Transistorer en alternativ presentasjon. Temapunkter for de 3 neste ukene



Like dokumenter
Transistorer. Dekkes delvis i boka Kap 19-21

Dekkes delvis i boka Kap 19-21

Kapittel 18 Grunnleggende diodekoplinger. Likeretter (Rectifier) omforme AC til DC

Mot 6: Støy i felteffekttransistorer

FYS1210. Repetisjon 2 11/05/2015. Bipolar Junction Transistor (BJT)

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer Forelesning 10

TRANSISTORER Transistor forsterker

Rev. Lindem 25.feb..2014

TRANSISTORER Transistor forsterker

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017

Transistorforsterker

Oppsummering. BJT - forsterkere og operasjonsforsterkere

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer

g m = I C / V T = 60 ms r π = β / g m = 3k3

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 3k3 )

UNIVERSITETET I OSLO.

Forelesning nr.9 INF 1411 Elektroniske systemer. Transistorer MOSFET Strømforsyning

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2004

Transistorkretser Laboratorieeksperimenter realfagseminar Sjøkrigsskolen 15. November 2010

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2008

Introduksjon til oppgave 1: Transistorkarakteristikken til BC-547

Figur 1 viser et nettverk med et batteri på 18 volt, 2 silisiumdioder og 4 motstander.

Elevverksted Elektronikk Bruk av transistor som bryter

Forslag til løsning på eksamen i FY Forslag til løsning på eksamen i F -IN 204 og FY108 våren 2003.

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren Oppgave 1

Figur 1. 1e) Uten tilkopling på inngangene A og B - Hva er spenningen på katoden til dioden D1? 1,4 volt

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 2010

Forslag til løsning på eksamen FYS1210 høsten 2005

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer

UNIVERSITETET I OSLO.

g m = I C / V T g m = 1,5 ma / 25 mv = 60 ms ( r π = β / g m = 2k5 )

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 6 Kapittel 5 - Overganger

FYS Forslag til løsning på eksamen våren 2014

FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2018

UNIVERSITETET I OSLO

Meir om halvleiarar. Halvleiarteknologi

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer

FYS 2150: ØVELSE 6 TRANSISTORER OG SPENNINGSFORSTERKER

For å forstå hvordan halvledere fungerer, er det viktig først å ha forstått hva som gjør at noen stoffer leder strøm, mens andre ikke gjør det.

Fasit til Eksamen FY-IN 204 våren (avholdt høsten) 1998.

Batteri. Lampe. Strømbryter. Magnetbryter. Motstand. Potensiometer. Fotomotstand. Kondensator. Lysdiode. Transistor NPN. Motor. Mikrofon.

Oppsummering FYS 1210

Electronics Technology Fundamentals

Oppsummering FYS

Fys2210 Halvlederkomponenter. Forelesning 5 Kapittel 5 - Overganger

Fysikk og Teknologi Elektronikk

FYS1210. Robin A. T. Pedersen. May 15, Forord 6. 2 Acknowledgments 6

Løsningsforslag Elektronikk 1 (LO342E) høst 2006 eksamen 1. desember, 3timer

Transistor brukt som forsterker

R = I V. g = Transistorforsterkere - oppsummering

UNIVERSITETET I OSLO.

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

UNIVERSITETET I OSLO

Lysdetektorer. Kvantedetektor. Termisk detektor. Absorbsjon av fotoner: Kvanterespons Termisk respons. UV MIR Fotoeffekt (Einstein, Nobelpris 1921)

Carsten Andersen & Karsten Rislå. Fordypning i. Systemforståelse, elektriske målinger og oppgaver. Basisforlaget

UNIVERSITETET I OSLO.

Løsningsforslag til EKSAMEN

Prøveeksamen 1. Elektronikk 8.feb Løsningsforslag

ELEKTRONIKK 2 DAK-ØVING 6 Endre i transistormodell, DCsvip, AC-svip, impedans 2004

Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes

VEILEDNING TIL LABORATORIEØVELSE NR 2

INF1411 Oblig nr. 4 - Veiledning

UNIVERSITETET I OSLO

INF1411 Oblig nr. 4 Vår 2011

Kapittel 17 Introduksjon til Solid State Components: Diodes

Forslag B til løsning på eksamen FYS august 2004

Norsk Fysikklærerforening Norsk Fysisk Selskaps faggruppe for undervisning

Innledning. Forarbeid. Fasit til elevenes forarbeid Oppgavene finnes på eget elevark på hjemmesiden vår. Hva kan motstanden En vannkran på et vannrør

Forslag til løsning på Eksamen FYS1210 våren 2009

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG INGRID KVAKLAND AVD. FOR TEKNOLOGI INSTITUTT FOR ELEKTRO OG DATATEKNIKK 7005 TRONDHEIM

UNIVERSITETET I OSLO.

TRANSISTORER. Navn: Navn: Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall. Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2.

HALVLEDER-DIODER Karakteristikker Målinger og simuleringer

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1

Løsningsforslag til eksamen FY108 høsten 2003

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

Energiband i krystallar. Halvleiarar (intrinsikke og ekstrinsikke) Litt om halvleiarteknologi

TRANSISTORER. Navn: Navn: Kurs: FY-IN204 Elektronikk med prosjektoppgaver - 4 vekttall. Oppgave: LABORATORIEØVELSE NR 2.

LØSNINGSFORSLAG EKSAMEN TEP 4120 TERMODYNAMIKK 1 Lørdag 5. desember 2009 Tid: kl. 09:00-13:00

Forsvarets ingeniørhøgskole. Jørstadmoen LABORATORIERAPPORT. Oppgave: 163 Transistorens karakteristikk. Forspenningsnettverk. INGP400 Elektronikk

Fys2210 Halvlederkomponenter. Repetisjon

Norsk Fysikklærerforening Norsk Fysisk Selskaps faggruppe for undervisning

BYGGING AV LIKESTRØMSKILDE OG TRANSISTORFORSTERKER

Halvledere. Vg1 Vg3 Antall elever: Maksimum 15 Varighet: 90 minutter. Passer for:

Diodekart: Opplegg av: Tormod Ludvigsen, Kjeldås Skole

12 Halvlederteknologi

ELEKTRONIKK 2 DAK-ØVING 5 Skjemategning, endre komponentmodell, forvrengning, temperatursvip, Monte Carlo simulering

Hydraulisk system. Tanken har rette vegger. Vannspeilarealet A[m 2 ] er da konstant og uavhengig nivået x[m]. Generell balanseligning:

Forelesning nr.2 INF 1411 Elektroniske systemer. Effekt, serielle kretser og Kirchhoffs spenningslov

EKSAMEN. Emne: Fysikk og datateknikk

Fasit og sensorveiledning eksamen INF1411 våren Oppgave 1 Strøm, spenning, kapasitans og resistans (Vekt 20 %) A) B) Figur 1

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer

UNIVERSITETET I OSLO

Transkript:

ransistorer en alternativ presentasjon Dekkes delvis i boka Kap 19-21 Linde 3. feb 2010 eapunkter for de 3 neste ukene eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare operasjonen til en J klasse A-forsterker Analysere klasse - o klasse A - forsterker Kort analyse av bryterkretser switchin circuits eskrive strukturene o operasjonen til felteffekt transistorene JF o MOSF 1

D operasjon til en ipolar Junction ransistor - J n J er byet opp av tre dopede reioner i et halvlederateriale separert ed to pn-overaner (pn junctions) Disse reionene kalles itter, ase o Kollektor Det er to typer J-transistorer avheni av saensetninen til de dopede orådene npn eller pnp 2

D operasjon til en ipolar Junction ransistor - J Det er to halvlederoveraner ( junctions ) - base - eitter junction o base - collector junction Uttrykket bipolar refererer se til at både elektroner o hull innår i ladninstransporten transistorstrukturen. Skal transistoren virke so forsterker å de to overanene ha rikti forspennin - ase - eitter () junction er forspent i lederetnin - ase - collector () junction er forspent i sperreretnin 3

D operasjon til en ipolar Junction ransistor - J itter ase Kollektor n p n - + - + ase-itter-dioden forspennes i sperreretnin. = + itter-ase-dioden forspennes i lederetnin = 0,7 volt - elektroner strøer fra itter inn i asen - asen er fysisk tynn pa. diffusjon strøer elektroner ot Kollektor. lektronene er inoritetsbærere i et p-dopet ateriale. are noen få elektroner vil rekobinere ed hull - o trekkes ut so en liten strø på base- ledninen. De aller fleste elektronene når depletion layer på rensen ot Kollektor. Pa. -feltet vil elektronene bli trukket over til kollektor, - hvor de fritt trekkes ot den positive batteripolen. 4

D operasjon til en ipolar Junction ransistor - J Under norale arbeidsforhold vil strøene o variere direkte so funksjon av = β Strøforsterkninen β vil være i oråde 50-300 ransistoren har 3 operasjons - odi ase-itter Junction ollector-ase Junction Operatin Reion Reverse biased Forward biased Forward biased Reverse biased Reverse biased Forward biased utoff Active Saturation 5

D operasjon til en ipolar Junction ransistor - J UOFF ee diodene er koplet i sperreretnin = (forsyninsspennin) SAURAON ee diodene er koplet i lederetnin ~ 0,1-0,2 volt A ase Kollektor -dioden i sperreretnin itter ase dioden i lederetnin 6

D operasjon til en ipolar Junction ransistor - J Forholdet ello, o Kirchhoff : = + D- strøforsterknin β : = β 50 < β < 300 For A sinaler brukes ofte betenelsen h F på β Straks base-eitter-dioden beynner å lede vil strøen holde se nesten konstant selv o øker krafti. øker litt pa redusert tykkelse på baseoråde. Når øker øker tykkelsen på sperresjiktet ello basis o kollektor. Hvis sperresjiktet fyller hele basis opplever vi punch throuh jennosla. 7

Operasjon til en ipolar Junction ransistor - J transistorens aktive oråde vil kollektorstrøen endre se lite selv o øker krafti. Strøen bestees helt av base-eitter-dioden o strøen so trekkes ut på basen. ( laboppave # 3 ) slope 1 R Arbeidslinje - lastlinje La transistoren arbeide i sitt aktive oråde. el arbeidspunkt idt på lastlinja.(cc/2). Se på fiuren hvordan så strøendriner på basen ir store spenninsendriner over transistoren. ( ransistor trans resistans et uttrykk so forteller at koponenten kan betraktes so en variabel otstand.) 8

ipolar Junction ransistor J brukt so forsterker D - berenin på en enkel transistorforsterker : Du har itt en transistor ed kjent strøforsterknin β Du veler o Du berener R, o R Kondensatorene stopper D en slipper A - sinalet ijenno ksepel : i har en npn-transistor 546 ed strøforst. β = 100. i har et batteri på 9 volt ( = 9 v ) eler arbeidspunkt ved cc/2. Det betyr at å være 4,5 volt eler 1A so kollektorstrø. R R R 4, 5volt 4, 5 4, 5 k 3 1A 10 1 A 10A 100 9v 0, 7v 8, 3 volt 8, 3v 830 k 10A 9

Datablad for en ipolar Junction ransistor 546 Denne transistoren brukes på laben i FYS1210 β 10

n enkel J - transistor brukt so forsterker - teperaturprobleer Strøforsterkninen β vil endre se ed teperaturen. Det betyr at arbeidspunktet A vil flytte se lans last linjen ed teperaturen. A1 A2 var ierer ( 100 200 ) Q A3 tep i vil ha en krets hvor strøen Q er est uli stabil uavheni av β itter otkoplin - (ne. feedback) ru ker Kirchhof lans basestrøveien 1) R R 0 o ser på eitterstrøen 2) kobinerer 1) o 2 ) Q Hvis R R R vil være uavheni av ( Q Q R ) R 11

n enkel J - transistor brukt so forsterker - teperaturprobleer 50 est stabiliserin ot teperaturdrift o variasjoner i β får vi ed en eitterotstand R o i tille låse fast spenninen på basen ed en spenninsdeler - R 1 o R 2 ) (Denne koplinen har fått navnet Universal bias) Skal vi jøre en kretsanalyse på denne kretsen å vi bruke hevenin se fi. under. Q H RH R and Q Q R R Hvis β varierer fra 50 til 100 vil Q bare endre se fra β = 50 Q = 1,46 A β = 100 Q = 1,56 A ndrin på 6,8% - når β dobles 12 Neste såsinalparaetere

n enkel J - transistor brukt so forsterker - Hvor stor blir forsterkninen? i ser på Såsinalodeller i har sett hvordan vi vha. en eitterotstand kan stabilisere forsterkerens arbeidspunkt - Alle betraktniner så lant er jort ed en D odell av forsterkeren. ( n statisk bereninsodell ) - Men hvordan virker forsterkeren for så sinaler? i erstatter det vanlie transistorsybolet ed en såsinalodell o sinalstrøer o spenniner anis ed så bokstaver Mello ase o itter ser sinalet en dynaisk otstand r π (-dioden) ello itter o ollector finner vi en strøenerator so leverer sinalstrøen i. Denne strøen bestees av transistorens transkonduktans r π o kalles såsinalparaetere 13

Såsinalparaetere : o r π ranskonduktans - steilhet ( benevnin Sieens ) S e itterstrøen hvor ( diodelikninen) D o e 25 S D 1 Δ Steilhet Δ Steilheten er itt av tanenten til kurven for. Deriverer hp. d( d ) S e 1 1 ksepel : Forsterkeren settes opp ed = 2 A - so ir 2 A 80S 25 14

Såsinalparaetere : o r π Dynaisk innansotstand r π r en liten endrin i ir stor endrin i Δ S e 1) 2) Δ Forholdet ello Δ o Δ kalles den dynaiske innansresistansen r π Kobinerer liknin 1) o 2) r 15

ransistorforsterker i berener spenninsforsterkninen A Steilhet 1) 2) R R R Setter inn 1) i 2) so ir A Output nput Forsterninen A R R ( ohs lov) er definert so R Gitt =10volt Setter = 5volt i besteer at = 2A A R erener R 5v 2A R 2,5 k 80S 2A 25 Forsterkninen A 80 S 2,5 k 200 16