PASSIVE KOMPONENTER. Realisering av Resistans - Passive løsninger

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Størrelse: px
Begynne med side:

Download "PASSIVE KOMPONENTER. Realisering av Resistans - Passive løsninger"

Transkript

1 Realisering av Resistans - Passive løsninger L W R ρ N, Resitivitiet: ρ resistans / N Antall Hjørne 0.56 Brønn Metall / Polysilisium SiO 2 Diffusjon Polysilisium Metall Substrat AO 0V.

2 Realiseringer med aktive elementer Cgs_ovl Gate Cgd_ovl MOS-transistor Source Drain W g r ds µc ox -----( V ds L gs V T V ds ) Csb Cch_bulk Cch_g Cdb for V ds < V dssat, Brønn med Pinch-Off diffusjon (JFET) V V bias -- g g r 0 [ α ( V t + α 2 V bias ) ] V t, α α 2 er Prosess/fysiske parametre V bias AO 0V.2

3 Resistans R-realisering R/ (Ω) Toleranse (%) VC (ppm/v) TC (ppm/ºc) Parasittisk C Polysilisium Lav Polysilisium med silisid Høyresitivt polysilisium lav , , lav Diffusjonsmotstand ± Spenningsavhengig Brønnmotstand Spenningsavhengig Pinch-off Brønnmotstand Kontrollert,, Spenningsavhengig MOS-transistor Kontrollert Spenningsavhengig Metall (Al) PTAT Lav TC --- δr VC --- δr R δt R δv AO 0V.3

4 Platekondensator Poly/poly2 Metal/metal2 E L W D Flaten: C A WL ε 0 ε ox --- ε 0 ε ox D D Flaten + sidekanter (fringing): C ε 0 ε ( W + 2D)L ( + 2D ) ox ε 0 ε WL ox D W + 2L D AO 0V.4

5 Kondensatorer - metoder for å øke kapasitet / areal 2 2 AO 0V.5

6 Gate MOS - Kapasitans g ds C g V T C ch V G C gb C ox C ox DVG C ch C gb C ox C ch Weak Moderate Strong V G Accumulation Depletion Inversion AO 0V.6

7 Deplesjonssone kapasitans C j C j0 V f n Φ B C j Φ B : Likevektspotensial (Build-in potential) V f : Forspenning n : Avhenger av dopeprofil, typ /2 -/3 Temperaturkoeffisient (TC): TC ( n)tc si n TCΦ V f Φ B TC : ppm/ºc AO 0V.7

8 Kapasitans C-realisering C/µm 2 ( C/µm) (ff) Toleranse (±%) VC (ppm/v) TC (ppm/ºc) Parasittisk C (ff/µm 2 ) Poly / Poly ( 0.4) Metall / Metall ( 0.05) 0-40,, 0.07 MOS ,, Spenningsavh. PN-overgang ( ) Spenningsavh. TC --- δc VC C δt --- δc C δv 800n 800n Tykkelser SiO 2 800n 380n 30n 0n Aktivt omåde AO 0V.8

9 Q - faktor Q ω E lagret π E maks, z E tap, midlere E tap periode I(t) L R U(t)R i(t) + L d(i)/dt i maks U/R 2 E Bmaks, --Li 2 maks --L U 2 R ( 2π) ω E [ Usin ( ωt) ] 2 tap dt 0 R U π Rω Q LR 2π E B, maks ω L E tap R --- AO 0V.9

10 Q - faktor Eksempler C L R L R C R R C L --- R RωC ωl (ved resonansfrekvens ω 0 ) L L C C R R R ωl R L R C (ved resonansfrekvens ω 0 ) RωC Kilde: Wireless CMOS Frequency Synthesizer Design. J. Craninckx, M. Steyaert AO 0V.0

11 Spiralinduktanser Kvadratisk form ( hul spiral) L 37,5µ 0 n 2 a r 4a Oktagonal form: L okt 0.9L 2r a Q Lω R dc + R rl R dc : LF resistans i metall banen R rl : Representerer tap i substrat koblet via C lb. LC p : Dominerer resonansfrekvensen T T2 w T T2 C p C ox 4u C ox P- R b 3u P- R b P+ -substrat P+ -substrat AO 0V.

12 Strømfortrengning Inntrengningsdybde (skin depth) defineres som avstanden fra overflaten der stømtettheten er redusert p.g.a. lederens indre magnetfelt til e -. For sirkulære ledere: δ 2ρ ωµ πfµ 0 σ E i(t) H ρ: resistivitet µ 0 : permeabiliteten til materialet i lederen Sylindriske ledere: Effektivt Area πr 2 - π(r-δ) 2 π(2rδ-δ 2 ) ~2πrδ δ r AO 0V.2

13 Rektangulære ledere: Ved DC: J: strømtetthet I JWT y x Ved AC: I WT Jxy (, ) dydx 0 0 T W δ << T < W, fra overflaten til senter: Jy ( ) J 0 e y δ I WT J 0 e y ( kδ ) dydx J 0 Wδ e T ( δ ) ( ) 0 0 T eff δ ( - e T/(δ) ) Kilde: Artikkel av O. Saether, NTNU AO 0V.3

14 Ekvivalentkrets for spiralinduktor Underkryssende ledningsbane: C p nw 2ε r ε ox t ox A B Resistans i ledningsbane (L lang, w bred og t tykk): R s L wσδ e t ( δ ) σ δ Skinndybde Konduktivitet C ox /2 L C p R s C ox /2 Kapasitiv kobling til substrat: C ox wl ε r ε ox t ox2 R C C R Tap i substratet: 2 R wlg sub Substrate C wlc sub 2 AO 0V.4

15 Spiralinduktors Q-faktor og resonanafrekvens vs. inductans f 2 GHz mm BiCMOS 0.7 mm BiCMOS Q 2 (GHz) fr 0.5 mm BiCMOS mm BiCMOS L (nh) L (nh) Kilde: MOST RF Circuits, Sigma-Delta Converters and Translinear Circuits, W. Sansen, R.J. v.d. Plassche, J.H. Huijsing AO 0V.5

16 Spiralinductors Reduksjon sv speilstrømmer i substrat AO 0V.6

17 Induktans i båndetråd Kilde: Wireless CMOS Frequency Synthesizer Design. J. Craninckx, M. Steyaert AO 0V.7

18 Induktans i båndetråd l 7 2r L [nh] 6 5 2r 6 µm 2r 25 µm 2r 32 µm Induktans: 4 L µ 0 l l ln---- 0,75 2π r l [mm] AO 0V.8

19 Parasitkapasitans gir resonansfrekvens C tot 0.5 pf, L 5 nh f 3 GHz V+ Brønn n- pf 0.8 pf p+ 250 Ω Epi-lag 0µm p- Substrat p+ Kilde: Wireless CMOS Frequency Synthesizer Design. J. Craninckx, M. Steyaert AO 0V.9

20 Induktansens serieresistans og Q-verdi Inntrengningsdybde: δ r δ 2ρ µω ρ Al 25nΩm µ Al nh m f GHz δ Al 2,5µm Q l3mm Resistans / mm: 300 R L l ρ --- ρ nΩm A 2πrδ 2π2,5µm2,5µm m 0, Ω mm Q faktor (l3 mm): Q L ωl R L TC ppm/ ºC Uten strømfortrengning Beregnet Q f [Hz] x 0 9 AO 0V.20

21 Koblede induktanser M µ l 2π 2l ln---- D --- D l Eks: l D mm l 0mm L 0nH M 4nH M/L : Koblingskoeffisient M ,4 L D Koblingskoeffisient for spiralinduktanser: AO 0V.2

22 SAMMENKOBLING 0.06 ff/µm 0.05 ff/µm 0.04 ff/µm 0.04 ff/µm 2 AO 0V.22

23 SAMMENKOBLING a d C 2πε d + d 2 a 2 ln a w t at/2 C yuan ε W t π h ln + 2 h -- t t h t/4 h w-t/2 t/4 w>t/2 AO 0V.23

24 SAMMENKOBLING Kapasitans i ledningsbaner over jordplan W T Forenklet analytisk For W> T/2, T H: 0% nøyaktighet H C yuan W ε 0 ε r H 2π ln 2 H ---- T T H T H Empirisk For 0.3<W/H<30, 0.3<T/H<30: 6% nøyaktighet Yuan C Sakurai ε 0 ε W r H ,5W + 2,8 T H H ,222 W-T/2 T Empirisk For W/H>, o.<t/h<4: 2% nøyaktighet H C MF W ε 0 ε r ,77+ W, H H 0, T H 0,5 AO 0V.24

25 4.5 x Kapasitans/µm Yuan Sakurai MF T0.3 µm H0.5 µm W x 0-6 AO 0V.25

26 SAMMENKOBLING Kapasitans i ledningsbaner mellom jordplan Arealdelene summeres, kanteffekter beregnes ved veiet gjennomsnitt. H 2 W Bruker funksjonen: fx (, x 2 ) n n x + x n 2 H T Insatt i C MF med n4: C ε 0 ε W W r ,77+,06 H H 2 W W H T T H H H AO 0V.26

27 SAMMENKOBLING Kapasitans mellom ledningsbaner over jordplan Empiriske uttrykk Naboer har konstante spenningsnivåer S W T Fra Sakurai: C tot C linje jord + 2C linje nabo H C linje jord W ε 0 ε r ,5 W H H 2,8 T H ,222 ε 0 ε r,5 W H 2,8 T H ,222 C linje nabo ε 0 ε r 0,03 W H 0,83T H ,07 T H ,222 S ---- H,34 AO 0V.27

INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 13 Våren 2007

INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 13 Våren 2007 INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 3 Våren 2007 YNGVA BEG I. Del 3 A. Eksamensoppgave 2005 Hvorfor trengs buffere (repeaters) for å drive signaler over en viss avstand? Hvilke metallag

Detaljer

Z L Z o Z L Z Z nl + 1 = = =

Z L Z o Z L Z Z nl + 1 = = = SMITHDIAGRAM Bilineær transformasjon fra Zplanet (impedans) til Γplanet (refleksjonsfaktor) Γ Z L Z o Z L Z 0 1 Z L Z 0 Z L Z 0 1 Z nl 1 Z nl 1 Zplanet Im Γplanet Im Re Re AO 00V 1 SMITHDIAGRAM Γplanet

Detaljer

INF L4: Utfordringer ved RF kretsdesign

INF L4: Utfordringer ved RF kretsdesign INF 5490 L4: Utfordringer ved RF kretsdesign 1 Kjøreplan INF5490 L1: Introduksjon. MEMS i RF L2: Fremstilling og virkemåte L3: Modellering, design og analyse Dagens forelesning: Noen typiske trekk og utfordringer

Detaljer

TFY4104 Fysikk Eksamen 28. november 2016 Side 13 av 22

TFY4104 Fysikk Eksamen 28. november 2016 Side 13 av 22 TFY4104 Fysikk Eksamen 28. november 2016 Side 13 av 22 FORMLER: Fete symboler angir vektorer. Symboler med hatt over angir enhetsvektorer. Formlenes gyldighetsområde og de ulike symbolenes betydning antas

Detaljer

KONTINUASJONSEKSAMEN TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Onsdag 17. august 2005 kl

KONTINUASJONSEKSAMEN TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Onsdag 17. august 2005 kl NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK Side 1 av 6 Kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 / 41 43 39 30 KONTINUASJONSEKSAMEN TFY4155 ELEKTROMAGNETISME

Detaljer

TFY4104 Fysikk Eksamen 28. november 2016 Side 13 av 22

TFY4104 Fysikk Eksamen 28. november 2016 Side 13 av 22 TFY4104 Fysikk Eksamen 28. november 2016 Side 13 av 22 FORMLER: Fete symboler angir vektorer. Symboler med hatt over angir enhetsvektorer. Formlenes gyldighetsområde og de ulike symbolenes betydning antas

Detaljer

a) Bruk en passende Gaussflate og bestem feltstyrken E i rommet mellom de 2 kuleskallene.

a) Bruk en passende Gaussflate og bestem feltstyrken E i rommet mellom de 2 kuleskallene. Oppgave 1 Bestem løsningen av differensialligningen Oppgave 2 dy dx + y = e x, y(1) = 1 e Du skal beregne en kulekondensator som består av 2 kuleskall av metall med samme sentrum. Det indre skallet har

Detaljer

EKSAMEN FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME I Mandag 5. desember 2005 kl

EKSAMEN FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME I Mandag 5. desember 2005 kl NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK Side 1 av 6 Kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 / 41 43 39 30 EKSAMEN FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME

Detaljer

LØSNINGSFORSLAG TIL KONTINUASJONSEKSAMEN I TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Onsdag 17. august 2005 kl

LØSNINGSFORSLAG TIL KONTINUASJONSEKSAMEN I TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Onsdag 17. august 2005 kl NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK Faglig kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 / 41 43 39 30 LØSNINGSFORSLAG TIL KONTINUASJONSEKSAMEN I TFY4155

Detaljer

Punktladningen Q ligger i punktet (3, 0) [mm] og punktladningen Q ligger i punktet ( 3, 0) [mm].

Punktladningen Q ligger i punktet (3, 0) [mm] og punktladningen Q ligger i punktet ( 3, 0) [mm]. Oppgave 1 Finn løsningen til følgende 1.ordens differensialligninger: a) y = x e y, y(0) = 0 b) dy dt + a y = b, a og b er konstanter. Oppgave 2 Punktladningen Q ligger i punktet (3, 0) [mm] og punktladningen

Detaljer

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN FY1013 ELEKTRISITET OG MAGNETISME II Fredag 8. desember 2006 kl 09:00 13:00

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN FY1013 ELEKTRISITET OG MAGNETISME II Fredag 8. desember 2006 kl 09:00 13:00 NOGES EKNISK- NAUVIENSKAPEIGE UNIVESIE INSIU FO FYSIKK Kontakt under eksamen: Per Erik Vullum lf: 93 45 7 ØSNINGSFOSAG I EKSAMEN FY3 EEKISIE OG MAGNEISME II Fredag 8. desember 6 kl 9: 3: Hjelpemidler:

Detaljer

EKSAMENSOPPGAVE. Adm.bygget, Aud.max. ü Kalkulator med tomt dataminne ü Rottmann: Matematisk Formelsamling. rute

EKSAMENSOPPGAVE. Adm.bygget, Aud.max. ü Kalkulator med tomt dataminne ü Rottmann: Matematisk Formelsamling. rute Fakultet for naturvitenskap og teknologi EKSAMENSOPPGAE Eksamen i: Fys-1002 Dato: 30. september 2016 Klokkeslett: 09.00-13.00 Sted: Tillatte hjelpemidler: Adm.bygget, Aud.max ü Kalkulator med tomt dataminne

Detaljer

Mandag 7. mai. Elektromagnetisk induksjon (fortsatt) [FGT ; YF ; TM ; AF ; LHL 24.1; DJG 7.

Mandag 7. mai. Elektromagnetisk induksjon (fortsatt) [FGT ; YF ; TM ; AF ; LHL 24.1; DJG 7. Institutt for fysikk, NTNU TFY4155/FY1003: Elektrisitet og magnetisme Vår 2007, uke19 Mandag 7. mai Elektromagnetisk induksjon (fortsatt) [FGT 30.1-30.6; YF 29.1-29.5; TM 28.2-28.3; AF 27.1-27.3; LHL 24.1;

Detaljer

EKSAMENSOPPGAVE. ü Kalkulator med tomt dataminne ü Rottmann: Matematisk Formelsamling. rute

EKSAMENSOPPGAVE. ü Kalkulator med tomt dataminne ü Rottmann: Matematisk Formelsamling. rute Fakultet for naturvitenskap og teknologi EKSAMENSOPPGAE Eksamen i: FYS-1002 Dato: 26. september 2017 Klokkeslett: 09.00-13.00 Sted: Åsgårdvegen 9 Tillatte hjelpemidler: ü Kalkulator med tomt dataminne

Detaljer

Skinndybde. FYS 2130

Skinndybde. FYS 2130 Skinndybde. FYS 130 Vi skal se hvordan en elektromagnetisk bølge oppfører seg i et ledende medium. ølgeligningen for E-feltet i vakuum ble utledet i notatet om elektromagnetiske bølger: E E =εµ 0 0 Denne

Detaljer

Eksamensoppgave i TFY4104 Fysikk

Eksamensoppgave i TFY4104 Fysikk Institutt for fysikk Eksamensoppgave i TFY4104 Fysikk Faglig kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Tlf.: 45 45 55 33 Eksamensdato: 4. desember 2015 Eksamenstid (fra-til): 0900-1300 Hjelpemiddelkode/Tillatte

Detaljer

KONTINUASJONSEKSAMEN TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Fredag 11. august 2006 kl

KONTINUASJONSEKSAMEN TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Fredag 11. august 2006 kl NOGES TEKNSK- NATUVTENSKAPELGE UNVESTET NSTTUTT FO FYSKK Side 1 av 5 Kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 / 45 45 55 33 KONTNUASJONSEKSAMEN TFY4155 ELEKTOMAGNETSME Fredag 11.

Detaljer

b) Vi legger en uendelig lang, rett stav langs y-aksen. Staven har linjeladningen λ = [C/m].

b) Vi legger en uendelig lang, rett stav langs y-aksen. Staven har linjeladningen λ = [C/m]. Oppgave 1 a) Punktladningen q 1 = 1.0 10 9 [C] ligger fast i punktet (2.0, 0, 0) [m]. Punktladningen q 2 = 4.0 10 9 [C] ligger i punktet ( 1.0, 0, 0) [m]. I) Finnes det punkt(er) i rommet med elektrisk

Detaljer

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Fredag 11. august 2006 kl

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Fredag 11. august 2006 kl NOGES TEKNISK- NATUVITENSKAPELIGE UNIVESITET INSTITUTT FO FYSIKK Faglig kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 / 45 45 55 33 LØSNINGSFOSLAG TIL EKSAMEN I TFY4155 ELEKTOMAGNETISME

Detaljer

Øving 13. Induksjon. Forskyvningsstrøm. Vekselstrømskretser.

Øving 13. Induksjon. Forskyvningsstrøm. Vekselstrømskretser. Inst for fysikk 2017 FY1003 Elektr & magnetisme Øving 13 Induksjon Forskyvningsstrøm Vekselstrømskretser Denne siste øvingen innholder ganske mye, for å få dekket opp siste del av pensum Den godkjennes

Detaljer

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Tirsdag 27. mai 2008 kl

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Tirsdag 27. mai 2008 kl NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK Faglig kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 / 45 45 55 33 LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I FY003 ELEKTRISITET

Detaljer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer Repetisjon Kap. 5 Kontaktpotensial V 0 = kt q ln Deplesjonssone W = Diodeligningen N an d n i 2 2ε(V 0 V) N a + N d q N a N d I = I o e qv/kt

Detaljer

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME I Mandag 5. desember 2005 kl

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME I Mandag 5. desember 2005 kl NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK Faglig kontakt uner eksamen: Jon Anreas Støvneng Telefon: 7 59 6 6 / 41 4 9 0 LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I FY100 ELEKTRISITET OG MAGNETISME

Detaljer

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME I Mandag 17. desember 2007 kl

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME I Mandag 17. desember 2007 kl NOGES TEKNISK- NATUVITENSKAPELIGE UNIVESITET INSTITUTT FO FYSIKK Faglig kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 / 45 45 55 33 LØSNINGSFOSLAG TIL EKSAMEN I FY1003 ELEKTISITET OG

Detaljer

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME Mandag 4. desember 2006 kl

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME Mandag 4. desember 2006 kl NOGES TEKNISK- NATUVITENSKAPEIGE UNIVESITET INSTITUTT FO FYSIKK Faglig kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 / 45 45 55 33 ØSNINGSFOSAG TI EKSAMEN I FY1003 EEKTISITET OG MAGNETISME

Detaljer

INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 13 og 14

INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 13 og 14 INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 13 og 14 YNGVA BEG A. Forsinkelse i interkonnekt Gitt en 3mm lang og 0.4µm bred leder i metall 2 i en 180nm prosess med egenmotstand 0.04Ω/ og

Detaljer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer

Fys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer MOSFET I en n-kanals MOSFET (enhancement-type) lager man en n-type kanal mellom Source og Drain ved å lage et inversjonslag i et p-type substrat

Detaljer

Mot 6: Støy i felteffekttransistorer

Mot 6: Støy i felteffekttransistorer / Mot 6: Støy i felteffekttransistorer To typer av felteffekttransistorer: MOSFET: Kapasitiv kontroll av kanal JFET: Variasjon av bredden på en reversforspent diode hvor deplesjonssonen besteer bredden

Detaljer

INF 5490 RF MEMS. L12: RF MEMS induktanser

INF 5490 RF MEMS. L12: RF MEMS induktanser INF 5490 RF MEMS L12: RF MEMS induktanser 1 Innhold Typiske trekk ved MEMS induktanser Ulike typer induktanser Horisontalplan induktanser Effekt av ulike realiseringer Ekte spoler (solenoider) Modellering

Detaljer

Forelesning nr.7 IN 1080 Elektroniske systemer. Spoler og induksjon Praktiske anvendelser Nøyaktigere modeller for R, C og L

Forelesning nr.7 IN 1080 Elektroniske systemer. Spoler og induksjon Praktiske anvendelser Nøyaktigere modeller for R, C og L Forelesning nr.7 IN 1080 Elektroniske systemer Spoler og induksjon Praktiske anvendelser Nøyaktigere modeller for R, C og L Dagens temaer Induksjon og spoler RL-kretser og anvendelser Fysiske versus ideelle

Detaljer

EKSAMEN TFY4155 ELEKTROMAGNETISME FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME Tirsdag 30. mai 2006 kl

EKSAMEN TFY4155 ELEKTROMAGNETISME FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME Tirsdag 30. mai 2006 kl NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK Side 1 av 5 Kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 / 45 45 55 33 EKSAMEN TFY4155 ELEKTROMAGNETISME FY1003

Detaljer

EKSAMEN FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Tirsdag 27. mai 2008 kl

EKSAMEN FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Tirsdag 27. mai 2008 kl NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK Side 1 av 5 Kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 / 45 45 55 33 EKSAMEN FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME

Detaljer

Kondensator. Symbol. Lindem 22. jan. 2012

Kondensator. Symbol. Lindem 22. jan. 2012 UKE 5 Kondensatorer, kap. 12, s. 364-382 RC kretser, kap. 13, s. 389-413 Frekvensfilter, kap. 15, s. 462-500 og kap. 16, s. 510-528 Spoler, kap. 10, s. 289-304 1 Kondensator Lindem 22. jan. 2012 Kondensator

Detaljer

Oppgave 1 INF3400. Løsning: 1a Gitt funksjonen Y = (A (B + C) (D + E + F)). Tegn et transistorskjema (skjematikk) i komplementær CMOS for funksjonen.

Oppgave 1 INF3400. Løsning: 1a Gitt funksjonen Y = (A (B + C) (D + E + F)). Tegn et transistorskjema (skjematikk) i komplementær CMOS for funksjonen. Eksamen Vår 2006 INF400 INF400 Eksamen vår 2006 0.06. /9 Oppgave a Gitt funksjonen Y (A (B + C) (D + E + F)). Tegn et transistorskjema (skjematikk) i komplementær CMOS for funksjonen. INF400 Eksamen vår

Detaljer

FYS1120 Elektromagnetisme, Oppgavesett 4

FYS1120 Elektromagnetisme, Oppgavesett 4 FYS1120 Elektromagnetisme, Oppgavesett 4 20. september 2016 I FYS1120-undervisningen legger vi mer vekt på matematikk og numeriske metoder enn det oppgavene i læreboka gjør. Det gjelder også oppgavene

Detaljer

En del utregninger/betraktninger fra lab 8:

En del utregninger/betraktninger fra lab 8: En del utregninger/betraktninger fra lab 8: Fra deloppgave med ukjent kondensator: Figur 1: Krets med ukjent kondensator og R=2,2 kω a) Skal vise at når man stiller vinkelfrekvensen ω på spenningskilden

Detaljer

TFE4101 Krets- og Digitalteknikk Høst 2016

TFE4101 Krets- og Digitalteknikk Høst 2016 Norges teknisk naturvitenskapelige universitet Institutt for elektronikk og telekomunikasjon TFE40 Krets- og Digitalteknikk Høst 206 Løsningsforslag Øving 5 Boolske funksjoner, algebraisk forenkling av

Detaljer

EKSAMENSOPPGAVE. ü Kalkulator med tomt dataminne ü Rottmann: Matematisk Formelsamling. rute

EKSAMENSOPPGAVE. ü Kalkulator med tomt dataminne ü Rottmann: Matematisk Formelsamling. rute Fakultet for naturvitenskap og teknologi EKSAMENSOPPGAE Eksamen i: Fys-1002 Dato: 10.juni 2016 Klokkeslett: 09.00-13.00 Sted: Åsgårdveien 9 Tillatte hjelpemidler: ü Kalkulator med tomt dataminne ü Rottmann:

Detaljer

INF5490 RF MEMS. L8: RF MEMS resonatorer II

INF5490 RF MEMS. L8: RF MEMS resonatorer II INF5490 RF MEMS L8: RF MEMS resonatorer II 1 Dagens forelesning Lateralt vibrerende resonator: Kam-resonatoren Virkemåte Detaljert modellering A) phasor-modellering B) modellering ved konvertering mellom

Detaljer

EKSAMEN FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Onsdag 3. juni 2009 kl

EKSAMEN FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Onsdag 3. juni 2009 kl NOGES TEKNISK- NATUVITENSKAPEIGE UNIVESITET INSTITUTT FO FYSIKK Side 1 av 6 Kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 / 45 45 55 33 EKSAMEN FY1003 EEKTISITET OG MAGNETISME TFY4155

Detaljer

UNIVERSITETET I TROMSØ. EKSAMENSOPPGAVE i FYS-1002

UNIVERSITETET I TROMSØ. EKSAMENSOPPGAVE i FYS-1002 UNIVERSITETET I T R O M S Ø UNIVERSITETET I TROMSØ Intitutt for fysikk og teknologi EKSAMENSOPPGAVE i FYS-1002 Eksamen i: Fys-1002 Elektromagnetisme Eksamensdato: 10. juni, 2013 Tid: 09:00 13:00 Sted:

Detaljer

KONTINUASJONSEKSAMEN I EMNE SIF4005 FYSIKK Mandag 7. august 2000 kl. kl

KONTINUASJONSEKSAMEN I EMNE SIF4005 FYSIKK Mandag 7. august 2000 kl. kl Side 1 av 6 NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK Faglig kontakt under eksamen: Inst. for fysikk, Gløshaugen Professor Bjørn Torger Stokke 735 93434 KONTINUASJONSEKSAMEN

Detaljer

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I TFY4155 ELEKTROMAGNETISME FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME Tirsdag 31. mai 2005 kl

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN I TFY4155 ELEKTROMAGNETISME FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME Tirsdag 31. mai 2005 kl NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPEIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK Faglig kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 / 41 43 39 30 ØSNINGSFORSAG TI EKSAMEN I TFY4155 EEKTROMAGNETISME

Detaljer

IN 241 VLSI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver uke 36

IN 241 VLSI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver uke 36 IN 41 VLI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver uke 36 1) Beregn forsterknings faktoren ß for en nmofet fabrikkert i en prosess med: µ = 600cm/V s (Elektronmobilitet for n-dopet materiale) ε = 5

Detaljer

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi

HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi HØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi Kandidatnr: Eksamensdato: 7.05.011 Varighet/eksamenstid: 09:00 13:00 Emnekode: EDT0T Emnenavn: Elektronikk Klasse(r): EE ET Studiepoeng: 10 Faglærer(e):

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO UNIVESITETET I OSLO Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i: FYS1120 Elektromagnetisme Eksamensdag: 29. November 2016 Tid for eksamen: 14.30 18.30 Oppgavesettet er på 3 sider. Vedlegg: Tillatte

Detaljer

Typiske spørsmål til en muntlig eksamen i IN5490 RF MEMS, 2008

Typiske spørsmål til en muntlig eksamen i IN5490 RF MEMS, 2008 Typiske spørsmål til en muntlig eksamen i IN5490 RF MEMS, 2008 Q1: Mikromaskinering Hva er hovedforskjellen mellom bulk og overflate mikromaskinering? Beskriv hovedtrinnene for å implementere en polysi

Detaljer

FYS1120 Elektromagnetisme ukesoppgavesett 7

FYS1120 Elektromagnetisme ukesoppgavesett 7 FYS1120 Elektromagnetisme ukesoppgavesett 7 25. november 2016 Figur 1: En Wheatstone-bro I FYS1120-undervisningen legger vi mer vekt på matematikk og numeriske metoder enn det oppgavene i læreboka gjør.

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i: FYS1120 Elektromagnetisme Eksamensdag: Prøveeksamen 2017 Oppgavesettet er på 9 sider Vedlegg: Tillatte hjelpemidler: Formelark

Detaljer

Midtsemesterprøve torsdag 7. mai 2009 kl

Midtsemesterprøve torsdag 7. mai 2009 kl Institutt for fysikk, NTNU FY1003 Elektrisitet og magnetisme TFY4155 Elektromagnetisme Våren 2009 Tillatte hjelpemidler: Midtsemesterprøve torsdag 7. mai 2009 kl 09.15 11.15. Oppgaver på side 5 10. Svartabell

Detaljer

GJ ennomgang av CMOS prosess, tverrsnitt av nmos- og

GJ ennomgang av CMOS prosess, tverrsnitt av nmos- og Del : Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS rosess YNGVAR BERG I. Innhold GJ ennomgang av CMOS rosess, tverrsnitt av nmos og MOS transistor og tverrsnitt av CMOS inverter. Enkel forklaring

Detaljer

TFY4102 Fysikk Eksamen 16. desember 2017 Foreløpig utgave Formelside 1 av 6

TFY4102 Fysikk Eksamen 16. desember 2017 Foreløpig utgave Formelside 1 av 6 TFY4102 Fysikk Eksamen 16. desember 2017 Foreløpig utgave Formelside 1 av 6 FORMLER: Fete symboler angir vektorer. Symboler med hatt over angir enhetsvektorer. Formlenes gyldighetsområde og de ulike symbolenes

Detaljer

Oppgave 4 : FYS linjespesifikk del

Oppgave 4 : FYS linjespesifikk del Oppgave 4 : FYS 10 - linjespesifikk del Fysiske konstanter og definisjoner: Vakuumpermittiviteten: = 8,854 10 1 C /Nm a) Hva er det elektriske potensialet i sentrum av kvadratet (punktet P)? Anta at q

Detaljer

INF3400 Forel. # Avansert CMOS. INF3400 Forelesning #15 Øivind Næss

INF3400 Forel. # Avansert CMOS. INF3400 Forelesning #15 Øivind Næss INF3400 Forel. #15 20.05. Avansert CMOS INF3400 Forelesning #15 Øivind Næss INF3400 Forel. #15 20.05. Oversikt 4.9 Skalering 4.9.1 Transistorskalering 4.9.2 Interconnect Interconnect -skalering 4.9.3 Teknologi

Detaljer

UNIVERSITETET I OSLO

UNIVERSITETET I OSLO UIVERSITETET I OSLO Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i Eksamensdag: Oppgavesettet er på 7 sider. Vedlegg: Tillatte hjelpemidler: Løsningsforslag Digital mikroelektronikk Ingen Alle trykte

Detaljer

INF5490 RF MEMS. F8: RF MEMS resonatorer II. V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO

INF5490 RF MEMS. F8: RF MEMS resonatorer II. V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO INF5490 RF MEMS F8: RF MEMS resonatorer II V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 Dagens forelesning Lateralt vibrerende resonator: Kam-resonatoren Virkemåte Detaljert modellering A) phasor-modellering

Detaljer

Faradays lov: Flere muligheter for induksjon: Magnetisme. Kap

Faradays lov: Flere muligheter for induksjon: Magnetisme. Kap Magnetisme Magnetostatikk (ingen tidsvariasjon): Kap 27. Magnetiske krefter Kap 28: Magnetiske kilder B/ t = 0 Hvilke er rett, a,b,c eller d? Elektrodynamikk: Kap 29: Elektromagnetisk induksjon Kap 30:

Detaljer

Løsningsforslag til øving 5

Løsningsforslag til øving 5 Institutt for fysikk, NTNU FY1013 Elektrisitet og magnetisme II Høst 2005 Løsningsforslag til øving 5 Veiledning mandag 26. og onsdag 28. september a) Med motstand og kapasitans C i serie: cos ωt = I +

Detaljer

Forelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer. Anvendelser av RC-krester Spoler og RL-kretser

Forelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer. Anvendelser av RC-krester Spoler og RL-kretser Forelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer Anvendelser av RC-krester Spoler og RL-kretser Dagens temaer Mer om ac-signaler og sinussignaler Filtre Bruk av RC-kretser Induktorer (spoler) Sinusrespons

Detaljer

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN FY1013 ELEKTRISITET OG MAGNETISME II Fredag 9. desember 2005 kl

LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN FY1013 ELEKTRISITET OG MAGNETISME II Fredag 9. desember 2005 kl NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK Kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN FY1013 ELEKTRISITET OG MAGNETISME II Fredag

Detaljer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer

Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Dagens temaer er hentet fra

Detaljer

Midtsemesterprøve fredag 11. mars kl

Midtsemesterprøve fredag 11. mars kl Institutt for fysikk, NTNU FY1003 Elektrisitet og magnetisme TFY4155 Elektromagnetisme Vår 2005 Midtsemesterprøve fredag 11. mars kl 1030 1330. Løsningsforslag 1) B. Newtons 3. lov: Kraft = motkraft. (Andel

Detaljer

Norges teknisk-naturvitenskapelig universitet Institutt for fysikk, NTNU

Norges teknisk-naturvitenskapelig universitet Institutt for fysikk, NTNU Side 1 av 10 Bokmål Norges teknisk-naturvitenskapelig universitet Institutt for fysikk, NTNU TFY4120 Fysikk Studentnr Studieretning. Faglig kontakt under eksamen: Navn: Ragnvald Mathiesen Tlf.: 7359 3362

Detaljer

Løysingsforslag Kontinuasjonseksamen TFE4120 Elektromagnetisme 13. august 2004

Løysingsforslag Kontinuasjonseksamen TFE4120 Elektromagnetisme 13. august 2004 Løysinsforsla Kontinuasjonseksamen TFE4120 Elektromanetisme 13. auust 2004 Oppåve 1 a) Fiure 1: Ei telefonlinje som år parallelt med ei straumlinje. Det skraverte området er definert av kurva C 2. Innbyrdes

Detaljer

Ny/Utsatt eksamen i Elektronikk 2. August Løsningsforslag Knut Harald Nygaard

Ny/Utsatt eksamen i Elektronikk 2. August Løsningsforslag Knut Harald Nygaard Ny/Utsatt eksamen i Elektronikk 2. August 2017 Løsningsforslag Knut Harald Nygaard Oppgave 1 Operasjonsforsterkeren i kretsløpet i figuren nedenfor kan regnes som ideell. v inn v ut C a) Overføringsfunksjonen

Detaljer

Fysikkolympiaden Norsk finale 2017

Fysikkolympiaden Norsk finale 2017 Norsk fysikklærerforening Fysikkolympiaden Norsk finale 7 Fredag. mars kl. 8. til. Hjelpemidler: abell/formelsamling, lommeregner og utdelt formelark Oppgavesettet består av 6 oppgaver på sider Lykke til!

Detaljer

INF 5490 RF MEMS. L14: RF MEMS induktanser. V2008, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO

INF 5490 RF MEMS. L14: RF MEMS induktanser. V2008, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO INF 5490 RF MEMS L14: RF MEMS induktanser V2008, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 Dagens forelesning Hva er en induktor? Induktanser realisert som MEMS Modellering Ulike typer RF MEMS induktorer

Detaljer

EKSAMEN FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME I TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Fredag 8. juni 2007 kl

EKSAMEN FY1003 ELEKTRISITET OG MAGNETISME I TFY4155 ELEKTROMAGNETISME Fredag 8. juni 2007 kl NOGES TEKNISK- NATUVITENSKAPELIGE UNIVESITET INSTITUTT FO FYSIKK Side 1 av 5 Kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 / 45 45 55 33 EKSAMEN FY1003 ELEKTISITET OG MAGNETISME I TFY4155

Detaljer

Matematik, LTH Kontinuerliga system vt Formelsamling. q t. + j = k. u t. (Allmännare ρ 2 u. t2 Svängningar i gaser (ljud) t 2 c2 2 u

Matematik, LTH Kontinuerliga system vt Formelsamling. q t. + j = k. u t. (Allmännare ρ 2 u. t2 Svängningar i gaser (ljud) t 2 c2 2 u Matematik, LH Kontinuerliga system vt 7 Formelsamling Formelsamligen utgör bara ett stöd för minnet. Beteckningar förklaras sålunda ej. Ej heller anges förutsättningar för formlernas giltighet. Fysikaliska

Detaljer

Oversikt. Avansert CMOS. INF3400 Del Skalering Transistorskalering Interconnect -skalering Teknologi roadmap

Oversikt. Avansert CMOS. INF3400 Del Skalering Transistorskalering Interconnect -skalering Teknologi roadmap Avansert CMOS INF3400 Del 15 Øivind NæssN INF3400 Del 15 18.05. 1/30 Oversikt 4.9 Skalering 4.9.1 Transistorskalering 4.9.2 Interconnect -skalering 4.9.3 Teknologi roadmap 4.9.4 Design-påvirkninger 5.4.1

Detaljer

EKSAMENSOPPGAVE. 7 (6 sider med oppgaver + 1 side med formler)

EKSAMENSOPPGAVE. 7 (6 sider med oppgaver + 1 side med formler) Fakultet for naturvitenskap og teknologi EKSAMENSOPPGAE Eksamen i: FYS-1002 (elektromagnetisme) Dato: 9. juni 2017 Klokkeslett: 09.00-13.00 Sted: Åsgårdvegen 9 Tillatte hjelpemidler: ü Kalkulator med tomt

Detaljer

Løysingsforslag Kontinuasjonseksamen TFE4120 Elektromagnetisme 13. august 2004

Løysingsforslag Kontinuasjonseksamen TFE4120 Elektromagnetisme 13. august 2004 Løysinsforsla Kontinuasjonseksamen TFE4120 Elektromanetisme 13. auust 2004 Oppåve 1 a) Fiure 1: Ei telefonlinje som år parallelt med ei straumlinje. Det skraverte området er definert av kurva C 2. Innbyrdes

Detaljer

Faradays lov: Flere muligheter for induksjon: Magnetisme. Kap29

Faradays lov: Flere muligheter for induksjon: Magnetisme. Kap29 Magnetisme Magnetostatikk (ingen tidsvariasjon): Kap 27. Magnetiske krefter Kap 28: Magnetiske kilder B/ t = 0 Hvilke er rett, a,b,c eller d? Elektrodynamikk: Kap 29: Elektromagnetisk induksjon Kap 30:

Detaljer

INF 5490 RF MEMS. F12: RF MEMS induktanser. V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO

INF 5490 RF MEMS. F12: RF MEMS induktanser. V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO INF 5490 RF MEMS F12: RF MEMS induktanser V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 Dagens forelesning Hva er en induktor? Induktanser realisert som MEMS Modellering Ulike typer RF MEMS induktorer

Detaljer

INF 5490 RF MEMS. L4: Utfordringer ved RF kretsdesign. V2008, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO

INF 5490 RF MEMS. L4: Utfordringer ved RF kretsdesign. V2008, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO INF 5490 RF MEMS L4: Utfordringer ved RF kretsdesign V2008, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 Progresjon INF5490 Bakgrunns-stoff L1: Introduksjon. MEMS i RF L2: Fremstilling L3: Modellering,

Detaljer

Konstruksjon av dualband/ rekonfigurerbar lavstøyforsterker i GaAs MMIC teknologi for WLAN.

Konstruksjon av dualband/ rekonfigurerbar lavstøyforsterker i GaAs MMIC teknologi for WLAN. Konstruksjon av dualband/ rekonfigurerbar lavstøyforsterker i GaAs MMIC teknologi for WLAN. Arne Marius Langen Master i elektronikk Oppgaven levert: Mai 2008 Hovedveileder: Morten Olavsbråten, IET Norges

Detaljer

Forelesning nr.7 INF 1411 Elektroniske systemer. Tidsrespons til reaktive kretser Integrasjon og derivasjon med RC-krester

Forelesning nr.7 INF 1411 Elektroniske systemer. Tidsrespons til reaktive kretser Integrasjon og derivasjon med RC-krester Forelesning nr.7 INF 1411 Elektroniske systemer Tidsrespons til reaktive kretser Integrasjon og derivasjon med RC-krester Dagens temaer Nøyaktigere modeller for ledere, R, C og L Tidsrespons til reaktive

Detaljer

KONTINUASJONSEKSAMEN I EMNE SIF4005 FYSIKK For kjemi og materialteknologi Mandag 6. august 2001 kl. kl

KONTINUASJONSEKSAMEN I EMNE SIF4005 FYSIKK For kjemi og materialteknologi Mandag 6. august 2001 kl. kl Side 1 av 6 NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK Faglig kontakt under eksamen: Inst. for fysikk, Gløshaugen Professor Bjørn Torger Stokke 735 93434 KONTINUASJONSEKSAMEN

Detaljer

Faradays lov: Flere muligheter for induksjon: Magnetisme. Kap29

Faradays lov: Flere muligheter for induksjon: Magnetisme. Kap29 Magnetisme Magnetostatikk (ingen tidsvariasjon): Kap 27. Magnetiske krefter Kap 28: Magnetiske kilder B/ t = 0 Hvilke er rett, a,b,c eller d? Elektrodynamikk: Kap 29: Elektromagnetisk induksjon Kap 30:

Detaljer

INF5490 RF MEMS. F11: RF MEMS kapasitanser. V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO

INF5490 RF MEMS. F11: RF MEMS kapasitanser. V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO INF5490 RF MEMS F11: RF MEMS kapasitanser V2007, Oddvar Søråsen Institutt for informatikk, UiO 1 Dagens forelesning Passive komponenter i RF kretser Kapasitanser, C Induktanser, L Tunbare RF MEMS kapasitanser

Detaljer

Tips og triks til INF3400

Tips og triks til INF3400 Tips og triks til INF3400 Joakim S. Hovlandsvåg 11. desember 2008 1 Opp- og nedtrekk - kap1 Ved inverterte formlar gjeld følgande: i nedtrekk blir ei seriekobling, opptrekk får parallellkobling

Detaljer

EKSAMENSOPPGAVE. Eksamen i: FYS- 1002 Elektromagnetisme Fredag 31. august 2012 Kl 09:00 13:00 adm. Bygget, rom B154

EKSAMENSOPPGAVE. Eksamen i: FYS- 1002 Elektromagnetisme Fredag 31. august 2012 Kl 09:00 13:00 adm. Bygget, rom B154 side 1 av 6 sider FAKULTET FOR NATURVITENSKAP OG TEKNOLOGI EKSAMENSOPPGAVE Eksamen i: FYS- 1002 Elektromagnetisme Dato: Tid: Sted: Fredag 31. august 2012 Kl 09:00 13:00 adm. Bygget, rom B154 Tillatte hjelpemidler:

Detaljer

Løsningsforslag TFE4120 Elektromagnetisme 29. mai 2017

Løsningsforslag TFE4120 Elektromagnetisme 29. mai 2017 Norges teknisk naturvitenskapelige universitet Institutt for elektroniske systemer Side 1 av 6 Løsningsforslag TFE4120 Elektromagnetisme 29. mai 2017 Oppgave 1 a) Start med å tegne figur! Tegn inn en Gauss-flate

Detaljer

INF 5460 Elektrisk støy beregning og mottiltak

INF 5460 Elektrisk støy beregning og mottiltak INF 5460 Elektrisk støy beregning og mottiltak Obligatorisk oppgave nummer 3. Frist for levering: 30 April (kl 23:59). Vurderingsform: Godkjent/Ikke godkjent. Oppgavene leveres på individuell basis. Oppgavene

Detaljer

PENSUM INF spring 2013

PENSUM INF spring 2013 PENSUM INF3400 - spring 2013 Contents 1 Kjede med porter 2 1.1 Logisk effort for portene....................................... 2 1.2 Kritisk signalvei........................................... 2 1.3

Detaljer

Faradays lov: Flere muligheter for induksjon: Magnetisme. Kap29

Faradays lov: Flere muligheter for induksjon: Magnetisme. Kap29 Magnetisme Magnetostatikk (ingen tidsvariasjon): Kap 27. Magnetiske krefter Kap 28: Magnetiske kilder B/ t = 0 Hvilke er rett, a,b,c eller d? Elektrodynamikk: Kap 29: Elektromagnetisk induksjon Kap 30:

Detaljer

Forelesning nr.7 INF 1410. Kondensatorer og spoler

Forelesning nr.7 INF 1410. Kondensatorer og spoler Forelesning nr.7 IF 4 Kondensatorer og spoler Oversikt dagens temaer Funksjonell virkemåte til kondensatorer og spoler Konstruksjon Modeller og fysisk virkemåte for kondensatorer og spoler Analyse av kretser

Detaljer

FRAMSKUTT EKSAMEN VÅREN 2010

FRAMSKUTT EKSAMEN VÅREN 2010 SJØKRGSSKOLEN Tirsdag 8.5. FRAMSKUTT EKSAMEN VÅREN Klasse OM Tillatt tid: 6 tier Hjelpeidler: Tabeller i fysikk for den videregående skole Forelsaling i ateatikk for den videregående skole Kalkulator Antall

Detaljer

Mandag F d = b v. 0 x (likevekt)

Mandag F d = b v. 0 x (likevekt) Institutt for fysikk, NTNU TFY46/FY: Bølgefysikk Høsten 6, uke 35 Mandag 8.8.6 Dempet harmonisk svingning [FGT 3.7; YF 3.7; TM 4.4; AF.3; LL 9.7,9.8] I praksis dempes frie svingninger pga friksjon, f.eks.

Detaljer

TFY4104 Fysikk Eksamen 17. august Løsningsforslag. M k = ρv = ρ 4πR 3 /3 = π /3 = 2.10kg. E) 2.10 kg

TFY4104 Fysikk Eksamen 17. august Løsningsforslag. M k = ρv = ρ 4πR 3 /3 = π /3 = 2.10kg. E) 2.10 kg TFY4104 Fysikk ksamen 17. august 2016 Løsningsforslag 1) M k = ρv = ρ 4πR 3 /3 = 7850 4π 0.0400 3 /3 = 2.10kg. ) 2.10 kg 2) Med indre radius r og ytre radius R er kuleskallets masse dvs M = ρ 4 3 π ( R

Detaljer

Eksamenssettet er utarbeidet av førsteamanuensis Dag W. Breiby og professor Tore Lindmo og består av:

Eksamenssettet er utarbeidet av førsteamanuensis Dag W. Breiby og professor Tore Lindmo og består av: okmål Kandidatnr tudieretning. ide. Norges teknisk-naturvitenskapelig universitet Institutt for fysikk, NTNU TFY4 Fysikk, vår 9 Faglig kontakt under eksamen: Navn: Tore Lindmo Tlf.: 9 47 844 KONTINUAJONEKAMEN

Detaljer

GJ ennomgang av CMOS prosess, tverrsnitt av nmos- og

GJ ennomgang av CMOS prosess, tverrsnitt av nmos- og Del : Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS rosess YNGVAR BERG I. Innhold GJ ennomgang av CMOS rosess, tverrsnitt av nmos og MOS transistor og tverrsnitt av CMOS inverter. Enkel forklaring

Detaljer

Ladninger i faste stoffer

Ladninger i faste stoffer Ladning 1 Triboelektrisitet Mekanisk omfordeling av ladning Påvirker bare få ladninger En kobbermynt inneholder nok ladninger til å drive en 100 W lyspære i 40 timer (Fraden) 2 Ladninger i faste stoffer

Detaljer

Mandag Institutt for fysikk, NTNU TFY4155/FY1003: Elektrisitet og magnetisme Vår 2007, uke12

Mandag Institutt for fysikk, NTNU TFY4155/FY1003: Elektrisitet og magnetisme Vår 2007, uke12 nstitutt for fysikk, NTNU TFY4155/FY1003: Elektrisitet og magnetisme Vår 2007, uke12 Mandag 19.03.07 Likestrømkretser [FGT 27; YF 26; TM 25; AF 24.7; LHL 22] Eksempel: lommelykt + a d b c + m Likespenningskilde

Detaljer

Forelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer. Anvendelser av RC-krester Spoler og RL-kretser

Forelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer. Anvendelser av RC-krester Spoler og RL-kretser Forelesning nr.6 INF 1411 Elektroniske systemer Anvendelser av RC-krester Spoler og RL-kretser Dagens temaer Generelle ac-signaler og sinussignaler Filtre Bruk av RC-kretser Induktorer (spoler) Sinusrespons

Detaljer

Maxwell s ligninger og elektromagnetiske bølger

Maxwell s ligninger og elektromagnetiske bølger Maxwell s ligninger og elektromagnetiske bølger I forelesningene og i læreboken er Coulombs lov for the elektriske felt E formulert på følgende form: v da E = Q/ε 0 (1) Integralet til venstre går over

Detaljer

KONTINUASJONSEKSAMEN I EMNE SIE 4010 ELEKTROMAGNETISME

KONTINUASJONSEKSAMEN I EMNE SIE 4010 ELEKTROMAGNETISME NTNU Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet Side 1 av 6 Fakultet for informatikk, matematikk og elektroteknikk Institutt for fysikalsk elektronikk Bokmål/Nynorsk Faglig/fagleg kontakt under eksamen:

Detaljer

Forelesning 8. CMOS teknologi

Forelesning 8. CMOS teknologi Forelesning 8 CMOS teknologi Hovedpunkter MOS transistoren Komplementær MOS (CMOS) CMOS eksempler - Inverter - NAND / NOR - Fulladder Designeksempler (Cadence) 2 Halvledere (semiconductors) 3 I vanlig

Detaljer

Øving 11. Oppgave 1. E t0 = 2. Her er

Øving 11. Oppgave 1. E t0 = 2. Her er FY00/TFY460 Bølgefysi. Institutt for fysi, NTNU. Høsten 0. Veiledning: Mandag 5. og tirsdag 6. november. Innleveringsfrist: Mandag. november l :00. Øving Tema: Dipol-Ståling, reflesjon og transmisjon av

Detaljer

Transistorforsterker

Transistorforsterker Oppsummering Spenningsforsterker klasse Med avkoplet emitter og uten Forsterkeren inverterer signalet faseskift 180o Transistoren er aktiv i hele signalperioden i b B i c C g m I V C T i c v i r π B1 B2

Detaljer