Eksamen i Emne TM4175 Materialteknologi 2, tirsdag 31. mai Løsningsforslag-
|
|
- Matias Corneliussen
- 7 år siden
- Visninger:
Transkript
1 Eksaen i Ene TM4175 Materialteknologi, tirsdag 31. ai 005 -Løsningsorslag- Oppgave 1. (a) Faseloven: F: antall rihetsgrader, C: antall koponenter, P: antall aser, R: antall restriksjoner Karakteristiske linjer i asediagraet er: uidus, idus, vus, og eutektisk teperatur Faseloven anvendt på et -koponentsyste: C, R 1 (trykket iksert) gir F 3 P. Benytter T og X (saensetning) so tilstandsvariable or systeet. Har: P 1 (enaseoråde) gir F (T og X kan variere ritt) P (toaseoråde) gir F 1 (enten T eller X kan variere) P 3 (trippelpunktet) gir F 0 (både T og X er iksert) Eutektisk reaksjon: α-al + Si Det ølger av aseloven at teperaturen under den eutektiske reaksjon å være konstant, siden P 3 og F 0. Dette er i sasvar ed det so kan åles eksperientelt. (b) Utledning av vektstangregelen: Bør deinere alle størrelser og så gjennoøre assebalansen. Svaret bør være gitt so: C0 C W C C C C0 W C C der W + W 1. Relasjon ello volu -og vektraksjon: Bør ørst deinere voluraksjonen og deretter gjennoøre utledningen: Svaret bør være gitt so: 1
2 V W ρ W W + ρ ρ V W ρ W W + ρ ρ Besteelse av voluraksjon: Bør nevnes at i et etallograisk slip kan voluraksjonen bestees direkte via areal -eller linjeraksjonen. Disse er, ateatisk sett, eksakt like. (c) Fasesaensetning ved T 1 : Selte (anriket på Si) sat aste α-al krystaller ed noe Si i ast løsning. I tillegg å skisser (ed utyllende tekst) so viser ikrostrukturen og atoarrangeentet være ed. (d) Anvendelse av vektstangregelen: Derso tetthetsorskjellene neglisjeres, blir voluraksjonen lik vektraksjonen (bør vises). Ved T : Fraksjon α-al: (3,45-1)/(3,45-0,35) 0,79 Fraksjon. : (1-0,35)/(3,45-0,45) 0,1 Ved T 3 : α-al (ed 1 vekt% Si i ast løsning). Ved T 4 : α-al (ed < 1vekt% Si i ast løsning) + rene Si partikler. (e) Fasesaensetning ved T 5 : Fraksjon α-al : (100-1)/(100-0,1) 0,99 Fraksjon Si-partikler : (1-0,1)/(100-0,1) 0,01
3 Ved roteperatur vil ikrostrukturen redeles bestå av α-al og Sipartikler. Til orskjell ra T 5 vil aluiniuasen inneholde litt indre Si i ast løsning, ens andelen rene Si-partikler er tilsvarende litt større. Oppgave. Spørsålene er hentet ra årets prosjektoppgaver so er lagt ut på nett. Det henvises til disse or nærere detaljer. Oppgave 3. (a) (b) En kopositt er en blanding av inst to ulike aterialer, der sikteålet er å kobinere ulike egenskaper ed tanke på å optialisere en koponents ytelse. Det henvises til lærebok og orelesningsnotater or nærere detaljer. Teroplaster: Teroplaster er bygget opp av lange, leksible kjeder. Disse er igjen satt saen av så olekyler so er relativt løst bundet til hverandre. De reviser en typisk plastisk oppørsel, og blir yke og orbare ved oppvaring grunnet viskøs lyt so skyldes at olekylene glir lett i orhold til hverandre når teperaturen øker. Generelt er teroplaster ikke beregnet or lastbærende konstruksjoner, ed unntak av en liten gruppe so går under betegnelsen konstruksjonspolyerer. Disse bibeholder sin styrke og stivhet opp til o C. Teroplaster kan resirkuleres og er lette å restille/ore. Eksepler på teroplaster: Polyethylene, polyester, nylon, ABS, polykarbonater, acetaler. Herdeplaster: Disse er også bygget opp av lange kjeder, der olekylene er sterkt bundet til hverandre i et koplekst 3D-nettverk. Herdeplaster er deror, generelt sett, både sterkere, stivere og er sprø saenlignet ed teroplaster og kan ølgelig også benyttes til konstruksjonsorål. På den annen side har de ikke en iksert ykningteperatur, en vil herde på teperatur, noe so gjør de er vanskelig å restille/ore. Herdeplaster kan noralt ikke resirkuleres. Eksepler på herdeplaster: Phenoliner, ainer, polyester (herdetype), epoxy, silikoner. Det henvises til læreboken or nærere detaljer. 3
4 (c) Tenker oss ørst at strekkstaget lages i rent epoxy. Selve beregningene gjennoøres i ølgende trinn: Maksial tillatt tøyning:,5 3 ε ax 0,83 x Diensjonerende spenning: 3 3 σ E epoxy ε 3,5 x10 0,83 x10,9 MN /,9 N ( )( ) ax / Observerer at σ << σ ax 80 MPa (dvs. lytespenningen til epoxy) Miniu tverrsnittsareal av strekkstag: Fax 00 A in 753, 4 so gir din 31 σ,9 Miniu vekt av strekkstag: 6 150x753,4 x10 x3 kg, 83 kg in Miniu aterialpris på strekkstag laget i epoxy: P 15 x,83 kr 4, 4 kr in (d) Alternativt lages strekkstaget i et koposittateriale. Dette designes på ølgende åte: Miniu E-odul or kopositt: E σ ax 80 96, GPa k 0,83 x ε ax Miniu voluraksjon av karboniber: E E + 1 E ,5 96, ( ) ( ) GPa k 4 Dette gir: 0, 176 Miniu tverrsnittsareal av kopositt: Tar utgangspunkt i at spenningen i epoxy-aterialet ikke å overskride lytespenningen på 80MPa. Tverrsnittsarealet A av epoxy i kopositten/ strekkstaget er gitt so: Fax 00 A ( 1 ) Ak ( 1 0,176) Ak 7,5 σ 80 so gir A k 33,4 ax og d k 6, 5 4
5 Tetthet av kopositt: 3 ρ 1900 x0, x(1 0,176) kg / 1364 kg / k Miniu vekt av kopositt: 6 k 1364 x33,4 x10 x3 kg 0, 137 kg Vektraksjon av karboniber i kopositt: 0,176 x1900 W 0,45 0,176 x ,84 x150 Vekt av karboniber i kopositt: 0,45 x 0,137 kg 0, 034 kg Vekt av epoxy i kopositt: 1 0,45 x0,137kg 0, 103 ( ) kg Miniu aterialpris på strekkstag laget i kopositt: P k 0,034 x ,103x17kr 5, 6kr Observerer: Et strekkstag so lages i et karboniber-orsterket koposittateriale er både sterkere, slankere, lettere og billigere enn et tilsvarende stag laget i rent epoxy. 3 Oppgave 4. (a) Her er Ag (sølv) et etall og en god leder, Si er et halvlederateriale og polyethylene (en polyer) en iator. Gode ledere (etaller) er karakterisert ved et halvullt ledningsbånd hvor elektroner beveger seg lett i et ytre elektriske elt. Valenselektronene er ikke knyttet til bindinger ello bestete atoer, en ligger i en sjø av elektroner so lyter lett ello atoene. I halvledere og iatorer er ledningsbåndet adskilt ra et ullt ledningsbånd ed et energigap av varierende størrelse. I halvledere (intrinsikke) er dette energigapet relativt lite slik at ved norale teperaturer eksiteres (teriske eksitasjon) en viss raksjon opp i ledningsbåndet og gir en oderat bidrag til elektrisk ledning. Halvledere kan også dopes ed gitte reedatoer (ekstrinsikke halvledere) til å gi nye energinivåer (donor eller akseptornivå) so reduserer energigapet så ye at ledningsevnen øker draatisk (lere størrelsesordner). I iatorer er energigapet så stort at praktisk talt ingen elektroner eksiteres over energigapet og opp i ledningsbåndet hvor de kan bidra til elektrisk ledning. I både halvledere og iatorer er valenselektronene involvert i 5
6 (sterke) kovalente bindinger so å brytes or at elektroner skal kunne rigjøres og bevege seg gjenno aterialet og dered gi opphav til elektrisk ledning. Disse problestillingene er diskutert nærere i Kap (s i læreboka; Askeland). (b) Fra Tabell 1 ser vi at ledningsevnen i rent silisiu ved roteperatur (5 0 C) er 5.0 x 10-4 Ω -1-1, obiliteten or elektroner og hull er henholdsvis V -1 s -1 og 0.18 V -1 s -1. Siden aterialet er intrinsikk (udopet) vil konsentrasjonen av elektroner og hull være den sae og ledningsevnen er gitt so σ n( μ + μ e h ) q Antall ladningsbærere blir da: σ Ω n 1.30 x10 q( μe+ μh) x10 C( ) Vs 1/ Ω 1/ Ω 1 C As; V AΩ C / Vs As / AΩs ( 3 ) 16 3 Si har diaantstruktur ed 8 atoer per enhetscelle og ed 4 valenselektroner per ato. Gitterparaeter or Si a Å. Total # elektroner (8 atoer / celle)(4 elektroner / ato).00x (5.4307x10 ) 9 3 Fraksjon eksitert x10 6.6x10 9.0x10 14 (c) Si på dopes ed et Gruppe IIIA eleent, dvs. et eleent so har 3 valenselektroner i ytterste skall or å gi en p-type halvleder, dvs. or eksepel bor, aluiniu, galliu eller indiu. Elektroner vil eksiteres ra valensbåndet opp i et akseptornivå so ligger rett over valensbåndet, og hull vil være ajoritets ladningsbærere. I dette tilellet hvor aterialet dopes vil bidraget ra intrinsikk ledning ved roteperatur være neglisjerbart og bidraget til ledning vil være gitt av antall hull i valensbåndet. Hvis vi videre antar akseptoretning, vil antall ladningsbærere (n h ) være likt antall dopeatoer pr. voluenhet so tilsettes. 6
7 Altså σ nqμ nqμ a h h h n a 1 σ 50 ( Ω) 6.5 x10 ladn./ μ 19 q h 1.6 x10 C 0.05 / Vs 1 3 Siden Si har diaantstruktur ed 8 atoer pr. enhetscelle er n a også gitt ved (hvor x er atoraksjon dopeatoer): n a (1 hull / dopeato)( x dopeatoer / Si ato)(8 Si atoer / enhetscell) 10 3 ( x10 ) Atoraksjon dopeatoer blir dered: x 10 hull / ( x 10 ) 7 x 1.5 x 10 P atoer / Ge atoer (8 Si atoer / enhetscelle) (d) Materialers absorpsjon- og transisjonsegenskaper so utsettes or synlig lys er diskutert i Kap. 0.4 i læreboka (s. 715), og er knyttet til aterialenes elektronstruktur. I etaller hvor det ikke er noe energigap vil absorpsjonen noralt være stor. Alle otoner ed bølgelengde i det synlige spekteret vil ha nok energi til å eksitere elektroner opp i et høyere energinivå og dered bli absorbert. Dvs. lite eller ingen otoner slipper igjenno og aterialet blir ugjennosiktig ( opaque ) og ote ed en sølvgrå arge. Det sae vil være tilelle or halveledere (i hvert all ekstrinsikke) så lenge energien i det innsendte lyset er større enn energigapet i aterialet. I iatorer, deriot, (so de leste keraiske aterialer, glass og polyere) er energigapet så stort at praktisk talt ingen otoner (E oton < E g ) i det synlige spekteret har energi nok til å eksitere elektroner over energigapet, dvs. ingen absorbsjon. Hvis det innsendte lyset heller ikke vekselvirker ed gitteripereksjoner i aterialet (og blir spredt) vil alt lys slippe igjenno og aterialene bli transparente (gjennosiktige). (e) Prinsippet or en p-n overgang er gitt i Kap i læreboka (s ). Spenning-strø karakteristikken er gitt i Figur 18.6 (a). Denne spenning- 7
8 strø karaktristikken danner basis or en p-n overgangs unksjon so en likeretter. På n-siden vil elektroner være ajoritets ladningsbærere, ens det på p- siden er hull. Ved en p-n overgang so ikke er pålagt en ytre spenning vil ørst noen elektroner ra donorer nær p-n-overgangen diundere ra venstre ot høyre (ra n til p) og noen hull (ra akseptorer nær p-n overgangen) ra p til n. Hull og elektroner vil rekobinere, det vil etableres en depletion sone og det vil raskt settes opp en liten kontaktspenning ved overgangen so hindrer videre strø av elektroner/hull langt ra overgangen. Båndstrukturen vil være so angitt i iguren nedenor. Når en p-n overgang settes inn i en strøkrets ed en positiv spenning på p-siden ( orward bias ), vil hull strøe ot n-siden og elektroner ra n-siden strøe ot p-siden, og hull og elektroner vil rekobinere, satidig so det kontinuerlig dannes nye elektroner og hull. Vi år en strø i kretsen so øker ed spenningen. O spenningen snus ( reverse bias ) vil ajoritets ladningsbærerne trekkes vekk ra kontaktorådet ello de to halvlederaterialene og vi år et sjikt uten ladningsbærere ( depletion zone ), og p-n overgangen vil tilnæret oppøre seg so en iator, dvs tilnæret ingen strø. Dette 8
9 vil gjelde inntil break-down hvor den negative spenningen er så stor at koponenten bryter saen. O en vekselsspennning benyttes vil kretsen kun kunne øre strø or den positive delen av signalet, dvs. vi år en ensretting av strøen. Kretsen ungerer so en likeretter. 9
EKSAMEN I EMNE SIK5005 MATERIALTEKNOLOGI 2 MANDAG 5. MAI, LØSNINGSFORSLAG -
EKSAMEN I EMNE SIK5005 MATERIALTEKNOLOGI 2 MANDAG 5. MAI, 200 - LØSNINGSFORSLAG - Oppgave 1. a) Fast løsningsherding er beskrevet på side 256-257 i læreboken. Fig. 9.6 gir en skjematisk fremstilling av
DetaljerNORGES TEKNISK-NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR MATERIALTEKNOLOGI LØSNINGSFORSLAG
NORGES TEKNISK-NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR MATERIALTEKNOLOGI Oppgave 1 LØSNINGSFORSLAG Eksamen i TMT 4185 Materialteknologi Fredag 18. desember 2009 Tid: 09 00-13 00 (a) (b) Karakteristiske
DetaljerEksamen i TMT 4185 Materialteknologi Tirsdag 12. desember 2006 Tid:
Side 1 av 9 Løsningsforslag Eksamen i TMT 4185 Materialteknologi Tirsdag 12. desember 2006 Tid: 09 00-13 00 Oppgave 1 i) Utherdbare aluminiumslegeringer kan herdes ved utskillingsherding (eng.: age hardening
DetaljerNORGES TEKNISK-NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR MATERIALTEKNOLOGI EKSAMEN I EMNE TMT4175 MATERIALTEKNOLOGI 2
NORGES TEKNISK-NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR MATERIALTEKNOLOGI Side 1 av 8 Faglig kontakt under eksamen: Øystein Grong/Knut Marthinsen Tlf.: 94896/93473 EKSAMEN I EMNE TMT4175 MATERIALTEKNOLOGI
DetaljerMeir om halvleiarar. Halvleiarteknologi
Meir om halvleiarar. Halvleiarteknologi YF 42.6, 42.7 (Halvleiarar vart introduserte i fila Energiband i krystallar, som denne fila er eit framhald av.) Hol Leiingsband Valensband E g Eksitasjon av eit
DetaljerFigur 1.8.2 Spenningskomponenter i sveisesnittet. a) kilsveis, b) buttsveis. (1)
1.8 Statiske beregningsetoder or sveiste konstruksjoner Statiske beregninger av aluiniu konstruksjoner beregnes i bruddgrensetilstanden etter bl.a. Norsk Standard. 8.1 Spenningsteori Flere beregningsstandarder
DetaljerEnergiband i krystallar. Halvleiarar (intrinsikke og ekstrinsikke) Litt om halvleiarteknologi
Energiband i krystallar Halvleiarar (intrinsikke og ekstrinsikke) Litt om halvleiarteknologi Energibandstrukturen til eit material avgjer om det er ein leiar (metall), halvleiar, eller isolator Energiband
DetaljerOppgave 1 Svar KORTpå disse oppgavene:
Løsningsforslag eksaen FYS1 V11 Oppgave 1 Svar KORTpå disse oppgavene: a) Tversbølge: Svingebevegelsen til hvert punkt på bølgen går på tvers av forplantningsretningen til bølgen. Langsbølge: Svingebevegelsen
DetaljerLeggeanvisning ØS Snømatte W/m 2 230V og 400V
Leggeanvisning ØS Snøatte-300 300W/ 2 230V og 400V ØS Snøatte-300 benyttes til utendørs is- og snøselting av oppkjørsler, gangveier, inngangspartier, parkeringsplasser, raper etc. Varekabelen er stålarert
DetaljerMateriebølger - Elektrondiffraksjon
FY100 Bølgefysikk Institutt for fysikk, NTNU FY100 Bølgefysikk, øst 007 Laboratorieøvelse 3 Materiebølger - Elektrondiffraksjon Oppgave Besteelse av Planck`s konstant ved elektrondiffraksjon. Forslag til
DetaljerLØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN FY1013 ELEKTRISITET OG MAGNETISME II Fredag 8. desember 2006 kl 09:00 13:00
NOGES EKNISK- NAUVIENSKAPEIGE UNIVESIE INSIU FO FYSIKK Kontakt under eksamen: Per Erik Vullum lf: 93 45 7 ØSNINGSFOSAG I EKSAMEN FY3 EEKISIE OG MAGNEISME II Fredag 8. desember 6 kl 9: 3: Hjelpemidler:
DetaljerFysikk og teknologi Elektronikk FYS ) Det betyr kjennskap til Ohms lov : U = R I og P = U I
Fysikk og teknologi Elektronikk FYS 1210 Skal vi forstå moderne elektronikk - må vi først beherske elementær lineær kretsteknikk - og litt om passive komponenter - motstander, kondensatorer og spoler 1
DetaljerOppgaver. HIN IBDK RA 07.12.07 Side 1 av 6. Oppgave 1. Ved prøving av metalliske materialer kan man finne strekkfastheten,.
Side 1 av 6 Oppgaver Oppgave 1. Ved prøving av etalliske aterialer kan an finne strekkfastheten, ( eh og ) og p02. og flytegrensene e e er egentlig flytegrense, dvs. der den kan fastlegges utvetydig. p02
DetaljerForelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer. Dioder
Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer Dioder Dagens temaer Dioder Halvlederfysikk Ulike typer halvledere og ladningsbærere Diodekarakteristikker Likerettere og strømforsyninger Spesialdioder
DetaljerLøsningsforslag Fysikk 2 V2016
Løsningsforslag Fysikk, Vår 016 Løsningsforslag Fysikk V016 Oppgave Svar Forklaring a) B Faradays induksjonslov: ε = Φ, so gir at Φ = ε t t Det betyr at Φ åles i V s b) D L in = 0,99 10 = 9,9 L aks = 1,04
DetaljerSpenningskilder - batterier
UKE 4 Spenningskilder, batteri, effektoverføring. Kap. 2 60-65 AC. Kap 9, s.247-279 Fysikalsk elektronikk, Kap 1, s.28-31 Ledere, isolatorer og halvledere, doping 1 Spenningskilder - batterier Ideell spenningskilde
DetaljerFysikk og teknologi - Elektronikk Mål for opplæringen er at eleven skal kunne
14. Jan 06 Den nye læreplanen i fysikk Fysikk og teknologi - Elektronikk Mål for opplæringen er at eleven skal kunne 1. gjøre rede for forskjellen mellom ledere, halvledere og isolatorer ut fra dagens
DetaljerSpinn og Impulsbalanse HIA Avd. teknologi Morten Ottestad
Ipuls og spinn balanse 4.0.005 Side av Spinn og Ipulsbalanse HIA Avd. teknologi Morten Ottestad. ynaikk rettlinjede bevegelser. Ipuls balansen Newtons I lov). Eleenter i ekaniske syste.. jær 3.. eper 4..3
DetaljerBasis dokument. 1 Solcelle teori. Jon Skarpeteig. 23. oktober 2009
Basis dokument Jon Skarpeteig 23. oktober 2009 1 Solcelle teori De este solceller er krystallinske, det betyr at strukturen er ordnet, eller periodisk. I praksis vil krystallene inneholde feil av forskjellige
DetaljerForelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer
Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer Dioder Praktiske anvendelser 1 Dagens temaer Dioder Halvlederfysikk Diodekarakteristikker Ulike typer halvledere og ladningsbærere Likerettere Spesialdioder
DetaljerFysikk-OL Norsk finale 2004
Universitetet i Oslo Norsk Fysikklærerforening Fysikk-OL Norsk finale 004 3. uttakingsrunde Fredag. april kl 09.00 til.00 Hjelpeidler: abell/forelsaling og loeregner Oppgavesettet består av 6 oppgaver
DetaljerLeggeanvisning ØS Snømatte W/m 2 230V og 400V
Leggeanvisning ØS Snøatte 300 300W/ 2 230V og 400V ØS Snøatte 300 benyttes til utendørs is og snøselting av oppkjørsler, gangveier, inngangspartier, parkeringsplasser, raper etc. Varekabelen er stålarert
DetaljerAlgoritme-Analyse. Asymptotisk ytelse. Sammenligning av kjøretid. Konstanter mot n. Algoritme-kompeksitet. Hva er størrelsen (n) av et problem?
Hva er størrelsen (n) av et proble? Algorite-Analyse Algoriter og Datastrukturer Antall linjer i et nettverk Antall tegn i en tekst Antall tall so skal sorteres Antall poster det skal søkes blant Antall
DetaljerElektriske svingekretser - FYS2130
Elektriske svingekretser - FYS3 Koplekse ipedanser Vekselsstrøskretser blir ofte enklere å behandle når ipedansene skrives på kopleks for. De koplekse ipedanser er Z ˆ i for kondensator ed kapasitans i
DetaljerHØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi
HØGSKOLEN I SØR-TRØNELG vdeling for teknologi Kandidatnr: Eksaensdato: Tirsdag 1.deseber 009 Varighet/eksaenstid: 0900-1400 Enekode: LM005M- Enenavn: Mateatikk 1 Klasse(r): 1E Studiepoeng: 10 Faglærer(e):
Detaljer1) Hva blir akselerasjonen til en kloss som glir nedover et friksjonsfritt skråplan med helningsvinkel 30?
FY1001/TFY4145 Mekanisk Fysikk Eksaen Tirsdag 16. Deseber 2014 OKMÅL OPPGVE 1: Flervalgsoppgaver (Teller 45%, 18 stk so teller 2.5% hver) 1) Hva blir akselerasjonen til en kloss so glir nedover et friksjonsfritt
DetaljerCMOS billedsensorer ENERGIBÅND. Orienteringsstoff AO 03V 2.1
NRGIBÅND Orienteringsstoff AO 03V 2.1 nergibånd Oppsplitting av energitilstander i krystallstruktur Atom (H) Molekyl Krystallstruktur Sentrifugal potensial 0 0 0 ffektivt potensial Columb potensial a a
DetaljerKapittel 10 Utmattings-sprekkvekst
Kapittel 10 Utattings-sprekkvekst Forelesningsnotater i MEK 4520 Bruddekanikk Hans A. Bratfos Lærebok: T.L. Anderson, Fracture Mechanics Fundaentals and Applications, 3rd edition. Utattingsbrudd (Kap.
DetaljerSolceller. Josefine Helene Selj
Solceller Josefine Helene Selj Silisium Solceller omdanner lys til strøm Bohrs atommodell Silisium er et grunnstoff med 14 protoner og 14 elektroner Elektronene går i bane rundt kjernen som består av protoner
DetaljerNORGES TEKNISK-NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET Side 1 av 6 INSTITUTT FOR MATERIALTEKNOLOGI
NORGES TEKNISK-NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET Side 1 av 6 INSTITUTT FOR MATERIALTEKNOLOGI Faglig kontakt under eksamen: Øystein Grong/Knut Marthinsen Tlf.:94896/93473 EKSAMEN I EMNE SIK5005 MATERIALTEKNOLOGI
DetaljerTransistorer. Dekkes delvis i boka Kap 19-21
ransistorer Dekkes delvis i boka Kap 19-21 eapunkter for de 3 neste ukene: eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare operasjonen til en J klasse A-forsterker Analysere
DetaljerLøsningsforslag til ukeoppgave 15
Oppgaver FYS1001 Vår 2018 1 Løsningsforslag til ukeoppgave 15 Oppgave 18.11 Se. s. 544 Oppgave 18.12 a) Klorofyll a absorberer fiolett og rødt lys: i figuren ser vi at absorpsjonstoppene er ved 425 nm
DetaljerLØSNINGSFORSLAG. Eksamen i Fag SIO 7050 Varmepumpende prosesser og systemer Tirsdag 23. mai 2002
LØSNINGSFORSLAG Eksaen i Fag SIO 7050 Varepupende prosesser og systeer Tirsdag 2. ai 2002 Oppgave 1 a) t R 0 C t sjøvann 15 C t o -8 C t K + 20 C Anlegget består av 4 ovedkoponenter: Fordaper vor kuldeytelsen
DetaljerDekkes delvis i boka Kap 19-21
ransistorer en alternativ presentasjon Dekkes delvis i boka Kap 19-21 Linde 25.feb. 2008 eapunkter eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare operasjonen til en J
DetaljerOppgave 1. Oppgave 2.
Oppgave 1. a. Ergosterol, en forløper for vitain D, har λaks 8 n. Ved λaks er ε 11900 M -1 c -1. Hva er konsentrasjonen av ergosterol i en løsning ed absorbans A 0,065 ålt i en 1,000 c kyvette? b. En spektofotoetrisk
DetaljerOPPGAVE 1 Francis Turbin
NORGES TEKNISK-NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET Institutt for Terisk Energi og Vannkraft Eksaen i fag TEP 95 TURBOMASKNER, Løsningsforslag. Juni 005 Tid: 5.00 9.00 Faglig kontakt under eksaen: Navn: Ole
DetaljerBevegelsesmengde og kollisjoner
eegelsesengde og kollisjoner 4.4.6 Midteisealuering: https://nettskjea.uio.no/answer/7744.htl Oblig 4: nye initialbetingelser i oppgaedel i og j FYS-MEK 4.4.6 Konseratie krefter potensiell energi: U r
DetaljerMandag Ledere: Metaller. Atomenes ytterste elektron(er) er fri til å bevege seg gjennom lederen. Eksempler: Cu, Al, Ag etc.
Institutt for fysikk, NTNU TFY4155/FY1003: Elektrisitet og magnetisme Vår 2007, uke 7 Mandag 12.02.07 Materialer og elektriske egenskaper Hovedinndeling av materialer med hensyn på deres elektriske egenskaper:
Detaljer+ - 2.1 ELEKTRISK STRØM 2.1 ELEKTRISK STRØM ATOMER
1 2.1 ELEKTRISK STRØM ATOMER Molekyler er den minste delen av et stoff som har alt som kjennetegner det enkelte stoffet. Vannmolekylet H 2 O består av 2 hydrogenatomer og et oksygenatom. Deles molekylet,
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 1
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 1 Materialets struktur kan være - Amorft - Polykrystallinsk - Enkrystallinsk www.physics-in-a-nutshell.com Enkrystallinske materialer kan ha ulik atomstruktur De vanligste
DetaljerHØGSKOLEN I SØR-TRØNDELAG Avdeling for teknologi
HØGSKOLEN I SØR-TRØNELG vdeling for teknologi Kandidatnr: Eksaensdato: Torsdag 15.deseber 011 Varighet/eksaenstid: 0900-1400 Enekode: LM005M- Enenavn: Mateatikk 1 Klasse(r): 1E Studiepoeng: 10 Faglærer(e):
DetaljerElektronikk med prosjektoppgaver FYS 1210
Elektronikk med prosjektoppgaver FYS 1210 Lindem 29 jan. 2008 Komponentlære Kretselektronikk Elektriske ledere/ halvledere Doping Dioder - lysdioder Bipolare transistorer Unipolare komponenter FET, MOS,
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter. Kapittel 6 Felteffekt transistorer
Fys2210 Halvlederkomponenter Kapittel 6 Felteffekt transistorer 1 Eksamensdatoer: 11. OG 12. DESEMBER Repetisjon Felteffekttransistoren 3 forskjellige typer: - Junction FET - MESFET - MOSFET JFET MESFET
DetaljerTransistorer en alternativ presentasjon. Temapunkter for de 3 neste ukene
ransistorer en alternativ presentasjon Dekkes delvis i boka Kap 19-21 Linde 3. feb 2010 eapunkter for de 3 neste ukene eskrive struktur o virkninsekaniser i bipolare junction transistorer (J) Forklare
DetaljerKondenserte fasers fysikk Modul 4
FYS3410 Kondenserte fasers fysikk Modul 4 Sindre Rannem Bilden 9. mai 2016 Oppgave 1 - Metaller og isolatorer Metaller er karakterisert med et delvis fyllt bånd kallt ledningsbåndet. I motsetning til metaller
DetaljerForelesning nr.8 IN 1080 Elektroniske systemer. Dioder og felteffekt-transistorer
Forelesning nr.8 IN 1080 Elektroniske systemer Dioder og felteffekt-transistorer Dagens temaer Impedanstilpasning Dioder Likerettere og strømforsyninger Spesialdioder Dagens temaer er hentet fra kapittel
DetaljerIN 241 VLSI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver uke 36
IN 41 VLI-konstruksjon Løsningsforslag til ukeoppgaver uke 36 1) Beregn forsterknings faktoren ß for en nmofet fabrikkert i en prosess med: µ = 600cm/V s (Elektronmobilitet for n-dopet materiale) ε = 5
DetaljerTirsdag r r
Institutt for fysikk, NTNU TFY4155/FY1003: Elektrisitet og magnetisme Vår 2008, uke 6 Tirsdag 05.02.08 Gauss lov [FGT 23.2; YF 22.3; TM 22.2, 22.6; AF 25.4; LHL 19.7; DJG 2.2.1] Fra forrige uke; Gauss
DetaljerBrannbeskyttelse av Bærende stålkonstruksjoner
Brannbeskyttelse av Bærende stålkonstruksjoner Isover FireProtect NOVEMBER 12 Teknisk isolasjon 6 Nå dokuentert i henhold til ENV 13381-4 Ny diensjoneringstabell for frittstående stålsøyler og bjelker
DetaljerEnergibånd i faste stoffer. Et prosjekt i emnet FY1303 elektrisitet og magnetisme, skrevet av Tord Hompland og Sigbjørn Vindenes Egge.
Energibånd i faste stoffer. Et prosjekt i emnet FY1303 elektrisitet og magnetisme, skrevet av Tord Hompland og Sigbjørn Vindenes Egge. 1 Innholdsfortegnelse. Sammendrag...3 Innledning... 4 Hvorfor kvantemekanisk
DetaljerFYS2130. Tillegg til kapittel 13. Harmonisk oscillator. Løsning med komplekse tall
FYS130. Tillegg til kapittel 13 Haronisk oscillator. Løsning ed koplekse tall Differensialligningen for en udepet haronisk oscillator er && x+ ω x = 0 (1) so er en hoogen lineær differensialligning av.
DetaljerQ-Q plott. Insitutt for matematiske fag, NTNU 15. august Notat for TMA4240/TMA4245 Statistikk. Kvantiler fra sannsynlighetsfordeling
Q-Q plott Notat for TMA/TMA Statistikk Insitutt for ateatiske fag, NTNU. august En ønsker ofte å trekke slutninger o populasjonen til en stokastisk variabel basert på et forholdsvis lite antall observasjoner,
DetaljerBYGGING AV LIKESTRØMSKILDE OG TRANSISTORFORSTERKER
BYGGING AV LIKESTRØMSKILDE OG TRANSISTORFORSTERKER OPPGAVE 1. Lag en oppkobling av likespenningskilden skissert i Figur 1. 2. Mål utgangsspenningen som funksjon av ulike verdier på belastningsmotstanden.
DetaljerSVEISTE FORBINDELSER NS-EN 1993-1-8 Knutepunkter
SVEISTE FORBIDELSER S-E 1993-1-8 Knutepunkter I motsetning til S 347 er sveiser og skruer behandlet i S-E 1993-1-8, som i tillegg til orbindelsesmidlene også gir regler or knutepunkter (joints) Generelt
DetaljerKapitalverdimodellen. Investering under usikkerhet Risiko og avkastning. Capital Asset Pricing Model Kapitalverdimodellen (KVM)
Investering under usikkerhet Risiko og avkastning Kapitalverdiodellen Veid kapitalkostnad Finansieringsstruktur og kapitalkostnad John-rik Andreassen 1 Høgskolen i Østold Capital Asset Pricing Model Kapitalverdiodellen
DetaljerMontering (gjennomstikksmontering) Tekniske data Korrosjonsbeskyttelse Brannklasse
Bruksoråde ESSVE Eksansjonsbolt Golden Anchor er beregnet for innfestning i betong og naturstein. Eksansjonsankeret kan ed fordel brukes i alikasjoner der det stilles høye krav til innfestningen. Golden
DetaljerMaks detaljtykkelse. Nøkkelvidde. ESS- BOX størrelse. M6x70* M8 50* /-/- 5/-/
Golden Anchor Bruksoråde ESSVE Ekspansjonsbolt Golden Anchor er beregnet for innfestning i betong og naturstein. Ekspansjonsankeret kan ed fordel brukes i applikasjoner der det stilles høye krav til innfestningen.
DetaljerForelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer. Dioder Praktiske anvendelser
Forelesning nr.8 INF 1411 Elektroniske systemer Dioder Praktiske anvendelser Dagens temaer Dioder Halvlederfysikk Ulike typer halvledere og ladningsbærere Diodekarakteristikker Likerettere og strømforsyninger
DetaljerLøsningsforslag. FY-ME 100 eksamen 2. september 2003
Løsningsforslag FY-ME 00 eksaen. septeber 003 Oppgave Her følger først noen begrepsoppgaver / kvalitative oppgaver. Svarene å begrunnes (en gjør dette kort). a) En stein ed asse kg er festet til enden
DetaljerMEK 4520 Bruddmekanikk Løsningsforslag til eksamensoppgaver høst 2005
M 450 Bruddekanikk Løsningsforslag til eksaensoppgaver høst 005 Oppgave Du har fått i oppgave å avgjøre hvor store defekter (sprekker) so kan aksepteres i en stor koponent av støpe. Støpe er vanligvis
DetaljerForelesning nr.2 INF 1411 Elektroniske systemer. Effekt, serielle kretser og Kirchhoffs spenningslov
Forelesning nr.2 INF 1411 Elektroniske systemer Effekt, serielle kretser og Kirchhoffs spenningslov Dagens temaer Sammenheng mellom strøm, spenning, energi og effekt Strøm og resistans i serielle kretser
DetaljerLøsningsforslag. Midtveiseksamen i Fys-Mek1110 våren 2008
Side av Løsningsforslag idtveiseksaen i Fys-ek våren 8 Oppgave a) En roer sitter i en båt på vannet og ror ed konstant fart. Tegn et frilegeediagra for roeren, og navngi alle kreftene. Suen av kreftene
DetaljerMER STYRKE - ENDA LETTERE! Skyvedørsystem Levolan 60 / 120
GEZE dørteknikk MER STYRKE - ENDA LETTERE! Skyvedørsyste Levolan 60 / 0 BEWEGUNG MIT SYSTEM FAMILIEFORØKELSE I SKYVEDØRSYSTEMET LEVOLAN Levolan 0 er storebroren til Levolan 60 og er konstruert for anuelle
DetaljerSVEISTE FORBINDELSER
SVEISTE FORBIDELSER Generelt Reglene gjelder sveiser med platetykkelse t 4. Det henvises til EC del - (tynnplater) or sveising av tynnere plater Det anbeales å bruke overmatchende elektroder, slik at plastisk
DetaljerTidsbase og triggesystem. Figur 1 - Blokkskjema for oscilloskop
LABORATORIEØVING 6 VEKSELSTRØM OG FASEFORSKYVING INTRODKSJON TIL LABØVINGEN Begreet vekselstrø er en felles betegnelse for strøer og senninger ed eriodisk veksling ello ositive og negative halverioder.
DetaljerTTK4100 Kybernetikk introduksjon Øving 1 - Løsningsforslag
TTK4100 Kybernetikk introduksjon Øving 1 - Løsningsforslag Oppgave 1: UAV En AUV (Autonoous Underwater Vehicle) er et ubeannet undervannsfartøy so kan utføre selvstendige oppdrag under vann. I denne oppgaven
Detaljer1) Hva blir akselerasjonen til en kloss som glir nedover et friksjonsfritt skråplan med helningsvinkel 30?
FY1001/TFY4145 Mekanisk Fysikk Eksaen Tirsdag 16. Deseber 2014 OPPGAVER MED LØSNINGSFORSLAG OPPGAVE 1: Flervalgsoppgaver (Teller 45%, 18 stk so teller 2.5% hver) 1) Hva blir akselerasjonen til en kloss
DetaljerLABORATORIERAPPORT. Halvlederdioden AC-beregninger. Christian Egebakken
LABORATORIERAPPORT Halvlederdioden AC-beregninger AV Christian Egebakken Sammendrag I dette prosjektet har vi forklart den grunnleggende teorien bak dioden. Vi har undersøkt noen av bruksområdene til vanlige
Detaljer59.1 Beskrivelse Bildet under viser hvordan modellen tar seg ut slik den står i utstillingen.
59 TERMOGENERATOREN (Rev 2.0, 08.04.99) 59.1 Beskrivelse Bildet under viser hvordan modellen tar seg ut slik den står i utstillingen. 59.2 Oppgaver Legg hånden din på den lille, kvite platen. Hva skjer?
DetaljerLØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN FY1013 ELEKTRISITET OG MAGNETISME II Fredag 9. desember 2005 kl
NORGES TEKNISK- NATURVITENSKAPELIGE UNIVERSITET INSTITUTT FOR FYSIKK Kontakt under eksamen: Jon Andreas Støvneng Telefon: 73 59 36 63 LØSNINGSFORSLAG TIL EKSAMEN FY1013 ELEKTRISITET OG MAGNETISME II Fredag
DetaljerBevegelsesmengde Kollisjoner
eegelsesengde Kollisjoner 4.3.3 neste uke: ingen forelesning ingen gruppeunderisning ingen datalab på grunn a idteiseksaen FYS-MEK 4.3.3 Energibearing energi i systeet er beart: E tot = K +U + E T arbeid
DetaljerMandag 21.08.06. Mange senere emner i studiet bygger på kunnskap i bølgefysikk. Eksempler: Optikk, Kvantefysikk, Faststoff-fysikk etc. etc.
Institutt for fysikk, NTNU TFY46/FY2: Bølgefysikk Høsten 26, uke 34 Mandag 2.8.6 Hvorfor bølgefysikk? Man støter på bølgefenoener overalt. Eksepler: overflatebølger på vann akustiske bølger (f.eks. lyd)
DetaljerProsjekt i Elektrisitet og magnetisme (FY1303) Solceller. Kristian Hagen Torbjørn Lilleheier
Prosjekt i Elektrisitet og magnetisme (FY133) Solceller Av Kristian Hagen Torbjørn Lilleheier Innholdsfortegnelse Sammendrag...3 Innledning...4 Bakgrunnsteori...5 Halvledere...5 Dopede halvledere...7 Pn-overgang...9
DetaljerOnsdag og fredag
Institutt for fysikk, NTNU TFY4155/FY1003: Elektrisitet og magnetisme Vår 2009, uke 7 Onsdag 11.02.09 og fredag 13.02.09 Gauss lov [FGT 23.2; YF 22.3; TM 22.2, 22.6; AF 25.4; LHL 19.7; DJG 2.2.1] Gauss
DetaljerLøsningsforslag til EKSAMEN
Løsningsforslag til EKSAMEN Emnekode: ITD0 Emne: Fysikk og kjemi Dato: 6. Mai 06 Eksamenstid: kl.: 9:00 til kl.: 3:00 Hjelpemidler: 4 sider (A4) ( ark) med egne notater. Ikke-kommuniserende kalkulator.
DetaljerMot 6: Støy i felteffekttransistorer
/ Mot 6: Støy i felteffekttransistorer To typer av felteffekttransistorer: MOSFET: Kapasitiv kontroll av kanal JFET: Variasjon av bredden på en reversforspent diode hvor deplesjonssonen besteer bredden
DetaljerVEGTYPER OG VEGKLASSER
VEG NORMALER GEOMETRISK UTFORMING AR VEGTYPER 111 1 1 INNDELING I I det funksjonsdelte vegnett karakteriseres vegene ved angivelse av vegtyper og vegklasser hvor: vegtypen angir vegens funksjon og fastsettes
DetaljerEKSAMEN. EMNE: FYS 119 FAGLÆRER: Margrethe Wold. Klasser: FYS 119 Dato: 09. mai 2017 Eksamenstid: Antall sider (ink.
EKSAMEN EMNE: FYS 119 FAGLÆRER: Margrethe Wold MÅLFORM: Bokmål Klasser: FYS 119 Dato: 09. mai 2017 Eksamenstid: 09 00 14 00 Eksamensoppgaven består av følgende: Antall sider (ink. forside): 6 Antall oppgaver:
DetaljerForelesningsnotat om molekyler, FYS2140. Susanne Viefers
Forelesningsnotat om molekyler, FYS Susanne Viefers. mai De fleste grunnstoffer (unntatt edelgassene) deltar i formingen av molekyler. Molekyler er sammensatt av enkeltatomer som holdes sammen av kjemiske
DetaljerSpenningskilder - batterier
UKE 4 Spenningskilder, batteri, effektoverføring. Kap. 2, s. 60-65 AC. Kap 9, s.247-279 Fysikalsk elektronikk, Kap 1, s.28-31 Ledere, isolatorer og halvledere, doping 1 Spenningskilder - batterier Ideell
DetaljerFor å forstå hvordan halvledere fungerer, er det viktig først å ha forstått hva som gjør at noen stoffer leder strøm, mens andre ikke gjør det.
Kompendium Halvledere Stoffer som leder elektrisk strøm kalles ledere. Stoffer som ikke leder elektrisk strøm kalles isolatorer. Hva er da en halvleder? Litt av svaret ligger i navnet, en halvleder er
DetaljerFys2210 Halvlederkomponenter
Fys2210 Halvlederkomponenter Forelesning 2 Kapittel 3 ENERGY BANDS AND CHARGE CARRIERS IN SEMICONDUCTORS Repetisjon: I faste materialer danner elektronene energibånd N st Si atoms Filled; 2N Unfilled;
DetaljerFYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017
FYS1210 Løsningsforslag Eksamen V2017 Oppgave 1 1 a. Doping er en prosess hvor vi forurenser rent (intrinsic) halvleder material ved å tilsette trivalente (grunnstoff med 3 elektroner i valensbåndet) og
DetaljerLØSNING FOR EKSAMEN I FAG 75316, NUMERISK LØSNING AV DIFFERENSIALLIGNINGER, VÅR u t = u xx, < x <, t > 0 < x <
LØSNING FO EKSAMEN I FAG 756, NUMEISK LØSNING AV DIFFEENSIALLIGNINGE, VÅ 994. Oppgave Vi skal løse startverdiprobleet u t = u xx, < x 0 ux, 0) = fx), < x < og vi ønsker en eksplisitt forel ed diskretiseringsfeil
DetaljerFAG: FYS113 Fysikk/Kjemi ÆRER: Fysikk : Per Henrik Hogstad Kjemi : Grethe Lehrmann
UNIVERSITETET I GDER Gritad E K S M E N S O G V E : FG: FYS Fyikk/Kjei ÆRER: Fyikk : er Henrik Hogtad Kjei : Grethe Lehrann Klae(r): Dato: 5.5. Ekaentid, ra-til: 9. 4. Ekaenoppgaven betår av ølgende ntall
DetaljerPAM VA-KATALOG 2016 VA-KATALOG 2016 VANN AVLØP VENTILER
AM VA-KATALOG 2016 VA-KATALOG 2016 AVLØ VENTILER LITT OM AM So verdens ledende produsent av systeer til vann og avløp sørger AM for å tilby den aller beste teknologi til ledningseiere over hele verden.
DetaljerEKSAMEN I FAG SIF4062 FASTSTOFFYSIKK VK Fakultet for fysikk, informatikk og matematikk Tirsdag 8. mai 2001 Tid: Sensur faller 29.
Side 1 av 4 Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet Institutt for fysikk Faglig kontakt under eksamen: Navn: Ola Hunderi Tlf.: 93411 EKSAMEN I FAG SIF406 FASTSTOFFYSIKK VK Fakultet for fysikk, informatikk
DetaljerLaboratorieøvelse i Elektrisitet, MNFFY103 Institutt for Fysikk, NTNU
Laboratorieøvelse i Elektrisitet, MNFFY103 Institutt for Fysikk, NTNU ELEKTROLYSE AV VANN Oppgave 1: Bestem strøm-spennings- og effekt -spennings karakteristikken for et solcellepanel. Bruk Excel til å
DetaljerEKSAMEN I FAG SIF4065 ATOM- OG MOLEKYLFYSIKK Fakultet for naturvitenskap og teknologi 13. august 2002 Tid:
Side 1 av 5 Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet Institutt for fysikk Faglig kontakt under eksamen: Navn: Ola Hunderi Tlf.: 93411 EKSAMEN I FAG SIF465 ATOM- OG MOLEKYLFYSIKK Fakultet for naturvitenskap
DetaljerUKE 4. Thevenin Spenningskilde og effektoverføring Fysikalsk elektronikk Ledere, isolatorer og halvledere, doping Litt om AC
UKE 4 Thevenin Spenningskilde og effektoverføring Fysikalsk elektronikk Ledere, isolatorer og halvledere, doping Litt om AC 1 Thévenin s teorem Helmholtz 1853 Léon Charles Thévenin 1883 Ethvert lineært,
DetaljerANTIKOLLISJONSSYSTEM SMIE AC30 BRUKERHÅNDBOK
ANTIKOLLISJONSSYSTEM MED HÅNDTERING AV FORBUDTE SONER SMIE AC30 BRUKERHÅNDBOK Page : 1/23 I. INNHOLDSFORTEGNELSE. Presentasjon av systeet II. Oppbygning av antikollisjonssysteet AC30. 3 III. Generelle
DetaljerFysikk 2 Eksamen høsten Løsningsforslag
Fysikk - Løsningsforslag Ogae a) D Saenhengen ello kraft og arbeid er W = Fs der s er strekning. Da har i for enhetene at J = N. J N N b) C Feltet fra den negatie ladningen Q e har retning radielt inn
DetaljerLØSNINGSFORSLAG i stikkordsform Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag
LØSNINGSFORSLAG i stikkordsform Fakultet for teknologi, kunst og design Teknologiske fag Eksamen i: Materialteknologi Målform: Bokmål Dato: 2.juni 2016 Tid: 3 timer / kl. 9.00 12.00 Antall sider (inkl.
DetaljerSOLSTRØM FRA ELEKTROSKANDIA GRØNN KONKURRANSEKRAFT. Systemløsninger for solcelleanlegg inkl. sjekkliste og prosjekteringsunderlag
Vennligst fyll inn koplett skjea og send til: energigruppen@elektroskandia.no Side 1/4 GRØNN KONKURRANSEKRAFT ENØK, energisparing, energieffektivisering SJEKKLISTE MONTERINGSSYSTEM FOR SMÅ OG MELLOMSTORE
DetaljerFysikkolympiaden 1. runde 28. oktober 8. november 2013
Norsk Fysikklærerforening i saarbeid ed Skolelaboratoriet Universitetet i Oslo Fysikkolypiaden 1. runde 8. oktober 8. noveber 013 Hjelpeidler: Tabell og forelsalinger i fysikk og ateatikk Loeregner Tid:
DetaljerSkinndybde. FYS 2130
Skinndybde. FYS 130 Vi skal se hvordan en elektromagnetisk bølge oppfører seg i et ledende medium. ølgeligningen for E-feltet i vakuum ble utledet i notatet om elektromagnetiske bølger: E E =εµ 0 0 Denne
DetaljerFysikk 2 Eksamen våren Løsningsforslag
Fysikk - Løsningsforslag Oppgae a) C Q Det elektriske feltet fra en punktladning Q er gitt ed E ke r, og feltstyrken il ata ed astand til ladningen. Retningen til feltet er definert slik at det peker i
DetaljerSolceller og halvledere
Prosjekt i Elektrisitet og Magnetisme. Solceller og halvledere Kristian Rød Innlevering 23.april 2004-0 - Innholdsfortegnelse: 1. Sammendrag 2. Innledning 3. Solceller, generelt 4. Halvledere 4.1. Elementært
DetaljerMENA1001 Deleksamen 2017 Forside
MENA1001 Deleksamen 2017 Forside MENA1001 Tidspunkt: Onsdag 11. oktober 2017, kl. 9.00-10.00 Alle 20 oppgaver skal besvares. Hver oppgave teller likt. Det er 1 poeng for korrekt svar, 0 poeng for feil
Detaljer