Løsningsforslag DEL1 og 2 INF3400/4400
|
|
- Felix Olafsen
- 7 år siden
- Visninger:
Transkript
1 Løsningsforslag L og 2 INF3400/4400 NGVR RG. Oppgave.3 I. Oppgaver Tegn en MOS 4-inngangs NOR port på transistor nivå.. Løsningsforslag Fig. 2. NOR port med fire innganger. Fig.. To-inngangs NOR port skjematikk og sannhetstabell. Vi starter med å generalisere fra to-inngangs NOR porten som er vist i Fig.. Vi husker at MOS porter er inverternede dvs. dersom vi på trykker bare logiske ere så vil utgangen bli 0. For en to-inngangs NOR port vil det være to transistorer i parallell. Vi kan utrykke nedtrekket som = 0 når eller er, dvs. + =. Herav følger det at når = 0 så har vi at + = =. ersom vi ser på opptrekket for en to-inngangs NOR port ser vi at de to pmos transistorene er i serie slik at begge inngangsignalene må være 0 for at utgangen skal kunne trekkes opp til. ette kan uttrykkes som når = forutsetter det at + = 0, som kan uttrykkes som + = 0 =. ersom vi ser på opptrekk og nedtrekk ser vi at forholdet mellom utgangen og de to inngangene kan uttrykkes som + = som er identisk med = +. ersom vi skal utvide NOR porten til en fire-inngangs NOR port kan dette utrykkes som = vil bli logisk dersom alle ingangene er 0 og ellers logisk 0. Vi kan derfor generalisere en to-inngangs NOR port til fire-inngangs NOR port ved å sette fire nmos transistorer i parallell mellom utgangen og logisk 0 (gnd) og fire pmos transistorer i serie fra utgangen til logisk (V ) som vist i Fig. 2.. Oppgave.4 Gitt funksjonen = ( + ), tegn et transistor skjema (skjematikk) i komplementær MOS logikk for funksjonen.. Løsningsforslag Vi kan starte med nedtrekket. Når funksjonen er på formen = x kan vi starte direkte med plassering av nmos transistorer i serie og parallell avhengig av x. ersom den boolske funksjonen ikke er på denne formen vil det lønne seg å bruke boolsk algebra slik at funksjonen kan utrykkes på en slik form. Fig. 3. Nedtrekk for komplementør MOS port for funksjonen = ( + ). v funksjonen ser vi at transistorene med inngangene og skal plasseres i parallell. Transistorene med inngangene og skal stå i serie og i serie med de to parallelle transistorene. et vil lønne seg å plassere flest mulig transistorer ned mot logisk 0 eller gnd slik at nedtrekket kan se ut som vist i Fig. 3 Opptrekket som består av pmos transistorer blir motsatt av nedtrekket, dvs. de transistorer som står i serie kommer i parallell og omvendt. Gitt funksjonen = ( + ) vil da og støi serie, og og stå i parallell og i parallell med de to transistorene som står i serie. ette er vist i Fig. 4.
2 2. Løsningsforslag Fig. 7. Nedtrekk for komplementør MOS port for funksjonen = +. Fig. 4. Komplementær MOS port for funksjonen = ( + ). Nedtrekket vil bestå av tre nmos transistorer i serie (, og ) som skal stå i parallell med en nmos transostorer som har som inngang. Nedtrekket er vist i Fig. 7.. Oppgave.5 Gitt funksjonen = ( + ) ( + ), tegn et transistor skjema (skjematikk) i komplementær MOS logikk for funksjonen.. Løsningsforslag Fig. 5. Nedtrekk for komplementær MOS port for funksjonen = ( + ) ( + ). v funksjonen ser vi at nedtrekket vil bestå av nmos transistorer styrt av inngangene og i parallell, og nmos transistorer styrt av inngangene og i parallell. Parallell transistoreme vil stå i serie som vist i Fig. 5. Fig. 8. Komplementær MOS port for funksjonen = +. Opptrekket vil da bli tre pmos transistorer i parallell (, og ) som skal stå i serie med en pmos transistor med inngang som vist i Fig. 6. Som vist plasseres flest mulig transistorer mot 0 eller gnd og eller V.. Oppgave.7 Tegn skjematikk på transistornivå for følgende funksjoner. u kan anta at du også har inverterte signaler tilgjengelig. Fig. 6. Komplementær MOS port for funksjonen = ( + ) ( + ). I opptrekket får vi to parallelle greiner som hver vil bestå av to pmos transistorer i serie som vist i Fig. 6.. Oppgave.6 Gitt funksjonen = +, tegn et transistor skjema (skjematikk) i komplementær MOS logikk for funksjonen.. n 2 : 4 dekoder definert ved 0 = 0, = 0, 2 = 0 og 3 = n 3 : 2 enkoder definert ved 0 = 0 ( + 2 ) og = 0.. Løsningsforslag n 2 : 4 dekoder definert ved 0 = 0, = 0, 2 = 0 og 3 = 0 er vist i Fig. 9. I løsningsforslaget brukes NN porter og invertere for å realisere N funksjon. t løsningsforslag for enkoder definert ved 0 = 0 ( + 2 ) og = 0 er vist i Fig. 0. F. ksamensoppgave: Prøveeksamen Gitt funksjonen = ( + ) +. Tegn et transistorskjema (skjematikk) i komplementær MOS for funksjonen.
3 Fig. 0. nkoder: definert ved 0 = 0 ( + 2 ) og = 0. 3 Fig.. Nedtrekket for = ( + ) +. Fig. 9. ekoder: definert ved 0 = 0, = 0, 2 = 0 og 3 = 0. F. Løsningsforslag Som vi ser er funksjonen på en slik form at vi kan starte plasseringen av transistorer direkte. Vi starter med nedtrekket og ser at vi har tre ulike nedtrekksalternativer; ) transistor styrt av og, 2) og og 3). ette representerer tre parallelle signalveier fra utgangen til 0 (gnd) som vist i Fig.. Vi trenger nå bare å supplere opptrekket som består de tre parallelle nedtreksveiene i parallell, men der seriekoblede transistor i nedtrekket kommer som parallellkoblede pmos transistorer i opptrekket som vist i Fig. 2. G. ksamensoppgave: ksamen G. Løsningsforslag Vi ser at funksjonen = ( + ) ligner på funksjonen = ( + ) +. Ulikheten er knyttet til inngangen som skal multipliseres med ( + ). ette innebører at nmos transistoren i nedtrekket med som inngang skal plasseres i serie med de to parallelle veiene gitt av og, og og som vist i Fig. 3. Nå vil pmos transistoren som styres av komme i parallell slik at den danner en direkte kobling fra utgangen til logisk (V ) som vist i Fig. 4. H. Gitt en nmos transistor i en 80nm MOS prosess med bredde (W) lik 0.36µm og lengde (L) lik 0.8µm. nta at tykkelsen på tynnoksid (t ox) er 50Å og at mobiliteten er 200cm 2 /V s. eregn β og gate kapasitans for transistoren. H. Løsningsforslag Gitt funksjonen = ( + ). Tegn et transistorskjema (skjematikk) i komplementær MOS for funksjonen. ox = F cm 2
4 4 Fig. 2. = ( + ) +. I. Løsningsforslag, Fig. 5 Fig. 4. = ( + ). x 0-3 Fig. 3. Nedtrekket for = ( + ). = F cm 2 = F µm 2 = ff µm 2 β = µ ox W L = ( = 38 W µ L V µ V 2 g = oxw L = fF = 0.44fF ) ( cm 2 V s ) ( F cm 2 ) Idsn () Terskelspenning Vgsn (V) Fig. 5. Lineært område Metning Vdsn = 3.3V Vdsn = 2.64V Vdsn=.98V Vdsn =.32V Strøm som funksjon av V gs. J. ksamensoppgave: ksamen Gitt enkle transistor modeller for nmos transistor, skisser strøm som funksjon av V ds for ulike V gs spenninger. Marker lineært område og metning på skissen. J. Løsningsforslag, Fig. 6 References [] Neil H.. Harris og avid M. Harris Integrated ircuit esign fjerde utgave 200, ISN 0: , ISN 3: , Pearson. I. ksamensoppgave: ksamen Gitt enkle transistor modeller for en nmos transistor, skisser strøm som funksjon av V gs for ulike V ds spenninger. Marker terskelspenning, lineært område og metning på skissen.
5 5 x 0-3 Idsn () Lineært område Metning Vgsn = 3.3V Vgsn = 2.64V Vgsn =.98V 0.2 Vgsn =.32V Vdsn (V) Fig. 6. Strøm som funksjon av V ds.
Løsningsforslag DEL1 og 2 INF3400/4400
Løsningsforslag L1 og 2 INF3400/4400 NGVR RG I. Oppgaver. Oppgave 1.3 Tegn en MOS 4-inngangs NOR port på transistor nivå..1 Løsningsforslag 0 0 1 0 1 0 11 0 1 0 0 Fig. 2. NOR port med fire innganger. Fig.
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO
UIVERSITETET I OSLO Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i Eksamensdag: Oppgavesettet er på 7 sider. Vedlegg: Tillatte hjelpemidler: Løsningsforslag Digital mikroelektronikk Ingen Alle trykte
DetaljerOppgave 1 INF3400. Løsning: 1a Gitt funksjonen Y = (A (B + C) (D + E + F)). Tegn et transistorskjema (skjematikk) i komplementær CMOS for funksjonen.
Eksamen Vår 2006 INF400 INF400 Eksamen vår 2006 0.06. /9 Oppgave a Gitt funksjonen Y (A (B + C) (D + E + F)). Tegn et transistorskjema (skjematikk) i komplementær CMOS for funksjonen. INF400 Eksamen vår
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO
UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i: INF3400 Digital mikroelektronikk Eksamensdag: 10. juni 2011 Tid for eksamen: 9.00 13.00 Oppgavesettet er på 5 sider. Vedlegg:
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO
UNIVRSITTT I OSLO et matematisk-naturvitenskapelige fakultet ksamen i: INF400 igital mikroelektronikk ksamensdag: 11. juni 2008 Tid for eksamen: Oppgavesettet er på 5 sider. Vedlegg: Ingen Tillatte hjelpemidler:
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO
UNIVRSITTT I OSLO et matematisk-naturvitenskapelige fakultet ksamen i: IN3400 igital mikroelektronikk ksamensdag: 1. juni 013 Tid for eksamen: 09.00 13.00 Oppgavesettet er på 6 sider. Vedlegg: Ingen Tillatte
DetaljerDel 6: Tidsforsinkelse i logiske kjeder
el 6: Tidsforsinkelse i logiske kjeder NGVR ERG I. Innhold Tidsforsinkelse i kjeder med logiske porter. eregning av optimalt antall porter i en kjede. Logisk effort, og tidsforsinkelse i komplementære
DetaljerIN 241 VLSI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver 25/ uke 39
IN 4 VLSI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver 5/9-00 uke 39 ) Skisser en standard CMOS inverter. Anta ßnßp. Tegn opp noen drain-source karakteristikker for begge transistorene. Bytt ut Vds og
DetaljerTI dsforsinkelse i kjeder med logiske porter. Beregning av
el 6: Tidsforsinkelse i logiske kjeder NGVR ERG I. Innhold TI dsforsinkelse i kjeder med logiske porter. eregning av optimalt antall porter i en kjede. Logisk effort, og tidsforsinkelse i komplementære
DetaljerPENSUM INF spring 2013
PENSUM INF3400 - spring 2013 Contents 1 Kjede med porter 2 1.1 Logisk effort for portene....................................... 2 1.2 Kritisk signalvei........................................... 2 1.3
DetaljerDel 9: Dynamisk CMOS
Del 9: Dynamisk CMOS NGVR ERG I. Innhold Dynamiske retser blir gjennomgått. Problemer med dynamiske kretser diskuteres. Domino logikk og dual-rail domino logikk blir presentert. Problemer med ladningsdeling
DetaljerINF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 8 Våren 2006 YNGVAR BERG
INF/ Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 8 Våren 6 NGV EG I. DEL 8 Del 8: Effektforbruk og statisk MOS II. Gjennomføring Teori, eksempler og oppgaver knyttet til DEL 8 (og DEL blir gjennomgått
DetaljerDel 5: Statisk digital CMOS
Del 5: Statisk digital CMOS NGVR ERG I. Innhold Modeller for tidsforsinkelse i logiske porter blir gjennomgått. I tillegg til enkel lineær model for tidsforsinkelse blir Elmore tidsforsinkelsesmodell gjennomgått.
DetaljerTips og triks til INF3400
Tips og triks til INF3400 Joakim S. Hovlandsvåg 11. desember 2008 1 Opp- og nedtrekk - kap1 Ved inverterte formlar gjeld følgande: i nedtrekk blir ei seriekobling, opptrekk får parallellkobling
DetaljerMO deller for tidsforsinkelse i logiske porter blir gjennomgått.
Del 5: Statisk digital CMOS NGVR ERG I. Innhold MO deller for tidsforsinkelse i logiske porter blir gjennomgått. I tillegg til enkel lineær model for tidsforsinkelse blir Elmore tidsforsinkelsesmodell
DetaljerINF3400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 8
INF Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 8 NGV EG I. DEL 8 Del 8: Effektforbruk og statisk MOS II. Oppgaver. Oppgave. Finn strømlekkasje i svak inversjon i en inverter ved romtemperatur når inngangen
DetaljerINF3400 Del 1 Teori og oppgaver Grunnleggende Digital CMOS
INF34 Del Teori og oppgaver Grunnleggende Digial CMOS INF34 Grunnleggende digial CMOS Transisor som bryer CMOS sår for Complemenary Meal On Semiconducor. I CMOS eknologi er de o komplemenære ransisorer,
DetaljerTFE4101 Krets- og Digitalteknikk Høst 2016
Norges teknisk naturvitenskapelige universitet Institutt for elektronikk og telekomunikasjon TFE40 Krets- og Digitalteknikk Høst 206 Løsningsforslag Øving 5 Boolske funksjoner, algebraisk forenkling av
DetaljerObligatorisk oppgave 2 i INF4400 for Jan Erik Ramstad
Obligatorisk oppgave i INF44 for Jan Erik Ramstad Jan Erik Ramstad Institutt for Informatikk Universitetet i Oslo janera@fys.uio.no 5. februar 6.5 DC karakteristikk for en inverter.5 Vut (V).5 4 Bakgrunn
DetaljerFormelsamling INF3400 Våren 2014 Del 1 til 8 YNGVAR BERG
1 Formelsamling INF3400 Våren 014 Del 1 til 8 YNGVAR BERG I. MOS TRANSISTORER, TABELLENE I - X Formelsamlingen inneholder de mest aktuelle konstanter Tabell II, prosessparametre Tabell III og elektriske
DetaljerForelesning 8. CMOS teknologi
Forelesning 8 CMOS teknologi Hovedpunkter MOS transistoren Komplementær MOS (CMOS) CMOS eksempler - Inverter - NAND / NOR - Fulladder Designeksempler (Cadence) 2 Halvledere (semiconductors) 3 I vanlig
DetaljerMO deller for tidsforsinkelse i logiske porter blir gjennomgått.
Del 5: Statisk digital CMOS 1 NGVR ERG I. Innhold MO deller for tidsforsinkelse i logiske porter blir gjennomgått. I tillegg til enkel lineær model for tidsforsinkelse blir Elmore tidsforsinkelsesmodell
DetaljerKONVENSJONELLE latcher og vipper i CMOS blir gjennomgått.
el 11: Latcher og vipper 1 NGVAR BERG I. Innhold KONVENSJONELLE latcher og vipper i CMOS blir gjnomgått. Latcher som styres av to klokkefaser og klokkepulser blir diskutert. Lacher og vipper med, og able
DetaljerCMOS inverter DC karakteristikker og hvordan transistorstørrelser
Del : Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor YNGVR BERG I. Innhold CMOS inverter DC karakteristikker og hvordan transistorstørrelser påvirker karakteristikken. Definisjon
DetaljerIN 241 VLSI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver uke 36
IN 41 VLI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver uke 36 1) Beregn forsterknings faktoren ß for en nmofet fabrikkert i en prosess med: µ = 600cm/V s (Elektronmobilitet for n-dopet materiale) ε = 5
DetaljerDel 3: Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor
Del : Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor YNGVR BERG I. Innhold Vi ser på CMOS inverter DC karakteristikker og hvordan transistorstørrelser påvirker karakteristikken.
DetaljerGJ ennomgang av CMOS prosess, tverrsnitt av nmos- og
Del : Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS rosess YNGVAR BERG I. Innhold GJ ennomgang av CMOS rosess, tverrsnitt av nmos og MOS transistor og tverrsnitt av CMOS inverter. Enkel forklaring
DetaljerGJ ennomgang av CMOS prosess, tverrsnitt av nmos- og
Del : Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS rosess YNGVAR BERG I. Innhold GJ ennomgang av CMOS rosess, tverrsnitt av nmos og MOS transistor og tverrsnitt av CMOS inverter. Enkel forklaring
DetaljerDel 4: Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler
Del 4: Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler NGVA BEG I. Innhold Enkle modeller for MOS transistor kapasitanser gjennomgås, herunder gate- og diffusjonskapasitanser.
DetaljerINF3400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 12
INF3400 Digital Mikroelektronikk øsningsorslag DE 12 NGVR ERG I. DE 12 Del 12 og 13: Passtransistor- og dierensiell MO logikk. II. Oppgaver Tegn sjematikk or en 4:1 multiplekser med innganger,, og, og
DetaljerDel 3: Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor VDD. Vinn. Vut. I. Innhold
Del : Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor YNGVR BERG I. Innhold CMOS INVERTER DC karakteristikker og hvordan transistorstørrelser påvirker karakteristikken. Definisjon
DetaljerKontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK
NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPLIGE UNIVERSITET Institutt for elektronikk og telekommunikasjon aglig kontakt under eksamen: Ragnar Hergum 73 59 20 23 / 920 87 172 Bjørn B. Larsen 73 59 44 93 / 902 08 317
DetaljerDel 11: Latcher og vipper
el 11: Latcher og vipper NGVAR BERG I. Innhold Konvsjonelle latcher og vipper i CMOS blir gjnomgått. Latcher som styres av to klokkefaser blir diskutert. Lacher og vipper med, og able blir prestert. Latcher
DetaljerINF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 13 og 14
INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 13 og 14 YNGVA BEG A. Forsinkelse i interkonnekt Gitt en 3mm lang og 0.4µm bred leder i metall 2 i en 180nm prosess med egenmotstand 0.04Ω/ og
DetaljerINF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 13 Våren 2007
INF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 3 Våren 2007 YNGVA BEG I. Del 3 A. Eksamensoppgave 2005 Hvorfor trengs buffere (repeaters) for å drive signaler over en viss avstand? Hvilke metallag
DetaljerKontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK
NORGES TEKNISKNATURVITENSKAPLIGE UNIVERSITET Institutt for elektronikk og telekommunikasjon aglig kontakt under eksamen: Ragnar Hergum 73 59 20 23 / 920 87 72 Bjørn B. Larsen 73 59 93 / 902 08 37 i emne
DetaljerDel 3: Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor VDD. Vinn. Vut
Del : Utvidet transistormodell og DC karakteristikk for inverter og pass transistor YNGVR BERG I. Innhold CM OS inverter DC karakteristikker og hvordan transistorstørrelser påvirker karakteristiken. Definsisjon
DetaljerTR ansistormodellen utvides med en modell for strøm i svak
el 8: Effektforbruk og statisk MOS NGVR ERG I. Innhold TR ansistormodellen utvides med en modell for strøm i svak inversjon, dvs. når gate source spenningen er lavere enn terskelspenningen. Lekkasjemodeller
DetaljerTR ansistormodellen utvides med en modell for strøm i
el 8: Effektforbruk og statisk MOS NGVR ERG I. Innhold TR ansistormodellen utvides med en modell for strøm i svak inversjon, dvs. når gate source spenningen er lavere enn terskelspenningen. Lekasjemodeller
DetaljerCMOS med transmisjonsporter blir presentert, herunder
Del 12: Passtransistor- og dierensiell CMO logikk NGVR ERG I. Innhold CMO med transmisjonsporter blir presentert, herunder komplementær pass transistor logikk (CP), lean integration med pass transistorer
DetaljerINF3400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 10
INF3400 igital Mikroelektronikk Løsningsforslag EL 10 YNGVAR BERG el 10: Sekvensielle kretser Soner for ikke overlapp I. Oppgaver A. Oppgave 7.1 TC/2 Term t ccq 35ps 35ps t pcq 50ps 50ps t pdq 40ps t setup
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO
Eksamen i: UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet INF1400 Digital teknologi Eksamensdag: 29. november 2011 Tid for eksamen: Vedlegg: Tillatte hjelpemidler: Oppgavesettet er på
DetaljerLøsningsforslag til regneøving 6. a) Bruk boolsk algebra til å forkorte følgende uttrykk [1] Fjerner 0 uttrykk, og får: [4]
Løsningsforslag til regneøving 6 TFE4 Digitalteknikk med kretsteknikk Løsningsforslag til regneøving 6 vårsemester 28 Utlevert: tirsdag 29. april 28 Oppgave : a) Bruk boolsk algebra til å forkorte følgende
DetaljerINF1400. Digital teknologi. Joakim Myrvoll 2014
INF1400 Digital teknologi Joakim Myrvoll 2014 Innhold 1 Forenkling av funksjonsuttrykk 3 1.1 Huntingtons postulater......................................... 3 1.2 DeMorgans...............................................
DetaljerCMOS med transmisjonsporter blir presentert, herunder
Del 12: Passtransistor- og dierensiell CMO logikk NGVR ERG I. Innhold CMO med transmisjonsporter blir presentert, herunder komplementær pass transistor logikk (CP), lean integration med pass transistorer
DetaljerINF 5460 Elektrisk støy beregning og mottiltak
INF 5460 Elektrisk støy beregning og mottiltak Obligatorisk oppgave nummer 3. Frist for levering: 30 April (kl 23:59). Vurderingsform: Godkjent/Ikke godkjent. Oppgavene leveres på individuell basis. Oppgavene
DetaljerRapport laboratorieøving 2 RC-krets. Thomas L Falch, Jørgen Faret Gruppe 225
Rapport laboratorieøving 2 RC-krets Thomas L Falch, Jørgen Faret Gruppe 225 Utført: 12. februar 2010, Levert: 26. april 2010 Rapport laboratorieøving 2 RC-krets Sammendrag En RC-krets er en seriekobling
DetaljerEN kle modeller for MOS transistor kapasitanser gjennomgås,
Del 4: Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler NGVA BEG I. Innhold EN kle modeller for MOS transistor kapasitanser gjennomgås, herunder gate- og diffusjonskapasitanser.
DetaljerINF3400 Uke Wire Engineering 4.7 Design Margins. INF3400 Uke 14 Øivind Næss
INF3400 Uke 14 13.05. 4.6 Wire Engineering 4.7 Design Margins INF3400 Uke 14 Øivind Næss INF3400 Uke 14 13.05. Konstruksjon av gode ledninger Ønsker å oppnå lav forsinkelse, lite areal og lavt effektforbruk
DetaljerINF3400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 11 Latcher og vipper
INF3400 igital Mikroelektronikk Løsningsforslag EL 11 er og vipper NGVAR BERG I. Oppgaver A. Forklar hvordan en statisk latch virker A.1 Løsningsforslag Teori Fig. 3. ynamisk latch med transmisjonsport
DetaljerINF3400 Forel. # Avansert CMOS. INF3400 Forelesning #15 Øivind Næss
INF3400 Forel. #15 20.05. Avansert CMOS INF3400 Forelesning #15 Øivind Næss INF3400 Forel. #15 20.05. Oversikt 4.9 Skalering 4.9.1 Transistorskalering 4.9.2 Interconnect Interconnect -skalering 4.9.3 Teknologi
DetaljerEmnenavn: Datateknikk. Eksamenstid: 3 timer. Faglærer: Robert Roppestad. består av 5 sider inklusiv denne forsiden, samt 1 vedleggside.
Høgskolen i østfold EKSAMEN Emnekode: ITD13012 Dato: 2.12.2016 Hjelpemidler: To (2) A4-ark (fire sider) med egne notater Hlø-kalkulator som kan lånes under eksamen Emnenavn: Datateknikk Eksamenstid: 3
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO
Side 1 UNIVERSITETET I OSLO Det matematisk-naturvitenskapelige fakultet Eksamen i: INF1400 Eksamensdag: Fredag 3. desember Tid for eksamen: kl. 14:30-18:30 (4 timer). Oppgavesettet er på side(r) 7 sider
DetaljerLøsningsforslag til 1. del av Del - EKSAMEN
Løsningsforslag til 1. del av Del - EKSAMEN Emnekode: ITD13012 Emne: Datateknikk Dato: 27. November 2012 Eksamenstid: kl 9:00 til kl 12:00 Hjelpemidler: 4 sider (A4) (2 ark) med egne notater. Ikke-kummuniserende
DetaljerRepetisjon digital-teknikk. teknikk,, INF2270
Repetisjon digital-teknikk teknikk,, INF227 Grovt sett kan digital-teknikk-delen fordeles i tre: Boolsk algebra og digitale kretser Arkitektur (Von Neuman, etc.) Ytelse (Pipelineling, cache, hukommelse,
DetaljerKontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Onsdag 15. august Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG
Side av 8 NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPLIGE UNIVERSITET Institutt for elektronikk og telekommunikasjon Faglig kontakt under eksamen: Ragnar Hergum 73 59 2 23 / 92 87 72 Bjørn B. Larsen 73 59 44 93 Kontinuasjonseksamen
DetaljerForelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer. Felteffekt-transistorer
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Dagens temaer er hentet fra
DetaljerKontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Onsdag 15. august Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG
Side av 8 NORGES TEKNISKNATURVITENSKAPLIGE UNIVERSITET Institutt for elektronikk og telekommunikasjon Faglig kontakt under eksamen: Ragnar Hergum 73 59 2 23 / 92 87 72 Bjørn B. Larsen 73 59 44 93 Kontinuasjonseksamen
DetaljerTFE4101 Krets- og Digitalteknikk Høst 2016
Norges teknisk naturvitenskapelige universitet Institutt for elektronikk og telekomunikasjon TFE40 Krets- og Digitalteknikk Høst 206 Løsningsforslag Øving 6 Teknologi-mapping a) Siden funksjonen T er på
DetaljerDel 10: Sekvensielle kretser YNGVAR BERG
el 10: Sekvensielle kretser YNGVAR BERG I. Innhold Grunnleggende problematikk ved sekvensiering blir gjennomgått. Sekvenseringsmetoder med vipper, tofase transparente latcher og latcher som styres av klokkepulser
DetaljerLØSNINGSFORSLAG 2006
LØSNINGSFORSLAG 2006 Side 1 Oppgave 1), vekt 12.5% 1a) Bruk Karnaughdiagram for å forenkle følgende funksjon: Y = a b c d + a b c d + a b cd + a bc d + a bc d + ab c d + ab cd ab cd 00 01 11 10 00 1 1
DetaljerEN kle modeller for MOS transistor kapasitanser gjennomgås,
Del 4: Moderne MOS transistor modell, transient simulering og enkle utleggsregler NGVA BEG I. Innhold EN kle modeller for MOS transistor kapasitanser gjennomgås, herunder gate- og diffudjonskapasitanser.
DetaljerKonstruksjon av gode ledninger
4.6 Wire Engineering 4.7 Design Margins INF3400 Del 14 Øivind NæssN INF3400/4400 våren Design av ledere og design marginer 1/25 Konstruksjon av gode ledninger Ønsker å oppnå lav forsinkelse, lite areal
DetaljerINF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 10 Våren 2007
INF3400/4400 igital Mikroelektronikk Løsningsforslag EL 10 Våren 2007 YNGVAR BERG el 10: Sekvensielle kretser Soner for ikke overlapp A. Oppgave 7.1 I. Oppgaver TC/2 Term t ccq 35ps 35ps t pcq 50ps 50ps
DetaljerINF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 10
INF3400/4400 igital Mikroelektronikk Løsningsforslag EL 10 YNGVAR BERG el 10: Sekvensielle kretser Soner for ikke overlapp A. Oppgave 7.1 I. Oppgaver Term t ccq 35ps 35ps t pcq 50ps 50ps t pdq 40ps t setup
DetaljerOversikt. Avansert CMOS. INF3400 Del Skalering Transistorskalering Interconnect -skalering Teknologi roadmap
Avansert CMOS INF3400 Del 15 Øivind NæssN INF3400 Del 15 18.05. 1/30 Oversikt 4.9 Skalering 4.9.1 Transistorskalering 4.9.2 Interconnect -skalering 4.9.3 Teknologi roadmap 4.9.4 Design-påvirkninger 5.4.1
DetaljerLab 1 i INF3410. Prelab: Gruppe 5
Lab 1 i INF3410 Prelab: a) EKV modellen ble modellert i Matlab, der EKV.m er brukes til å lage en funksjon av drainsource strømmen. Reverse bias strøm trekkes i fra forward bias strøm, noe som danner grunnlaget
Detaljer7. Hvilket alternativ (A, B eller C) representerer hexadesimaltallet B737 (16) på oktal form?
Jeg har rettet alle oppgavene og legger ut et revidert løsningsforslag. Noen av besvarelsene var glitrende! 6. Hva er desimalverdien av 0 0000 0000 (2)? Tallet er gitt på toerkomplement binær form. Eneren
DetaljerRepetisjon. Sentrale temaer i kurset som er relevante for eksamen (Eksamen kan inneholde stoff som ikke er nevnt her)
Repetisjon Sentrale temaer i kurset som er relevante for eksamen (Eksamen kan inneholde stoff som ikke er nevnt her) Hovedpunkter Pensumoversikt Gjennomgang av sentrale deler av pensum Div informasjon
DetaljerForslag til løsning på eksamen FYS1210 V-2007 ( rev.2 )
Forslag til løsning på eksamen FYS20 V-2007 ( rev.2 ) Oppgave Figur a viser et nettverk med et atteri på 24 volt og 4 motstander. R = 3kΩ, R2 =,5 kω, R3 = 9 kω, R4 = 3 kω a) Hva er spenningen i punktene
DetaljerForelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.10 INF 1411 Elektroniske systemer Felteffekt-transistorer 1 Dagens temaer Bipolare transistorer som brytere Felteffekttransistorer (FET) FET-baserte forsterkere Feedback-oscillatorer Dagens
DetaljerKontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK
Side av 9 NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPLIGE UNIVERSITET Institutt for elektronikk og telekommunikasjon Faglig kontakt under eksamen: Ragnar Hergum 73 59 2 23 / 92 87 72 Bjørn B. Larsen 73 59 44 93 Kontinuasjonseksamen
DetaljerKontinuasjonseksamen i emne TFE4110 DIGITALTEKNIKK MED KRETSTEKNIKK. Mandag 4. august Tid. Kl LØSNINGSFORSLAG
NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPLIGE UNIVERSITET Institutt for elektronikk og telekommunikasjon Faglig kontakt under eksamen: Ragnar Hergum 73 59 20 23 / 920 87 172 Bjørn B. Larsen 73 59 44 93 / 902 08 317
Detaljer1. del av Del - EKSAMEN
1. del av Del - EKSAMEN Emnekode: ITD13012 Emne: Datateknikk Dato: 27. November 2012 Eksamenstid: kl 9:00 til kl 12:00 Hjelpemidler: 4 sider (A4) (2 ark) med egne notater. Ikke-kummuniserende kalkulator.
DetaljerVEILEDNING TIL LABORATORIEØVELSE NR 4
VEILEDNING TIL LABORATORIEØVELSE NR 4 «SAMMENSATTE DIGITAL KRETSER» FY-IN 204 Revidert utgave 98-03-13 Veiledning FY-IN 204 : Oppgave 4 1 4 Sammensatte digitalkretser. Litteratur: Millman, Kap. 7. Oppgave:
DetaljerDagens temaer. Dagens temaer er hentet fra P&P kapittel 3. Motivet for å bruke binær representasjon. Boolsk algebra: Definisjoner og regler
Dagens temaer Dagens temaer er hentet fra P&P kapittel 3 Motivet for å bruke binær representasjon Boolsk algebra: Definisjoner og regler Kombinatorisk logikk Eksempler på byggeblokker 05.09.2003 INF 103
DetaljerGJ ennomgang av CMOS prosess, tversnitt av nmos- og
Del : Enkel elektrisk transistor modell og introduksjon til CMOS rosess YNGVAR BERG I. Innhold GJ ennomgang av CMOS rosess, tversnitt av nmos og MOS og tverrsnitt av CMOS inverter. Enkel forklaring å begreer
DetaljerHøgskoleni østfold EKSAMEN. Dato: Eksamenstid: kl til kl. 1200
Høgskoleni østfold EKSAMEN Emnekode: ITD13012 Emne: Datateknikk Dato: 3.12.2014 Eksamenstid: kl. 0900 til kl. 1200 Hjelpemidler: to A4-ark (fire sider) med egne notater "ikke-kommuniserende" kalkulator
DetaljerForslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 2010
Forslag til løsning på eksamen FYS1210 våren 2010 Oppgave 1 n seriekopling av solceller forsyner ubest med elektrisk energi. Ubelastet måler vi en spenning på 5 volt over solcellene (Vi måler mellom og
DetaljerLøsningsforslag til 1. del av Del - EKSAMEN
Løsningsforslag til 1. del av Del - EKSAMEN Emnekode: ITD13012 Emne: Datateknikk Dato: 13. Desember 2013 Eksamenstid: kl 9:00 til kl 12:00 Hjelpemidler: 4 sider (A4) (2 ark) med egne notater. Ikke-kummuniserende
DetaljerDagens temaer. Dagens temaer hentes fra kapittel 3 i Computer Organisation and Architecture. Kort repetisjon fra forrige gang. Kombinatorisk logikk
Dagens temaer Dagens temaer hentes fra kapittel 3 i Computer Organisation and Architecture Kort repetisjon fra forrige gang Kombinatorisk logikk Analyse av kretser Eksempler på byggeblokker Forenkling
DetaljerIN1020. Sekvensiell Logikk
IN12 Sekvensiell Logikk Hovedpunkter Definisjoner Portforsinkelse Praktiske Eksempler Latch SR D Flip-Flop D JK T Tilstandsmaskiner Tilstandsdiagrammer og tilstandstabeller Omid Mirmotahari 2 Definisjoner
DetaljerINF3400/4400 Digital Mikroelektronikk Løsningsforslag DEL 11 Latcher og vipper Våren 2007
INF3400/4400 igital Mikroelektronikk Løsningsforslag EL 11 er og vipper Våren 2007 NGVAR BERG I. Oppgaver A. Forklar hvordan en statisk latch virker A.1 Løsningsforslag Teori Fig. 3. ynamisk latch med
DetaljerLøsningsforslag INF1400 H04
Løsningsforslag INF1400 H04 Oppgave 1 Sannhetstabell og forenkling av Boolske uttrykk (vekt 18%) I figuren til høyre er det vist en sannhetstabell med 4 variable A, B, C og D. Finn et forenklet Boolsk
DetaljerHØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi
HØGSKOLEN SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi Kandidatnr: Eksamensdato: 0.1.009 Varighet/eksamenstid: Emnekode: 5 timer EDT10T Emnenavn: Elektronikk 1 Klasse(r): EL Studiepoeng: 7,5 Faglærer(e): ngrid
DetaljerHøgskoleni østfold EKSAMEN. Emnekode: Emne: ITD13012 Datateknikk (deleksamen 1, høstsemesteret) Dato: Eksamenstid: kl til kl.
Høgskoleni østfold EKSAMEN Emnekode: Emne: ITD13012 Datateknikk (deleksamen 1, høstsemesteret) Dato: 02.12.2015 Eksamenstid: kl. 0900 til kl. 1200 Hjelpemidler: Faglærer: to A4-ark (fire sider) med egne
DetaljerDagens temaer. Architecture INF ! Dagens temaer hentes fra kapittel 3 i Computer Organisation and. ! Kort repetisjon fra forrige gang
Dagens temaer! Dagens temaer hentes fra kapittel 3 i Computer Organisation and Architecture! Kort repetisjon fra forrige gang! Kombinatorisk logikk! Analyse av kretser! Eksempler på byggeblokker! Forenkling
DetaljerDigital CMOS VDD A Y INF1400 Y=1 A=0 A=1 Y=0. g=0 g=1. nmos. g=0 g=1. pmos. 3. En positiv strøm (strømretning) vil for en nmos transistor
igitl MOS INF4 NGVR ERG efinijon v inære verier:. Logik V. 2. Logik V SS, GN. I. Trnitor om ryter 3. En poitiv trøm (trømretning) vil for en pmos trnitor llti gå fr ource til rin. II. MOS Inverter. nmos
DetaljerKONVENSJONELLE latcher og vipper i CMOS blir gjennomgått.
el 11: Latcher og vipper NGVAR BERG I. Innhold KONVENSJONELLE latcher og vipper i CMOS blir gjnomgått. Latcher som styres av to klokkefaser og klokkepulser blir diskutert. Lacher og vipper med, og able
DetaljerFasit til Eksamen FY-IN 204 våren (avholdt høsten) 1998.
Fasit til ksamen FY-IN 4 åren (aholdt høsten) 1998. Oppgae 1 a) a. V 1,7 olt (asis - emitter spenningen (V ) til en Si-transistor som leder,7olt) b. V,5 -,7 1,8 olt c. Spenningen oer to stk A1,7 * 1,4
DetaljerNY EKSAMEN Emnekode: ITD13012
NY EKSAMEN Emnekode: ITD13012 Dato: 30.05.2018 Hjelpemidler: To (2) A4-ark (fire sider) med egne notater. HIØ-kalkulator som kan lånes under eksamen. Emnenavn: Datateknikk (deleksamen 1) Eksamenstid: 3
DetaljerEksamen i Elektronikk 24. Mai Løsningsforslag Knut Harald Nygaard
Eksamen i Elektronikk 24. Mai 2017 Løsningsforslag Knut Harald Nygaard Oppgave 1 Operasjonsforsterkeren i kretsløpet i figuren nedenfor kan regnes som ideell. v inn R C v ut a) Overføringsfunksjonen er
DetaljerINF1400 Kap 1. Digital representasjon og digitale porter
INF4 Kap Digital representasjon og digitale porter Hovedpunkter Desimale / binære tall Digital hardware-representasjon Binær koding av bokstaver og lyd Boolsk algebra Digitale byggeblokker / sannhetstabell
DetaljerLøsningsforslag Obligatorisk oppgave 1 IN241 VLSI-konstruksjon
Løsningsforslag Obligatorisk oppgave 1 IN241 VLSI-konstruksjon Øyvind Hagen Institutt for informatikk Universitetet i Oslo 23. oktober 2001 1 Innhold 1 Prelab 4 1.1 Implementasjon av Vittoz modellen.................
DetaljerFYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2018
FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2018 Morgan Kjølerbakken Oppgave 1 Kondensatorer og filtre (totalt 5 poeng) 1 a. Beskrivelse av hvordan kondensatoren lades opp er gitt av differensial likningen V = 1
DetaljerLøsningsforslag til regneøving 5. Oppgave 1: a) Tegn tegningen for en eksklusiv eller port ved hjelp av NOG «NAND» porter.
TFE4110 Digialeknikk med kreseknikk Løsningsforslag il regneøving 5 vårsemeser 2008 Løsningsforslag il regneøving 5 Ulever: irsdag 29. april 2008 Oppgave 1: a) Tegn egningen for en eksklusiv eller por
DetaljerUNIVERSITETET I OSLO.
UNIVERSITETET I OSLO. Det matematisk - naturvitenskapelige fakultet. Eksamen i : FYS1210 - Elektronikk med prosjektoppgaver Eksamensdag : 1. juni 2007 Tid for eksamen : Kl. 14:30 17:30 (3 timer) Oppgavesettet
DetaljerMasteroppgave 60 studiepoeng
UNIVERSITETET I OSLO Fysisk Institutt Implementasjon av Ultra Lav Spenning Kombinatoriske og Sekvensielle Kretser i 90 nm CMOS Masteroppgave 60 studiepoeng Mustafa Karais 01. Oktober 2009 i ii Abstrakt
DetaljerDigital representasjon
Digital representasjon Nesten alt elektrisk utstyr i dag inneholder digital elektronikk: PC er, mobiltelefoner, MP3-spillere, DVD/CD-spillere, biler, kjøleskap, TV, fotoapparater, osv osv. Hva betyr digital?
Detaljer