Dekkes delvis i boka Kap 19-21

Like dokumenter
Transistorer. Dekkes delvis i boka Kap 19-21

Transistorer en alternativ presentasjon. Temapunkter for de 3 neste ukene

Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger. Likeretter (Rectifier) omforme AC til DC

FYS1210. Repetisjon 2 11/05/2015. Bipolar Junction Transistor (BJT)

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017

Mot 6: Støy i felteffekttransistorer

TRANSISTORER Transistor forsterker

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer Forelesning 10

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer

Transistorforsterker

g m = I C / V T = 60 ms r π = β / g m = 3k3

Oppsummering. BJT - forsterkere og operasjonsforsterkere

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 3k3 )

Rev. Lindem 25.feb..2014

TRANSISTORER Transistor forsterker

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2008

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer

Figur 1 viser et nettverk med et batteri på 18 volt, 2 silisiumdioder og 4 motstander.

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2004

UNIVERSITETET I OSLO.

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2018

Løsningsforslag til EKSAMEN

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer MOSFET Strømforsyning

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 2010

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren Oppgave 1

FYS Forslag til løsning på eksamen våren 2014

Fasit til Eksamen FY-IN 204 våren (avholdt høsten) 1998.

Introduksjon til oppgave 1: Transistorkarakteristikken til BC-547

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer

UNIVERSITETET I OSLO.

Figur 1. 1e) Uten tilkopling på inngangene A og B - Hva er spenningen på katoden til dioden D1? 1,4 volt

Transistor brukt som forsterker

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 2k5 )

Forslag til løsning på eksamen i FY Forslag til løsning på eksamen i F -IN 204 og FY108 våren 2003.

Elevverksted Elektronikk Bruk av transistor som bryter

UNIVERSITETET I OSLO

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG INGRID KVAKLAND AVD. FOR TEKNOLOGI INSTITUTT FOR ELEKTRO OG DATATEKNIKK 7005 TRONDHEIM

Forslag B til løsning på eksamen FYS august 2004

UNIVERSITETET I OSLO

Fys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 5 Kapittel 5 - Overganger

UNIVERSITETET I OSLO.

Fys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger

Løsningsforslag Elektronikk 1 (LO342E) høst 2006 eksamen 1. desember, 3timer

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

UNIVERSITETET I OSLO.

Gråtone-transformasjoner Hovedsakelig fra kap i DIP

Transistorkretser Laboratorieeksperimenter realfagseminar Sjøkrigsskolen 15. November 2010

VEILEDNING TIL LABORATORIEØVELSE NR 2

Forslag til løsning på eksame n FY-IN 204 våren 2002

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer

Lysdetektorer. Kvantedetektor. Termisk detektor. Absorbsjon av fotoner: Kvanterespons Termisk respons. UV MIR Fotoeffekt (Einstein, Nobelpris 1921)

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 V-2007 ( rev.2 )

UNIVERSITETET I OSLO.

Oppsummering FYS 1210

UNIVERSITETET I OSLO

Meir om halvleiarar. Halvleiarteknologi

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

Løsningsforslag til eksamen FY108 høsten 2003

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

TRANSISTORER. Navn: Navn: Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall. Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2.

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer

Oppsummering FYS

Norsk Fysikklærerforening Norsk Fysisk Selskaps faggruppe for undervisning

UNIVERSITETET I OSLO.

Tidsbase og triggesystem. Figur 1 - Blokkskjema for oscilloskop

UNIVERSITETET I OSLO.

Prøveeksamen 1. Elektronikk 8.feb Løsningsforslag

Forslag til løsning på eksamen i FYS1210 våren 2005 side 1. Fig.1 viser et nettverk med to 9 volt batterier og 4 motstander, - alle på 1kΩ.

FYS1210. Robin A. T. Pedersen. May 15, Forord 6. 2 Acknowledgments 6

ELEKTRONIKK 2 DAK-ØVING 6 Endre i transistormodell, DCsvip, AC-svip, impedans 2004

TRANSISTORER. Navn: Navn: Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall. Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2.

Electronics Technology Fundamentals

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1

UNIVERSITETET I OSLO.

Batteri. Lampe. Strømbryter. Magnetbryter. Motstand. Potensiometer. Fotomotstand. Kondensator. Lysdiode. Transistor NPN. Motor. Mikrofon.

FYS2130. Tillegg til kapittel 13. Harmonisk oscillator. Løsning med komplekse tall

Elektriske svingekretser - FYS2130

Fys2210 Halvlederkomponenter. Repetisjon

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

Spenningsforsterkningen til JFET kretsen er gitt ved A = g

UKE 5. Kondensatorer, kap. 12, s RC kretser, kap. 13, s Frekvensfilter, kap. 15, s kap. 16, s

Forelesning nr.2 INF 1411 Elektroniske systemer. Effekt, serielle kretser og Kirchhoffs spenningslov

Hydraulisk system. Tanken har rette vegger. Vannspeilarealet A[m 2 ] er da konstant og uavhengig nivået x[m]. Generell balanseligning:

LØSNINGSFORSLAG EKSAMEN TEP 4120 TERMODYNAMIKK 1 Lørdag 5. desember 2009 Tid: kl. 09:00-13:00

INF1411 Oblig nr. 4 Vår 2011

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

Transistorforsterkere - oppsummering

UNIVERSITETET I OSLO.

Forsvarets ingeniørhøgskole. Jørstadmoen LABORATORIERAPPORT. Oppgave: 163 Transistorens karakteristikk. Forspenningsnettverk. INGP400 Elektronikk

UKE 5. Kondensatorer, kap. 12, s RC kretser, kap. 13, s Frekvensfilter, kap. 15, s og kap. 16, s.

Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes

Fysikk og Teknologi Elektronikk

Transkript:

ransistorer en alternativ presentasjon Dekkes delvis i boka Kap 19-21 Linde 25.feb. 2008 eapunkter eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare operasjonen til en J klasse A-forsterker Analysere klasse - o klasse A - forsterker Kort analyse av bryterkretser switchin circuits eskrive strukturene o operasjonen til felteffekt transistorene JF o MOSF 1

D operasjon til en ipolar Junction ransistor - J n J er byet opp av tre dopede reioner i et halvlederateriale separert ed to pn-overaner (pn junctions) Disse reionene kalles itter, ase o Kollektor Det er to typer J-transistorer avheni av saensetninen til de dopede orådene npn eller pnp 2

D operasjon til en ipolar Junction ransistor - J Det er to halvlederoveraner ( junctions ) - base - eitter junction o base - collector junction Uttrykket bipolar refererer se til at både elektroner o hull innår i ladninstransporten transistorstrukturen. Skal transistoren virke so forsterker å de to overanene ha rikti forspennin - ase - eitter () junction er forspent i lederetnin - ase - collector () junction er forspent i sperreretnin 3

D operasjon til en ipolar Junction ransistor - J itter ase Kollektor n p n - + - + ase-itter-dioden forspennes i sperreretnin. itter-ase-dioden forspennes i lederetnin 0,7 volt - elektroner strøer fra itter inn i asen - asen er fysisk tynn pa. diffusjon strøer elektroner ot Kollektor. lektronene er inoritetsbærere i et p-dopet ateriale. are noen få elektroner vil rekobinere ed hull - o trekkes ut so en liten strø på base- ledninen. De aller fleste elektronene når depletion layer på rensen ot Kollektor. Pa. -feltet vil elektronene bli trukket over til kollektor, - hvor de fritt trekkes ot den positive batteripolen. 4

D operasjon til en ipolar Junction ransistor - J Under norale arbeidsforhold vil strøene o variere direkte so funksjon av β Strøforsterkninen β vil være i oråde 50-300 β ransistoren har 3 operasjons - odi ase-itter Junction ollector-ase Junction Operatin Reion Reverse biased Forward biased Forward biased Reverse biased Reverse biased Forward biased utoff Active Saturation 5

D operasjon til en ipolar Junction ransistor - J UOFF ee diodene er koplet i sperreretnin (forsyninsspennin) SAURAON ee diodene er koplet i lederetnin ~ 0,1-0,2 volt A ase Kollektor -dioden i sperreretnin itter ase dioden i lederetnin 2 6

D operasjon til en ipolar Junction ransistor - J Forholdet ello, o Kirchhoff : + D- strøforsterknin β β 50 < β < 300 Ofte brukes betenelsen h F på β Straks base-eitter-dioden beynner å lede vil strøen holde se nesten konstant selv o øker krafti. 7

Operasjon til en ipolar Junction ransistor - J transistorens aktive oråde vil kollektorstrøen endre se lite selv o øker krafti. Strøen bestees helt av base-eitter-dioden o strøen so trekkes ut på basen. ( laboppave #3 ) slope 1 R La transistoren arbeide i sitt aktive oråde. el arbeidspunkt idt på lastlinja.(cc/2). Se på fiuren hvordan så strøendriner på basen ir store spenninsendriner over transistoren. ( ransistor trans resistans et uttrykk so forteller at koponenten kan betraktes so en variabel otstand.) 8

ipolar Junction ransistor J brukt so forsterker D - berenin på en enkel transistorforsterker : Du har itt en transistor ed kjent strøforsterknin β Du veler o Du berener R, o R Kondensatorene stopper D en slipper A - sinalet ijenno ksepel : i har en npn-transistor 546 ed strøforst. β 100. i har et batteri på 9 volt ( 9 v ) eler arbeidspunkt ved cc/2. Det betyr at å være 4,5 volt eler 1A so kollektorstrø. R R R 4, 5volt 4, 5 4, 5 kω 3 1A 10 1 A 10µ A β 100 9v 0, 7v 8, 3 volt 8, 3v 10µ A 830 kω 9

Datablad for en ipolar Junction ransistor 546 Denne transistoren brukes på laben i FYS1210 β 10

n enkel J - transistor brukt so forsterker - teperaturprobleer Strøforsterkninen β vil endre se ed teperaturen. Det betyr at arbeidspunktet A vil flytte se lans last linjen ed teperaturen. A1 A2 β var ierer ( 100 200 ) Q β A3 tep i vil ha en krets hvor strøen Q er est uli stabil uavheni av β itter otkoplin - (ne. feedback) ru ker 1) Kirchhof R lans basestrøveien o ser på eitterstrøen 2 ) kobinerer 1) o 2 ) Q R + R β vil Q R være uavheni av β 0 Q β ( Hvis R >> R ) R β 11

n enkel J - transistor brukt so forsterker - teperaturprobleer β 50 Skal vi unnå probleer ed teperaturdrift å vi bruke en eitterotstand R o i tille låse fast spenninen på basen ed en spenninsdeler. (R 1 o R 2 ) (Also known as universal bias) Skal vi jøre en kretsanalyse på denne kretsen å vi bruke hevenin se fi. ( R R ) H Q and Q Q + RH + R β Hvis β varierer fra 50 til 100 vil Q bare endre se fra β 50 Q 1,46 A β 100 Q 1,56 A ndrin på 6,8% - når β dobles 12

2 J-transistorer saenkoplet - DARLNGON RANSSOR 2 eller 2 β β 2 2 2 β 1 β 1 2 ( β ) 1 1 Hvis vi har to transistorer ed β100 vil denne koplinen i oss en Darlinton transistor ed en total β 10 000 Neste såsinalparaetere 13

n enkel J - transistor brukt so forsterker - Hvor stor blir forsterkninen? i ser på Såsinalodeller i har sett hvordan vi vha. en eitterotstand kan stabilisere forsterkerens arbeidspunkt - Alle betraktniner så lant er jort ed en D odell av forsterkeren. ( n statisk bereninsodell ) - Men hvordan virker forsterkeren for så sinaler? i erstatter det vanlie transistorsybolet ed en såsinalodell o sinalstrøer o spenniner anis ed så bokstaver Mello ase o itter ser sinalet en dynaisk otstand r π (-dioden) ello itter o ollector finner vi en strøenerator so leverer sinalstrøen i. Denne strøen bestees av transistorens transkonduktans r π o kalles såsinalparaetere 14

Såsinalparaetere : o r π ranskonduktans - steilhet ( benevnin Sieens ) itterstrøen hvor D ( diodelikninen ) o S 2 e D 5 α Steilhet S e α α 1 Steilheten er itt av tanenten til kurven for. Deriverer hp. d( d ) α S e 1 1 ksepel : Forsterkeren settes opp ed 2 A A - so ir 2 S 80 25 15

Såsinalparaetere : o r π Dynaisk innansotstand r π β r en liten endrin π i ir stor endrin i α S e 1) β 2) Forholdet ello o kalles den dynaiske innansresistansen r π Kobinerer liknin 1) o 2) β r π β β 16

ransistorforsterker i berenin spenninsforsterkninen A Steilhet 1) 2 ) R R R Setter inn 1) i 2 ) so ir A Output nput Forsterninen A R R ( ohs lov ) er definert so R Gitt 10volt Setter 5volt i besteer at 2A R 5v 2A erener R 2,5 kω 80S 2A 25 A R Forsterkninen A 80 S 2, 5 kω 200 17