FYS Elektronikk med prosjektoppgaver Vår Løsningsforslag uke 9

Like dokumenter
FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2018

FYS1210. Repetisjon 2 11/05/2015. Bipolar Junction Transistor (BJT)

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren Oppgave 1

Figur 1. 1e) Uten tilkopling på inngangene A og B - Hva er spenningen på katoden til dioden D1? 1,4 volt

TRANSISTORER Transistor forsterker

TRANSISTORER Transistor forsterker

Løsningsforslag Elektronikk 1 (LO342E) høst 2006 eksamen 1. desember, 3timer

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2008

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO.

Figur 1 viser et nettverk med et batteri på 18 volt, 2 silisiumdioder og 4 motstander.

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 2010

UNIVERSITETET I OSLO.

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017

EKSAMEN Løsningsforslag Emne: Fysikk og datateknikk

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG INGRID KVAKLAND AVD. FOR TEKNOLOGI INSTITUTT FOR ELEKTRO OG DATATEKNIKK 7005 TRONDHEIM

Oppsummering. BJT - forsterkere og operasjonsforsterkere

FYS1210 Løsningsforslag. Eksamen V2015

Løsningsforslag for obligatorisk øving 1

Eksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Fredag 25. mai Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG

UNIVERSITETET I OSLO.

Eksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Lørdag 5. juni Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG

Eksamen i Elektronikk 24. Mai Løsningsforslag Knut Harald Nygaard

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005

Introduksjon til oppgave 1: Transistorkarakteristikken til BC-547

Forslag til løsning på eksamen i FYS1210 våren 2005 side 1. Fig.1 viser et nettverk med to 9 volt batterier og 4 motstander, - alle på 1kΩ.

Transistorkretser Laboratorieeksperimenter realfagseminar Sjøkrigsskolen 15. November 2010

Forsvarets ingeniørhøgskole. Jørstadmoen LABORATORIERAPPORT. Oppgave: 163 Transistorens karakteristikk. Forspenningsnettverk. INGP400 Elektronikk

Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Mandag 14. august Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 2k5 )

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 V-2007 ( rev.2 )

FYS Forslag til løsning på eksamen våren 2014

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1

Forslag til løsning på eksamen i FY Forslag til løsning på eksamen i F -IN 204 og FY108 våren 2003.

g m = I C / V T = 60 ms r π = β / g m = 3k3

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 3k3 )

I oppgave 2 og 3 brukes det R 2R nettverk i kretsene. Det anbefales å gjøre denne forberedelsen før gjennomføring av Lab 8.

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

UNIVERSITETET I OSLO.

LF til KRETSDELEN AV Eksamen i TFE4101 Kretsteknikk og digitalteknikk

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2004

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1

UNIVERSITETET I OSLO

Fasit til Eksamen FY-IN 204 våren (avholdt høsten) 1998.

Eksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Fredag 25. mai Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

TRANSISTORER. Navn: Navn: Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall. Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2.

Eksamensoppgave i TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK

Eksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK

EKSAMEN. Emne: Fysikk og datateknikk

TFE4101 Vår Løsningsforslag Øving 2. 1 Strøm- og spenningsdeling. (5 poeng)

Løsningsforslag til eksamen FY108 høsten 2003

Elektrolaboratoriet. Spenningsdeling og strømdeling

TRANSISTORER. Navn: Navn: Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall. Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2.

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Lab 6 Klokkegenerator, tellerkretser og digital-analog omformer

Transistorforsterker

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer

UNIVERSITETET I OSLO.

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer

For å finne amplituden kan vi f.eks. ta utgangspunkt i AB=-30 og siden vi nå kjenner B finner vi A :

VEILEDNING TIL LABORATORIEØVELSE NR 2

Lab 2 Praktiske målinger med oscilloskop og signalgenerator

Fag: Elektroteknikk Løsningsforslag til øving 4

UNIVERSITETET I OSLO.

Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK

EKSAMEN I FAG TFE4101 KRETS- OG DIGITALTEKNIKK

Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer

Universitetet i Oslo FYS Labøvelse 1. Skrevet av: Sindre Rannem Bilden Kristian Haug

Prøveeksamen 2. Elektronikk 24. mars Løsningsforslag

Rev. Lindem 25.feb..2014

Fysikk og teknologi Elektronikk FYS ) Det betyr kjennskap til Ohms lov : U = R I og P = U I

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO

Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger. Likeretter (Rectifier) omforme AC til DC

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Prøveeksamen 1. Elektronikk 8.feb Løsningsforslag

UNIVERSITETET I OSLO.

Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag

Elektrisitetslære TELE1002-A 13H HiST-AFT-EDT

Théveninmotstanden finnes ved å måle kortslutningsstrømmen (se figuren under).

Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Onsdag 15. august Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG

Forslag B til løsning på eksamen FYS august 2004

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

Oppgave 1 (30%) a) De to nettverkene gitt nedenfor skal forenkles. Betrakt hvert av nettverkene inn på klemmene:

Elevverksted Elektronikk Bruk av transistor som bryter

Lab 7 Operasjonsforsterkere

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer

Oppgaver i matematikk,

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2009

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

UNIVERSITETET I OSLO

LØSNINGSFORSLAG KRETSDEL

Eksamensoppgaver i Elektronikk 1 - LO350E.

Fysikk og teknologi - Elektronikk Mål for opplæringen er at eleven skal kunne

Ny/Utsatt eksamen i Elektronikk 2. August Løsningsforslag Knut Harald Nygaard

Kontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Mandag 4. august Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG

Transkript:

FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Vår 2016 Løsningsforslag uke 9 Innhold 20.4 Forsterkerekvivalent........................ 1 20.6 Forsterkerekvivalent........................ 1 20.8 Forsterkerekvivalent........................ 2 20.24 BJT Felles-emitter forsterker................... 2 20.25 BJT Felles-emitter forsterker................... 3 20.29 BJT Emitterfølger......................... 5 20.4 Forsterkerekvivalent 800Ω v in 12mV S + 50Ω + 800Ω 11.29mV S + 800Ω 50Ω + 800Ω 0.9412 Som betyr at v in blir 94.12% av opprinnelig signal. 20.6 Forsterkerekvivalent v L L 3kΩ A v v in 400 11.29mV Z out + 300Ω + 3kΩ 4.11V Z out + 3kΩ 300Ω + 3kΩ 0.9091 Som betyr at ca. 90.91% av det forsterkede signalet når lasten. 1

20.8 Forsterkerekvivalent A v(e f f ) v L 4.11V 12mV 342.5 A v(e f f ) v L A v v in Z out + 1 A v S + A v S + 20.24 BJT Felles-emitter forsterker Z out + 1 Z out + For en felles-emitter forsterker med spenningsdeler på basen, kan det brukes en enklere metode uten bruk av Theveninekvivalenten for å regne ut kollektorstrømmen hvis I B er liten. Fra KCL så er I 1 I 2 + I B. Med I B 0, så blir I 1 I 2. Da er V B V 2 V 2 CC 1 + 2. Videre så kan V E finnes fra V B V BE + V E, og med antagelsen om at I B er veldig liten, så kan også I E I C + I B forenkles til I E I C. Da blir I C V E E. Fra forelesningsnotat BJT2; hvis det er en kondensator over emittermotstanden E, så er A v g m P. Transkonduktansen g m I C V T, hvor V T 25mV for romtemepratur. P er motstandene koblet til V C, som er parallellkoplet. For to motstander blir da P C C +. Forsterkningen kan da regnes ut på følgende måte 1) 2) 3) 4) 5) V B V 2 V CC 2 1 + 2 2.69V I C I E V E V B V BE 2.69V 0.7V 1.11mA E E 1.8kΩ g m I C 1.11mA V T 25mV 44mS P C C + 7.2kΩ 21kΩ 7.2kΩ + 21kΩ 5.36kΩ A v g m P 44mS 5.36kΩ 235.84 2

Fra Matlab-scriptet så blir A v 237.3 med forenklet metode uten avrundinger. Ved bruk av Theveninekvivalent så blir A v 220.6. Altså så blir forsterkningen litt for stor med forenklet metode (rundt 7%). Ser også at avrundingene utgjør en mye mindre forskjell enn forenklet metode. 20.25 BJT Felles-emitter forsterker I oppgave 20.24 ble det antatt at I B var liten. I denne oppgaven er den ifølge ETF regnet som stor. Boken bruk at hvis 10 2 > E, så er I B stor. Dette betyr at hvis I 2 er 10 ganger større enn I B, så blir feilen som en før ved bruk av enklere metode så ubetydelig at en trenger ikke bruke Thevenin. E kommer av at basestrømmen I B ser en motstand som er ganger større enn E. En annen måte en kan gjøre en vurdering på størrelsen til I B ift. I 2, er E 2 eller 2 E. Dette er egentlig det samme som hva boken gjør, men da uten spesifikasjon av hvor liten I B må være. Eksempel med ETFs metode 10 2 24kΩ og E 18kΩ. Dermed er 10 2 > E og I B stor Eksempel annen metode E 2 7.5 som betyr at E er 7.5 ganger større enn 2, mens 2 E 0.133 som betyr at 2 er ca. 13% av E. For begge må en selv vurdere når I B regnes som liten. Hvis jeg mener at I 2 ikke trenger å være mer enn 5 ganger større enn I B, så vil da I B regnes som liten. Men for 10 ganger som boken bruker, vil den måtte sees på som stor. Så når I B er stor brukes Theveninekvivalenten (se bok eller forelesningsnotat BJT1). KVL gir da V TH V TH + V BE + V E, som kan løses for både I B, I C ogi E. I denne oppgaven er det I C en trenger, 3

V TH V TH + V BE + V E V TH + V E V TH V BE I B + I E E V TH V BE I B + (I C + I B ) E V TH V BE I C + (I C + I C ) E V TH V BE I C I C [ TH + I C(1 + 1 ) E V TH V BE + (1 + 1 ] ) E V TH V BE I C V TH V BE + (1 + 1 ) E Som kan ytterlige forenkles med veldig liten feil til I C V TH V BE + E Forskjellen ved bruk av Thevenin og forenklet metode ligger altså i hvordan I C regnes ut. Når I C er regnet ut, er utregningen den samme. 1) 2) V TH 2 2.4kΩ V CC 9V 1 + 2 14kΩ + 2.4kΩ 1.32V 1 2 1 + 2 14kΩ 2.4kΩ 14kΩ + 2.4kΩ 2.05kΩ 3) I C V TH V BE + E 1.32V 0.7V 2.05kΩ 100 + 180Ω 3.09mA 4) 5) P g m I C 3.09mA V T 25mV 123.6mS C C + 1.1kΩ 180Ω 1.1kΩ + 180Ω 980.2Ω 4

6) A v g m P 123.6mS 980.2Ω 121.15 Fra Matlab-scriptet så blir A v 120.68 med Theveninekvivalent uten avrundinger i utregningene. Ved bruk av enklere metode så blir A v 134.41. Altså så blir forsterkningen med forenklet metode rundt 11.6% større enn ved bruk av Theveninekvivalent. Ser også her at avrundingene utgjør veldig liten forskjell. 20.29 BJT Emitterfølger Bruker at h FC 100 ( 100) som da gir riktig ift. fasiten i ETF. Ser at basestrømmen I B ikke er liten ift. I 2 (f.eks. ved at 2 E 0.5). Må da bruke Theveninekvivalent, som i dette tilfellet kan løses med enkel hoderegning helt frem til siste ledd. 1) 2) V TH 0.5V CC 6V 50kΩ 3) I CQ V TH V BE + E 6V 0.7V 5.3V + 2kΩ 2.5kΩ 2.12mA 50kΩ 100 V CE V CC V E V CC I E E, som kan finnes på flere måter. 1. I E I C gir V CE 12V 2.12mA 2kΩ 7.76V. 2. I E I C + I B I C + I C (1 + 1 )I C gir V CE 12V 1.01 2.12mA 2kΩ 7.72V. 3. Løse ut I E fra Thevenin. I E V TH V TH + V BE + V E V TH + V E V TH V BE I B + I E E V TH V BE 1 + + I E E V TH V BE ( ) TH I E 1 + + E V TH V BE I E V TH V BE 1+ + E 5

Som da blir 6V 0.7V I E 2.124mA 50kΩ 1+100 + 2kΩ og da blir V CE V CC I E E 12V 2.124mA 2kΩ 7.752V. V CE for 3) er mest nøyaktig. I teorien skulle V CE for 2) være nærmere V CE for 3) enn 1) er, noe som ikke er tilfellet. Dette skyldes faktisk forenklingen av likning for I CQ (se 20.25) hvor (1 + 1 ) fjernes som faktor for E. I CQ uten denne forenklingen blir 2.103mA. Hvis en nå ganger (1 + 1 ) med I CQ så blir I E 2.124mA, som er lik I E for 3). Oppsummert; ikke alltid like rett frem å få et mer nøyaktig svar, og i dette tilfellet ble et svar som skulle vært mere nøyaktig (altså 2) ) faktisk mindre nøyaktig. 6