. Bærebølgen: Svar: Etter LP filter: b) 1. Regner ut:
DetaljerINF5490 RF MEMS. L3: Modellering, design og analyse. V2008, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO
INF5490 RF MEMS L3: Modellering, design og analyse V2008, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 Dagens forelesning MEMS - virkemåte Transduser-prinsipper Sensorprinsipper Metoder for å modellere
DetaljerStudere en Phase Locked Loop IC - LM565
Kurs: FYS3230 Sensorer og måleteknikk Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 5 Omhandler: Studere en Phase Locked Loop IC - LM565 Frekvensmodulert sender og mottager for Frequency Shift Keying
DetaljerEn del utregninger/betraktninger fra lab 8:
En del utregninger/betraktninger fra lab 8: Fra deloppgave med ukjent kondensator: Figur 1: Krets med ukjent kondensator og R=2,2 kω a) Skal vise at når man stiller vinkelfrekvensen ω på spenningskilden
DetaljerWiMAX grenseløst bredbånd? Rekkevidde, kapasitet og smarte løsninger. Ingvar Henne. WiMAX fremtiden er trådløs Oslo 26.02.08
WiMAX grenseløst bredbånd? Rekkevidde, kapasitet og smarte løsninger Ingvar Henne WiMAX fremtiden er trådløs Oslo 26.02.08 WiMAX grenseløst bredbånd? Fysikkens realiteter Praktiske rekkevidder Basis teknologi
DetaljerTittel: STYREINNRETNING TIL FREKVENSEN TIL EN SATELLITT- FJERNKONTROLL TIL EN SENDER/MOTTAKER, SAMT TILHØRENDE SENDER OG MOTTAKER
V1603NO00 EP240928 Tittel: STYREINNRETNING TIL FREKVENSEN TIL EN SATELLITT- FJERNKONTROLL TIL EN SENDER/MOTTAKER, SAMT TILHØRENDE SENDER OG MOTTAKER 1 1 2 3 Beskrivelse [0001] Den foreliggende oppfinnelsen
Detaljer125058/GJM PATENTKRAV
1 1208/GJM PATENTKRAV 1. Radiosendersystem anordnet til å reagere på et binærsignal () og anordnet for å drive et elektromagnetisk bølgeantennesystem (), sendersystemet omfatter: en generator (12) tilpasset
DetaljerLøsningsforslag til eksamen FY108 høsten 2003
Løsningsforslag til eksamen FY08 høsten 003 Figur viser et båndpassfilter. Motstandene R og R har verdi kω. Kondensatorene C = µf og C = 0,nF. Signalkilden leverer et AC-signal med spissverdi (peakvalue)
DetaljerFakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag
Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag Ny/utsatt eksamen i: Elektronikk Målform: Bokmål Dato: 2. august 2016 Tid: 0900-1200 Antall sider (inkl. forside): 6 (inkludert Vedlegg 1 side)
DetaljerForelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer. Måleteknikk Operasjonsforsterkere
Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer Måleteknikk Operasjonsforsterkere Dagens temaer Måleteknikk Wheatstone-bro Ideell operasjonsforsterker Differensiell forsterker Opamp-kretser Dagens temaer
DetaljerKunsten å forstå Retningskoblere.
Kunsten å forstå Retningskoblere. V2.1 Retningskoblere (Directional Coupler) er innrettninger som måler en del a signalet som går i en retning. Disse kalles også for standbølge meter (SWR meter) i HF/VHF
DetaljerLøsning eks Oppgave 1
Løsning eks.2011 Oppgave 1 a) 3) å minske forvrengningen b) 2) 93 db c) 3) 20 d) 2) 100 e) 2) høy Q-verdi f) 2) 0,02 ms g) 1) 75 kω h) 4) redusere størrelsen på R1 i) 1) 19 ma j) 2) minsker inngangs- og
DetaljerEksamen i Elektronikk 24. Mai Løsningsforslag Knut Harald Nygaard
Eksamen i Elektronikk 24. Mai 2017 Løsningsforslag Knut Harald Nygaard Oppgave 1 Operasjonsforsterkeren i kretsløpet i figuren nedenfor kan regnes som ideell. v inn R C v ut a) Overføringsfunksjonen er
DetaljerAvdelingfor ingeniørntdanning
Avdelingfor ingeniørntdanning Fag: TELETEKNKK Fagnr: S0653E Faglig veileder: K H Nygård, H Fylling Gruppe( r ): let Dato: 060601 Eksamenstid, 0900_1400 fra-til: Eksamensoppgaven består av Antall sider:
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO.
UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FY-IN 204 Eksamensdag : 18 juni 2002 Tid for eksamen : l.0900-1500 Oppgavesettet er på 5 sider. Vedlegg Tillatte hjelpemidler
DetaljerINF 5490 RF MEMS. L12: RF MEMS induktanser
INF 5490 RF MEMS L12: RF MEMS induktanser 1 Innhold Typiske trekk ved MEMS induktanser Ulike typer induktanser Horisontalplan induktanser Effekt av ulike realiseringer Ekte spoler (solenoider) Modellering
Detaljer