Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
|
|
- Steffen Birkeland
- 4 år siden
- Visninger:
Transkript
1 Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer 1
2 Repetisjon Kap. 5 Kontaktpotensial V 0 = kt q ln Deplesjonssone W = Diodeligningen N an d n i 2 2ε(V 0 V) N a + N d q N a N d I = I o e qv/kt 1 I 0 = qa D p L p p n + D n L n n p 2
3 Repetisjon Kap. 5 Gjennombrudd: 1. Zenereffekt (ved lave reversspenninger, hardt dopede overganger tunnelering 2. Avalanche / skred (ved høye reversspenninger, lavt dopede overganger ionisering multiplikasjonseffekt! Begrenset forspenning over en diode: maksimalt V 0 Den ideelle diodeligningen antar lavnivåinjeksjon Idealitetsfaktoren, n, ble introdusert for å ta høyde for avvik fra den ideelle dioden Metall-halvlederoverganger Schottkykontakter når Φ m > og n-type Φ m < og p-type ellers Ohmske Schottkykontakter er majoritetsladningbærer komponenter 3
4 Pensum 1 CRYSTAL PROPERTIES AND GROWTH OF SEMICONDUCTORS 2 ATOMS AND ELECTRONS 3 ENERGY BANDS AND CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS 4 EXCESS CARRIERS IN SEMICONDUCTORS 5 JUNCTIONS Midttermineksamen Forventes kjent / Orienteringsstoff Viktige elektriske og optiske egenskaper Byggesteinen; pn-dioden 6 FIELD-EFFECT TRANSISTORS 7 BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS 8 OPTOELECTRONIC DEVICES Komponenter Lab 4
5 5
6 Transistorer Felt-effekt transistoren var først patentert av Lilienfeld in 1925, men ingenting lagd/publisert. PNP punktkontakt transistor demonstrert av Brattain and Moore 23. des Første MOSFET transistor lagd in 1959/1960 (Kahng og Atalla), som senere ble den viktigste komponenten innen VLSI (very large scale integrated circuit). Årsakene var bl.a. 1. Symmetisk mhp source og drain 2. Uniploar 3. Høy inngangsimpedans (> Ω i dc) 4. Spenningsstyrt 5. Lett å isolere Første IC ble lagd in 1971 med 2300 MOS-transistorer I dag > 10 9 komponenter/chip 6
7 Felt-Effekt Transistorer Komponent med 3 terminaler, hvor strømmen mellom to av dem (source og drain) styres av en tredje (kalt gate) 3 vanlige typer FET s Junction FET Bruker deplesjonssonen til en reversspent pn diode MESFET Bruker en reversspent Schottky barriere kontakt MISFET/MOSFET Bruker et isolerende lag mellom gatekontakt (metall) og halvleder Felteffekttransistorene er en majoritetsbærerkomponent (kun en ladningstype) og kalles derfor unipolar 2 hovedanvendelser: forsterkning og switching (bryter) 7
8 Felteffekttransistoren 3 forskjellige typer: - Junction FET - MESFET - MOSFET JFET MESFET MOSFET Source Gate Drain Source Gate Drain Source Gate Drain n + p-type Si n + n + n + n + p-type Si p-type Si Gate 8
9 Prinsipp for transistor 9
10 Prinsipp for transistor i D = (15 V)/(1000 Ω) =15 ma load line i D = (0 V)/(1000 Ω) = 0 E = i D R + v D Felteffektkomponenter er unipolare og spenningsstyrte via en gate (styre) elektrode som bestemmer ledningskanalens tykkelse (bredde) for ladningsbærere som drifter mellom Source (S) og Drain (D) 10
11 Felt-Effekt Transistorer Junction FET Brukt bl.a. som bryter, High input impedance-, low noise-, differential- forsterkere MESFET Rask, opp til 45GHz, mikrobølgefrekvenser, kommunikasjon, radar MOSFET Byggestenen i det meste av integrert kretsteknologi CMOS (n-mos og p-mos sammen) Mikroprosessorer og minnekomponenter 11
12 JFET (Junction Field Effect Transistor) Source Gate n + p-type Si n + Drain n + Gate 12
13 JFET (Junction Field Effect Transistor) Junction Field Effect Transistor (JFET); høy inngangsimpedans (reversspent overgang) egnet som switch. Deplesjonssonen, som reguleres via gatespenningen, styrer ledningskanalens effektive tverrsnittsareal Partikkelflyt S D (alltid!) I den lavt dopede kanalen ligger S og D på ulike potensial og for lave strømmer er potensialfallet lineært langs kanalen. 13
14 Figure 6 4 Depletion regions in the channel of a JFET with zero gate bias for several values of V D : (a) linear range; (b) near pinch-off; (c) beyond pinch-off. Solid State Electronic Devices, 7e, Global Edition Ben G. Streetman Sanjay Kumar Banerjee Copyright Pearson Education Limited All rights reserved.
15 Figure 6 5 Effects of a negative gate bias: (a) increase of depletion region widths with V G negative; (b) family of current voltage curves for the channels as V G is varied. Solid State Electronic Devices, 7e, Global Edition Ben G. Streetman Sanjay Kumar Banerjee Copyright Pearson Education Limited All rights reserved.
16 16
17 Bestemme pinch-off spenningen? 17
18 18
19 IV karakteristikk for en JFET Solid State Electronic Devices, 7e, Global Edition Ben G. Streetman Sanjay Kumar Banerjee Copyright Pearson Education Limited All rights reserved.
20 IV karakteristikk for JFET 20
21 21
22 22
23 Transkonduktans 23
Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer 1 Pensum 1 CRYSTAL PROPERTIES AND GROWTH OF SEMICONDUCTORS 2 ATOMS AND ELECTRONS 3 ENERGY BANDS AND CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS 4 EXCESS
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer Repetisjon Kap. 5 Kontaktpotensial V 0 = kt q ln Deplesjonssone W = Diodeligningen N an d n i 2 2ε(V 0 V) N a + N d q N a N d I = I o e qv/kt
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer 1 Eksamensdatoer: 11. OG 12. DESEMBER Repetisjon Felteffekttransistoren 3 forskjellige typer: - Junction FET - MESFET - MOSFET JFET MESFET
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 9 Kapittel 6 - Felteffekttransistoren
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 9 Kapittel 6 - Felteffekttransistoren Repetisjon Unipolar Kapittel 6 Felt-effekt transistorer JFET Partikkelfluks S D (alltid) V G styrer ledningskanalen mellom
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer MOSFET I en n-kanals MOSFET (enhancement-type) lager man en n-type kanal mellom Source og Drain ved å lage et inversjonslag i et p-type substrat
DetaljerFys Halvlederkomponenter. Lasse Vines kontor: Kristen Nygårds hus, 3. etg.
Fys2210 - Halvlederkomponenter Lasse Vines lassevi@fys.uio.no kontor: Kristen Nygårds hus, 3. etg. Fys2210 NB: Forelesning Torsdag 30/8 (i øvingstimen) 3 timer forelesning og 3t øving til uke 41, deretter
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger Repetisjon: Vp E Cp E Fp E Vp Particle flow Equilibrium (V = 0) Current Forward bias (V = V f ) E E E Vn (V 0 -V f ) V 0 W = qv 0 (1)
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger Repetisjon: Vp E Cp E Fp E Vp Particle flow Equilibrium (V = 0) Current Forward bias (V = V f ) E E E Vn (V 0 -V f ) V 0 W = qv 0 (1)
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 5 Kapittel 5 - Overganger
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 5 Kapittel 5 - Overganger 1 Lab-tider Forslag til lab-tider vil bli lagt ut Ideelt sett 4 per gruppe Skriv dere på et tidspunkt som passer Øvingstime neste torsdag
DetaljerForelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Dagens temaer er hentet fra
DetaljerForelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer 1 Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Feedback-oscillatorer Dagens
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer Forelesning 10
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer Forelesning 10 Repetisjon: V T i virkeligheten Forskjell Φ m Φ s 0 Q i defekter/urenheter i oksidet og interface states Figure 6.20 Influence
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Repetisjon
Fys2210 Halvlederkomponenter Repetisjon Pensum 1 CRYSTAL PROPERTIES AND GROWTH OF SEMICONDUCTORS 2 ATOMS AND ELECTRONS 3 ENERGY BANDS AND CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS 4 EXCESS CARRIERS IN SEMICONDUCTORS
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 1
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 1 Materialets struktur kan være - Amorft - Polykrystallinsk - Enkrystallinsk www.physics-in-a-nutshell.com Enkrystallinske materialer kan ha ulik atomstruktur De vanligste
DetaljerHalvlederkomponenter
Halvlederkomponenter Innledning og bakgrunn for kurset Forskningen og utviklingen som har foregått innen halvlederområdet etter 2. verdenskrig har lagt grunnen til dagens moderne samfunn. Raske og energieffektive
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 2 Kapittel 3 ENERGY BANDS AND CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS Repetisjon: I faste materialer danner elektronene energibånd N st Si atoms Filled; 2N Unfilled;
DetaljerTransistorforsterker
Oppsummering Spenningsforsterker klasse Med avkoplet emitter og uten Forsterkeren inverterer signalet faseskift 180o Transistoren er aktiv i hele signalperioden i b B i c C g m I V C T i c v i r π B1 B2
DetaljerRev. Lindem 25.feb..2014
ev. Lindem 25.feb..2014 Transistorforsterkere - oppsummering Spenningsforsterker klasse Med avkoplet emitter og uten Forsterkeren inverterer signalet faseskift 180 o Transistoren er aktiv i hele signalperioden
DetaljerHalvlederkomponenter
Halvlederkomponenter Innledning og bakgrunn for kurset Forskningen og utviklingen innen halvlederfysikk etter 2. verdenskrig har dannet grunnlaget for dagens moderne samfunn. Raske og energieffektive elektriske
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Repetisjon
Fys2210 Halvlederkomponenter Repetisjon FYS2210 Evaluering, H-17 Torsdag 13.12, kl 15:00,??? LENS møterom (Kristen Nygårds hus, 3. etg) Dialogmøte (etter slutteksamen); Alle undervisere Emnerapport (skjema):
DetaljerForelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer MOSFET Strømforsyning
Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer MOSFET Strømforsyning Dagens temaer Radiorør Transistorer Moores lov Bipolare transistorer Felteffekttransistorer Digitale kretser: AND, OR
DetaljerKapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger. Likeretter (Rectifier) omforme AC til DC
Revidert versjon 1. feb. 2012 T.Lindem Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger Likeretter (Rectifier) omforme A til D Rectifier (Likeretter) en diodekrets som omformer en A til pulserende D Filter en
DetaljerFYS1210. Repetisjon 2 11/05/2015. Bipolar Junction Transistor (BJT)
FYS1210 Repetisjon 2 11/05/2015 Bipolar Junction Transistor (BJT) Sentralt: Forsterkning Forsterkning er et forhold mellom inngang og utgang. 1. Spenningsforsterkning: 2. Strømforsterkning: 3. Effektforsterkning
DetaljerForelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Dagens temaer er hentet fra
DetaljerKapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2008 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow
DetaljerIN 241 VLSI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver uke 36
IN 41 VLI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver uke 36 1) Beregn forsterknings faktoren ß for en nmofet fabrikkert i en prosess med: µ = 600cm/V s (Elektronmobilitet for n-dopet materiale) ε = 5
DetaljerForelesning 8. CMOS teknologi
Forelesning 8 CMOS teknologi Hovedpunkter MOS transistoren Komplementær MOS (CMOS) CMOS eksempler - Inverter - NAND / NOR - Fulladder Designeksempler (Cadence) 2 Halvledere (semiconductors) 3 I vanlig
DetaljerForelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer
Forelesning nr.9 NF 1411 Elektroniske systemer Transistorer Dagens temaer Historisk overblikk Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Presentasjon 4. obligatoriske labøvelse Dagens temaer er
DetaljerElektronikk med prosjektoppgaver FYS 1210
Elektronikk med prosjektoppgaver FYS 1210 Lindem 29 jan. 2008 Komponentlære Kretselektronikk Elektriske ledere/ halvledere Doping Dioder - lysdioder Bipolare transistorer Unipolare komponenter FET, MOS,
DetaljerForelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer 1 Dagens temaer Historisk overblikk Repetisjon halvledere Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Dagens temaer er hentet fra kapittel
DetaljerGJ ennomgang av CMOS prosess, tverrsnitt av nmos- og
Del : Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS rosess YNGVAR BERG I. Innhold GJ ennomgang av CMOS rosess, tverrsnitt av nmos og MOS transistor og tverrsnitt av CMOS inverter. Enkel forklaring
DetaljerKapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2009 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow
DetaljerElectronics Technology Fundamentals
Electronics Technology Fundamentals Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon jan 2007 T.Lindem 1 17.1 Semiconductors P1 Halvledere Semiconductors Atomer som har 4 valenselektroner
DetaljerForslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005
Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005 Oppgave 1 Figur 1 viser et nettverk tilkoplet basen på en bipolar transistor. (For 1a og 1b se læreboka side 199) 1 a ) Tegn opp Thevenin-ekvivalenten
DetaljerFysikk og teknologi Elektronikk FYS ) Det betyr kjennskap til Ohms lov : U = R I og P = U I
Fysikk og teknologi Elektronikk FYS 1210 Skal vi forstå moderne elektronikk - må vi først beherske elementær lineær kretsteknikk - og litt om passive komponenter - motstander, kondensatorer og spoler 1
DetaljerOppsummering. BJT - forsterkere og operasjonsforsterkere
Oppsummering BJT - forsterkere og operasjonsforsterkere OP-AMP vs BJT Fordeler og ulemper Vi har sett på to ulike måter å forsterke opp et signal, ved hjelp av transistor forsterkere og operasjonsforsterkere,
DetaljerForelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer
Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer Dagens temaer Historisk overblikk Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Presentasjon 4. obligatoriske labøvelse Dagens temaer er
DetaljerTransistorer en alternativ presentasjon. Temapunkter for de 3 neste ukene
ransistorer en alternativ presentasjon Dekkes delvis i boka Kap 19-21 Linde 3. feb 2010 eapunkter for de 3 neste ukene eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare
DetaljerForslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2004
Oppgave Forslag til løsning på Eksamen FYS20 våren 2004 Figure Figur viser et enkelt nettverk bestående av 2 batterier ( V = 9volt og V2 = 2volt) og 3 motstander på kω. a) Hva er spenningen over motstanden
DetaljerFysikk og teknologi - Elektronikk Mål for opplæringen er at eleven skal kunne
14. Jan 06 Den nye læreplanen i fysikk Fysikk og teknologi - Elektronikk Mål for opplæringen er at eleven skal kunne 1. gjøre rede for forskjellen mellom ledere, halvledere og isolatorer ut fra dagens
DetaljerForelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer
Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer Transistorer Dagens temaer Historisk overblikk Bipolare tranisistorer (BJT) Transistorforsterkere Presentasjon 4. obligatoriske labøvelse Dagens temaer er
DetaljerExercise 1: Phase Splitter DC Operation
Exercise 1: DC Operation When you have completed this exercise, you will be able to measure dc operating voltages and currents by using a typical transistor phase splitter circuit. You will verify your
DetaljerPASSIVE KOMPONENTER. Realisering av Resistans - Passive løsninger
Realisering av Resistans - Passive løsninger L W R ρ N, Resitivitiet: ρ resistans / N Antall Hjørne 0.56 Brønn Metall / Polysilisium SiO 2 Diffusjon Polysilisium Metall Substrat AO 0V. Realiseringer med
DetaljerSolceller - Teori og praksis Solcellers virkningsgrad, effekt og elektriske egenskaper.
Universitetet i Oslo FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgave Solceller - Teori og praksis Solcellers virkningsgrad, effekt og elektriske egenskaper. Sindre Rannem Bilden 27. april 2016 Labdag: Tirsdag
DetaljerPH-03. En MM Phono Forsterker
PH-03 En MM Phono Forsterker Det finnes flere varianter av designet kalt Le Pacific (av Walter). Det er vist et utdrag på slutten av denne beskrivelsen. Designet som følger er min utgave av Le Pacific.
DetaljerHØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi
HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi Kandidatnr: Eksamensdato: 14.12.2010 Varighet/eksamenstid: Emnekode: 4 timer EDT210T-A Emnenavn: Elektronikk 1 Klasse(r): 2EL Studiepoeng: 7,5 Faglærer(e):
DetaljerINF3400 Forel. # Avansert CMOS. INF3400 Forelesning #15 Øivind Næss
INF3400 Forel. #15 20.05. Avansert CMOS INF3400 Forelesning #15 Øivind Næss INF3400 Forel. #15 20.05. Oversikt 4.9 Skalering 4.9.1 Transistorskalering 4.9.2 Interconnect Interconnect -skalering 4.9.3 Teknologi
DetaljerKapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2009 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow
DetaljerBYGGING AV LIKESTRØMSKILDE OG TRANSISTORFORSTERKER
BYGGING AV LIKESTRØMSKILDE OG TRANSISTORFORSTERKER OPPGAVE 1. Lag en oppkobling av likespenningskilden skissert i Figur 1. 2. Mål utgangsspenningen som funksjon av ulike verdier på belastningsmotstanden.
DetaljerBMXART0814 ( ) M340 8 inn ana TC/RTD, 2*FCN
Produktdatablad Karakteristikk BMXART0814 (45 461 79) M340 8 inn ana TC/RTD, 2*FCN Alternativer Analog/digital conversion Oppløsning analog inngang Inngangsimpedans Permitted overload on inputs Common
DetaljerForelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer. Dioder
Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer Dioder Dagens temaer Dioder Halvlederfysikk Ulike typer halvledere og ladningsbærere Diodekarakteristikker Likerettere og strømforsyninger Spesialdioder
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO
UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i: INF1411 Introduksjon til elektroniske systemer Eksamensdag: 1. juni 2015 Tid for eksamen: 4 timer Oppgavesettet er på 5 sider
DetaljerOversikt. Avansert CMOS. INF3400 Del Skalering Transistorskalering Interconnect -skalering Teknologi roadmap
Avansert CMOS INF3400 Del 15 Øivind NæssN INF3400 Del 15 18.05. 1/30 Oversikt 4.9 Skalering 4.9.1 Transistorskalering 4.9.2 Interconnect -skalering 4.9.3 Teknologi roadmap 4.9.4 Design-påvirkninger 5.4.1
DetaljerTransistorkretser Laboratorieeksperimenter realfagseminar Sjøkrigsskolen 15. November 2010
Transistorkretser Laboratorieeksperimenter realfagseminar Sjøkrigsskolen 15. November 2010 1. Referanser http://wild-bohemian.com/electronics/flasher.html http://www.creative-science.org.uk/transistor.html
DetaljerVelkommen til FYS 1210 Elektronikk med prosjektoppgaver 2018
Velkommen til FYS 1210 Elektronikk med prosjektoppgaver 2018 Elektronikk med prosjektoppgaver FYS 1210-2018 Foreleser : Morgan Kjølerbakken Forelesninger : Mandag 14:15 16:00 Tirsdag 9:15 10:00 Regneøvelser:
DetaljerLab 1 i INF3410. Prelab: Gruppe 5
Lab 1 i INF3410 Prelab: a) EKV modellen ble modellert i Matlab, der EKV.m er brukes til å lage en funksjon av drainsource strømmen. Reverse bias strøm trekkes i fra forward bias strøm, noe som danner grunnlaget
DetaljerUKE 6. Dioder, kap. 17, s , Diode Kretser, kap. 18, s
UKE 6 Dioder, kap. 17, s. 533-564, Diode Kretser, kap. 18, s. 574-605 1 Dioder Lindem 23. jan. 2013 Solid State Components Halvledere Semiconductors Atomer med 4 valenselektroner Mange materialer kan opptre
DetaljerGJ ennomgang av CMOS prosess, tverrsnitt av nmos- og
Del : Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS rosess YNGVAR BERG I. Innhold GJ ennomgang av CMOS rosess, tverrsnitt av nmos og MOS transistor og tverrsnitt av CMOS inverter. Enkel forklaring
DetaljerTransistorer. Dekkes delvis i boka Kap 19-21
ransistorer Dekkes delvis i boka Kap 19-21 eapunkter for de 3 neste ukene: eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare operasjonen til en J klasse A-forsterker Analysere
DetaljerKapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes
Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes Revidert versjon januar 2012 T.Lindem figurene er delvis hentet fra Electronics Technology Fundamentals Conventional Flow Version, Electron Flow
DetaljerKontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Onsdag 15. august Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG
Side av 8 NORGES TEKNISKNATURVITENSKAPLIGE UNIVERSITET Institutt for elektronikk og telekommunikasjon Faglig kontakt under eksamen: Ragnar Hergum 73 59 2 23 / 92 87 72 Bjørn B. Larsen 73 59 44 93 Kontinuasjonseksamen
DetaljerForslag B til løsning på eksamen FYS august 2004
Forslag B til løsning på eksamen FYS20 3 august 2004 Oppgave (Sweeper frekvensområdet 00Hz til 0MHz Figur viser et båndpassfilter. Motstandene R og R2 har verdi 2kΩ. Kondensatorene C = 00nF og C2 = 0.nF.
DetaljerForslag til løsning på eksamen FYS1210 våren Oppgave 1
Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 201 Oppgave 1 Nettverksanalyse. Legg spesielt merke til diodenes plassering. Figur 1 viser et nettverk bestående av en NPN silisium transistor Q1 ( β = 200
DetaljerForelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.11 INF 1411 Elektroniske systemer Operasjonsforsterkere 1 Dagens temaer Ideel operasjonsforsterker Operasjonsforsterker-karakteristikker Differensiell forsterker Opamp-kretser Dagens temaer
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO Fysisk institutt. FYS2210 Laboratorierapport. -N-MOSFET -Schottkydiode. Sindre Rannem Bilden
UNIVERSITETET I OSLO Fysisk institutt FYS22 Laboratorierapport -N-MOSFET -Schottkydiode ndre Rannem Bilden 27. november 15 Introduksjon Laboratorieoppgaven går ut på å syntesere og karakterisere et sett
DetaljerMot 6: Støy i felteffekttransistorer
/ Mot 6: Støy i felteffekttransistorer To typer av felteffekttransistorer: MOSFET: Kapasitiv kontroll av kanal JFET: Variasjon av bredden på en reversforspent diode hvor deplesjonssonen besteer bredden
DetaljerForslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2008
Oppgave 1 Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2008 1a) Hvor stor er strømmen gjennom? 12 ma 1b) Hvor stor er strømmen gjennom? 6 ma 1c) Hva er spenningen i punktene AA og BB målt i forhold til
DetaljerINF 5460 Elektrisk støy beregning og mottiltak
INF 5460 Elektrisk støy beregning og mottiltak Obligatorisk oppgave nummer 3. Frist for levering: 30 April (kl 23:59). Vurderingsform: Godkjent/Ikke godkjent. Oppgavene leveres på individuell basis. Oppgavene
DetaljerBasis dokument. 1 Solcelle teori. Jon Skarpeteig. 23. oktober 2009
Basis dokument Jon Skarpeteig 23. oktober 2009 1 Solcelle teori De este solceller er krystallinske, det betyr at strukturen er ordnet, eller periodisk. I praksis vil krystallene inneholde feil av forskjellige
DetaljerDC/AC inverters DC/AC invertere
DC/AC inverters DC/AC invertere Mascot range of DC/AC inverters Using a 12V or 24V battery, these inverters are ideal for applications such TV, video, smaller household appliances, and tools for camping,
DetaljerOTB1E0DM9LP ( ) OTB EThernet, 12inn/6+2ut,skru
Produktdatablad Karakteristikk OTB1E0DM9LP (45 014 91) OTB EThernet, 12inn/6+2ut,skru Hovedkarakteristikk Produktspekter Produkt eller komponent type Modicon OTB I/O distributed module Integrert tilkoblingstype
DetaljerKontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Onsdag 15. august Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG
Side av 8 NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPLIGE UNIVERSITET Institutt for elektronikk og telekommunikasjon Faglig kontakt under eksamen: Ragnar Hergum 73 59 2 23 / 92 87 72 Bjørn B. Larsen 73 59 44 93 Kontinuasjonseksamen
DetaljerForelesning nr.8 IN 1080 Elektroniske systemer. Dioder og felteffekt-transistorer
Forelesning nr.8 IN 1080 Elektroniske systemer Dioder og felteffekt-transistorer Dagens temaer Impedanstilpasning Dioder Likerettere og strømforsyninger Spesialdioder Dagens temaer er hentet fra kapittel
DetaljerLøsningsforslag Obligatorisk oppgave 1 IN241 VLSI-konstruksjon
Løsningsforslag Obligatorisk oppgave 1 IN241 VLSI-konstruksjon Øyvind Hagen Institutt for informatikk Universitetet i Oslo 23. oktober 2001 1 Innhold 1 Prelab 4 1.1 Implementasjon av Vittoz modellen.................
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO.
UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Eksamensdag : 6. juni 2012 Tid for eksamen : 09:00 (3 timer) Oppgavesettet er
DetaljerDekkes delvis i boka Kap 19-21
ransistorer en alternativ presentasjon Dekkes delvis i boka Kap 19-21 Linde 25.feb. 2008 eapunkter eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare operasjonen til en J
DetaljerLab 5 Enkle logiske kretser - DTL og 74LS00
Universitetet i Oslo FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgave Lab 5 Enkle logiske kretser - DTL og 74LS00 Sindre Rannem Bilden 4. april 2016 Labdag: Tirsdag Labgruppe: 3 Oppgave 1: Funksjonstabell En logisk
DetaljerRF Power Capacitors Class1. 5kV Discs
RF Power Capacitors Class 5kV Discs T H E C E R A M C E X P E R T S RF Power Capacitors Class 5kV Discs The CeramTec Group is a world leader in the design and manufacture of complex electronic ceramic
DetaljerSR3B262BD ( ) Zelio 16/10 I/O trns m/ur 24VDC
Produktdatablad Karakteristikk SR3B262BD (45 023 31) Zelio 16/10 I/O trns m/ur 24VDC Hovedkarakteristikk Produktspekter Produkt eller komponent type Zelio Logic Modular smart relay Alternativer Local display
DetaljerPeriodisk Emnerapport FYS2210 Høst2013
Til: Universitetet i Oslo Fysisk Institutt v/ Studieadministrasjonen Boks 1048, Blindern 0316 Oslo Periodisk Emnerapport FYS2210 Høst2013 Februar 2014 Utarbeidet av: Bengt G. Svensson, Fysisk Institutt,
DetaljerGJ ennomgang av CMOS prosess, tversnitt av nmos- og
Del : Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS rosess YNGVAR BERG I. Innhold GJ ennomgang av CMOS rosess, tversnitt av nmos og MOS og tverrsnitt av CMOS inverter. Enkel forklaring å begreer
DetaljerLAB 7: Operasjonsforsterkere
LAB 7: Operasjonsforsterkere I denne oppgaven er målet at dere skal bli kjent med praktisk bruk av operasjonsforsterkere. Dette gjøres gjennom oppgaver knyttet til operasjonsforsterkeren LM358. Dere skal
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO.
UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FY-IN 204 Eksamensdag : 18 juni 2002 Tid for eksamen : l.0900-1500 Oppgavesettet er på 5 sider. Vedlegg Tillatte hjelpemidler
DetaljerINF1411 Oblig nr. 3 - Veiledning
INF1411 Oblig nr. 3 - Veiledning Informasjon Instrumentene som behøves i denne obligen er markert over: DMM det digitale multimeteret er du kjent med fra de to foregående oppgavene Scope er et oscilloskop
DetaljerSR3B101BD ( ) Zelio 6/4 I/O relé m/ur 24VDC
Produktdatablad Karakteristikk SR3B101BD (45 023 28) Zelio 6/4 I/O relé m/ur 24VDC Hovedkarakteristikk Produktspekter Produkt eller komponent type Zelio Logic Modular smart relay Alternativer Local display
DetaljerZ L Z o Z L Z Z nl + 1 = = =
SMITHDIAGRAM Bilineær transformasjon fra Zplanet (impedans) til Γplanet (refleksjonsfaktor) Γ Z L Z o Z L Z 0 1 Z L Z 0 Z L Z 0 1 Z nl 1 Z nl 1 Zplanet Im Γplanet Im Re Re AO 00V 1 SMITHDIAGRAM Γplanet
DetaljerFYS1210. Robin A. T. Pedersen. May 15, Forord 6. 2 Acknowledgments 6
FYS1210 Robin A. T. Pedersen May 15, 2016 Contents 1 Forord 6 2 Acknowledgments 6 3 Uke 3 - Introduksjon 6 3.1 Elektrisitet.............................. 7 3.1.1 Ladning............................ 7 3.1.2
DetaljerSUPER DISCLAIMER. Vi endrer opplegget litt fra år til år, og vi hører på dere!
ARDUINO BASISKUNNSKAP ELEKTRISITET SIKKERHET PRAKSIS INSTALLASJON PROGRAMMERING GRUNNLEGGENDE TEORI ÅPEN SONE FOR EKSPERIMENTELL INFORMATIKK STUDIELABEN Roger Antonsen INF1510 23. januar 2012 SUPER DISCLAIMER
DetaljerRF Power Capacitors Class kV Discs with Moisture Protection
RF Power Capacitors Class 0-20kV Discs with Moisture Protection T H E C E R A M I C E X P E R T S RF Power Capacitors Class 0-20kV Discs with Moisture Protection The CeramTec Group is a world leader in
DetaljerSR2B201BD ( ) Zelio Logic kompakt reléerstatter med/uten display. Antall I/O kan ikke utvides.
Produktdatablad Karakteristikk SR2B201BD (45 023 06) Zelio Logic kompakt reléerstatter med/uten display. Antall I/O kan ikke utvides. Hovedkarakteristikk Produktspekter Produkt eller komponent type Zelio
DetaljerElectric Field Effect) (Charge Carrier) cm -2
32 /? cm x 2 cm? R. E. Peierls L. D. Landau [1] (Interatomic Distance)N. D. Mermin ( ) 2004 K. S. Novoselov et al. (Graphene)[2] K. S. Novoselov A. K. Geim 010 ( Twodimensional (2D) Honeycomb Lattice)
DetaljerRF Power Capacitors Class , 20 & 30 mm Barrel Transmitting Types
RF Power Capacitors Class 2.7, 20 & 30 mm Barrel Transmitting Types T H E C E R A M I C E X P E R T S RF Power Capacitors Class 2.7, 20 & 30 mm Barrel Transmitting Types The CeramTec Group is a world leader
DetaljerForsvarets ingeniørhøgskole. Jørstadmoen LABORATORIERAPPORT. Oppgave: 163 Transistorens karakteristikk. Forspenningsnettverk. INGP400 Elektronikk
Forsvarets ingeniørhøgskole Jørstadmoen LABORATORIERAPPORT Oppgave: 163 Transistorens karakteristikk. Forspenningsnettverk INGP400 Elektronikk av Labatoriegruppe: Forsøk utført: Rapport levert: Andreas
DetaljerTRANSISTORER Transistor forsterker
Kurs: FYS1210 Elektronikk med prosjektoppgaver Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORAORIEØELSE NR 4 Omhandler: RANSISORER ransistor forsterker 27. februar 2012. Lindem Utført dato: Utført av: Navn: email:
Detaljer«OPERASJONSFORSTERKERE»
Kurs: FYS 1210 Gruppe: Gruppe-dag: Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 7 Revidert utgave 18. mars 2013 (Lindem) Omhandler: «OPERASJONSFORSTERKERE» FORSTERKER MED TILBAKEKOBLING AVVIKSPENNING OG HVILESTRØM STRØM-TIL-SPENNING
DetaljerKunsten å bruke P.I.N. dioden som frekvensmultiplikator.
Kunsten å bruke P.I.N. dioden som frekvensmultiplikator. Versjon6.0 PIN diodens oppbyggning PIN (P lag, I lag og N lag) dioden er en meget universal komponent. Den produseres i en mengde forskjellige kapslinger
DetaljerOppgave 1 INF3400. Løsning: 1a Gitt funksjonen Y = (A (B + C) (D + E + F)). Tegn et transistorskjema (skjematikk) i komplementær CMOS for funksjonen.
Eksamen Vår 2006 INF400 INF400 Eksamen vår 2006 0.06. /9 Oppgave a Gitt funksjonen Y (A (B + C) (D + E + F)). Tegn et transistorskjema (skjematikk) i komplementær CMOS for funksjonen. INF400 Eksamen vår
DetaljerRapport laboratorieøving 2 RC-krets. Thomas L Falch, Jørgen Faret Gruppe 225
Rapport laboratorieøving 2 RC-krets Thomas L Falch, Jørgen Faret Gruppe 225 Utført: 12. februar 2010, Levert: 26. april 2010 Rapport laboratorieøving 2 RC-krets Sammendrag En RC-krets er en seriekobling
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO.
UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Eksamensdag : 1. juni 2007 Tid for eksamen : Kl. 14:30 17:30 (3 timer) Oppgavesettet
DetaljerLøsningsforslag til eksamen FY108 høsten 2003
Løsningsforslag til eksamen FY08 høsten 003 Figur viser et båndpassfilter. Motstandene R og R har verdi kω. Kondensatorene C = µf og C = 0,nF. Signalkilden leverer et AC-signal med spissverdi (peakvalue)
Detaljer